⑴ 苏州有哪些集成电路公司
三、2006年苏州市集成电路产业发展情况
2006年，苏州市新成立（或新引进）的设计企业有：中科半导体集成技术研发中心、飞索半导体（中国）集成电路设计中心、真宽通信科技(苏州)有限公司、苏州矽湖微电子有限公司、苏州芯源东升集成电路技术开发有限公司；封测企业有：三星电子（苏州）半导体第二工厂、晶方半导体科技（苏州）有限公司、苏州震坤科技有限公司；配套企业有：苏瑞电子材料有限公司、富士胶片电子材料（苏州）有限公司、林德电子特种气体（苏州）有限公司、永光（苏州）光电材料有限公司等十几家企业。
1、 集成电路设计产业
苏州市集成电路设计产业2006的销售收入为3亿元，同比增长7%。较去年有所增长，但幅度不大。截止到2006年底，苏州地区共有10家企业通过信息产业部的设计企业认定及年审。他们分别是：世宏科技（苏州）有限公司、金科集成电路（苏州）有限公司、苏州华芯微电子有限公司、苏州国芯科技有限公司、飞思卡尔半导体（中国）有限公司苏州分公司、苏州银河龙芯科技有限公司、苏州国微工大微电子有限公司、希迪亚微电子（苏州）有限公司、三星半导体（中国）研究开发有限公司、豪雅微电子（苏州）有限公司。2006年苏州地区新成立的设计企业共5家，他们是：
企业名称 注册地区 主要产品
飞索半导体（中国）集成电路设计中心 工业园区 FLASH SOC 系统研发
苏州芯源东升集成电路技术开发有限公司 新 区 电源管理IC
真宽通信科技(苏州)有限公司 工业园区 无源光网络核心芯片
苏州矽湖微电子有限公司 工业园区 电源管理IC
中科半导体集成技术研发中心 工业园区 WLAN(无线局域网)芯片
从地区分布来开，苏州的设计企业主要集中在工业园区和高新技术开发区，工业园区从事集成电路设计的企业有24家，高新技术开发区有5家。销售额方面，工业园区与高新技术开发区的比例大约为3：2。
从业务范围来看，苏州从事集成电路设计的企业25家，IP设计1家，设计服务2家，探针卡设计1家。从产品的种类来看，主要的产品有如下几类：MCU、LCD 驱动芯片、电源管理芯片、电表芯片、网络连接芯片等。
2、 集成电路制造产业
2006年，苏州集成电路制造企业实现销售收入23.7亿元，同比增长5.3%。截止目前，苏州共有2家晶圆制造企业，德芯电子（昆山）有限公司目前正在建设之中。
苏州的分立器件制造大厂——固锝电子股份有限公司于2006年10月30日起在深圳证券交易所首次公开发行不超过3800 万股人民币普通股(A股)，成为苏州市首家上市的半导体企业。
3、 集成电路封测产业
2006年，苏州封测产业实现销售收入128.4亿元，同比增长38%，占全国封测业总收入比重提高到26%，继2005年以来仍然是国内仅次于上海的封测产业重镇。
2006年，苏州新成立的封测企业共3家，分别是三星电子（苏州）半导体第二工厂、晶方半导体科技（苏州）有限公司、苏州震坤科技有限公司。
奇梦达科技（苏州）有限公司投产二年多的时间，就取得了骄人业绩，名列国内十大封测企业第二位。
四、2006年苏州市集成电路产业情况分析
纵览2006年的苏州集成电路产业发展情况可以看出，苏州的封测产业稳步发展，形势喜人；制造业在国内多个城市“造芯”的热潮中追兵四起，占比份额有所下降；设计业发展略显缓慢。具体如下：
1. 封测业持续、稳定发展
2006年苏州的封测产业实现销售收入达到128.4亿元，其中封测代工型企业实现销售收入17.5亿元，封测业同比增长达到38%。自2004年以来，苏州的封测产业已连续三年同比增长超过35%（其中2004年同比增长38%，2005年同比增长37%），超过全国同期年平均30%的增长率。
苏州的封装测试测试产业经过近十年的发展，已经成为国内封测企业最集中、封测技术水平最高、封测人才最充裕、配套产业链最完整的地区。
2. 制造业的增长落后于全国总增长水平
2006年，在国内一片“造芯”热的背景下，苏州的集成电路制造产业，由于德芯电子尚未投产，其增长速度落后于全国的总增长水平。
2006年，国内IC制造业增长较快的城市主要是上海、北京和无锡。随着中芯国际北京十二寸生产线、华虹NEC、ST-海力士的投产或扩张，上海、北京和无锡在全国集成电路制造业的占比得到了提高。
3、设计业发展略显滞后
苏州的集成电路设计产业经过近8年，特别是最近3年来的发展，已经初步形成一定量的集聚。但放眼国内，苏州在设计产业上的发展同北京、深圳等城市相比还有较大的差距。苏州的集成电路设计产业，在04年首次突破1亿元之后，05、06年的增长幅度不大，05、06年同比增长分别为33%和7%，而同期全国设计产业的年均增长率在50%以上。
企业信息
三星立足苏州 迈向世界第一
2007年5月7日，三星电子位于苏州工业园区的半导体第二工厂正式竣工开业。江苏省委常委、苏州市委书记王荣，市委副书记、园区工委书记王金华，韩国三星半导体总括社长黄昌圭，中国三星本社社长朴根熙等出席了当天的庆典。黄昌圭在致辞中透露，三星要力争在2009年成为全球最大半导体厂商，此次建成投产的苏州第二工厂将帮助以存储器为主的三星半导体事业获得市场龙头地位。
三星电子(苏州)半导体有限公司成立于1994年底，是苏州工业园区第一家大规模投资的外商投资企业。经过多年发展，该公司与园区共同成长，已经发展成为三星电子在海外最重要的生产工厂，拥有近4000名员工，工厂面积达25万平方米，投资总额超过6亿美元，生产着三星电子的主力核心产品。其中，动态随机存储器、静态随机存储器、闪存等产品均占据世界第一份额。另外，在今年上半年还将引进代表半导体最高封装技术的多重芯片封装存储器产品。当天竣工的第二工厂占地面积14.5万平方米，经过7个多月的厂房建设和设备移转，于今年2月底开始产品量产，该工厂将主要生产动态随机存储器的主流产品，预计到今年末，月产量将超过7000万个。该工厂的建成投产将进一步提升三星园区基地的重要性，加快其韩国总部的制造重心向园区转移。
