九管整電路圖

⑴ 開關電源電路圖 開關電源工作原理

開關電源是利用現代電力電子技術，控制開關管開通和關斷的時間比率，維持穩定輸出電壓的一種電源，開關電源一般由脈沖寬度調制(PWM)控制IC和MOSFET構成。下面我們來看看開關電源電路圖以及開關電源工作原理吧。

一、開關式穩壓電源的基本工作原理

開關式穩壓電源接控制方式分為調寬式和調頻式兩種，在實際的應用中，調寬式使用得較多，在目前開發和使用的開關電源集成電路中，絕大多數也為脈寬調制型。因此下面就主要介紹調寬式開關穩壓電源。

調寬式開關穩壓電源的基本原理可參見下圖。

對於單極性矩形脈沖來說，其直流平均電壓Uo取決於矩形脈沖的寬度，脈沖越寬，其直流平均電壓值就越高。直流平均電壓U。可由公式計算，

即Uo=Um×T1/T

式中Um為矩形脈沖最大電壓值;T為矩形脈沖周期;T1為矩形脈沖寬度。

從上式可以看出，當Um與T不變時，直流平均電壓Uo將與脈沖寬度T1成正比。這樣，只要我們設法使脈沖寬度隨穩壓電源輸出電壓的增高而變窄，就可以達到穩定電壓的目的。

二、開關式穩壓電源的原理電路圖

1、基本電路

圖二開關電源電路圖

開關式穩壓電源的基本電路框圖如圖二所示。

交流電壓經整流電路及濾波電路整流濾波後，變成含有一定脈動成份的直流電壓，該電壓進人高頻變換器被轉換成所需電壓值的方波，最後再將這個方波電壓經整流濾波變為所需要的直流電壓。

控制電路為一脈沖寬度調制器，它主要由取樣器、比較器、振盪器、脈寬調制及基準電壓等電路構成。這部分電路目前已集成化，製成了各種開關電源用集成電路。控制電路用來調整高頻開關元件的開關時間比例，以達到穩定輸出電壓的目的。

2.單端反激式開關電源電路圖

單端反激式開關電源的典型電路如圖三所示。電路中所謂的單端是指高頻變換器的磁芯僅工作在磁滯回線的一側。所謂的反激，是指當開關管VT1導通時，高頻變壓器T初級繞組的感應電壓為上正下負，整流二極體VD1處於截止狀態，在初級繞組中儲存能量。當開關管VT1截止時，變壓器T初級繞組中存儲的能量，通過次級繞組及VD1整流和電容C濾波後向負載輸出。

單端反激式開關電源是一種成本最低的電源電路，輸出功率為20-100W，可以同時輸出不同的電壓，且有較好的電壓調整率。唯一的缺點是輸出的紋波電壓較大，外特性差，適用於相對固定的負載。

單端反激式開關電源使用的開關管VT1承受的最大反向電壓是電路工作電壓值的兩倍，工作頻率在20-200kHz之間。

3.單端正激式開關電源電路圖

單端正激式開關電源的典型電路如圖四所示。這種電路在形式上與單端反激式電路相似，但工作情形不同。當開關管VT1導通時，VD2也

導通，這時電網向負載傳送能量，濾波電感L儲存能量;當開關管VT1截止時，電感L通過續流二極體VD3繼續向負載釋放能量。

在電路中還設有鉗位線圈與二極體VD2，它可以將開關管VT1的最高電壓限制在兩倍電源電壓之間。為滿足磁芯復位條件，即磁通建立和

復位時間應相等，所以電路中脈沖的占空比不能大於50%。由於這種電路在開關管VT1導通時，通過變壓器向負載傳送能量，所以輸出功率范圍大，可輸出50-200W的功率。電路使用的變壓器結構復雜，體積也較大，正因為這個原因，這種電路的實際應用較少。

