丘克电路图

Ⅰ 求《救国同盟》百度云高清资源在线观看，安德列·克拉夫丘克导演的

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导演:安德列·克拉夫丘克
编剧:奥列格·马洛维奇克、尼基塔·维索茨基
主演:茵格保加·达坤耐特、帕维尔·普里卢茨内、马克西姆·马特维耶夫、尤里·鲍里索夫、亚历山大·多莫加罗夫、基里尔·扎耶采夫、谢尔盖·科尔塔科夫、维塔利·基什琴科、安东·沙金、阿尔乔姆·特卡琴科、列昂尼德·比切文、IvanYankovskiy、亚历山大·奥斯特犹科夫、玛尔塔·蒂莫菲娃、佩塔尔·泽卡维卡、阿列克塞·古斯科夫、伊戈尔·别特连科、拉里莎·马莱万纳亚、亚历山大·拉扎列夫、埃菲姆·彼得鲁宁、伊万·科列斯尼科夫、罗斯蒂斯拉夫·贝谢尔、德米特里·雷先科夫、迪米特里·纳佐罗夫
类型:剧情、历史、冒险
制片国家/地区:俄罗斯
语言:俄语
上映日期:2019-12-26(俄罗斯)
片长:136分钟
又名:UnionofSalvation、Soyuzspaseniya
救国同盟是一部俄罗斯历史片，讲述了十二月党人起义的故事。一群参加了俄法1812年战争的军人，梦想改变俄罗斯帝国，试图推翻沙皇专制。

Ⅱ 米哈历丘克的「活死人」经历究竟是什么原因

米哈历丘克的「活死人」经历是在几年前发生，当时他与妻子莉迪娅的婚姻出现问题。米哈历丘克发现莉迪娅时常很晚才回家，之後又接到没有人说话的电话，最後妻子坦承有情夫，并要求离婚。

列维茨基说：「米哈历丘克仍能活 、呼吸和走路的原因，是他的心脏血管都充满弹性，有足够的力量泵输血液。不过，他的心脏仍是活的，只可以说是陷入了沉睡状态。」列维茨基估计米哈历丘克的情况可能与他遇到的压力有关。
列维茨基认为米哈历丘克的情况的确十分独特罕见，但「米哈历丘克可以像普通人一样活上许多年，虽然不能进行剧烈运动，但他仍适合进行一些轻松简单的运动和进行不太激烈的性行为」。

Ⅲ 熔体泡生法生长高质量蓝宝石的原理和应用

孙广年于旭东沈才卿

第一作者简介：孙广年，中宝协人工宝石委员会第一、二届委员，第三届副主任委员，浙江省巨化集团晶体材料厂厂长。

一、引言

材料科学是现代文明的三大支柱（能源、信息、材料）之一，是人类文明的物质基础。晶体生长属于材料科学范畴并且是它的发展前沿。业已证明，一些高新科学技术的发展，无一不和晶体材料密切相关；军事工业的发展，例如导弹、无人驾驶飞机、潜艇、人造卫星及宇宙飞船等的窗口材料都需要晶体生长的优质材料，这些材料的好坏决定着技术水平的高低，而且只有在材料方面有所突破，才能希望相关技术有所突破。高质量的无色蓝宝石由于它的特殊优良性能，有着非常广泛的用途，例如蓝宝石单晶具有独特而优良的物理化学性质，特别是在0.2～5.0μm波段有良好的透光性，可广泛用于红外军事装备、卫星和空间技术等领域。由于蓝宝石晶体的电介质绝缘、有恒定的介电常数等特性，使其成为应用最广泛的衬底材料之一。为此，世界各国都在想方设法进行研究和生产。浙江省巨化集团公司晶体材料厂经过多年的努力，用熔体泡生法和熔体提拉法相融合的技术生产出了高质量的无色蓝宝石，已生产出直径达到220mm以上，重28kg以上，不仅可以用于军事工业的窗口材料，也可以用于衬底材料和发光二极管（LED）节能环保行业，具有无限的潜力和发展前景。

二、高质量蓝宝石晶体生长技术简要

蓝宝石是刚玉宝石的一种，除了红色的红宝石以外，其他刚玉宝石都叫蓝宝石。无色蓝宝石是蓝宝石中的一种，化学成分为三氧化二铝（Al₂O₃），三方晶系，抛光表面具亮玻璃光泽至亚金刚光泽，一轴晶负光性，折射率值为1.762～1.770，双折射率为0.008～0.010，摩氏硬度为9，密度约为4.00g/cm³。

蓝宝石的人工合成方法主要有焰熔法、助熔剂法和熔体法，其中熔体法又包括好几种方法。但是，焰熔法和助熔剂法都不能生长出高质量的蓝宝石大晶体，原因是：焰熔法生长的宝石晶体除单个晶体比较小外，晶体还具有大量的镶嵌结构，质量欠佳；助熔剂法生长的宝石晶体也很小，并且包含有助熔剂阳离子，质量也不太好。只有熔体法生长的宝石晶体具有纯度和完整性都高的特点，并且单个晶体大，能成为现代高科技及国防工业急需的高质量宝石晶体。熔体法生长宝石的原理是：将构成宝石成分的原料放在耐高温坩埚中加热熔化，然后在受控条件下，通过降温使熔体出现过冷却，从而使晶体生长出来的方法。由于降温的受控条件不同，因此从熔体中生长出高质量宝石晶体的方法也稍有不同。目前，世界上主要的熔体法高质量蓝宝石晶体生长技术有以下4种：①Czochalski熔体晶体提拉法；②EFG（Edge-defined Film-fed Growth）熔体导模法；③HEM（Heat Exchanger Method）熔体热交换法；④Kyropoulos Method熔体泡生法。以上4种从熔体中生长宝石晶体的方法，其技术特点和优缺点简要介绍如下。