据了解，目前韩国三星在园区投资建设了三星电子(苏州)半导体有限公司、苏州三星电子有限公司、苏州三星电子液晶显示器有限公司等项目，不仅建立了研发中心，还建设起白色家电、笔记本电脑和液晶显示器等重要的生产基地。苏州三星电子、苏州三星半导体、苏州三星电子液晶显示器分别是三星在中国唯一的家电、半导体和LCD生产基地，苏州三星电子电脑有限公司主要生产数码多媒体产品。设在园区的研发中心则是三星在中国设立的半导体、通讯、软件和外观设计四个研发中心之一。
奇梦达24亿元促苏州工厂产能翻番
3月8日，全球第三大存储产品制造商——奇梦达(Qimonda)在华投资的奇梦达科技（苏州）有限公司举行二期工厂破土动工仪式。奇梦达苏州项目计划3年内将投入2.5亿欧元（折合24.5675亿元人民币），建成奇梦达在全球的第四个后道生产基地。
奇梦达科技（苏州）有限公司（原名英飞凌科技（苏州）有限公司）是2003年7月28日，由英飞凌科技与中国苏州工业园区创业投资有限公司合资成立的封装测试存储集成电路的工厂，其中英飞凌集团（Infineon）占股72.5%，苏州工业园区创业投资有限公司（CSVC）占股27.5%，注册资本为3亿美元，未来十年的计划投资额将超过10亿美元。奇梦达是2006年5月1日从英飞凌科技公司分拆出来新成立的全新内存产品公司，目前已成为全球DRAM内存产品的主要供应商，并于2006年8月9日在纽约证券交易所上市。
奇梦达计划于2007年底在新工厂进行设备安装。在现有的10000平方米清洁室的基础上，将继续建设一个新的面积达10000平方米的清洁室。此次扩建还将使员工总数大大增加，该生产基地目前有1700名员工，预计达到最大产能时的员工总数将超过3000名，其产能将翻一番。奇梦达苏州项目主要从事存储集成电路（DRAM）组装和测试，占奇梦达公司全球产能的50%，产品主要运用于个人电脑、服务器、数字电视、手机、MPC播放器等，未来公司还希望成功将产品延伸到图形，移动通讯和由低功率沟槽技术引导的消费类领域。
“奇梦达现在有超过三分之二的DRAM都是在300mm生产线上生产的，前道产能的提高需要后道产能也要相应地提升。随着苏州生产基地的扩建，我们将能更好地发挥我们在300mm晶圆生产上的竞争优势，”奇梦达公司总裁兼首席执行官罗建华（Kin Wah Loh）表示。
苏州工业园区管委会主任马明龙先生也表示，奇梦达是苏州IC产业的旗舰型、地标性企业，也是园区倾注全力、重点支持的重中之重项目。相信二期厂房的正式启动，不仅将更好地满足客户需求，为公司带来更加丰厚的利润回报，同时也必将有力推进奇梦达全球拓展战略，加快确立公司在储存器领域的龙头地位。
（一个新品牌－－奇梦达 奇梦达的名称和品牌标识体现了这家新公司的哲学观和品牌性格，并且阐述了公司的远景和驱动价值。新名称“奇梦达(Qimonda)”代表了全球一致的品牌内涵。 “Qi”代表“气”，即呼吸及流动的能量。在西方，文字主要源自拉丁文并且被英文广泛影响，对奇梦达---Qimonda (key-monda)的直接解读是“开启世界的钥匙”(Key to the World)。而新标识中的主色系紫色代表着领导力，而其他的次色系、草写字体、充满活力的圆形标识以及强烈的发散性造型都强调了奇梦达的品牌价值：即创新、热情、速度。“创新是促使我们在行业成功的重要驱动力之一，”奇梦达公司总裁兼首席执行官罗建华（Kin Wah Loh）解释说：“热情是昂扬在奇梦达公司上下的精神，而速度则是因应奇梦达公司所处的快速变化的内存市场而生的。”）
苏州松下半导体新厂将成为松下全球最大生产基地
5月15日，总投资1亿美元、预计年销售额可达17亿元人民币的苏州松下半导体有限公司新厂举行开业典礼，苏州市副市长周人言，高新区工委书记王竹鸣、副书记胡正明，日本松下电器产业株式会社副社长古池进等出席庆典仪式，并共同植树纪念。
周人言代表苏州市政府对公司新工厂的开业表示祝贺。他说，新工厂的正式启用，标志着松下公司在苏州的发展迈入了新的阶段，也将为苏州经济的健康快速发展做出更大贡献。
王竹鸣在致辞中表示，新工厂的投资建设是松下半导体有限公司在苏州高新区进一步加快发展的标志，同时也充分显示公司对中国市场，以及对苏州高新区良好发展环境的肯定与信心。高新区将一如既往地为包括松下半导体在内的所有进区企业提供更加高效便捷的服务和优质可*的基础设施配套，营造更加完善的投资环境，促进企业健康、快速发展。
苏州松下半导体有限公司由世界500强企业之一的日本松下电器产业株式会社和松下电器(中国)有限公司共同出资、并于2001年12月在苏州高新区注册成立。随着生产规模和产品结构的迅速扩大，以及新工厂的顺利开业投产，公司月生产半导体元器件将达2亿多个、激光半导体300多万个、手机摄像头100万台、车载摄像头13万台、手机话筒1000万个等。
鉴于苏州松下半导体有限公司5年多来所取得的辉煌业绩，以及新工厂的快速建成投产，日本松下电器产业株式会社副社长古池进对苏州高新区优良的投资环境和政府服务予以高度赞赏，他表示，总投资超过1亿美元的苏州松下半导体有限公司二期新厂房将于今年下半年破土动工，预计2008年竣工投产。
展望未来，古池进副社长满怀信心地表示，随着苏州松下半导体有限公司的不断飞跃式发展，公司将发展成为松下半导体的全球主要生产供应基地和在高科技领域具有强大国际竞争力的优秀企业。
⑵ 集成电路各元件介绍
双极型集成电路
bipolar integrated circuit