4.自激式開關穩壓電源電路圖

自激式開關穩壓電源的典型電路如圖五所示。這是一種利用間歇振盪電路組成的開關電源，也是目前廣泛使用的基本電源之一。

當接入電源後在R1給開關管VT1提供啟動電流，使VT1開始導通，其集電極電流Ic在L1中線性增長，在L2中感應出使VT1基極為正，發射極為負的正反饋電壓，使VT1很快飽和。與此同時，感應電壓給C1充電，隨著C1充電電壓的增高，VT1基極電位逐漸變低，致使VT1退出飽和區，Ic開始減小，在L2中感應出使VT1基極為負、發射極為正的電壓，使VT1迅速截止，這時二極體VD1導通，高頻變壓器T初級繞組中的儲能釋放給負載。在VT1截止時，L2中沒有感應電壓，直流供電輸人電壓又經R1給C1反向充電，逐漸提高VT1基極電位，使其重新導通，再次翻轉達到飽和狀態，電路就這樣重復振盪下去。這里就像單端反激式開關電源那樣，由變壓器T的次級繞組向負載輸出所需要的電壓。

自激式開關電源中的開關管起著開關及振盪的雙重作從，也省去了控制電路。電路中由於負載位於變壓器的次級且工作在反激狀態，具有輸人和輸出相互隔離的優點。這種電路不僅適用於大功率電源，亦適用於小功率電源。

5.推挽式開關電源電路圖

推挽式開關電源的典型電路如圖六所示。它屬於雙端式變換電路，高頻變壓器的磁芯工作在磁滯回線的兩側。電路使用兩個開關管VT1和VT2，兩個開關管在外激勵方波信號的控制下交替的導通與截止，在變壓器T次級統組得到方波電壓，經整流濾波變為所需要的直流電壓。

這種電路的優點是兩個開關管容易驅動，主要缺點是開關管的耐壓要達到兩倍電路峰值電壓。電路的輸出功率較大，一般在100-500W范圍內。

6.降壓式開關電源電路圖

降壓式開關電源的典型電路如圖七所示。當開關管VT1導通時，二極體VD1截止，輸人的整流電壓經VT1和L向C充電，這一電流使電感L中的儲能增加。當開關管VT1截止時，電感L感應出左負右正的電壓，經負載RL和續流二極體VD1釋放電感L中存儲的能量，維持輸出直流電壓不變。電路輸出直流電壓的高低由加在VT1基極上的脈沖寬度確定。

這種電路使用元件少，它同下面介紹的另外兩種電路一樣，只需要利用電感、電容和二極體即可實現。

7.升壓式開關電源電路圖

升壓式開關電源的穩壓電路如圖八所示。當開關管VT1導通時，電感L儲存能量。當開關管VT1截止時，電感L感應出左負右正的電壓，該電壓疊加在輸人電壓上，經二極體VD1向負載供電，使輸出電壓大於輸人電壓，形成升壓式開關電源。

8.反轉式開關電源電路圖

反轉式開關電源的典型電路如圖九所示。這種電路又稱為升降壓式開關電源。無論開關管VT1之前的脈動直流電壓高於或低於輸出端的穩定電壓，電路均能正常工作。

當開關管VT1導通時，電感L儲存能量，二極體VD1截止，負載RL靠電容C上次的充電電荷供電。當開關管VT1截止時，電感L中的電流繼續流通，並感應出上負下正的電壓，經二極體VD1向負載供電，同時給電容C充電。

以上就是小編為大家介紹的開關電源電路圖以及開關電源工作原理的內容，希望能夠幫助到您。更多關於開關電源電路圖的相關資訊，請繼續關注土巴兔學裝修。

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⑵ 可控硅電路原理

一、可控硅的概念和結構？
晶閘管又叫可控硅(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管，等等。今天大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極〔圖2(a)〕：第一層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b)〕可以看到，它和二極體一樣是一種單方向導電的器件，關鍵是多了一個控制極G，這就使它具有與二極體完全不同的工作特性。
可控硅

