pwm驱动电路

① 求高手设计一个PWM升压电路，驱动MOS管。

这是一个类似电路 ，升压用IGBT比较好 ，单片机的PWM波形一般不能直接驱动MOS管，驱动电流不足 一般加一个放大电路 和隔离电路

② 求单片机PWM通过光耦驱动MOS管的电路。

不建议使用以下这类用通用光耦搭的电路，有诸多麻烦。

③ 这个是用pwm电机驱动电路，按理说pwm=1，也就是高电平，电机会转。可是有人说这个是低电平导通

必须是低电平，PNP的管子，R5阻值也大了。100欧就OK

④ 单片机PWM驱动电路

很明显，你管子用错了。。。 你图里面有4个NPN。
还有两个是PNP 那两个应该用8550 不是8050

另外，基极电版压本权来就是0.7V ,这是三极管的特性，你电源给它5V，它也是0.7,给它4V它也是0.7V,给它3V它还是0.7V。 只是三极管基极电流会变化，那个0.7V永远不会变化，明白吗？你去掉那个电阻，把5V强加在基极上，三极管就烧掉了。
PWM工作时，只是控制三极管的开关通断时间比例，你如果用示波器观察，基极是0.7V---0V--0.7V---0V--0.7V---0V--0.7V的通断变化值。
用万用表你只能看到 0.7V 或不到0.7V 看不到高速度的变化。

⑤ 基于TLP250的PWM驱动电路，驱动IGBT。图中的GPWM是个啥

gpwm接mosg，spwm接moss
图中r20得到的电压很高此电路带负压驱动稳压二极管负责负压

⑥ PWM如何控制电压

可以用单片机的PWM信号控制mos管的开通和关断，然后mos管后端接负载。内

一个MOS管，PWM的占空比变化容（比如从50到100%），MOS管输出电压（比如100V）会变化（在这样的情形下，比如在纯阻性负载上，其峰值电压还是100V，平均值为50V）。

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconctor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

⑦ 如何从电路看是高低电平控制还是pwm控制

直接给一个高电平，相当于将电源电压直接提供给了电机，所以速度最快。而以后你使用PWM信号，那么PWM是有占空比的，也就是提供给电机的等效电压要比你直接输出高电平时所提供的电压低，所以速度变慢了

⑧ 请问我想用PWM驱动mos管,参考了别人的电路，提高MOS管的关断速度该怎么理解

没有R3 R6，快速关断是D5，低电平时，D5迅速导通，就是快速关断了，R6是限流保护，D3是限压，R5是抬升电阻
R2 R3应该是一个常态负载，不过，为什麼要两个电阻就不知道了

⑨ 一个PWM波占空比控制输出电压的电路，没有太看懂

先来了解什么是占空比。

占空比是指在一个脉冲循环内，通电时间相对于总时间所占回的比例。答占空比(Duty Ratio)在电信领域中有如下含义：例如：脉冲宽度1μs，信号周期4μs的脉冲序列占空比为0.25。
当输入端占空比大时，C21上的电压高，V9013的基极电流大，ce间导通增强，集电集电压下降，也就是说，C20上的电压是与WPM的宽度成反比的。
C20C21都是滤波电容。

⑩ 想用PWM控制IRF3205，说是要加驱动电路，那么PWM经过驱动电路后电压和电流达到多大才能打开

MOS管一般4~8V就能开启，驱动主要是为了管子更好的打开和关闭，一般的驱动很简单，给你个驱动加隔离的图