以通常的NPN或PNP型双极型晶体管为基础的单片集成电路。它是1958年世界上最早制成的集成电路。双极型集成电路主要以硅材料为衬底，在平面工艺基础上采用埋层工艺和隔离技术，以双极型晶体管为基础元件。按功能可分为数字集成电路和模拟集成电路两类。在数字集成电路的发展过程中，曾出现了多种不同类型的电路形式，典型的双极型数字集成电路主要有晶体管-晶体管逻辑电路(TTL)，发射极耦合逻辑电路(ECL)，集成注入逻辑电路(I2L)。TTL电路形式发展较早，工艺比较成熟。ECL电路速度快，但功耗大。I2L电路速度较慢，但集成密度高。
同金属-氧化物-半导体集成电路相比，双极型集成电路速度快，广泛地应用于模拟集成电路和数字集成电路。
在半导体内，多数载流子和少数载流子两种极性的载流子（空穴和电子）都参与有源元件的导电，如通常的NPN或PNP双极型晶体管。以这类晶体管为基础的单片集成电路，称为双极型集成电路。
双极型集成电路是最早制成集成化的电路，出现于1958年。双极型集成电路主要以硅材料为衬底，在平面工艺基础上采用埋层工艺和隔离技术，以双极型晶体管为基础元件。它包括数字集成电路和线性集成电路两类。
发展简况 双极型集成电路是在硅平面晶体管的基础上发展起来的，最早的是双极型数字逻辑集成电路。在数字逻辑集成电路的发展过程中，曾出现过多种不同类型的电路形式。常见的双极型集成电路可分类如下。
DCTL电路是第一种双极型数字逻辑集成电路，因存在严重的“抢电流”问题(见电阻-晶体管逻辑电路)而不实用。RTL电路是第一种有实用价值的双极型集成电路。早期的数字逻辑系统曾采用过 RTL电路，后因基极输入回路上有电阻存在，限制了开关速度。此外,RTL逻辑电路的抗干扰的性能较差，使用时负载又不能多，因而被淘汰。电阻-电容-晶体管逻辑电路（RCTL）是为了改善RTL电路的开关速度而提出来的，即在RTL电路的电阻上并接电容。实际上 RCTL电路也未得到发展。DTL电路是继 RTL电路之后为提高逻辑电路抗干扰能力而提出来的。DTL电路在线路上采用了电平位移二极管,抗干扰能力可用电平位移二极管的个数来调节。常用的 DTL电路的电平位移二极管，是用两个硅二极管串接而成，其抗干扰能力可提高到1.4伏左右（见二极管-晶体管逻辑电路）。HTL电路是在 DTL电路的基础上派生出来的。HTL电路采用反接的齐纳二极管代替DTL电路的电平位移二极管,使电路的阈值提高到约7.4伏左右(见高阈值逻辑电路)。可变阈值逻辑电路(VTL)也是DTL电路系列中的另一种变形电路。阈值逻辑电路(TLC)是 HTL和VTL逻辑电路的总称。TTL逻辑电路是在DTL逻辑电路基础上演变而来，于1962年研制成功。为了提高开关速度和降低电路功耗,TTL电路在线路结构上经历了三代电路形式的改进(见晶体管-晶体管逻辑电路)。
以上均属饱和型电路。在进一步探索提高饱和型电路开关速度的同时，发现晶体管多余载流子的存储效应是一个极重要的障碍。存储现象实质上是电路在开关转换过程中由多余载流子所引起。要提高电路开关速度,除了减少晶体管PN结电容，或者设法缩短多余载流子的寿命以外，就得减少和消除晶体管内载流子存储现象。60年代末和70年代初，人们开始在集成电路中利用熟知的肖特基效应。在TTL电路上制备肖特基势垒二极管,把它并接在原有晶体管的基极和集电极上，使晶体管开关时间缩短到1纳秒左右；带肖特基势垒二极管箝位的TTL门电路的平均传输延迟时间达2～4纳秒。
肖特基势垒二极管-晶体管-晶体管逻辑电路(STTL)属于第三代 TTL电路。它在线路上采用了肖特基势垒二极管箝位方法，使晶体管处于临界饱和状态，从而消除和避免了载流子存储效应。与此同时,在TTL电路与非门输出级倒相器的基极引入晶体管分流器，可以改善与非门特性。三极管带有肖特基势垒二极管，可避免进入饱和区，具有高速性能；输出管加上分流器，可保持输出级倒相的抗饱和程度。这类双极型集成电路，已不再属于饱和型集成电路，而属于另一类开关速度快得多的抗饱和型集成电路。
发射极耦合逻辑电路(ECL)是电流型逻辑电路(CML)。这是一种电流开关电路, 电路的晶体管工作在非饱和状态,电路的开关速度比通常TTL电路又快几倍。ECL逻辑电路把电路开关速度提高到 1纳秒左右，大大超过 TTL和STTL电路。ECL电路的出现,使双极型集成电路进入超高速电路范围。
集成注入逻辑电路 (I2L)又称合并晶体管逻辑电路(MTL)，是70年代研制成的。在双极型集成电路中，I2L电路的集成密度是最高的。
三层结构逻辑电路(3TL)是1976年中国在I2L电路的基础上改进而成,因有三层结构而得名。3TL逻辑电路采用NPN管为电流源，输出管采用金属做集电极(PNM)，不同于I2L结构。
多元逻辑电路(DYL)和双层逻辑电路(DLL)，是1978年中国研制成功的新型逻辑电路。DYL逻辑电路线性与或门,能同时实现开关逻辑和线性逻辑处理功能。DLL电路是通过ECL和TTL逻辑电路双信息内部变换来实现电路逻辑功能的。
此外，在双极型集成电路发展过程中，还有许多其他型式的电路。例如,发射极功能逻辑电路(EFL)、互补晶体管逻辑电路(CTL)、抗辐照互补恒流逻辑电路(C3L)、电流参差逻辑电路(CHL)、三态逻辑电路(TSL)和非阈值逻辑电路(NTL)等。
特点和原理 双极型集成电路的制造工艺，是在平面工艺基础上发展起来的。与制造单个双极型晶体管的平面工艺相比，具有若干工艺上的特点。
①双极型集成电路中各元件之间需要进行电隔离。集成电路的制造，先是把硅片划分成一定数目的相互隔离的隔离区；然后在各隔离区内制作晶体管和电阻等元件。在常规工艺中大多采用PN结隔离，即用反向PN结达到元件之间相互绝缘的目的。除PN结隔离以外，有时也采用介质隔离或两者混合隔离法（见隔离技术）。