二、晶閘管的主要工作特性
為了能夠直觀地認識晶閘管的工作特性，大家先看這塊示教板(圖3)。晶閘管VS與小燈泡EL串聯起來，通過開關S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的負極，控制極G通過按鈕開關SB接在3V直流電源的正極(這里使用的是KP5型晶閘管，若採用KP1型，應接在1.5V直流電源的正極)。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接，也就是說，給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓。現在我們合上電源開關S，小燈泡不亮，說明晶閘管沒有導通；再按一下按鈕開關SB，給控制極輸入一個觸發電壓，小燈泡亮了，說明晶閘管導通了。這個演示實驗給了我們什麼啟發呢?可控硅
這個實驗告訴我們，要使晶閘管導通，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個正向觸發電壓。晶閘管導通後，松開按鈕開關，去掉觸發電壓，仍然維持導通狀態。
晶閘管的特點： 是「一觸即發」。但是，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就不能導通。控制極的作用是通過外加正向觸發脈沖使晶閘管導通，卻不能使它關斷。那麼，用什麼方法才能使導通的晶閘管關斷呢?使導通的晶閘管關斷，可以斷開陽極電源(圖3中的開關S)或使陽極電流小於維持導通的最小值(稱為維持電流)。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓，那麼，在電壓過零時，晶閘管會自行關斷。

怎樣測試晶閘管的好壞
三、用萬用表可以區分晶閘管的三個電極嗎?怎樣測試晶閘管的好壞呢?
普通晶閘管的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。大家知道，晶閘管G、K之間是一個PN結〔圖2(a)〕，相當於一個二極體，G為正極、K為負極，所以，按照測試二極體的方法，找出三個極中的兩個極，測它的正、反向電阻，電阻小時，萬用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的一個就是陽極A了。測試晶閘管的好壞，可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開關S，按一下按鈕開關SB，燈泡發光就是好的，不發光就是壞的。