1.熔体晶体提拉法

熔体晶体提拉法（简称熔体提拉法）是利用籽晶从熔体中提拉生长出晶体的方法。该方法能在短期内生长出大而无位错的高质量单晶，是由J.丘克拉斯基（J.Czochalski）在1917年首先发明的，所以又称丘克拉斯基法，简称 Cz提拉法，为熔体中生长晶体最常用的方法之一。其主要技术特点是所有使用提拉法生长晶体的共同基础，简述如下：将宝石组分的原料装在坩埚中，并被加热到原料的熔点以上，此时，坩埚内的原料被熔化成熔体；在坩埚的上方有一根可以旋转和升降的提拉杆，杆的下端带有一个夹头，其上装有籽晶，降低提拉杆，使籽晶插入熔体中，调好温度，使籽晶既不熔掉也不长大，然后缓慢地向上提拉和转动籽晶杆。同时，缓慢地降低加热功率，经过缩颈—扩肩—等径生长—收尾的生长全过程，就能得到所需直径的晶体。整个生长装置安放在一个可以封闭的外套里，以便使生长环境中有所需要的气氛和压强；通过外罩的窗口，可以观察到生长的情况。其生长原理见图1。此方法的主要优点是：①在生长过程中可方便地观察晶体生长的状况；②晶体在熔体表面处生长，不与坩埚相接触，这样能显著减小晶体的应力，并防止坩埚壁的寄生成核；③可以方便地使用定向籽晶和“缩颈”工艺。“缩颈”后的籽晶，其位错可大大减少，这样可使扩肩后生长的晶体，其位错密度降低，得到完整性很高的晶体。此方法的主要缺点是晶体比较小，最多能达到直径2～3英寸

1英寸＝25.4mm。，不能适应现代高科技和国防工业对大尺寸晶体的要求。在生长大尺寸晶体上，其他3种方法都优于Czochalski熔体晶体提拉法。

20世纪70年代，由于激光材料研究的需要，我国开始研制人造钇铝榴石（YAG）和人造钆镓榴石（GGG）晶体的熔体提拉法生长技术，由于军事工业发展的需要和尖端科技研究及应用的需要，熔体提拉法生长宝石晶体技术后来得到了进一步的发展和完善，现在已能够顺利生长出许多有实用价值的宝石晶体（图2,3），如合成无色蓝宝石、合成红宝石、人造钇铝榴石（YAG）、人造钆镓榴石（GGG）、合成变石等。

图1 熔体提拉法晶体生长示意图

图2 熔体提拉法生长的蓝宝石晶体

图3 熔体提拉法生长的激光晶体

2.熔体导模法

熔体导模法是改进型的熔体晶体提拉法，可以控制晶体形状。其主要工艺技术特点是：将一个高熔点的惰性模具放于熔体之中，模具的上表面具有所需形状的“图案”，下部带有细的管道直通模具顶端，熔体由于毛细作用被吸引到模具的上表面，与一个籽晶接触后，熔体随籽晶的提拉而高于模具表面时，能自动拓展到“图案”的边缘，在随后的提拉中生长出模具顶端形状的晶体。它的主要优点是可以按我们的要求生长出多种形状的晶体，Saint-Gon公司用此技术能够生长直径450mm到500mm的蓝宝石光学用晶片，而日本京瓷公司则可以用改良的技术生长LED衬底使用的C面晶片，并拥有该项技术的专利。其原理示意如图4所示。此方法生长晶体的设备和工艺技术难度较大，不易推广。

图4 熔体导模法晶体生长示意图

图5 熔体热交换法生长的350mm蓝宝石晶体

3.熔体热交换法

熔体热交换法的实质是控制温度，让熔体在坩埚内直接凝固结晶。其主要技术特点是：要有一个温度梯度炉，这个温度梯度炉是在真空石墨电阻炉的底部装上一个钨钼制成的热交换器，内有冷却氦气流过。把装有原料的坩埚放在热交换器的顶端，两者中心相互重合，而籽晶置于坩埚底部的中心处，当坩埚内的原料被加热熔化以后，氦气流经热交换器进行冷却，使籽晶不被熔化。随后，加大氦气的流量，带走更多的熔体热量，使籽晶逐渐长大，最后使 整个坩埚内的熔体全部凝固。此方法的主要优点是：晶体生长时，坩埚、晶体、加热区都不动，消除了由于机械运动而造成晶体的缺陷；同时，可以控制冷却速率，减少晶体的热应力及由此产生的晶体开裂和位错等缺陷，是生长优质大晶体的好方法。但这个方法的设备条件高，整个工艺复杂，运行成本高，因此并没有被广泛应用。该工艺为Crystal System公司专利技术，主要为美国军方提供整流罩，目前已经生长出直径350mm的蓝宝石晶体（图5）。

4.熔体泡生法

熔体泡生法是1926年由Kyropouls发明的，经过几十年来科研工作者的不断改进和完善，目前是解决熔体晶体提拉法不能拉大直径晶体的方法之一。其生长晶体原理示意如图6所示，其主要技术特点是：将待生长的晶体原料放在耐高温的坩埚中加热熔化，然后调整炉内温度场，使熔体上部处于稍高于熔点状态；籽晶杆上安放一颗籽晶，让籽晶接触熔融液面，待籽晶表面稍熔后，降低表面温度至熔点，提拉并转动籽晶杆，使熔体顶部处于过冷状态而结晶于籽晶上，在不断提拉的过程中，生长出圆柱状晶体。晶体在生长过程中或生长结束时不与坩埚接触，这就大大减少了晶体的应力，可以获得高质量的大直径晶体。它与熔体晶体提拉法不同之处在于扩肩时晶体直径比较大，几乎与坩埚直径相同（比较图1和图6），加上晶体不与坩埚接触，这些就是熔体泡生法的工艺特点和难点所在。浙江巨化集团公司晶体材料厂通过将熔体泡生法与熔体提拉法技术相融合，开发了这种高质量的蓝宝石生长技术，并以生长无色优质蓝宝石晶体为主要产品，有人也把此方法称为“熔体泡生提拉法”。目前已能生长出直径220mm以上，重28kg以上的高质量无色蓝宝石晶体，产品见图6。

图6 熔体泡生法生长晶体的原理示意图及其产品

三、熔体泡生法生长高质量无色蓝宝石晶体的工艺

1）将纯净的α－Al₂O₃原料装入坩埚中。坩埚上方装有可旋转和升降的提拉杆。杆的下端有一个籽晶夹具，其上装有一粒定向的无色蓝宝石籽晶（注：生长无色蓝宝石时不加致色剂，籽晶也要用无色蓝宝石，无色蓝宝石晶体比有色蓝宝石晶体用处更大）。