②双极型集成电路中需要增添隐埋层。通常，双极型集成电路中晶体管的集电极，必须从底层向上引出连接点，因而增加了集电极串连电阻，这不利于电路性能。为了减小集电极串连电阻，制作晶体管时在集电极下边先扩散一层隐埋层，为集电极提供电流低阻通道和减小集电极的串联电阻。隐埋层，简称埋层，是隐埋在硅片体内的高掺杂低电阻区。埋层在制作集成电路之前预先“埋置”在晶片体内。其工艺过程是：在 P型硅片上，在预计制作集电极的正下方某一区域里先扩散一层高浓度施主杂质即N+区;而后在其上再外延生长一层N型硅单晶层。于是，N型外延层将N+区隐埋在下面,再在这一外延层上制作晶体管。
③双极型集成电路通常采用扩散电阻。电路中按电阻阻值大小选择制备电阻的工艺，大多数是利用晶体管基区P型扩散的同时，制作每方约 150～200欧·厘米的P型扩散电阻。但是,扩散电阻存在阻值误差大、温度系数高和有寄生效应等缺点。除采用扩散电阻外，有时也采用硅单晶体电阻。
④双极型集成电路元件间需要互连线，通常为金属铝薄层互连线。单层互连布线时难以避免交叉的位置，必要时可采用浓磷扩散低阻区，简称磷桥连接法。
⑤双极型集成电路存在寄生效应。双极型集成电路的纵向NPN晶体管，比分立晶体管多一个P型衬底层和一个PN结。它是三结四层结构。增加的衬底层是所有元件的公共衬底，增加的一个PN结是隔离结(包括衬底结)。双极型集成电路因是三结四层结构而会产生特有的寄生效应：无源寄生效应、扩散电阻的寄生电容和有源寄生效应。隔离电容是集电极N型区与隔离槽或衬底P型区形成的PN结产生的电容。隔离和衬底接最低电位，所以这个电容就是集电极对地的寄生电容。扩散电阻的寄生电容是扩散电阻P型区与集电极外延层N型区产生的PN结电容，也属无源寄生效应。这一PN结电容总是处于反偏置工作状态。有源寄生效应即 PNP寄生晶体管。在电路中，NPN晶体管的基区、集电区（外延层）和衬底构成PNP寄生晶体管。在通常情况下，因PN结隔离，外延层和衬底之间总是反向偏置。只有当电路工作时,NPN管的集电结正偏，寄生PNP管才进入有源区。
工艺制备 （见彩图）是利用PN结隔离技术制备双极型集成电路倒相器的工艺流程，图中包括一个NPN晶体管和一个负载电阻R。原始材料是直径为75～150毫米掺P型杂质的硅单晶棒，电阻率ρ=10欧·厘米左右。其工艺流程是：先经过切片、研磨和抛光等工艺(是硅片制备工艺)制备成厚度约300～500微米的圆形硅片作为衬底，然后进行外延生长、氧化、光刻、扩散、蒸发、压焊和多次硅片清洗，最后进行表面钝化和成品封装。
制作双极型集成电路芯片需要经过 5次氧化，对氧化硅 (SiO2)薄层进行5次光刻，刻蚀出供扩散掺杂用的图形窗口。最后还经过两次光刻，刻蚀出金属铝互连布线和钝化后用于压焊点的窗口。因此，整套双极型集成电路掩模版共有 7块。即使通常省去钝化工艺，也需要进行6次光刻，需要6块掩模版。
⑶ 国内集成电路行业，目前的情况怎么样前景如何
如果不是这个专来业，建议不要自来了
不是很好的产业，现在已经快到夕阳产业了
IC设计现在就是靠的是工艺的升级，工艺升级才会产生新问题，才会要设计人员
你知道现在的工艺达到多少了吗？20nm已经有大公司量产了，概念是以后从物理层无法再升级，摩尔定律不再适用
那时候，所有的设计差不多完成，IC厂商只是把这些设计去流片而已
以后的IC设计的方向就是向多产业扩展，如汽车电子，4G，5G芯片，以及医学芯片，这些是新课题，但能不能成功还是未知数
反正前途未卜，现在的行情还能支撑10年到20年，现在国内的需求还很大，但是等到3年以后就不好说了
⑷ 福建省晋华集成电路有限公司怎么样
简介：晋华集成电路来是源一家半导体集成电路开发商，公司以实现集成电路芯片国产化为己任，旨在成为具有先进工艺与自主知识产权体系的集成电路内存（DRAM）制造企业。
法定代表人：卢文胜
成立时间：2016-02-26
注册资本：1144482.5万人民币
工商注册号：350582100369370
企业类型：其他有限责任公司
公司地址：福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
⑸ 集成电路产业有哪些特点
摘要 第一，产业规模继续增长，但进出口受经济下行压力影响较大。
⑹ 集成电路报考山东省公务员
具体看山东省的专业划分 你可以参考一下国考专业划分 计算机肯定不属于 勉强靠边的是电子科学与技术这个大类里包括电路与系统专业
如果要求严格的话 专业名称不一样还是有可能不通过的
具体包考的时候可以打电话到当地人事部门问一下再报
⑺ 集成电路的作用
集成电路的种类与用途
在电子行业，集成电路的应用非常广泛，每年都有许许多多通用或专用的集成电路被研发与生产出来，本文将对集成电路的知识作一全面的阐述。
一、 集成电路的种类
集成电路的种类很多，按其功能不同可分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。前者用来产生、放大和处理各种模拟电信号；后者则用来产生、放大和处理各种数字电信号。所谓模拟信号，是指幅度随时间连续变化的信号。例如，人对着话筒讲话，话筒输出的音频电信号就是模拟信号，收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号，也是模拟信号。所谓数字信号，是指在时间上和幅度上离散取值的信号，例如，电报电码信号，按一下电键，产生一个电信号，而产生的电信号是不连续的。这种不连续的电信号，一般叫做电脉冲或脉冲信号，计算机中运行的信号是脉冲信号，但这些脉冲信号均代表着确切的数字，因而又叫做数字信号。在电子技术中，通常又把模拟信号以外的非连续变化的信号，统称为数字信号。目前，在家电维修中或一般性电子制作中，所遇到的主要是模拟信号；那么，接触最多的将是模拟集成电路。
