薄膜电路工艺

『壹』 薄膜集成电路的特点与应用

与厚膜混合集成电路相比较，薄膜电路的特点是所制作的元件参数范围宽、精度高、温度频率特性好，可以工作到毫米波段。并且集成度较高、尺寸较小。但是所用工艺设备比较昂贵、生产成本较高。
薄膜混合集成电路适用于各种电路，特别是要求精度高、稳定性能好的模拟电路。与其他集成电路相比，它更适合于微波电路。

『贰』 薄膜集成电路是怎样组装而成的

薄膜集成电路是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感内等元件以及它们之间的互容连引线，全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合体、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。薄膜集成电路中的有源器件，即晶体管，有两种材料结构形式：一种是薄膜场效应硫化镉或硒化镉晶体管，另一种是薄膜热电子放大器。更多的实用化的薄膜集成电路采用混合工艺，即用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉和抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的连线，再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不使用薄膜工艺制作的功率电阻、大容量的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式，就可以组装成一块完整的集成电路。

『叁』 厚膜电路相对PCB电路和半导体集成电路有哪些特点

集成电路分为厚膜电路、薄膜电路和半导体集成电路。厚膜电路与薄膜电路的区别有两点：其一是膜厚的区别，厚膜电路的膜厚一般大于10μm，薄膜的膜厚小于10μm，大多处于小于1μm；其二是制造工艺的区别，厚膜电路一般采用丝网印刷工艺，最先进的材料基板使用陶瓷作为基板，（较多的使用氧化铝陶瓷），薄膜电路采用的是真空蒸发、磁控溅射等工艺方法。
厚膜电路的优势在于性能可靠，设计灵活，投资小，成本低，多应用于电压高、电流大、大功率的场合。

『肆』 集成电路工艺的薄膜工艺

薄膜集成电路工艺
整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及其间的互连线回,全部用厚度答在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发工艺、溅射工艺和电镀等工艺重叠构成。用这种工艺制成的集成电路称薄膜集成电路。
薄膜集成电路中的晶体管采用薄膜工艺制作, 它的材料结构有两种形式：①薄膜场效应硫化镉和硒化镉晶体管，还可采用碲、铟、砷、氧化镍等材料制作晶体管；②薄膜热电子放大器。薄膜晶体管的可靠性差，无法与硅平面工艺制作的晶体管相比，因而完全由薄膜构成的电路尚无普遍的实用价值。
实际应用的薄膜集成电路均采用混合工艺，也就是用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉或抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的互连线，再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不便用薄膜工艺制作的功率电阻、大电容值的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式组装成一块完整电路。

『伍』 薄膜电路

问题也太专业了
是否要放在芯片上
或者简单的连接电线
如果是连电线可以用修电脑专用的导电银胶
如果是植入芯片没有专门设备好像不行吧

导电银胶是用银粉做的胶水一样的东西
在电路板上涂上以后可以当导线

『陆』 薄膜开关是怎么做出来的

看图

『柒』 薄膜与厚膜集成电路工艺优缺点

包括在制造工艺和功用等方面. 薄膜集成电路是将整个电路的晶体管、二极二、

『捌』 集成电路工艺主要分为哪几类

集成电路工艺主要分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路3类。

半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、三极管、二极管等元器件的集成电路；膜集成电路是在玻璃或陶瓷片等绝缘物体上，以“膜”的形式制作电阻、电容等无源元件的集成电路。

无源元件的数值范围可以做得很宽，精度可以做得很高。技术水平尚无法用“膜”的形式制作晶体二极管、三极管等有源器件，因而膜集成电路的应用范围受到很大的限制。在实际应用中，多半是在无源膜电路上外加半导体集成电路或分立元件的二极管、三极管等有源器件，使之构成一个整体，这就是混合集成电路。

根据膜的厚薄不同，膜集成电路又分为厚膜集成电路（膜厚为1～10μm）和薄膜集成电路（膜厚为1μm以下）两种。在家电维修和一般性电子制作过程中遇到的主要是半导体集成电路、厚膜电路及少量的混合集成电路。

(8)薄膜电路工艺扩展阅读：

1、按用途分类

集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑（微机）用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。

2、按应用领域分类

集成电路按应用领域可分为标准通用集成电路和专用集成电路。

3、按外形分类

集成电路按外形可分为圆形（金属外壳晶体管封装型，一般适合用于大功率）、扁平型（稳定性好，体积小）和双列直插型。

『玖』 薄膜集成电路的主要工艺

薄膜混合集成电路所用基片有多种，最常用的是玻璃基片,其次是微晶玻璃和被釉陶瓷基片,有时也用蓝宝石和单晶硅基片。为了实现紧密组装和自动化生产，一般使用标准基片。
在基片上形成薄膜有多种方法。制造薄膜网路常用物理汽相淀积(PVD)法,有时还用阳极氧化或电镀法。在物理汽相淀积法中，最常用的是蒸发工艺和溅射工艺。这两种工艺都是在真空室中进行的，所以统称为真空成膜法。用这两种方法，可以制造无源网路中的无源元件、互连线、绝缘膜和保护膜。阳极氧化法可以形成介质膜，并能调整电阻膜的阻值。在制造分布参数微波混合集成电路时，用电镀法增加薄膜微带线的厚度，以减少功耗。

『拾』 薄膜集成电路，什么是薄膜集成电路

与此相对的是厚膜集成电路。它是将能实现某种功能的整个电路的晶体管、二内极管、电阻、电容和电感等容元件以及它们之间的互连引线，全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。
薄膜混合集成电路适用于各种电路，特别是要求精度高、稳定性能好的模拟电路。与其他集成电路相比，它更适合于微波电路。