四、晶閘管在電路中的主要用途是什麼?
普通晶閘管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極體整流電路屬於不可控整流電路。如果把二極體換成晶閘管，就可以構成可控整流電路、逆變、電機調速、電機勵磁、無觸點開關及自動控制等方面。現在我畫一個最簡單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處於正半周，在控制極外加觸發脈沖Ug時，晶閘管被觸發導通。現在，畫出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕，可以看到，只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出(波形圖上陰影部分)。Ug到來得早，晶閘管導通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間，就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內晶閘管導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。
可控硅
五、在橋式整流電路中，把二極體都換成晶閘管是不是就成了可控整流電路了呢?
在橋式整流電路中，只需要把兩個二極體換成晶閘管就能構成全波可控整流電路了。現在畫出電路圖和波形圖(圖5)，就能看明白了。
六、晶閘管控制極所需的觸發脈沖是怎麼產生的呢?
晶閘管觸發電路的形式很多，常用的有阻容移相橋觸發電路、單結晶體管觸發電路、晶體三極體觸發電路、利用小晶閘管觸發大晶閘管的觸發電路，等等。今天大家製作的調壓器，採用的是單結晶體管觸發電路。
七、什麼是單結晶體管?它有什麼特殊性能呢?
單結晶體管又叫雙基極二極體，是由一個PN結和三個電極構成的半導體器件(圖6)。我們先畫出它的結構示意圖〔圖7(a)〕。在一塊N型矽片兩端，製作兩個電極，分別叫做第一基極B1和第二基極B2；矽片的另一側靠近B2處製作了一個PN結，相當於一隻二極體，在P區引出的電極叫發射極E。為了分析方便，可以把B1、B2之間的N型區域等效為一個純電阻RBB，稱為基區電阻，並可看作是兩個電阻RB2、RB1的串聯〔圖7(b)〕。值得注意的是RB1的阻值會隨發射極電流IE的變化而改變，具有可變電阻的特性。如果在兩個基極B2、B1之間加上一個直流電壓UBB，則A點的電壓UA為：若發射極電壓UE<UA，二極體VD截止；當UE大於單結晶體管的峰點電壓UP(UP=UD＋UA)時，二極體VD導通，發射極電流IE注入RB1，使RB1的阻值急劇變小，E點電位UE隨之下降，出現了IE增大UE反而降低的現象，稱為負阻效應。發射極電流IE繼續增加，發射極電壓UE不斷下降，當UE下降到谷點電壓UV以下時，單結晶體管就進入截止狀態。
八、怎樣利用單結晶體管組成晶閘管觸發電路呢?
單結晶體管組成的觸發脈沖產生電路在今天大家製作的調壓器中已經具體應用了。為了說明它的工作原理，我們單獨畫出單結晶體管張弛振盪器的電路(圖8)。它是由單結晶體管和RC充放電電路組成的。合上電源開關S後，電源UBB經電位器RP向電容器C充電，電容器上的電壓UC按指數規律上升。當UC上升到單結晶體管的峰點電壓UP時，單結晶體管突然導通，基區電阻RB1急劇減小，電容器C通過PN結向電阻R1迅速放電，使R1兩端電壓Ug發生一個正跳變，形成陡峭的脈沖前沿〔圖8(b)〕。隨著電容器C的放電，UE按指數規律下降，直到低於谷點電壓UV時單結晶體管截止。這樣，在R1兩端輸出的是尖頂觸發脈沖。此時，電源UBB又開始給電容器C充電，進入第二個充放電過程。這樣周而復始，電路中進行著周期性的振盪。調節RP可以改變振盪周期。
九、在可控整流電路的波形圖中，發現晶閘管承受正向電壓的每半個周期內，發出第一個觸發脈沖的時刻都相同，也就是控制角α和導通角θ都相等，那麼，單結晶體管張弛振盪器怎樣才能與交流電源准確地配合以實現有效的控制呢?
為了實現整流電路輸出電壓「可控」，必須使晶閘管承受正向電壓的每半個周期內，觸發電路發出第一個觸發脈沖的時刻都相同，這種相互配合的工作方式，稱為觸發脈沖與電源同步。
怎樣才能做到同步呢?大家再看調壓器的電路圖(圖1)。請注意，在這里單結晶體管張弛振盪器的電源是取自橋式整流電路輸出的全波脈沖直流電壓。在晶閘管沒有導通時，張弛振盪器的電容器C被電源充電，UC按指數規律上升到峰點電壓UP時，單結晶體管VT導通，在VS導通期間，負載RL上有交流電壓和電流，與此同時，導通的VS兩端電壓降很小，迫使張弛振盪器停止工作。當交流電壓過零瞬間，晶閘管VS被迫關斷，張弛振盪器得電，又開始給電容器C充電，重復以上過程。這樣，每次交流電壓過零後，張弛振盪器發出第一個觸發脈沖的時刻都相同，這個時刻取決於RP的阻值和C的電容量。調節RP的阻值，就可以改變電容器C的充電時間，也就改變了第一個Ug發出的時刻，相應地改變了晶閘管的控制角，使負載RL上輸出電壓的平均值發生變化，達到調壓的目的。
雙向晶閘管的T1和T2不能互換。否則會損壞管子和相關的控制電路。