集成电路按其制作工艺不同，可分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路三类。半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、三极管、二极管等元器件并具有某种电路功能的集成电路；膜集成电路是在玻璃或陶瓷片等绝缘物体上，以“膜”的形式制作电阻、电容等无源器件。无源元件的数值范围可以作得很宽，精度可以作得很高。但目前的技术水平尚无法用“膜”的形式制作晶体二极管、三极管等有源器件，因而使膜集成电路的应用范围受到很大的限制。在实际应用中，多半是在无源膜电路上外加半导体集成电路或分立元件的二极管、三极管等有源器件，使之构成一个整体，这便是混合集成电路。根据膜的厚薄不同，膜集成电路又分为厚膜集成电路（膜厚为1μm～10μm）和薄膜集成电路（膜厚为1μm以下）两种。在家电维修和一般性电子制作过程中遇到的主要是半导体集成电路、厚膜电路及少量的混合集成电路。
按集成度高低不同，可分为小规模、中规模、大规模及超大规模集成电路四类。对模拟集成电路，由于工艺要求较高、电路又较复杂，所以一般认为集成50个以下元器件为小规模集成电路，集成50－100个元器件为中规模集成电路，集成100个以上的元器件为大规模集成电路；对数字集成电路，一般认为集成1～10等效门／片或10～100个元件／片为小规模集成电路，集成10～100个等效门／片或100～1000元件／片为中规模集成电路，集成100～10,000个等效门／片或1000～100,000个元件／片为大规模集成电路，集成10,000以上个等效门／片或100,000以上个元件／片为超大规模集成电路。
按导电类型不同，分为双极型集成电路和单极型集成电路两类。前者频率特性好，但功耗较大，而且制作工艺复杂，绝大多数模拟集成电路以及数字集成电路中的TTL、ECL、HTL、LSTTL、STTL型属于这一类。后者工作速度低，但输人阻抗高、功耗小、制作工艺简单、易于大规模集成，其主要产品为MOS型集成电路。MOS电路又分为NMOS、PMOS、CMOS型。
NMOS集成电路是在半导体硅片上，以N型沟道MOS器件构成的集成电路；参加导电的是电子。PMOS型是在半导体硅片上，以P型沟道MOS器件构成的集成电路；参加导电的是空穴。CMOS型是由NMOS晶体管和PMOS晶体管互补构成的集成电路称为互补型MOS集成电路，简写成CMOS集成电路。
除上面介绍的各类集成电路之外，现在又有许多专门用途的集成电路，称为专用集成电
路。
下面我们先介绍模拟集成电路中不同功能的电路。
1．集成运算放大器
集成运算放大器是一种高增益的直接耦合放大器，其内部包含数百个晶体管、电阻、电容，但体积只有一个小功率晶体管那么大，功耗也仅有几毫瓦至几百毫瓦，但功能很多。它通常由输人级、中间放大级和输出级三个基本部分构成。运算放大器除具有十、一输人端和输出端外，还有十、一电源供电端、外接补偿电路端、调零端、相位补偿端、公共接地端及其他附加端等。它的放大倍数取决于外接反馈电阻，这给使用带来很大方便。其种类有通用型运算放大器，比如uA709、5G922、FC1、FC31、F005、4E320、8FC2、SG006、BG305等；通用Ⅲ型有F748、F108、XFC81、F008、4E322等；低功耗放大器（UPC253、7XC4、5G26、F3078等）；低噪声运算放大器（如F5037、XFC88）；高速运算放大器（如国产型号有F715、F722、4E321、F318，国外的有uA702）；高压运算放大器（国产的有F1536、BG315、F143）；还有电流型、单电源、跨导型、静电型、程控型运算放大器等。
2．稳压集成电路
稳压集成电路又称集成稳压电源，其电路形式大多采用串联稳压方式。集成稳压器与分立元件稳压器相比，体积小，性能高、使用简便可靠。集成稳压器的种类有，多端可调式、三端可调式、三端固定式及单片开关式集成稳压
器。
多端可调集成稳压器精度高、价格低，但输出功率小，引出端多，给使用带来不方便。
多端可调式集成稳压器可根据需要加上相应的外接元件，组成限流和功率保护。国内外同类产品基本电路形式有区别，基本原理相似。国产的有W2系列、WB7系列、WA7系列、BG11等。
三端可调式输出集成稳压器精度高，输出电压纹波小，一般输出电压为1.25V～35V或l.25V～35V连续可调。其型号有W117、W138、LM317、LM138、LMl96等型号。
三端固定输出集成稳压器是一种串联调整式稳压器，其电路只有输人、输出和公共3个引出端，使用方便。其型号有W78正电压系列、W79负电压系列。
开关式集成稳压器是新的一种稳压电源，其工作原理不同上述三种类型，它是由直流变交流再变直流的变换器，输出电压可调，效率很高。其型号有AN5900、HA17524等型号，广泛用于电视机、电子仪器等设备中。
3、音响集成电路
单响集成电路随着收音机、收录机、组合音响设备的发展而不断开发。对音响电路要求多功能、大功率和高保真度。比如一块单片收音机、录音机电路，就必须具有变频、检波。中放、低放、AGC、功放和稳压等电路。音响集成电路工艺技术不断发展，采用数字传输和处理，使音响系统的各项电声指标不断提高。比如，脉冲码调制录音机、CD唱机，能使信噪比和立体声分离度切变好，失真度减到最小。
音响集成电路按本身的电路功能分有，高、中频放大集成电路、功放集成电路、低噪前置放大集成电路、立体声解码集成电路、单片收音机、收录机集成电路。驱动集成电路及特殊功能集成电路。
