半導體電路

㈠ 半導體集成電路和半導體晶元有什麼關系和不同兩者的概念如何

半導體集成電路包括半導體晶元及外圍相關電路。

【半導體集成電路】
半導體集成電路是將晶體管，二極體等等有源元件和電阻器，電容器等無源元件，按照一定的電路互聯，「集成」在一塊半導體單晶片上，從而完成特定的電路或者系統功能。

【半導體晶元】
在半導體片材上進行浸蝕，布線，製成的能實現某種功能的半導體器件。不只是硅晶元，常見的還包括砷化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質電路板不要好奇分解它），鍺等半導體材料。半導體也像汽車有潮流。二十世紀七十年代，因特爾等美國企業在動態隨機存取內存(D-RAM)市場占上風。但由於大型計算機的出現，需要高性能D-RAM的二十世紀八十年代，日本企業名列前茅。
【集成電路】
集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。採用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，製作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然後封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母「IC」表示。集成電路發明者為傑克·基爾比（基於鍺（Ge）的集成電路）和羅伯特·諾伊思（基於硅（Si）的集成電路）。當今半導體工業大多數應用的是基於硅的集成電路。
是20世紀50年代後期一60年代發展起來的一種新型半導體器件。它是經過氧化、光刻、擴散、外延、蒸鋁等半導體製造工藝，把構成具有一定功能的電路所需的半導體、電阻、電容等元件及它們之間的連接導線全部集成在一小塊矽片上，然後焊接封裝在一個管殼內的電子器件。其封裝外殼有圓殼式、扁平式或雙列直插式等多種形式。集成電路技術包括晶元製造技術與設計技術，主要體現在加工設備，加工工藝，封裝測試，批量生產及設計創新的能力上。

㈡ 為什麼集成電路要放在半導體上

集成電路稱「邏輯電路」，它的工作原理是傳遞0、1的電信號。1、0這兩個符號，在電回學中答，可以分別表示為晶體管的開和關、磁碟的磁化和未磁化、光碟的平面和凹坑……而半導體，如硅，在元素周期表中它們處於金屬和非金屬之間，所以，它們的導電性既沒有導體那麼強，又不會像絕緣體那樣完全隔絕電流，而是可以被人工控制它們的導電性。所以，用半導體製成的集成電路，可以隨時地改變半導體的導電性，它們導電、不導電分別能表示為1和0，所以能夠處理數據。現在我們使用的收音機、電視、電腦，大部分器件都是用半導體製成的集成電路製造的。

㈢ 什麼是半導體 為什麼晶元要用半導體做

材料的電阻率界於金屬與絕緣材料之間的材料。

㈣ 常見半導體有用於什麼電路速度、

二極體==用於整流、穩壓、檢波等電路中；
三極體==用於放大、開關等電路中；
上面是最常見的兩種半導體。其他的還有：
集成電路（IC)==用於各種控制電路中
晶閘管（可控硅）==一般用在調壓電路中
等等