十、可控硅元件的工作原理及基本特性電路
可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件,共有三個PN結,分析原理時,可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,其等效圖解如圖1所示
圖1 可控硅等效圖解圖
當陽極A加上正向電壓時,BG1和BG2管均處於放大狀態。此時,如果從控制極G輸入一個正向觸發信號,BG2便有基流ib2流過,經BG2放大,其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連,所以ib1=ic2。此時,電流ic2再經BG1放大,於是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極,表成正反饋,使ib2不斷增大,如此正向饋循環的結果,兩個管子的電流劇增,可控硅使飽和導通。
由於BG1和BG2所構成的正反饋作用, 可控硅導通後,即使控制極G的電流消失了,可控硅仍然能夠維持導通狀態,由於觸發信號只起觸發作用,沒有關斷功能,所以這種可控硅是不可關斷c 所以一旦的。
由於可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態,所以它具有開關特性,這種特性需要一定的條件才能轉化,此條件見表1
表1 可控硅導通和關斷條件
狀態 條件 說明
從關斷到導通 1、陽極電位高於是陰極電位
2、控制極有足夠的正向電壓和電流
兩者缺一不可
維持導通 1、陽極電位高於陰極電位
2、陽極電流大於維持電流
兩者缺一不可
從導通到關斷 1、陽極電位低於陰極電位
2、陽極電流小於維持電流
任一條件即可
2、基本伏安特性
可控硅的基本伏安特性見圖2
圖2 可控硅基本伏安特性
（1）反向特性
當控制極開路,陽極加上反向電壓時（見圖3）,J2結正偏,但J1、J2結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流,當電壓進一步提高到J1結的雪崩擊穿電壓後,接差J3結也擊穿,電流迅速增加,圖3的特性開始彎曲,如特性OR段所示,彎曲處的電壓URO叫「反向轉折電壓」。此時,可控硅會發生永久性反向擊穿。
圖3 陽極加反向電壓
（2）正向特性
當控制極開路,陽極上加上正向電壓時（見圖4）,J1、J3結正偏,但J2結反偏,這與普通PN結的反向特性相似,也只能流過很小電流,這叫正向阻斷狀態,當電壓增加,圖3的特性發生了彎曲,如特性OA段所示,彎曲處的是UBO叫：正向轉折電壓
圖4 陽極加正向電壓
由於電壓升高到J2結的雪崩擊穿電壓後,J2結發生雪崩倍增效應,在結區產生大量的電子和空穴,電子時入N1區,空穴時入P2區。進入N1區的電子與由P1區通過J1結注入N1區的空穴復合,同樣,進入P2區的空穴與由N2區通過J3結注入P2區的電子復合,雪崩擊穿,進入N1區的電子與進入P2區的空穴各自不能全部復合掉,這樣,在N1區就有電子積累,在P2區就有空穴積累,結果使P2區的電位升高,N1區的電位下降,J2結變成正偏,只要電流稍增加,電壓便迅速下降,出現所謂負阻特性,見圖3的虛線AB段。
這時J1、J2、J3三個結均處於正偏,可控硅便進入正向導電狀態---通態,此時,它的特性與普通的PN結正向特性相似,見圖2中的BC段
3、觸發導通
在控制極G上加入正向電壓時（見圖5）因J3正偏,P2區的空穴時入N2區,N2區的電子進入P2區,形成觸發電流IGT。在可控硅的內部正反饋作用（見圖2）的基礎上,加上IGT的作用,使可控硅提前導通,導致圖3的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。
圖5 陽極和控制極均加正向電壓

十一、可控硅參數符號
參數符號說明:
IT(AV)--通態平均電流
VRRM--反向重復峰值電壓
IDRM--斷態重復峰值電流
ITSM--通態一個周波不重復浪涌電流
VTM--通態峰值電壓
IGT--門極觸發電流
VGT--門極觸發電壓
IH--維持電流
dv/dt--斷態電壓臨界上升率
di/dt--通態電流臨界上升率
Rthjc--結殼熱阻
VISO--模塊絕緣電壓
Tjm--額定結溫
VDRM--通態重復峰值電壓
IRRM--反向重復峰值電流
IF(AV)--正向平均電流
十二、如何鑒別可控硅的三個極
鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。
陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。
控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極體特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，並不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。
若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。
可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等。可控硅和其它半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業、農業、交通運輸、軍事科研以至商業、民用電器等方面爭相採用的元件。
一、 可控硅的結構和特性
■可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種（見圖表-25）。螺旋式的應用較多。
■可控硅有三個電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P 型導體和N 型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN 結。其結構示意圖和符號見圖表-26。
■從圖表-26中可以看到，可控硅和只有一個PN 結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發揮「以小控大」的優異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能製造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
■可控硅為什麼其有「以小控大」的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。
■首先，我們可以把從陰極向上數的第一、二、三層看面是一隻NPN 型號晶體管，而二、三四層組成另一隻PNP 型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。這樣就可畫出圖表-27（C）的等效電路圖來分析。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea ，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1 的基一射間）輸入一個正的觸發信號，BG1 將產生基極電流Ib1 ，經放大，BG1 將有一個放大了β1 倍的集電極電流IC1 。因為BG1 集電極與BG2 基極相連，IC1 又是BG2 的基極電流Ib2 。BG2 又把比Ib2 （Ib1 ）放大了β2 的集電極電流IC2 送回BG1 的基極放大。如此循環放大，直到BG1 、BG2 完全導通。實際這一過程是「一觸即發」的過程，對可控硅來說，觸發信號加入控制極，可控硅立即導通。導通的時間主要決定於可控硅的性能。
■可控硅一經觸發導通後，由於循環反饋的原因，流入BG1 基極的電流已不只是初始的Ib1 ，而是經過BG1 、BG2 放大後的電流（β1 *β2 *Ib1 ）這一電流遠大於Ib1 ，足以保持BG1 的持續導通。此時觸發信號即使消失，可控硅仍保持導通狀態只有斷開電源Ea 或降低Ea ，使BG1 、BG2 中的集電極電流小於維持導通的最小值時，可控硅方可關斷。當然，如果Ea 極性反接，BG1 、BG2 由於受到反向電壓作用將處於截止狀態。這時，即使輸入觸發信號，可控硅也不能工作。反過來，Ea 接成正向，而觸動發信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通，但已屬於非正常工作情況了。
■可控硅這種通過觸發信號（小的觸發電流）來控制導通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區別於普通硅整流二極體的重要特徵。