高、中频放大器集成电路体积小而紧凑，自动增益高、控制特性好、失真小，在收音机、收录机中得到广泛应用。其中调幅集成电路的型号有FD304、SL1018、SL1018AM、TB1018等型号。调频集成电路有TA7303、TDA1576、LA1165、LA1210、TDA1062等型号。调幅、调频共用集成电路内设AM变频功能、AM检波功能、FM鉴频限幅功能。调频立体声接收机的专门用的立体声解码电路。后期（70年代以后）产品有LA3350、LA3361、HA11227、AN7140、BA1350、TA7343P等型号。单片集成电路已成为世界流行的一种单片音响集成电路。用单片收音机集成电路装配收音机其成本低，调试方便。其中ULN2204型AM收音机集成电路，功能齐全，能在3V～12V电压范围内工作。类似型号有HA12402、TA7613、ULN2204A型等。
特殊功能集成电路有显示驱动电路、电动机稳速电路、自动选曲电路及降噪电路等。
其中双列5点LED电平显示驱动集成电路可同时驱动10只发光二极管，它是高中档收录机、收音机、CD唱机等音响设备中，用来作音量指示、交直流电平指示、交直流电源电压指示的常用集成电路。比如，我国生产的SL322、SL325等型号，国外的LB1405、TA7666P型等。6、7、9点LED电平显示驱动集成电路的型号有SL326、SL327、LB1407、LB1409型等。
特殊功能的集成电路除上述外，还有自动选曲集成电路、降噪集成电路等。比如，有NE464、LM1101、LA2730、uPC1180、HA12045、HA12028等型号，有的电路型号具有一定的兼容性。
4．电视集成电路
电视机采用的集成电路种类繁多，型号也不统一，但有趋向单片机和两片机的高集成化发展。用于电视机的集成电路列举如下：
（1）伴音系统集成电路
电视伴音系统目前新动向，就是采用电视多重伴音系统，使用各种单片式或多块式电视双伴音信号处理集成电路。比如，用于彩色电视机伴音电路的BL5250型、BJ5250、DG5250型伴音中放、音频功放集成电路。该电路采用16引脚双列直插式，并附有散热片。D7176P、uPC1353C型伴音中放、限幅放大集成电路，具有高增益、直流工作点稳定、检波失真小、频响性能好、输出功率大等特点。uPC1353C型与AN1353型功能完全相同。其直流音量控制范围达80dB，输出级电压范围为9V～18V，失真小于0.6%，最大音频输出功率为1.2W～2.4W。
用于伴音中放、功放的集成电路还有：D7176、TA7678AD、IX0052CE、IX0065CE、AN241P、CA3065、KA2101、LA1365、TA7176、KC583型等。
（2）行场扫描集成电路
行场扫描集成电路性能优于分立元件电路，并且有的集成扫描电路系统采用了数字自动同步电路，可得到稳定的场频信号，保证了隔行扫描的稳定性，可省掉“场同步”电位器调整，提高了自动化程度。比如，D7609P、LA1460、TA7609P、TB7609等型号，电路功能有：同步分离、场输出、场振荡、AFT、行振荡保护等。
D002（国产）、HA11669（国外）型电路，电路功能有行振荡、行激励；D004（国产）、KC581C（国外）型电路，主要功能是场振荡、场输出；D7242、TA7242P、KA2131、uPC1031Hz、LA1358、uPC1378h等型号，主要功能是场振荡、场输出，场激励；D103lHz、BG103lHz、LD1031Hz、uPC1031Hz型电路主要功能有：场振荡、场输出。
（3）图像中放、视放集成电路
早期的中频通道集成电路，是用三块集成电路分别完成中放、视频检波及AFT等功能。目前已出现把图像中放、视频，伴音中放，行场扫描三大系统压缩在一块芯片中的集成电路，使电路简化，给使用、调试带来更大方便。
该类集成电路有：D1366C、SF1366、uPC1366、CD003、HA1167、D7607AP、TA7607、AN5132、CD7680CD、HA1126D、HA11215A、TB7607、TA7611AP、LA1357N、AN5150。
M51353 P等。
（4）彩色解码集成电路
彩色解码电路的功能是恢复彩色信号，使图像的颜色正常。早期的彩色解码集成电路是由几块电路完成，如国产的5G3108、5G314、7CD1、7CD2、7CD3等；后来采用单片式PAL制彩色解码集成电路，如TA7193AP／P、TA7644AP/P、IX02lCE、uPC1400c、M51338SP、M51393AP、IX0719CE、AN5625型等。其中的AN5625、uPC1400C等集成电路应用了数字滤波延时网络，有的把全部小信号处理集成到一块电路中，使电路体积减小，功能更全。
（5）电源集成电路
目前多数电视机的电源控制采用了集成电路，电路类型有开关型和串联型。
开关稳压电源控制的集成电路有：W2019、IR9494、NJM2048、AN5900型等；属于串联型直流稳压集成电路有：STR455、STR451、LA5110、LA5112、STR5404等型号。
（6）遥控集成电路
遥控集成电路分为遥控发射集成电路和遥控接收集成电路。比如，用于日立CEP－323D型彩电、福日HFC－323型彩电的集成电路为uPD1943G和LA7234型遥控集成电路。uPD1934G为遥控发射电路，发射红外光信号；LA7224为遥控接收集成电路。
uPD1943G为20引脚双引直插封装（也有22列扁平封装），其主要参数与特点如下：
①为CMOS电路，特点与M50119相似；
②电源电压为3V，电源电流为0.lmA～1mA；
③输出电流为13mA，功耗为0.25W；
④可配接4×8键，共32个控制功能。
M50142P和uPC1373H为一对遥控集成电路。
uPC1373H的主要参数与特点：
①电源电压为6V～14.4V。
②电流变化范围为1.3mA～3.5mA；
③允许耗散功率为0.27W；