㈤ 晶元 半導體 集成電路三個概念的聯系和區別

一、不同的分類

晶元：是電子技術中實現電路小型化的一種方法，通常是在半導體晶圓的表面製造。

半導體：是指在室溫下導體和絕緣體之間具有導電性的材料。半導體廣泛應用於消費電子、通信系統、醫療儀器等領域。

集成電路：是一種微電子器件或器件。利用一定的技術，將電路中所需的晶體管、電阻器、電容器、電感器等元器件和布線連接起來。

二、不同的特點

晶元：在半導體晶元表面製造電路的集成電路又稱薄膜集成電路。另一種厚膜集成電路是由獨立的半導體：半導體器件和無源器件集成在基板或電路板上的小型化電路。

集成電路：集成電路技術包括晶元製造技術和設計技術，主要體現在加工設備、加工技術、封裝測試、批量生產和設計創新能力等方面。

三、不同的功能

晶元：晶元晶體管發明並量產後，二極體、晶體管等各種固態半導體器件得到廣泛應用，取代了真空管在電路中的功能和作用。

半導體：是在室溫下導電性介於導體和絕緣體之間的材料。半導體主要用於無線電、電視和溫度測量。半導體是一種從絕緣體到導體具有可控導電性的材料。從

集成電路：具有體積小、重量輕、引線和焊點少、使用壽命長、可靠性高、性能好、成本低、便於大規模生產等優點。

㈥ 半導體，集成電路原理設計

1、集電極電位不相同的NPN晶體管必須放在不同的隔離區，而集電極電位相同的內NPN晶體管可以放在同一個容隔離區內。2、多數電阻原則上都可以放在同一個隔離區內，只要保證它們之間實現電隔離。3、基區擴散電阻兩端電位不高於NPN晶體管集電極電位時，可與NPN晶體管同放一個隔離區內；基區擴散電阻兩端電位不高於橫向PNP晶體管基極電位時，可與橫向PNP晶體管同放一個隔離區內。
根據這幾條比對電路圖。這個電路實際上是個反相器，或者說是交流轉直流的一個東西。VI高電平時輸出低電平，VI低電平時，或者為負時輸出高電平。
根據那幾條，可以看出Q5、Q6為一個區，其他為一個區。
僅是個人觀點，對隔離區不是很了解

㈦ 晶元，半導體和集成電路的區別

1、分類不同

晶元在電子學中是一種把電路小型化的方式，並時常製造在半導體晶圓表面上。

半導體指常溫下導電性能介於導體與絕緣體之間的材料。半導體在消費電子、通信系統、醫療儀器等領域有廣泛應用。

集成電路是一種微型電子器件或部件。採用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起。

2、特點不同

晶元將電路製造在半導體晶元表面上的集成電路又稱薄膜集成電路。另有一種厚膜集成電路是由獨立半導體設備和被動組件，集成到襯底或線路板所構成的小型化電路。

物質存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。通常把導電性差的材料，如煤、人工晶體、琥珀、陶瓷等稱為絕緣體。