[編輯本段]二、可控硅的主要參數
可控硅的主要參數有：
1、 額定通態平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。
2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。
3、 反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處於反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。
4、 控制極觸發電流Ig1 、觸發電壓VGT在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的最小控制極電流和電壓。
5、 維持電流IH在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的最小陽極正向電流。
■近年來，許多新型可控硅元件相繼問世，如適於高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。
可控硅
可控硅是硅可控整流元件的簡稱，亦稱為晶閘管。具有體積小、結構相對簡單、功能強等特點，是比較常用的半導體器件之一。該器件被廣泛應用於各種電子設備和電子產品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。家用電器中的調光燈、調速風扇、空調機、電視機、電冰箱、洗衣機、照相機、組合音響、聲光電路、定時控制器、玩具裝置、無線電遙控、攝像機及工業控制等都大量使用了可控硅器件。
可控硅的分類
按其工作特性，可控硅（THYRISTOR)可分為普通可控硅（SCR）即單向可控硅、雙向可控硅（TRIAC)和其它特殊可控硅。
可控硅的觸發
過零觸發-一般是調功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發，必須是過零點才觸發，導通可控硅。
非過零觸發-無論交流電電壓在什麼相位的時候都可觸發導通可控硅，常見的是移相觸發，即通過改變正弦交流電的導通角（角相位），來改變輸出百分比。
可控硅的主要參數:
1. 額定通態電流（IT)即最大穩定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。
2. 反向重復峰值電壓（VRRM)或斷態重復峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。
3. 控制極觸發電流（IGT)，俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。
可控硅的常用封裝形式
常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。
可控硅的主要廠家
主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX ，SANREX，SANKEN ，SEMIKRON ，EUPEC，IR迪昌科技，北京瑞田達技貿有限責任公司等。

⑶ 為什麼膽機的電子管有7個腳和9個腳之分呢

一個功放機是由各種電子元件組成，才能推動喇叭發出優美的音樂，膽機也是同樣由各種電子元件、不同的膽管組成，然後由功放管推動喇叭。在膽機電路中，根據電路的需要，安裝不同的電子管。下面以交流電子管收音機為例，不同的電路使用不同的電子管：

上圖為交流六燈電子管收音機，圖中的1為變頻級，使用的是七極6A2電子管（七腳管），圖中的2為中頻放大電路，使用6k4電子管，管腳也是七腳管，圖中的3為中頻放大電路，使用的是6N2雙三極電子管，為九腳管，其作用是，一半三極體作為低頻電壓放大，一半作為音調調整電路。圖中的4為功率放大輸出級，由6p1九腳電子管擔任。圖中的5為電源整流電路，整流管為6z4，七腳管。圖中的6為6E1調諧指示管（九腳電子管，裝飾管，當收到電台時，發出扇形綠光）。電子管種類比較多，還有比如FU-7、6p3p、6v6功放管……八腳電子管等。