④主要特点、结构、引脚排列与LA7224相同；
⑤常在第4脚对地接一个150k电阻。
5．电子琴集成电路
电子琴集成电路有5G2208、5G001、5G002、CW93520、LM6402、M112、Z8611等型号，其外形只有小钮扣大小，内部含有振荡器、音符发生器、前置放大器等电路，能演奏22～61个基本音符。5G005型为音阶发生器，LM8071集成电路可作回响主音阶发生器，它是电子琴核心器件之一。M208是一种单片电子琴NMOS集成电路，内设短阵处理61琴键，并设可抗抖动电路。YM3812是一种新型电子琴专用音源集成电路。
6．CMO集成电路
在数字集成电路中，我们只介绍MOS数字集成电路中的CMOS电路。因为在一些小家电中，CMOS集成电路用得比较广泛。
（1）CMOS集成电路的特点
CMOS电路的结构、制作工艺不同于TTL电路，CMOS集成电路的功耗很低。一般小规模CMOS集成电路的静态平均功耗小于10uW，是各类实用电路中功耗最低的。比如
TTL集成电路的平均功耗为10mw是CMOS电路的10倍。但CMOS集成电路的动态功耗随工作频率的升高而增大。
CMOS电路的输入特性用输入电流和电容表示，由于电路的输入电阻很高，输入电路一般小于0.1uA；输入电容是各种杂散电容总和，一般在5pF左右。
CMOS电路的输出特性取决于输出线路形式和输出管的特性参数。大多数CMOS电路可用输出驱动电流、逻辑电平及状态转换时间来表示输出特性。
（2）CMOS集成电路的类型
CMOS电路的类型很多，但最常用的是门电路。
CMOS电路中的逻辑门有非门、与门、与非门、或非门、或门、异或门、异或非门，施密特触发门、缓冲器、驱动器等。
非门也称反相器，它是只有1个输入端和1个输出端的逻辑门。输人为高电平时，输出即为低电平；反之，输出为高电平。输出与输入总是反相或互补的。与门具有2个或2个以上输入端和1个输出端。当所有输人都是高电平时，输出也为高电平；只要有1个或互个以上输入低电平时，输出就为低电平。
与非门则是当输入端中有1个或1个以上是低电平时，输出为高电平；只有所有输入是高电平时，输出才是低电平。
或门具有1个或端，2个或2个以上的输入端。当所有输入为低电平时，输出才是低电平。如果有1个或1个以上输入是高电平，则其输出变相电平。或非门电路是当得入端都处于低电平时，其输出才呈现高电平；只要有1个或互个以上输入为高电平，输出即为低电平。
异或门电路有2个输入端，1个输出端。当2个输入端中只有一个是高电平时，输出则为高电平；当输入端都是低电平或都是高电平时，输出才是低电平。
异或门倒相就变为异或非门。异或非门也称作为“同或门”。异或非门只有2个输入端，1个输出端，当2个输入端都是低电平或都是高电平时，输出为高电平；2个输入端只有1
个是高电平时，输出才是低电平。
最基本线路构成的门电路存在着抗干扰性能差和不对称等缺点。为了克服这些缺点，可以在输出或输入端附加反相器作为缓冲级；也可以输出或输入端同时都加反相器作为缓冲级。这样组成的门电路称为带缓冲器的门电路。
带缓冲输出的门电路输出端都是1个反相器，输出驱动能力仅由该输出级的管子特性决定，与各输入端所处逻辑状态无关。而不带缓冲器的门电路其输出驱动能力与输入状态有关。另一方面。带缓冲器的门电路的转移特性至少是由3级转移特性相乘的结果，因此转换区域窄，形状接近理想矩形，并且不随输入使用端数的情况而变化、加缓冲器的门电路，抗干扰性能提高10％电源电压。此外，带缓冲器的门电路还有输出波形对称、交流电压增益大、带宽窄、输入电容比较小等优点。不过，由于附加了缓冲级，也带来了一些缺点。例如传输延迟时间加大，因此，带缓冲器的门电路适宜用在高速电路系统中。
在数字电路中，由于TTL电路、CMOS电路、ECL电路等，它们的逻辑电平不同，当这些电路相互联接时，一定要进行电平转换，使各电路都工作在各自允许的电压工作范围内。
数字电路中的三态逻辑门，一般是指电路的输出端的状态可呈现三种输出阻态，或简称“三态输出”，这个状态通常用字母“Z”表示。
三状态电路在使用时的两状态特性与普通电路相同，而在禁止时的“Z”状态特性则取决于三态门电路的漏电流大小。
⑻ 贴片集成电路与集成电路的区别
贴片集成电路与集成电路事实上就是，前者制造得比较薄，一般比如电脑主板等上边焊专接的芯片这些属，就是属于贴片集成电路
集成电路事实上是总称，里边包括上述所说的
但是集成电路也可以称呼一些比较大的集成电路器件，比如单片机
⑼ 什么是集成电路
集成电路的发明，是多项技术不断发展的综合结果。
最早提出制造半导体集成电路思想的，是从事雷达研究的英国科学家达默。他在1952年5月发表的一篇论文中提出：“由于现在晶体管的出现和半导体方面的研究成果，有可能制造单块形状的电子器件而省去连接线。这种器件由多层绝缘材料、通导材料、整流材料和放大材料构成，在各层中去掉某一部分就能使器件具有某种电功能。”
达默的上述设想很有意义，可惜他本人未能使之付诸实施。进入50年代以后，军事工业和宇航工业的迅速发展，迫切需要各种功能更强、能实现更加复杂功能的半导体器件，而且还希望这种器件越小巧越好。
在社会需要的刺激下，那些早期来到硅谷开创电子工业的一批年轻的微电子工程师们，很自然地把研究方向瞄准到上述目标上。他们设想把一些晶体管及一些元件在新的形式下组合成一种更复杂的线路，而不是简单地拼凑在一起，这种线路称为集成电路。从外形来看，它们就是小小的硅片，因此人们也把它们称为芯片。至今，在各种计算机、计算器及各种电器设备中处处都可以看到这种芯片。早在第二次世界大战期间，有人就已设法把油墨状的电阻材料和镀银金属片印在陶瓷基片上，做成电阻和连接线的组合体；而印刷电路工艺的发展和晶体管的发明，都为集成电路的发明做了必要的技术准备。
