mos驱动电路

A. mos驱动电路图看不懂

看了你们的对话,我发现楼主还没明白,小白没有关系,没开数电模电更没关系,现在的你能对照着图纸连接实物,说明你很有学习电路的潜力!! 下面我给你详细点的解释,希望对你有所帮助.

J3的三个端子:1.PWM信号,控制MOS管的开关,也可以接普通高电平,其实PWM信号就是一组不断高低变化的电平信号,这样MOS就不停地开关,如果改变PWM的高低比例,就起到了控制输出功率的作用.
2.Vcc是电源正极的意思 (在你这个电路里它不起作用,可以不接)
3,是地线(电源的负极)

J2的两个端子:1.地线(电源的负极)
2.Vs另一组电源正极(你这里,该电压是提供给空心杯做动力的)

J3的两个端子 1.MOS输出端,接空心杯负极
2.电源Vs输出,接空心杯正极

这里的Vs与Vcc应该是有区别的,Vcc是经过稳压后提供给系统的电源,比如单片机的+5V
Vs是给空心杯提供能源的,你这里应该直接电池的两端,或是专门有一组高放电倍率的航模专用锂电池!

二极管用的是普通的发光二极管,这里是指示工作状态用

这个图驱动两个空心杯没问题,如果还要更多也没有问题,但要注意给MOS加散热器.

B. mos 驱动电机电路

Y16给0，电机才会转，按照你的描述，COM5接电源12V地，R155
D1不需要，光耦电源15V就可以了

C. 如何选择最适合的MOS管驱动电路

1、管种类和结构

MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。

至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。

对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。

在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。

2、MOS管导通特性

导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

3、MOS开关管损失

不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。

MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。

导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失;降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

4、MOS管驱动

跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。

在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。

第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里，但在12V汽车电子系统里，一般4V导通就够用了。

MOS管的驱动电路及其损失，可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。讲述得很详细，所以不打算多写了。

5、MOS管应用电路

MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动。

5种常用开关电源MOSFET驱动电路解析

在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。

当电源IC与MOS管选定之后， 选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。

一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：

(1)开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。

(2)开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。

(3)关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断。

(4)驱动电路结构简单可靠、损耗小。

(5)根据情况施加隔离。

D. MOS全桥驱动电路

电路有两个输入端，逻辑上是互为反相的，即输入信号使Q1导通时，会令Q2截止；

Q1漏极输出回低电答平，通过R7使得Q4栅极也是低电平，从而令Q4导通，为电机通过了电源和电流。场效应管是电压驱动的，与三极管的电流驱动不同，因而为Q4通过栅压的R7，其取值小了，是浪费电，但也不能过大了，还要为此类场效应管是栅极电容提供充放电流；

另外一半电路同理

E. MOS管驱动电路与MOSFET作开关作用有什么区别

MOSFET的开关作用是针对MOS特性得出的，MOS管输出特性曲线有可变电阻区、夹断区和恒专流区，当在可变属电阻区和夹断区内工作时，MOS管相当于一个电子开关。
MOS管驱动电路跟MOS本身没有必然联系，因为MOS管的控制比一般三极管麻烦一些，特别是关断的要求比较高，为了让MOS用起来更简单，就出现了驱动电路这类东西。MOS管当然不用驱动电路，也完全可以工作。
简单的说，驱动电路类似MOSFET的服务电路。

F. 求单片机PWM通过光耦驱动MOS管的电路。

不建议使用以下这类用通用光耦搭的电路，有诸多麻烦。

G. mos管为什么要驱动电路 博客

不太理解你的问题的意思啊。驱动电路能进行受控的开和关，这样就能对mos管中专的id电流进行调制，另外mos管开通属和关断都需要进行充电和放电（虽然mos是电压驱动型器件，但由于结容的存在，需要对这些电容充电才能有驱动电压），这都需要电流，电流就是由驱动电路提供的，除此之外你还想问什么？

H. 如何用3.3V单片机驱动mos管

用三极管不如用ULN2803，一个ULN2803可以驱动8只MOS管。没有其他电路。 直接可以连接，简单方便。 做H桥的话内，可以控制2路，容如果只控制一路，也可以用ULN2003.

补充：你肯定没有看这两个IC，输出12V没有问题，最高输出电压50V，最高输出电流500mA，内部集成了续流二极管，基极电阻。直接上一个片子即可。其实这个片子里面就是集成的达林顿管，和用三极管是一样的道理。 可靠性比分立元件高。

I. 求一个单片机控制mos管的电路图

电路原理图：

单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西， 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲，最好用N沟道的MOS。

如果驱动的东西（功率）很大，（大电流、大电压的场合），最好要做电气隔离、过流超压保护、温度保护等~~ 此时既要隔离传送控制信号（例如PWM信号），也要给驱动级（MOS管的推动电路）传送电能。

常用的信号传送有PC923 PC929 6N137 TL521等 至于电能的传送可以用DC-DC模块。如果是做产品的话建议自己搞一个建议的DC-DC，这样可以降低成本。

(9)mos驱动电路扩展阅读：

MOS管应用

1、低压应用

当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。

2、宽电压应用

输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。

为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。

J. MOSFET 为什么要驱动电路

现在市面上实际应用的多是平面工艺的MOSFET，在开关电源等领域应用非常普遍，一般版作为开关管使权用。实际的MOSFET有别于理想的MOSFET，栅极和源极，源极和漏极都是存在电容的，要用合适的驱动电路才能使MOS管工作在低导通损耗的开关状态。比如600V的MOS管多用8-12V的栅极电压驱动，并且要求一定的驱动能力。
也可以用示波器看MOS管的波形，看是否工作在完全导通状态，上升和下降时间在辐射满足要求的情况下，尽量的陡峭。