2）将坩埚加热到 2050℃以上，降低提拉杆，使籽晶插入熔体中。

3）控制熔体的温度，使液面温度略高于熔点，熔去少量籽晶以保证能在籽晶的清洁表面上开始生长。

4）在实现籽晶与熔体充分沾润后，使液面温度处于熔点，缓慢向上提拉和转动籽晶杆。控制好拉速和转速，籽晶就逐渐长大。

5）小心地调节加热功率，使液面温度等于熔点，实现宝石晶体的缩颈—扩肩—等径生长—收尾的生长全过程。

整个生长装置安放在一个外罩里，以便抽真空后充入惰性气体，使生长环境中保持所需要的气体和压强。通过外罩上的窗口可观察晶体生长情况，以便随时调节温度，使晶体生长过程正常进行，用这种方法可以生长出大直径高质量的无色蓝宝石晶体。

四、熔体泡生法生长优质蓝宝石的技术要点

蓝宝石属三方晶系，晶体结构存在着两个主要的滑移体系（底面滑移系和柱面滑移系），因此在采用提拉法生长蓝宝石单晶工艺中，温场的温度梯度和晶体生长方向的合理选择将对蓝宝石单晶的质量产生关键的影响。

1.建立合理的温度梯度是生长优质晶体的首要条件

热系统是温度梯度的决定因素，是生长优质晶体的基本条件。当晶体恒温生长时，根据界面稳定条件：

中国人工宝石

而

中国人工宝石

所以有

中国人工宝石

因此界面保持稳定的最大生长速率为

中国人工宝石

式中：

和

分别为界面附近熔体和晶体中的温度梯度；K₁和K_s分别为熔体和晶体的热导率；L为结晶潜热；ρ为晶体密度。

从式（3）中可以看出，晶体的最大生长速率取决于晶体中温度梯度的大小，要提高晶体的生长速率，必须加大温度梯度。但是，晶体中温度梯度过大，将会增加晶体的热应力，引起位错密度增加，甚至导致晶体开裂。

因此，根据无色蓝宝石单晶的热导率等性质，建立合理的温度梯度是生长完整单晶的前提。

2.晶体的生长方向选择很重要

无色蓝宝石属于三方晶系，存在有两个主要的滑移系：（0001）面沿

方向的底面滑移系和

面沿

方向的柱面滑移系。滑移最易沿原子密度大的晶向发生，因此晶体生长界面与（0001）面交角大时，由于底面滑移，易于产生大量晶界；当滑移比较严重时，则可能产生滑移带，形成孪晶；相反，则不易产生滑移，晶界不易生成。

沿0°取向即（0001）生长时，晶体外形的对称截面虽易呈六角形，但是缺陷会优先在光轴方向增殖，容易形成镶嵌结构，破坏晶体结构的完整性。

由此可见，选择合适的晶体生长方向是必要的，我们根据多次试验找到了生长优质无色蓝宝石的晶体生长方向。我们认为，根据所建立的温度梯度，选择合适的晶体生长方向是生长高质量无色蓝宝石单晶的关键。

五、熔体泡生法生长优质无色蓝宝石的应用

熔体泡生法生长的优质蓝宝石通常应用于国防工业、军工科技和尖端科学技术研究领域，其边角料或不合格原料可以用于珠宝首饰行业。熔体泡生法生长的优质蓝宝石之所以在国防工业、军工科技和尖端科学技术研究领域中有广泛的应用，是由无色蓝宝石晶体本身的优良性能决定的。无色蓝宝石单晶的部分性能参数见表1。

表1 无色蓝宝石单晶部分性能

1.优质无色蓝宝石晶体在基底中的应用

优质无色蓝宝石晶体由于其卓越的性能，在一些基底应用中成为首选材料。主要表现在以下几个领域内：

1）蓝光 LED发光二极管基底材料（BLED’s）——在无色蓝宝石基底上生长Ⅲ—V族和Ⅱ—Ⅵ族化合物；

2）红外探测器——无色蓝宝石晶体可以作为生长碲镉汞晶体（HgCdTe）的基底；

3）砷化镓晶片（GaAs）的基底；

4）微波集成电路材料。

一方面在微电子集成电路应用方面，R面—

晶面的无色蓝宝石衬底是异质外延硅的首选材料：由于无色蓝宝石单晶具有高且稳定的介电常数，使其特别适合作微波和高速集成电路以及压力传感的异质衬底。另一方面，在无色蓝宝石单晶上可以外延铊等混合超导化合物，制作高电阻器件，也可以用来生长GaAs或者用它做其他一些材料的载片。

另外，A面—

晶面无色蓝宝石单晶衬底：由于无色蓝宝石单晶具有稳定的介电常数和高绝缘性，可用作高温超导材料的载体。

再有，C面—｛0001｝晶面的无色蓝宝石单晶衬底有单面或者双面抛光的，被广泛应用于外延生长Ⅲ—V和Ⅱ—Ⅵ族化合物，如蓝光 LED用的GaN衬底（白光 LED是在蓝光 LED的基础上，经过荧光粉效应而产生的）。其次，也被用于制作红外探测用的汞镉锑化合物器件的载体。

2.优质无色蓝宝石在发光二极管（LED）领域中的应用

LED的应用领域非常广，包括通讯、消费性电子、汽车、照明、信号灯等。我们可大体把它们区分为背光源、照明、电子设备、显示屏、汽车等五大领域。在地球资源日渐衰竭的今日，环保和节能是当今各产业发展的重心，尤其是需要消耗大量电力的照明产业，在光源的研发上，更趋向于环保和节能。发光二极管（LED）的出现，是对人类照明世界的一次革命，对人类的未来有着重大影响与改变。LED除了耗能低、寿命长之外，还有以下优点：

1）应用非常灵活：可以做成点、线、面各种形状的轻、薄、短小产品；

2）环保效益佳：由于光谱中没有紫外线和红外线，也没有热量和辐射，属于典型的绿色照明光源，而且废弃物可回收，无污染；

3）控制极为方便：只要调整电流，就可以随意调光，不同光色的组合变化多端，利用时序控制电路，更能达到丰富多彩的动态变化效果。

LED不仅可用于大型广告显示屏，还可以用于建筑和交通照明。白光 LED的出现，是 LED从标识功能向照明功能跨出的实质性一步。白光LED最接近日光，能较好地反映照射物体的真实颜色，所以，从技术角度看，白光 LED无疑是LED最尖端的技术。

白光LED的市场应用将非常广泛，也是白炽钨丝灯泡及荧光灯的“杀手”。目前，白色LED已开始进入一些实际应用领域，如应急灯、手电筒、闪光灯等产品已相继问世。

据美国能源部预测，2010年前后，美国约有55%的白炽灯和荧光灯将被白光 LED替代，每年节电价值可达350亿美元，可形成一个500亿美元的大产业。日本提出，白光 LED将在2008年左右大规模替代传统白炽灯。为了抢占未来市场的制高点，通用电气、飞利浦、奥斯拉姆等世界三大照明工业巨头纷纷行动，与半导体公司合作成立 LED照明企业，目标是在 2010年前把LED发光效率再提高8倍，价格降低99%，前景多么诱人！