现在人们认为，世界上最早的集成电路，是1958年由美国物理学家基尔比和诺伊斯两人各自独立地研究发明的，为了认定这项发明的专利权，他们两人所属的公司之间曾为此引发了一场为时不短的争执，因此，回顾一下他们各自的发明过程，是很有意思的。
基尔比于1923年生于美国密苏里州杰斐逊市，1947年毕业于伊利诺大学，1950年在威斯康星大学获硕士学位。
1958年5月，基尔比进入得克萨斯仪器公司还只有3个月，他被安排去进行电子设备微型化的研究。当时电子设备应用了电子管，后来逐步使用晶体管，但体积庞大。
按照国防部的要求，基尔比的任务是研究如何通过采用较小的元件、更细密的接线，使电子设备体积缩小，更加紧凑灵巧。
在这一年夏天，当基尔比的同事都去度假时，他却在宁静的环境中，坐在办公桌前苦苦思索解决微型化问题的办法。他在想出新办法前，屡次碰壁，后来才想到，所需用的全部电路元件包括晶体管、电阻、电容在内，可以用同一种半导体材料制成；这些电路元件必须绝缘，因此能单独起作用，彼此没有干扰；而全部电路元件都焊接在半导体圆片的基片或附近，从而可以利用先进的半导体技术手段使电路相互连接，不必担心元件在连接的地方会出现短路。当时基尔比把这种电路称为固体电路(现在有人称为微型电路)。1958年9月，基尔比的第一个安置在半导体锗片上的电路——“相移振荡器”取得了成功。
诺伊斯于1927年出生于美国衣阿华州的一个小镇。他对现实世界充满了好奇心，在十二三岁时就同二哥先后制造过一架硕大的滑翔机，装配出一辆汽车。他在大学同时学习物理、数学两个专业，对晶体管及其应用也很感兴趣，在晶体管方面奠定了坚实的理论基础。在1949年考取博士研究生后，仍选修一些有助于晶体管基础研究的课程，而在学术活动中，又有机会见到晶体管领域著名的专家肖克莱等人。
诺伊斯在1953年取得博士学位后，宁愿到待遇低的小公司任职。他认为：“越是小地方，就越能得到多方面的锻炼，有利于发挥作用。这样既便于选择合适的课题进行研究，又能成为企业家。”
当1955年肖克莱在硅谷创建“肖克莱半导体公司”时，诺伊斯就是其中被聘请来的优秀科技人才之一。在肖克莱半导体实验室成立的第一年内，诺伊斯和他的同事们竭力鼓动肖克莱把研究重点转向硅晶体管，但肖克莱执意要搞四层二极管的研究。由于认识上的分歧，1957年，诺伊斯和公司的另外7名年轻人一起离开了肖克莱公司，自己成立了“仙童半导体公司”，成为硅谷的第一家专门研制硅晶体管的公司。从这个意义上来说，诺伊斯早年想当企业家的愿望果真实现了。
当时，仙童公司在生产晶体管中首先使用一种“平面工艺”。主持技术工作的是赫尔尼，他是当时硅谷最有才干的科学家之一。他提出的平面工艺法，是通过各种措施把硅表面的氧化层尽量挤压，直到压成一张扁平的薄片为止，使器件的各电极在同一个平面上。因此，只要预先设计出晶体管的电极结构图，通过照相制版的方法，把它精缩成掩模板，就可使立体形状的晶体管制作成平面形状的晶体管。于是，结构无论怎样复杂和精密的晶体管，都可以用这种平面工艺压缩在一片小小的半导体硅片上。
平面工艺法的提出，使仙童公司科学家的思路豁然开朗，他们一下子看到了令人振奋的应用前景，他们意识到，不只是几个晶体管可以放置在一块硅片上，几十个、几百个甚至几百万个晶体管都可以放到一块硅片上。
平面工艺后来很快就应用到集成电路的制造上。仙童公司的科学家发现，运用照相平板印刷技术，可以在硅的表面上，把同样的晶体管按照一定的规律重复地排列，同时又使这些晶体管彼此相连。仙童公司的副经理诺伊斯与他人共同提出了制造集成电路的平面工艺法，并主持制造出世界上第一块用半导体硅制成的集成电路。
得克萨斯仪器公司的基尔比当然也认识到平面工艺法的重大价值。在诺伊斯之前半年就在制造“相移振荡器”时成功地实现了把电子线路安放在锗片上的设想。但诺伊斯制成的硅集成电路比基尔比的锗集成电路更实用，更容易生产。
当后来回忆自己在32岁发明集成电路的情况时，诺伊斯风趣地说：“我发明集成电路，那是因为我是一个‘懒汉’。当时曾考虑，用导线连接电子元件太费事，我希望越简单越好。”
而基尔比在得克萨斯仪器公司发明了后来称为集成电路的“固体电路”后，立即得到该公司负责人的重视，他们意识到这种新电子器件的重要性，并预计它将会得到广泛的应用，因此必须大力推广。
1959年2月，基尔比为他本人的“固体电路”申请了专利。不久之后，得克萨斯仪器公司宣布，他们已生产出一种比火柴头还小的半导体固体电路。而仙童公司的诺伊斯，虽然在此之前已使用平面工艺制造出半导体硅片集成电路，但并没有及时申请专利，直到1959年7月，诺伊斯才想到要去办专利申请手续，但时间已比基尔比晚了半年。
此后上述两家公司为集成电路的发明权长期争执不休，就是因为基尔比比诺伊斯申请专利的时间要早一些。基尔比先取得专利，但他的设计思想未能实现；而诺伊斯的平面工艺技术后来成为微电子革命的基础，但他却是在基尔比之后才申请专利的，更何况这一项技术在仙童公司并不是由他一人独自发现并加以完善的。
最后经法庭裁决，集成电路的发明专利权属于基尔比，而关键的有关集成电路的内部连接技术专利权属于诺伊斯。从1961年起，两人的专利使各自所在的公司都得到很大的经济效益，而他们两人也都因此成为国内外知名的发明家及微电子学的创始人，两人还一起获得美国科技人员最渴望得到的“巴伦坦奖章”。
⑽ 集成电路由哪些部分组成
首先设想IC的却是英国人杜默，他在1952年就发表了IC的思想。IC内是许多二极晶体管、三极晶体管、电阻器、电容器等电子组件的“集成”(“集成电路”也因此得名)，所以省去了连接这些组件的导线空间。例如，著名的“奔腾微处理器(Pentium)”P5——它是美国英特尔(Inetl)公司在1990年初开发的，就集成了300万个晶体管。当今，IC已经发展到第五代，一个“集成块”内就有成千上万个组件。