电路TLP

❶ 线性电路分为LM、NE、LF、LT、TL系列 光电耦合器分为4N、MOC、TLP、TIL系列这样的说法对吗

错了....
4N,3N,2N,1N是美国半导体分立器件的标准编写方法，N的数字表示的是该器件中的PN结数，2N是两个PN结，也就是三极管，1N就是各种二极管的标准写法了。与公司和半导体的类型无关。1N里面既有整流管，也有开关管。
LM,NE,LF,TL都是公司前缀，表示的是生产或者发明这些半导体芯片的企业，
LM,LF，TL都是美国德州仪器的，
NE是日本NEC公司的，
还有很多，比如MC:摩托罗拉，ST:欧洲意法半导体等等，。

❷ tlp521应用电路

那肯定会被击穿。tlp521的输出三极管的击穿电压vceo是55v。它的正常工作电压应该是5v（典型值）~24v（最大值）。

❸ 请问TLP是什么意思

TLP: Transmission Line Pulse，传输线脉冲发生器，是一种集成电路静电放电防护技术的研究测试手段。与传统的HBM、MM、CDM、IEC模型不同，传输线脉冲发生器发出的是静电模拟方波，而传统模式发出的则是RC-LC模式的脉冲波形，与之相对应的，传统的HBM等波形更直接的模拟了现实中的某种静电形式，而TLP通过调节上升沿和脉冲宽度，间接地模拟了这些静电脉冲形式的损伤能力和不同上升沿CLAMP触发能力。由于使用了方波，TLP可以通过每次施加一个脉冲，获得一个I-V点的方式，一直施加不同幅值的电流直到测量泄露电流（Leak)判定失效为止，即可获得完整的器件在ESD过程中的I-V曲线，而这种曲线，则可以用于集成电路ESD防护设计的仿真，达到集成电路ESD防护结构设计目的。同样由于使用了方波，还可以发现器件在ESD过程中的响应情况，包括开启过程、关断过程；由于一般器件开启时都有snapback问题，而这种问题对于超深亚微米器件是致命的，因此这种测试技术对用于解决CDM模型的ESD防护结构研究至关重要；同时，近期利用MOS特性设计的超快超低压开启CLAMP结构越来越重要，这种结构完全依赖MOS的栅极耦合电压，发现其关断特性，获得开启与关闭的良好平衡点，此测试技术的意义也非常重要。正是因为该设备的重要性，ESD/EOS会议ESD研究论文中，使用到该设备的论文达到了近80%[1]

❹ TLP521与6N137有什么区别

对于控制信号要选用中速或者高速的光耦，以保证信号经过光耦后不会发生延迟或者变形。
6N137光耦合器是一款用于单通道的高速光耦合器，其内部有一个850 nm波长AlGaAs LED和一个集成检测器组成，其检测器由一个光敏二极管、高增益线性运放及一个肖特基钳位的集电极开路的三极管组成。具有温度、电流和电压补偿功能，高的输入输出隔离，LSTTL/TTL兼容，高速(典型为10MBd)，5mA的极小输入电流。
TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等
电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。
该TLP521－2提供了两个孤立的 光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装
集电极-发射极电压： 55V（最小值） 经常转移的比例： 50 ％（最小） 隔离电压： 2500 Vrms （最小）
6N137是高速光耦，比TLP521响应快

❺ 电路图上tlp31是三极管吗

应该是达林顿管，NPN型，封装TO220管脚排列为BCE。

❻ tlp521 工作原理及特性参数等详细资料

TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等

电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。

东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。

该TLP521－2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装

集电极-发射极电压：55V（最小值）经常转移的比例：50％（最小）隔离电压：2500Vrms（最小）

图1TLP521TLP521-2TLP521-4光藕内部结构图及引脚图

图2TLP521-2光电耦合器引脚排列图

AbsoluteMaximumRatings绝对最大额定值(Ta=25℃)