3.优质无色蓝宝石在GaN外延衬底材料中的应用

优质无色蓝宝石晶体是目前唯一商用的GaN外延衬底材料，而半导体发光技术的新成就，为优质无色蓝宝石晶体的应用开创了新的前景。通过在无色蓝宝石晶体基片上外延GaN，可以制作蓝光发光二极管（LED）。

目前LED的重要用途和前景正逐渐被人们所认识，随着 LED产业化的飞速发展，大尺寸、高品质的蓝宝石晶体将成为市场的新宠。

六、结语

我们用熔体泡生法与熔体提拉法相融合的技术生长出了优质的大直径无色蓝宝石。为了获得高质量的无色蓝宝石单晶，在晶体生长过程中，从晶体本身的特性出发，建立了合理选择温度梯度和晶体生长方向相融合的生长工艺。熔体泡生法生长的高质量无色蓝宝石单晶的应用领域非常广泛，可以应用于国防工业、军工科技和尖端科学技术研究领域，尤其是在衬底领域和发光二极管（LED）方面的应用，表现出优异的发展前景。

参考文献

何雪梅，沈才卿编著.2005.宝石人工合成技术.北京：化学工业出版社.

马胜利等.1998.导模法生长白宝石单晶中的缺陷观察.无机材料学报，13（1）.

王崇鲁.1983.白宝石单晶.天津：天津科学技术出版社.

于旭东等.2006.蓝宝石晶体的生长方向研究.人工晶体学报，35（2）.

张克从等.1997.晶体生长科学与技术.北京：科学出版社.

张玉龙等.2005.人工晶体——生长技术、性能与应用.北京：化学工业出版社.

张蓓莉主编.2006.系统宝石学（第二版）.北京：地质出版社.

专利文献.日本亚木精密宝石株式会社P2003-313092A.

LED照明突出优点及广泛的用途.通信信息报，2006-02-10.

Pub.No.:US2005/0227117A1,United States,Patent Application Publication.

Schmid F.et al.J.Amer.1970.Cerma.Soc,53,528

Scheel H J,Fukuda T.2003.The Developlment of Crys-tal Growth Technology,Crystal Growth Technolo-gy,pp.3～14.

Ⅳ 相控换流器技术原理

本书分为十章，第1~6章为基础部分，讲述电力电子技术的基本概念，常用的电力电子器件，以及基本的电力电子电路及其分析方法;第7~10章为应用部分, 在以上的基础上讲述了电力电子技术的电力系统、电机驱动和电源技术中的应用等。

折叠编辑本段目录
前言

第一章 绪论

1.1 概述

1.2 现代电力电子装置与传统线性电子装置的比较

1.3 电力电子技术的应用领域

1.4 功率处理器及换流器分类

1.5 关于本书的安排

1.6 电力电子技术与相关学科间的关系

第二章 功率半导体器件

2.1 概述

2.2 功率半导体器件的分类

2.3 功率半导体器件的适用范围

2.4 功率二极管

2.5 晶闸管

2.6 可控开关的理想特性

2.7 双极型功率晶体管

2.8 MOS场效应管

2.9 绝缘栅双极晶体管

2.10 可关断晶闸管

2.11 功率模块

2.12 几种可控开关器件的比较

2.13 未来功率半导体器件的发展趋势

第三章 工频相控交-直换流器

3.1 概述

3.2 工频整流的基本原理

3.3 单相不可控桥式整流器

3.4 三相不可控桥式整流器

3.5 三相可控(晶闸管)工频换流器

3.6 有源逆变工作方式

3.7 交流侧波形及功率因数分析

3.8 其它类型的三相换流器

第四章 开关型直-直换流器

4.1 概述

4.2 开关型直-直换流器的控制

4.3 降压换流器

4.4 升压换流器

4.5 升降压换流器

4.6 丘克换流器

4.7 全桥直-直换流器

4.8 开关型直-直换流器的比较

第五章 开关型直-交逆变器

5.1 概述

5.2 开关型逆变器的基本概念

5.3 单相逆变器

5.4 三相逆变器

5.5 PWM逆变器中开关元件的交接时间对输出电压的影响

5.6 采用其它控制方式的三相PWM逆变器

5.7 整流工作方式

5.8 小结

第六章 谐振换流器

6.1 概述

6.2 谐振换流器的分类

6.3 谐振电路的基本概念

6.4 负载谐振换流器

6.5 谐振开关换流器

6.6 ZVS-CV换流器

6.7 谐振型直流连接逆变器

6.8 高频连接换流器

6.9 小结

第七章 在电力工业中的应用

7.1 概述

7.2 高压直流输电

7.3 静止无功补偿

7.4 静止无功发生器

7.5 有源电力滤波器

7.6 可再生能源和储能系统与电网间的互联

第八章 电机驱动装置

8.1 概述

8.2 电机驱动装置设计的一般准则

8.3 直流电机驱动

8.4 感应电机驱动

8.5 同步电机驱动

8.6 步进电机驱动

8.7 小结

第九章 在电源技术中的应用

9.1 概述

9.2 线性电源的不足

9.3 开关电源

9.4 几种常见的具有电隔离的直流开关电源

9.5 直流开关电源的控制

9.6 电源保护

9.7 反馈环中的电隔离

9.8 开关电源设计中的几个问题

9.9 电源调整器和交流不间断电源

9.10 小结

第十章 电力电子装置对电网的影响及其抑制措施

10.1 概述

10.2 换流器谐波及功率因数

10.3 谐波标准与推荐导则

10.4 单相不可控整流器的波形校正方法

10.5 双向功率潮流换流器的改进方法

10.6 三相不可控整流器的校正方法

Ⅳ 直流低压升高压小制作怎么做

背景技术：

目前直流斩波电路主要有Buck、Boost、Buck-Boost和Cuk四种电路，都是利用电感电流不突变，或者电容电压不能突变的原理实现升降压。Buck称为降压斩波电路，能够实现将输入直流电压变换为比输入电压更低的输出电压；Boost称为升压斩波电路，能够实现将输入直流电压变换为比输入电压更高的输出电压；Buck-Boost称为降压升压斩波电路，能够实现将输入直流电压变换为比输入电压高或者比输入电压低的输出电压；Cuk称为丘克电路，变换功能与Buck-Boost相似。这四种电路都涉及了电力电子元件的占空比控制，但是如果仅仅采用有电子元器件组成的电力电子元件驱动电路，这种驱动电路的元器件会相当多，而且电路对这些元器件的要求会很高，调节很不方便。