集成電路技術包括晶元製造技術與設計技術，主要體現在加工設備，加工工藝，封裝測試，批量生產及設計創新的能力上。

3、功能不同

晶元晶體管發明並大量生產之後，各式固態半導體組件如二極體、晶體管等大量使用，取代了真空管在電路中的功能與角色。

半導體是指在常溫下導電性能介於導體與絕緣體之間的材料。半導體主要運用在收音機、電視機和測溫上。半導體是指一種導電性可控，范圍從絕緣體到導體之間的材料。從

集成電路具有體積小，重量輕，引出線和焊接點少，壽命長，可靠性高，性能好等優點，同時成本低，便於大規模生產。

㈧ 半導體電路圖中ovtpvt和gnb代表什麼

本著大家共同提高看電路圖的基本知識，現將電路中常見的原器件的原理並結合實際的電路圖加以解釋，達到理論結合實際的目的。該文沒有涉及到復雜的計算公式，詳細的理論，只是一些基本知識的總結和概述。
關鍵詞：電阻，電容，電感，二極體，三極體，MOS管
第一章：電阻
概述：電阻總體可以分做兩類：線性電阻和非線性電阻。該片文章中所提到的電阻均是貼片電阻。
1:線性電阻部分：
1.1:定義：
電阻兩端的電壓與通過它的電流成正比，其伏安特性曲線為直線這類電阻,稱為線性電阻
1.2:線性電阻(單個電阻)的種類：
1. 5%精度的命名：RS-05K102JT 2.1％精度的命名：RS-05K1002FT
R----代表電阻
S----代表功率
05---代表英寸，05 －表示尺寸(英寸)：02表示0402、03表示0603、05表示0805、06表示1206、1210表示1210、1812表示1812、10表示1210、12表示2512。
K---表示溫度系數為100PPM
102－5％精度阻值表示法：前兩位表示有效數字，第三位表示有多少個零，基本單位是Ω，102＝10000Ω＝1KΩ。1002是1％阻值表示法：前三位表示有效數字，第四位表示有多少個零，基本單位是Ω，1002＝100000Ω＝10KΩ。
J---表示精度為5％、F－表示精度為1％。
T---表示編帶包裝
常見的貼片電阻有（以下是按貼片電阻的大小劃分）0402，0603，0805，1206，1210，1812，2010，2512
1.3:線性電阻（排阻）種類：
一般有2兩種
A型排阻的引腳總是奇數的,它的左端有一個公共端（用白色的圓點表示）
B型排阻的引腳總是偶數的。它沒有公共端
實際在電路中用到的基本上是B型排阻。
RN(resistor network)的測量方法：如下圖所示，只要測量pin1 and pin2的阻值即可
怎麼看排阻的大小：前2位是有效數字，後面一位是10的幾次冪
比如：102=1000ohm,822=8200ohm
1.4：線性電阻的作用：
線性電阻的總體作用可以概述為：限流與降壓
具體在電路中的應用有：
1. 在集成電路應用中有許多輸入腳沒有用到,需要預置一個電平值,使其穩定工作,值1就用一個電阻接高電平,叫做上拉電阻;值0就用一個電阻接地,叫下拉電阻.上拉電阻：上拉就是將不確定的信號通過一個電阻嵌位在高電平！電阻同時起限流作用！
下拉電阻：上拉就是將不確定的信號通過一個電阻嵌位在低電平！電阻同時起限流作用！
2.在clock信號中增加電阻的作用：這個電阻的作用是減少信號的震盪，提高雜訊裕量，但不用這個電阻一般也能工作.
3.普通的分壓作用
4.普通的限流作用
5.0ohm電阻的作用：
5.1：跳線使用，美觀整潔
5.2:數字和模擬混合電路，要求2個地分開，有利於大面積鋪銅。
5.3:做保險絲用，廠家為了節約成本（PCB走線承受電流容量教大，不容易熔斷.0ohm承受電流教小）
5.4:為調試預留的位置。
1.5:實際應用舉例：
常見的上拉電阻，和下拉電阻在電路中的應用
圖中pin26低電平有效，為保證該點在不工作時保證高電平，故加一個上來電阻R68，讓該點在不工作狀態是保持高電平。同時，當Q91MOS管導通時，R68還取到限流的作用。
下拉電阻：
因為ICGPIO3/GPIO2保持在一個低電位，下拉電阻的目的是為了讓整個電阻實現一個迴路，從而可以定位GPIO3/GPIO2的電位保持在一個准位。
常見在clock信號中加電阻的應用，：
普通的分壓作用：
PinAJ22，PinAJ19的電壓由電阻分壓得來
普通限流作用：
當PWRSW#拉拉低時，R71取到限制電流的作用。
常見排阻的作用（基本和單個電阻的作用相同）：
如上拉電阻：
2.非線性電阻部分:
2.1：定義：電阻兩端的電壓與通過它的電流不成正比，其伏安特性曲線不為直線這類電阻,稱為非線性電阻。
常用的非線性電阻有：熱敏電阻，光敏電阻，氣敏電阻，壓敏電阻。在主板中常用到的是熱敏電阻，下面著重介紹熱敏電阻在主板中的應用。
2.2熱敏電阻的種類和命名規則：
熱敏電阻是敏感元件的一類,其電阻值會隨著熱敏電阻本體溫度的變化呈現出階躍性的變化，具有半導體特性。