Characteristic参数 Symbol符号 Rating数值 Unit单位

TLP521−1 TLP521−2TLP521−4

LED Forwardcurrent正向电流 IF 70 50 mA

Forwardcurrentderating正向电流减率 ΔIF/℃ −0.93(Ta≥50℃) −0.5(Ta≥25℃) mA/℃

Pulseforwardcurrent瞬间正向脉冲电流

IFP 1(100μpulse,100pps) A

Reversevoltage反向电压 VR 5 V

Junctiontemperature结温 Tj 125 ℃

接收侧 Collector−emittervoltage集电极发射极电压 VCEO 55 V

Emitter−collectorvoltage发射极集电极电压 VECO 7 V

Collectorcurrent集电极电流 IC 50 mA

Collectorpowerdissipation(1circuit)集电极功耗 PC 150 100 mW

(1circuitTa≥25℃)集电极功耗减率 ΔPC/℃ −1.5 −1.0 mW/℃

Junctiontemperature结温 Tj 125 ℃

Storagetemperaturerange储存温度范围 Tstg −55~125 ℃

Operatingtemperaturerange工作温度范围 Topr −55~100 ℃

Leadsolderingtemperature无铅焊接温度 Tsol 260(10s) ℃

Totalpackagepowerdissipation整体功耗 PT 250 150 mW

(Ta≥25℃)整体功耗减率 ΔPT/℃ −2.5 −1.5 mW/℃

Isolationvoltage隔离电压 BVS 2500(AC,1Min最小,R.H.≤60%) Vrms

注：使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。

建议操作条件

Characteristic参数 Symbol符号 Min最小 Typ典型 Max最大 Unit单位

Supplyvoltage电源电压 VCC ― 5 24 V

Forwardcurrent正向电流 IF ― 16 25 mA

Collectorcurrent集电极电流 IC ― 1 10 mA

Operatingtemperature操作温度 Topr −25 ― 85 ℃

型号 Classi−fication(*1)分级标准 CurrentTransferRatio(%)(IC/IF)经常转移率(%)(IC/IF) MarkingOfClassification标志的分类

IF=5mA,VCE=5V,Ta=25℃

最小 最大

TLP521 A 50 600 Blank,Y,Y,G,G,B,B,GB

RankY 50 150 Y,Y

RankGR 100 300 G,G

RankBL 200 600 B,B

RankGB 100 600 G,G,B,B,GB

TLP521−2TLP521−4 A 50 600 Blank,GR,BL,GB

RankGB 100 600 GR,BL,GB

*1:Ex.rankGB:TLP521−1(GB)

(Note):,,i.e.

TLP521−1(GB):TLP521−1,TLP521−2(GB):TLP521−2

单独的电气特性参数(Ta=25℃)

Characteristic参数 Symbol符号 TestCondition测试条件 Min最小 Typ典型 Max最大 Unit单位

LED Forwardvoltage正向电压 VF IF=10mA 1.0 1.15 1.3 V

Reversecurrent反向电流 IR VR=5V — — 10 μA

Capacitance电容 CT V=0,f=1MHz — 30 — pF

接收侧 Collector−emitterbreakdownvoltage集电极发射极击穿电压 V(BR)CEO IC=0.5mA 55 — — V

Emitter−collectorbreakdownvoltage发射极集电极击穿电压 V(BR)ECO IE=0.1mA 7 — — V

Collectordarkcurrent集电极暗电流 ICEO VCE=24V — 10 100 nA

VCE=24V,Ta=85℃ — 2 50 μA

Capacitance(collectortoemitter)电容（集电极到发射极） CCE V=0,f=1MHz — 10 — pF

耦合电气特性参数s(Ta=25℃)

Characteristic参数 Symbol符号 TestCondition测试条件 Min最小 Typ典型 Max最大 Unit单位

Currenttransferratio经常转移的比率 IC/IF IF=5mA,VCE=5VRankGB 50 — 600 %

100 — 600

SaturatedCTR饱和率 IC/IF(sat) IF=1mA,VCE=0.4VRankGB — 60 — %

30 — —

Collector−emittersaturationvoltage集电极-发射极饱和电压 VCE(sat) IC=2.4mA,IF=8mA — — 0.4 V

IC=0.2mA,IF=1mARankGB — 0.2 —

— — 0.4

IsolationCharacteristic耦合电气特性参数(Ta=25℃)