技术实现要素：

本实用新型的目的是为了解决现有直流斩波电路存在的上述问题，提出一种结构简单可靠、调节方便的由单片机控制的直流升降压电路，由单片机PWM驱动构成驱动电路来实现升降压。

为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：直流电源的正极从左至右依次串联第一电感、第二电容、第二电感和第三电容，第三电容接直流电源的负极，第三电容与负载并联，第一MOSFET场效应管的漏极接第一电感的右侧节点，第一MOSFET场效应管的源极接地，第二MOSFET场效应管的漏极接第二电容的右侧节点，第二MOSFET场效应管的源极接地，第一电感的左侧节点依次串联第一电阻、第一光耦的输出端、第三电阻的一端，第三电阻的另一端接第一MOSFET场效应管的栅极，第一电感的左侧节点还依次串联第二电阻、第二光耦的输出端、第四电阻的一端，第四电阻的另一端接第二MOSFET场效应管的栅极，单片机通过不同控制端口分别连接第一光耦的输入端和第二光耦的输入端。

进一步地，第一MOSFET场效应管的漏极和源极之间反向并联第二二极管，第二MOSFET场效应管的漏极和源极之间反向并联第四二极管。

更进一步地，单片机控制第一MOSFET场效应管和第二MOSFET场效应管关闭或导通，第一MOSFET场效应管和第二MOSFET场效应管各自的一次导通与一次关闭组成一个运转周期，导通时间与运转周期的比值为占空比。

本实用新型采用上述技术方案后具有的有益效果是：本实用新型能通过单片机直接、方便地控制输出电压的大小，不仅能够简化了电路结构，而且能够实现电路输出电压的智能化调节和控制。

附图说明

图1是本实用新型的结构连接示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步描述，以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案，而不能以此来限制本实用新型的保护范围。

如图1所示，本实用新型包括直流电源E和与直流电源E并联的第一电解电容C1，直流电源E的正极从左至右依次地串联第一电感L1、第二电容C2、第二电感L2和第三电容C3，第三电容C3接直流电源E的负极，直流电源E的负极与地GND相接。第三电容C3与负载电机Motor并联。

第一电感L1的左侧节点依次串联第一电阻R1、第一光耦U1的输出端、第三电阻R3的一端，第三电阻R3的另一端连接到第一MOSFET场效应管D1的栅极。第一电感L1的左侧节点还依次串联第二电阻R2、第二光耦U2的输出端、第四电阻R4的一端，第四电阻R4的另一端接到第二MOSFET场效应管D3的栅极。第一MOSFET场效应管D1的漏极连接第一电感L1的右侧节点，第一MOSFET场效应管D1的源极接地GND，即第一MOSFET场效应管D1的漏极和源极跨接在第一电感L1的右侧节点和地GND之间，第一MOSFET场效应管D1的漏极和源极之间反向并联第二二极管D2，第二二极管D2也跨接在第一电感L1的右侧节点和地GND之间。第二MOSFET场效应管D3的漏极连接第二电容C2的右侧节点，第二MOSFET场效应管D3的源极接地GND，即第二MOSFET场效应管D3的漏极和源极跨接在第二电容C2的右侧节点和地GND之间，第二MOSFET场效应管D3的漏极和源极之间反向并联第四二极管D4，第四二极管D4也跨接在第二电容C2的右侧节点和地GND之间。

单片机通过不同控制端口分别连接第一光耦U1和第二光耦U2的输入端，单片机通过第一光耦U1和第二光耦U2输出电信号，分别控制第一MOSFET场效应管D1和第二MOSFET场效应管D3的关闭或导通。第一MOSFET场效应管D1和第二MOSFET场效应管D3各自的的一次导通与一次关闭组成一个运转周期，导通时间与运转周期的比值为占空比。

当单片机控制第一MOSFET场效应管D1关闭期间，同时控制第二MOSFET场效应管D3导通，经第一电感L1的电流i1给第二电容C2充电，电流又经第二MOSFET场效应管D3流向地GND，第二电容C2两端的电压需要慢慢建立起来。当单片机控制第一MOSFET场效应管D1导通期间，单片机同时控制第二MOSFET场效应管D3关闭，直流电源E通过电流i1给第一电感L1充电，同时第二电容C2放电，第二电感L2通过电流i2存储第二电容C2放出的电能。当单片机控制第一MOSFET场效应管D1和第二MOSFET场效应管D3的导通和关闭轮流切换时，只要保证导通和关闭这两种状态的运转周期短，第二电感L2的电流i2最后将在某个值附近微小波动，电流i2流经负载电机Motor，使得负载电机Motor获得电压上负下正的电压，通过第二电容C2滤波后，负载电机Motor的电压基本没有波动，从而使得电流i2的波动基本消除，从而使得电流i2稳定为某一个数值。

当单片机控制第一MOSFET场效应管D1占空比较大时，直流电源E放出的能量较多，最后使得电流i2较大，则使得负载电机Motor电压较大，甚至可以大于直流电源E的电压。当单片机控制第一MOSFET场效应管D1的占空比较小时，直流电源E放出的能量较少，最后使得电流i2较小，则使得负载电压较小，电路实现了输出电压的升降压作用。由此，通过单片机直接控制输出电压的大小，能方便的控制输出电压的大小，不仅能够实现斩波电路驱动电路简化，而且能够实现电路输出电压的智能化控制。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本实用新型的保护范围。