㈨ 晶元、半導體和集成電路之間的區別是什麼

1.晶元，又稱微電路（microcircuit）、微晶元（microchip）、集成電路（英語：integrated
circuit，
IC）。是指內含集成電路的矽片，體積很小，常常是計算機或其他電子設備的一部分。
晶元（chip）就是半導體元件產品的統稱。是集成電路（IC，
integrated
circuit）的載體，由晶圓分割而成。
矽片是一塊很小的硅，內含集成電路，它是計算機或者其他電子設備的一部分。
2.半導體（
semiconctor），指常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。
物質存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等。我們通常把導電性差的材料，如煤、人工晶體、琥珀、陶瓷等稱為絕緣體。而把導電性比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導體。可以簡單的把介於導體和絕緣體之間的材料稱為半導體。
3.集成電路（integrated
circuit）是一種微型電子器件或部件。採用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，製作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然後封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母「IC」表示。集成電路發明者為傑克·基爾比（基於鍺（Ge）的集成電路）和羅伯特·諾伊思（基於硅（Si）的集成電路）。當今半導體工業大多數應用的是基於硅的集成電路。
是20世紀50年代後期一60年代發展起來的一種新型半導體器件。它是經過氧化、光刻、擴散、外延、蒸鋁等半導體製造工藝，把構成具有一定功能的電路所需的半導體、電阻、電容等元件及它們之間的連接導線全部集成在一小塊矽片上，然後焊接封裝在一個管殼內的電子器件。其封裝外殼有圓殼式、扁平式或雙列直插式等多種形式。集成電路技術包括晶元製造技術與設計技術，主要體現在加工設備，加工工藝，封裝測試，批量生產及設計創新的能力上。

㈩ 半導體集成電路的分類

集成電路如果以構成它的電路基礎的晶體管來區分，有雙極型集成電路和MOS集成電路兩類。前者以雙極結型平面晶體管為主要器件（如圖2），後者以MOS場效應晶體管為基礎。圖3表示了典型的硅柵N溝道MOS集成電路的製造工藝過程。一般說來，雙極型集成電路優點是速度比較快，缺點是集成度較低,功耗較大；而MOS集成電路則由於MOS器件的自身隔離，工藝較簡單，集成度較高,功耗較低，缺點是速度較慢。近來在發揮各自優勢，克服自身缺點的發展中，已出現了各種新的器件和電路結構。
集成電路按電路功能分，可以有以門電路為基礎的數學邏輯電路和以放大器為基礎的線性電路。後者由於半導體襯底和工作元件之間存在著有害的相互作用，發展較前者慢。同時應用於微波的微波集成電路和從Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體激光器和光纖維導管為基礎的光集成電路也正在發展之中。
半導體集成電路除以硅為基礎的材料外，砷化鎵也是重要的材料，以它為基礎材料製成的集成電路，其工作速度可比目前硅集成電路高一個數量級，有著廣闊的發展前景。
從整個集成電路范疇講，除半導體集成電路外，還有厚膜電路與薄膜電路。
①厚膜電路。以陶瓷為基片，用絲網印刷和燒結等工藝手段制備無源元件和互連導線，然後與晶體管、二極體和集成電路晶元以及分立電容等元件混合組裝而成。
②薄膜電路。有全膜和混合之分。所謂全膜電路，就是指構成一個完整電路所需的全部有源元件、無源元件和互連導體，皆用薄膜工藝在絕緣基片上製成。但由於膜式晶體管的性能差、壽命短，因此難以實際應用。所以目前所說的薄膜電路主要是指薄膜混合電路。它通過真空蒸發和濺射等薄膜工藝和光刻技術，用金屬、合金和氧化物等材料在微晶玻璃或陶瓷基片上製造電阻、電容和互連（薄膜厚度一般不超過1微米）,然後與一片或多片晶體管器件和集成電路的晶元高密度混合組裝而成。
厚膜和薄膜電路與單片集成電路相比，各有特點，互為補充。厚膜電路主要應用於大功率領域；而薄膜電路則主要在高頻率、高精度方面發展其應用領域。目前，單片集成電路技術和混合集成電路技術的相互滲透和結合，發展特大規模和全功能集成電路系統，已成為集成電路發展的一個重要方向。