雙向可控硅電路

❶ 雙向可控硅電路工作原理求解釋……

以過零觸發電路作為驅動模塊

❷ 雙向可控硅在現實電路中怎麼測試好壞

對於復雙向可控硅，閉合開關制K，燈應發亮，斷開K，燈應不息滅。然後將電池反接，重復上述步驟，均應是同一結果，才說明是好的。否則說明該器件已損壞。

先任測兩個極，若正、反測指針均不動（R&TImes;1擋），可能是A、K或G、A極（對單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G極（對雙向可控硅）。

若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。

(2)雙向可控硅電路擴展閱讀

1、雙向可控硅是一種功率半導體器件，也稱雙向晶閘管，在單片機控制系統中，可作為功率驅動器件。

2、雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器，且連接在強電網路中，其觸發電路的抗干擾問題很重要，通常都是通過光電耦合器將單片機控制系統中的觸發信號載入到可控硅的控制極。

3、雙向可控硅屬於NPNPN五層器件，三個電極分別是T1、T2、G。從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合，但實際上它是由7隻晶體管和多隻電阻構成的功率集成器件。

❸ 雙向可控硅在電路中的作用

雙向可控硅一般用於交流調壓或當交流電子開關用。

❹ 雙向可控硅調壓電路能否直接整流

你的所謂「調抄壓」，其實是通過控制襲SCR(晶閘管，俗稱可控硅)的導通角，使得完整波形的正弦波被切割掉一部分，輸出電壓有效值將會降低。但是只要半個周期的波形大於90度，峰值電壓仍然是220*√2=310V。所以經過整流電路再濾波，電壓仍然是DC300V。如果是經過自耦變壓器調整後降低輸出交流電壓，減壓降低而波形不會改變，再經過整流，電壓也會跟著降低。

❺ 220v交流雙向可控硅控制電壓電路圖

如上圖1

所示，左側為兩個30K/2W的電阻，這樣限制輸入電流為：220V/60K=3.67mA,由於該版路僅僅是為了提取交流權信號，因此小電流輸入即可。整流橋晶元採用小功率（2W）的KBP210，之後接入一個光耦（P521）,這樣如圖1整流後信號電壓值超過光耦前段二極體的導通電壓時，即產生一次脈沖，光耦右側為一上拉電路，VCC為單片機供電電壓：+3.3V。光耦三極體導通時，輸出低電平，關閉時輸出高電平。

❻ 雙向可控硅電路 按照經典電路接的

簡單說，觸發信號抄電平是以陰極（或陽極2）為參考點的，因此，觸發信號必須經過陰極節點先自成迴路（即不包含可控硅內部電路），R3（或其等效電路）就是用來實現這種迴路的，顯見的，觸發電平就是R3的電壓降了；

❼ 單片機控制PWM,用到雙向可控硅。怎樣設計相關電路圖和程序（C語言的）

這個我抄經常用，電機調速控制，嚴襲格說這不是PWM，是可控硅移相觸發。
電路很簡單，一個可控硅觸發電路，一個過零檢測電路，配合一段中斷服務程序就能完成。

不知道你應用的一些詳情，簡單說一下思路。
可控硅觸發一般使用MOC3021，相關手冊上有典型電路，CPU端接一個GPIO就可以。
閉環控制時過零檢測不需要很精確，一般用一個雙向光耦就足夠，光耦輸入接交流電輸入，輸出接CPU中斷，用史密特整形一下輸出信號最好。
中斷程序的結構分成兩部分，過零中斷與延時中斷。
過零中斷做兩件事，輸出復位，開始延時。如果定時器有外部管腳復位啟動功能，可以不要這段。
延時中斷做一件事，觸發輸出。如果定時器有觸發輸出功能，可以沒有這段中斷程序。
具體的延時時間，由主程序控制，一般是根據PID的計算結果進行設置。注意，延時時間越長，輸出電壓越小。

❽ 雙向可控硅調壓電路

可以的，可控硅需要用3Q BTA41-800BW ，但這么大功率的調節不能用這種簡單的電路，這個電路只適合小功率調節。

❾ 求一個通過單片機控制雙向可控硅的電路。

這個是單片機控制光耦、可控硅電路。典型的應用就是在調光上面

❿ 雙向可控硅相位角控制電路圖

TRIAC為三端元件，其三端分別為T1 (第二端子或第二陽極)，T 2(第一端子或第一陽極)和G(控制極)亦為一閘極控制開關，與SCR最大的不同點在於TRIAC無論於正向或反向電壓時皆可導通，其符號構造及外型如下圖3所示。因為它是雙向元件，所以不管T1、T2的電壓極性如何，若閘極有信號加入時，則T1 ,T2間呈導通狀態;反之，加閘極觸發信號，則T1 ,T2間有極高的阻抗。