Ⅵ 太阳能草坪灯的系统组成

太阳能草坪灯是一个独立的太阳能发电系统。它能够独立的完成把太阳能转换为电能，并能把电能转换成热能供照明和装饰使用，而不需要电线的传输。主要的系统组成部分有光伏发电系统和供电系统。 一个独立的光伏发电系统一般由三部分组成：太阳电池组件；充、放电控制器、逆变器、测试仪表和计算机监控等电力电子设备和蓄电池或其它蓄能和辅助发电设备。
光伏发电系统具有以下的特点：没有转动部件，不产生噪音； 没有空气污染、不排放废水；没有燃烧过程，不需要燃料； 维修保养简单，维护费用低；运行可靠性、稳定性好；作为关键部件的太阳电池使用寿命长，晶体硅太阳电池寿命可达到25年以上；根据需要很容易扩大发电规模。
如直流负载光伏系统示意图所示。其中包含了光伏系统中的几个主要部件：光伏组件方阵：由太阳电池组件（也称光伏电池组件）按照系统需求串、并联而成，在太阳光照射下将太阳能转换成电能输出，它是太阳能光伏系统的核心部件。 一般来说，一个合格的太阳能充放电控制器具有以下几种充放电保护模式：
a 直充保护点电压：直充也叫急充，属于快速充电，一般都是在蓄电池电压较低的时候用大电流和相对高电压对蓄电池充电，但是，有个控制点，也叫保护点，就是上表中的数值，当充电时蓄电池端电压高于这些保护值时，应停止直充。直充保护点电压一般也是“过充保护点”电压，充电时蓄电池端电压不能高于这个保护点，否则会造成过充电，对蓄电池是有损害的。
b 均充控制点电压：直充结束后，蓄电池一般会被充放电控制器静置一段时间，让其电压自然下落，当下落到“恢复电压”值时，会进入均充状态。为什么要设计均充？就是当直充完毕之后，可能会有个别电池“落后”（端电压相对偏低），为了将这些个别分子拉回来，使所有的电池端电压具有均匀一致性，所以就要以高电压配以适中的电流再充那么一小会，可见所谓均充，也就是“均衡充电”。均充时间不宜过长，一般为几分钟~十几分钟，时间设定太长反而有害。对配备一块两块蓄电池的小型系统而言，均充意义不大。所以，路灯控制器一般不设均充，只有两个阶段。
c 浮充控制点电压：一般是均充完毕后，蓄电池也被静置一段时间，使其端电压自然下落，当下落至“维护电压”点时，就进入浮充状态，采用PWM（既脉宽调制）方式，类似于“涓流充电”（即小电流充电），电池电压一低就充上一点，一低就充上一点，一股一股地来，以免电池温度持续升高，这对蓄电池来说是很有好处的，因为电池内部温度对充放电的影响很大。其实PWM方式主要是为了稳定蓄电池端电压而设计的，通过调节脉冲宽度来减小蓄电池充电电流。这是非常科学的充电管理制度。具体来说就是在充电后期、蓄电池的剩余电容量（SOC）>80%时，就必须减小充电电流，以防止因过充电而过多释气（氧气、氢气和酸气）。
d 过放保护终止电压：这比较好理解。蓄电池放电不能低于这个值，这是国标的规定。蓄电池厂家虽然也有自己的保护参数（企标或行标），但最终还是要向国标靠拢的。需要注意的是，为了安全起见，一般将12V电池过放保护点电压人为加上0.3V作为温度补偿或控制电路的零点漂移校正，这样12V电池的过放保护点电压即为11.10V，那么24V系统的过放保护点电压就为22.20V 。很多生产充放电控制器的厂家都采用22.2V（24V系统）标准。 充
电控制器作为光伏电池和铅酸蓄电池的接口电路，一般都希望让其工作在最大功率点，实现更高的效率，但是在实现最大功率点跟踪（MPPT）的同时，还需要考虑进行蓄电池充电控制。常用的主电路拓扑主要有降压型电路（Buck）变换器、升压型电路（Boost）变换器、丘克电路（Cuk）变换器等。一般光伏电池输出电压波动较大，而Buck变换器或Boost变换器只能进行降压或升压变换，受此影响，光伏电池不能在大范围内完全工作于最大功率点，从而造成系统效率下降。同时，Buck变换器输入电流纹波较大，如果输入端不加一个储能电容就会使系统工作在断续状态下，从而导致光伏电池输出电流时断时续，不能处于最佳工作状态；而Boost变换器输出电流纹波较大，用此电流对蓄电池进行充电，不利于蓄电池的使用寿命；Cuk变换器同时具有升压和降压功能，将Cuk变换器应用于光伏系统充电控制器中，可以在较大范围内实现最大功率点跟踪，有利于系统效率的提高。因此，常选用Cuk变换器作为充电控制器的主电路，其系统拓扑如Cuk充电控制器主电路图所示。
uk变换器在负载电流连续的情况下，其电路的稳态过程有：
1、开关管Vr导通期间
此期间开关管Vr导通，电容C2上的电压使二极管D2反偏而截止，这时输入电流iL2使Ll储能；C2的放电电流iL2使L2储能，并供电给负载，如Cuk变换器连续工作模式等效电路图（a）所示。
2、开关管Vr截止期间此期间开关管Vr截止，二极管D2正偏而导通，电源和Ll的释能电流iLl向C2充电，同时L2的释能电流iL2以维持负载，如Cuk变换器连续工作模式等效电路图（b）所示。因此，Vr截止期间C2充电，Vr导通期间C2向负载放电，C2起能量传递的作用。 太阳能草坪灯的电路原理比较简单。它的控制器是采用升压电路来实现的。
元器件选择：BT1选用3.8V/80mA太阳能电池板，单晶硅为好，多晶硅次之；BT2选用两节1.2V/600mA Ni-Cd电池，如需要增大发光度或延长时间，可相应提高太阳能板及电池功率。VQ2、VQ3、VQ5的β在200左右，VQ4需β值大的晶体管。VD1尽量选管压低的，如锗管或肖特基二极管。LED可选用白、蓝、绿色超高亮度散光或聚光。当选用红黄橙等低压降LED时，电路需重新设定。R3、R5建议选用1%精度电阻；R4用亮阻10kΩ～20kΩ，暗阻1MΩ以上的光敏电阻。其他电阻可选用普通碳膜（1/4）W、（1/8）W电阻。L1用（1/4）W色电感，直流阻抗要小。
该电路的工作原理：白天有太阳光时，由BT1把光能转换为电能，由VD1对BT2充电，由于有光照，光敏电阻呈低阻，VQ4 b极为低电平而截止。当晚上无光照时光敏电阻呈高阻，VQ4导通，VQ2 b极为低电平也导通，由VQ3、VQ5、C2、R6、L1组成的DC升压电路工作，LED得电发光。
DC升压电路其核心就是一个互补管振荡电路，其工作过程为：VQ2导通时电源通过L1、R6、VQ4向C2充电，由于C2两端电压不能突变，VQ3 b极为高电平，VQ3不导通，随着C2的充电其压降越来越高，VQ3 b极电位越来越低，当低至VQ3导通电压时VQ3导通，VQ5相继导通，C2通过VQ5 ce结、电源、VQ3 eb结（由于VQ2导通，我们假设其ec结短路，VQ3 e极直接电源正极）放电。
当放完电后VQ3截止，VQ5截止，电源再次向C2充电，之后VQ3导通，VQ5导通，C2放电，如此反复，电路形成振荡，在振荡过程中，VQ5导通时电源经L1和VQ5 ce结到地，电流经L1储能，VQ5截止时L1产生感应电动势，和电源叠加后驱动LED，LED发光。本可以提高电池电压直接驱动LED，以提高效率，但电池电压提高，相应的太阳能电池价格也大幅提高，只要电路元件设置合适，其效率还是可以接受的。当白天充电不够时（如遇上阴雨天等），BT2可能发生过放电，这样会损坏电池，为此特加R5构成过放保护：当电池电压降至2V时，由于R5的分压使VQ4基极电位不足以使VQ4导通，从而保护电池。增加R5会影响VQ4的导通深度。

