Ⅰ 求过流保护电路，检测用0.1欧姆的电阻，电路流短路时MOS管关断。
用1个NPN三极管，把基极和发射极接在取样电阻两端，集电极输出到IO,当电流增大时，电阻上的压降增加，超过三极管的导通电压后，集电极输出信号给单片机。
Ⅱ 用mos管设计一个小电压控制大电压大电流的开关电路有经验的帮一下吧 急
这个你可以去参考开关电源电路，那些作为开关的场效应管大都是你想要的小电压控制大电压大电流的电路；
Ⅲ 稳压管和mos管过压保护电路
这个题你不懂的核心是你不知道那个“地”就是电路的“参考点”，无论输入输出信号都是以这个地为统一参考测量点。
当栅极电压超过稳压值的时候，稳压二极管击穿导通，对栅极电位进行了嵌位，以不被高尖峰的电压击穿。
Ⅳ 无刷电机过流保护电路，不急时会烧坏MOSFET,麻烦高手指点下。
MOS管的散热没解决好。
MOS管要很好的工作，必须有良好的散热条件。根据你的描述，只有电流保护，不么热保护。所以当PWM一半时，电流不到保护值，保护不动作。但这时MOS管的散热不足，热量积累造成烧毁。当PWM全开时，由于电流保护动作，虽然MOS管散热不足，但时间很短，所以不会烧毁。
解决办法：增大MOS管散热面积。
换功率大些的管子也是一种解决方案。
Ⅳ 请教：MOS管做开关电路
MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要回由栅源电压uGS决定其答工作状态。
MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程，但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间，而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的。
MOS管也是三端压控元件，三端分别是G、D、S，可以等效于普通三极管的B、C、E三极，VGS的电压（=VG-VS）控制Mos 开关状态:
当VGS大于Von（开启电压，NMOS为2~4V，PMOS为-2~-4V）时就使得Mos打开，D& S两极之间导通，压降为零，阻抗较小，零点几欧姆；
同理当VGS小于Von时就使得Mos处于关闭状态，D& S两极之间阻抗很大；
所以，G极就是控制极；
要注意的是，Vgs不能太高，比如IRF530，Von的最大值为4V，可是击穿电压为正负20V；又比如IRF9530，开启电压为最大-4V，也就是说Vgs=-5V时已经打开，开启电压上限也为正负20V，当Vgs=-21V或者22V时，管子会被击穿。通常使用时，可以使所加电压Vgs=正负9伏比较适合。
Ⅵ 用MOS管和比较器如何搭建一个过流保护的电路啊请大侠抢救。
把mos管的DS串联到回路中，常态给mos管的GS间一个+10V的电压，然后在比较同相端设定一个限定电压，在反相端输入采样信号，当采样的信号超过这个限定电压时比较器输出一个0电平把GS的电压拉低，使MOS管关断。当然比较器是单电源供电。
Ⅶ mos管的VGS两端如何去做保护电路
在GS端加TVS管钳位Vgs电压。
Ⅷ 怎样做MOS管过流与短路保护
电路板布线的时候 把一部分布线布的窄一点，当电流过大 这部分布线就会烧断，布线宽度 参考铜的耐电流大小