Ⅶ 开关稳压电源的设计和应用的图书目录

第1章 绪论1
1.1 关于开关稳压电源1
1.2 开关电源的发展史2
1.3 开关电源的应用7
1.4 本书的基本结构8
参考文献9
第2章 PWM开关电路拓扑10
2.1 开关电源中申力电子电路的分类10
2.2 非隔离型DC?DC变换电路11
2.2.1 降压（Buck）型电路12
2.2.2 升压（Boost）型电路17
2.2.3 升降压（Buck?Boost）型电路22
2.2.4 丘克（Cuk）型电路25
2.2.5 Sepic型电路27
2.2.6 Zeta型电路28
2.3 隔离型电路30
2.3.1 正激型电路30
2.3.2 反激型电路34
2.3.3 半桥电路36
2.3.4 全桥型电路40
2.3.5 推挽型电路43
2.4 整流电路47
2.4.1 全桥整流电路47
2.4.2 全波整流电路48
2.4.3 倍流整流电路48
2.4.4 同步整流技术51
2.5 回馈型电路53
2.5.1 非隔离回馈型电路53
2.5.2 隔离回馈型电路55
2.6 小结56
参考文献56
第3章 软开关技术57
3.1 软开关的基本概念57
3.1.1 硬开关与软开关57
3.1.2 零电压开关与零电流开关59
3.2 软开关电路的分类59
3.2.1 准谐振电路59
3.2.2 零电压开关PWM电路和零电流开关PWM电路60
3.2.3 零电压转换PWM电路和零电流转换PWM电路61
3.3 典型的软开关电路61
3.3.1 零电压准谐振电路61
3.3.2 移相全桥型零电压开关PWM电路64
3.3.3 有源箝位正激型电路68
3.3.4 零电压转换PWM电路71
3.3.5 不对称半桥型电路72
3.3.6 软开关PWM三电平直流变换器73
3.4 谐振变换电路的原理及分类75
3.5 典型的谐振变换电路76
3.5.1 串联谐振电路76
3.5.2 并联谐振电路78
3.5.3 串并联谐振电路81
3.6 小结85
参考文献85
第4章 开关电源控制系统的原理87
4.1 开关电路的建模87
4.1.1 理想开关模型88
4.1.2 状态空间平均模型89
4.1.3 小信号模型90
4.2 系统的传递函数92
4.2.1 开关电路92
4.2.2 PWM比较器96
4.2.3 调节器96
4.3 基于小信号模型的分析方法97
4.3.1 系统的稳定性97
4.3.2 动态指标100
4.4 电压模式控制和电流模式控制101
4.4.1 电压模式控制102
4.4.2 峰值电流模式控制103
4.4.3 平均电流模式控制108
4.5 并机均流控制的原理109
4.6 小结113
参考文献113
第5章 常用电力电子器件115
5.1 二极管115
5.2 电力MOSFET119
5.2.1 结构和工作原理119
5.2.2 主要参数122
5.2.3 新型MOSFET器件简介123
5.3 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)124
5.3.1 结构与工作原理124
5.3.2 主要参数126
5.3.3 IGBT的发展及新型结构工艺简介126
5.4 MOSFET及IGBT的驱动及保护128
5.4.1 MOSFET及IGBT的驱动128
5.4.2 MOSFET及IGBT的保护132
5.5 功率模块与功率集成电路134
5.6 小结136
参考文献137
第6章 无源器件138
6.1 常用电容器及选型138
6.1.1 电容器的主要参数138
6.1.2 电解电容器140
6.1.3 有机薄膜电容器143
6.1.4 瓷介电容器143
6.2 电感及变压器144
6.2.1 常用的软磁材料144
6.2.2 电感148
6.2.3 变压器152
6.3 小结155
参考文献156
第7章 功率电路的设计157
7.1 开关电源的主要技术指标及分析157
7.1.1 输入参数157
7.1.2 输出参数158
7.1.3 电磁兼容性能指标160
7.1.4 其他指标161
7.2 主电路设计162
7.2.1 主电路的选型162
7.2.2 硬开关与软开关电路的选择162
7.2.3 正激、推挽、半桥和全桥型电路的主电路元器件参数的计算163
7.2.4 反激型电路的主电路元器件参数的确定169
7.3 热设计和结构设计172
7.3.1 开关元件的热设计172
7.3.2 变压器和电抗器的热设计173
7.3.3 机箱结构的设计175
7.4 小结175
参考文献176
第8章 控制电路的设计177
8.1 电压模式控制电路的设计177
8.1.1 电压调节器的结构形式177
8.1.2 电压调节器的参数178
8.2 峰值电流模式控制电路的设计181
8.3 平均电流模式控制电路的设计181
8.4 控制电路结构和主要组成部分的原理183
8.5 典型的PWM控制电路185
8.6 小结198
参考文献199
第9章 功率因数校正技术200
9.1 谐波和功率因数的定义200
9.2 开关电源的功率因数校正技术203
9.3 单相功率因数校正电路204
9.3.1 基本原理204
9.3.2 主电路参数计算206
9.3.3 单相功率因数校正的控制电路209
9.4 三相功率因数校正电路212
9.5 软开关功率因数电路214
9.6 单级功率因数校正技术215
9.6.1 单相单级功率因数变换器215
9.6.2 三相单级功率因数变换器219
9.7 小结221
参考文献222
第10章 开关电源的电磁兼容问题224
10.1 电磁兼容的基本概念224
10.2 开关电路的EMI模型225
10.3 EMI滤波器的设计230
10.4 抗干扰实验及抗干扰设计233
10.5 小结235
参考文献235
第11章 开关电源设计实例236
11.1 90W反激型电源适配器设计236
11.1.1 技术指标236
11.1.2 输入PFC电路的设计236
11.1.3 反激型电路的设计241
11.2 同步Buck型电路的设计244
11.2.1 技术指标244
11.2.2 电感的设计244
11.2.3 MOSFET的计算245
11.2.4 控制芯片的选择245
11.3 3kW通信用开关电源设计247
11.3.1 技术要求247
11.3.2 主电路设计247
11.3.3 控制电路的结构253
11.4 6kW电力操作电源设计254
11.4.1 技术要求254
11.4.2 主电路设计254
11.5 小结259
参考文献259

Ⅷ 电力电子应用技术的MATLAB仿真的目录

前言
第1章 MATLAB基础知识
1.1 MATLAB简介
1.2 MATLAB环境
1.3 MATLAB基本应用
1.3.1 数据结构
1.3.2 数值运算
1.3.3 程序设计基础
1.3.4 MATLAB的基本绘图
第2章 Simulink环境和模型库
2.1 系统仿真(Simulink)环境
2.1.1 Simulink工作环境
2.1.2 Simulink的基本操作
2.1.3 创建Simulink仿真模型
2.1.4 创建Simulink仿真模型的子系统
2.2 认识Simulink的重要模块库
2.3 S——函数的设计方法
第3章 SimPowerSystems模型库
3.1 SimPowerSystems模型库概述
3.1.1 SimPowerSystems模型库简介
3.1.2 SimPowerSystems模型库内容
3.2 电源库
3.2.1 直流电压源
3.2.2 交流电压源
3.2.3 三相司编程电压源
3.3 元器件库
3.3.1 断路器
3.3.2 串联RLC支路
3.3.3 变压器
3.4 电机库
3.5 电力电子库
3.5.1 绝缘栅双极型晶体管
3.5.2 二极管
3.5.3 通用桥式电路
3.6 应用库
3.7 其他模块库
3.7.1 控制模块
3.7.2 测量模块
3.8 图形用户界面
3.8.1 调用方法
3.8.2 属性参数对话框
3.8.3 Steady State Voltages and Currents窗口
3.8.4 Initial States Setting窗口
3.8.5 Load Flow and Machine Initialization窗口
3.8.6 Link to the LTI Viewer窗口
3.8.7 Impedance vs. Frequency Measurement窗口
3.8.8 快速傅里叶分析工具窗口
3.8.9 磁滞设置工具窗口
3.9 应用举例
第4章 DC-DC电路的仿真
4.1 降压(Buck)变换器
4.2 升压(Boost)变换器
4.3 升降压(Buck-Boost)变换器
4.4 丘克(Cuk)变换器
4.5 带隔离变压器的DC-DC变换器
4.5.1 单端正激变换器(Forward Converter)
4.5.2 单端反激变换器(Flyback Converter)
第5章 DC-AC电路的仿真
5.1 方波逆变电路
5.1.1 单相方波逆变电路”
5.1.2 三相方波逆变电路
5.2 单相PWM逆变电路
5.2.1 双极性SPWM
5.2.2 单极性SPWM
5.2.3 倍频SPWM
5.3 三相PWM逆变电路
5.3.1 SPWM逆变电路
5.3.2 死区时间的影响
5.3.3 电流跟踪PWM
5.3.4 空间矢量PWM
5.4 多电平逆变电路
第6章 AC-DC电路的仿真
第7章 直流调速系统的仿真
第8章 交流调速系统的仿真
第9章 其他应用
参考文献
……

Ⅸ 阿纳托利·季莫什丘克的个人能力

乌克兰中场大将季莫舒克加盟拜仁一事也已经如同肥皂剧一般无趣了。好在，现在也结束了。在输给汉堡之后没多久，拜仁俱乐部证实了这一消息。泽尼特的队长将于7月1日正式加盟拜仁，转会费1400万美元（1090万欧元），合约为期3年。29岁的季莫舒克早已被拜仁看中，惟一的障碍就是目前拜仁的队长范博梅尔。前段时间，荷兰人和拜仁彻底谈崩，他确定将于本赛季结束之后离开，这为季莫舒克的加盟打开了最后的通道。1月中旬，蒂莫什丘克和经纪人第二次来到慕尼黑，就转会一事进行最后的确认。按照《图片报》的说法，“乌克兰人终于说了‘我愿意’。”
2000年4月，21岁的季莫舒克就作为乌克兰国脚参加与保加利亚的比赛。随后他就开始成为了国家队固定的一员，2006年的德国世界杯中，他更是随同乌克兰参加了所有的5场比赛，给人留下了深刻的印象。第一次参加世界杯的乌克兰就闯入了1/4决赛，最终0-3负于后来的冠军的意大利。迄今为止，他已经代表乌克兰队参加了78场国际比赛，在著名球星舍甫琴科江河日下的情况下，身为副队长的他已经成为了球队的真正精神领袖。2012年，随着核弹头舍普琴科的退役，季莫什丘克正式接过了舍普琴科的乌克兰队长袖标，东欧铁铲季莫什丘克讲率领乌克兰国家队征战今后的国际赛事。

Ⅹ 超低温应用在哪些领域

【澳柯玛】超低温技术属于高科技，目前来看主要应用于一些非民用领域，具体可以参考如下：
第一，现在市场中很多的冰箱都是需要超低温的。所以，在这一点上还是需要很好的分析，因为冰箱或者是冷柜对于温度确实是有要求的，而这种温度是比普通的还要低，确实是需要好好的分析和选择，这样才能够更好的保障实际的情况。其实，对于这种超低温的产品在冰箱中是很常见；
第二，在一些冷库中使用的也是比较多。就是对水温有具体的要求，所以，在这些场合也是会经常使用的；具体的温度就是需要看需求的温度；不同的场合在实际的使用过程中也是不同的，自己还是应该很好的分析和说明，因为就目前的市场中很多人确实还是会很关注这样的情况。
第三，医药生物行业是超低温技术应用的“大户”。医药行业很多设备都是利用超低温技术研发出的，比如澳柯玛-50低温保存箱、澳柯玛-86°C低温保存箱等。
第四：航空航天、南极科考等科研院所和疾病防控方面。