Characteristic参数 Symbol符号 TestCondition测试条件 Min最小 Typ典型 Max最大 Unit单位

Capacitance(inputtooutput)电容（输入输出） CS VS=0,f=1MHz — 0.8 — pF

Isolationresistance隔离电阻 RS VS=500V,R.H.≤60% — 1011 — Ω

Isolationvoltage隔离电压 BVS AC,1Min最小ute 2500 — — Vrms

AC,1second,inoil — 5000 —

DC,1Min最小ute,inoil — 5000 — Vdc

SwitchingCharacteristic开关特性参数(Ta=25℃)

Characteristic参数 Symbol符号 TestCondition测试条件 Min最小 Typ典型 Max最大 Unit单位

Risetime上升时间 tr VCC=10VIC=2mARL=100Ω — 2 — μs

Falltime下降时间 tf — 3 —

Turn−ontime开启时间 ton — 3 —

Turn−offtime关断时间 toff — 3 —

Turn−ontime开启时间 tON RL=1.9kΩ(Fig.1)VCC=5V,IF=16mA — 2 — μs

Storagetime存储时间 ts — 15 —

Turn−offtime关断时间 tOFF — 25 —

图3TLP521-1封装图图4TLP521-2封装图

图5TLP521-4封装图

图6开关时间测试电路

特性曲线图：

应用电路：

图7打开或关闭12V直流电动机的TTL控制信号输入电路图

74HC04特性:

• 缓冲输入

• 传输延迟(典型值):6nsatVCC=5V,CL=15pF,TA=25°C

• 扇出（驱动）能力：(在温度范围内)

-标准输出...............10LSTTLLoads

-总线驱动...............15LSTTLLoads

• 宽工作温度范围...–55°Cto125°C

• 对称的传输延迟和转换时间

• 相对于LSTTL逻辑IC，功耗减少很多

• HCTypes

-工作电压：2V到6V

-高抗扰度:NIL=30%,NIH=30%ofVCCatVCC=5V

• HCTTypes

-工作电压：4.5V到5.5V

-兼容直接输入LSTTL逻辑信号,VIL=0.8V(Max),VIH=2V(Min)

-兼容CMOS逻辑输入,Il1μAatVOL,VO

该74HC04/74HCT04是高速CMOS器件，低功耗肖特基的TTL(LSTTL)电路。

功能作用：六反相器

图1引脚图功能

图2逻辑图

图37404真值表

最大额定值

电源电压 -0.5to+7.0V

DC输入电压 -1.5toVcc+1.5V

直流输出电压 -0.5toVcc+0.5V

钳位二极管电流 ±20mA

直流输出电流，每个引脚（输出）

±25mA

功耗 600mW

建议操作条件:

OperatingConditions操作条件 最小 最大 单位

SupplyVoltage电源电压(VCC) 2 6 V

DC输入或输出电压（输入电压，输出电压） 0 VCC V

OperatingTemp.Range(TA)工作温度 MM74HC -40 +85 ℃

MM54HC -55 +125 ℃

InputRiseorFallTimes输入上升或下降时间(tr,tf) VCC=2.0V 1000 ns

VCC=4.5V 500 ns

VCC=6.0V 400 ns

直流电气特性

Symbol符号 Parameter参数 Conditions条件 VCC TA=25℃ 74HCTA=-40to85℃ 54HCTA=-55to125℃ 单位

典型 GuaranteedLimits保证极限

VIH 输入高电平电压 2.0V 1.5 1.5 1.5 V

4.5V 3.15 3.15 3.15

6.0V 4.2 4.2 4.2

VIL 输入低电平电压 2.0V 0.5 0.5 0.5 V

4.5V 1.35 1.35 1.35

6.0V 1.8 1.8 1.8

VOH 输出高电平电压 VIN=VIL丨IOUT丨≤20μA 2.0V 2.0 1.9 1.9 1.9 V

4.5V 4.5 4.4 4.4 4.4

6.0V 6.0 5.9 5.9 5.9

VIN=VIL丨IOUT丨≤4.0mA丨IOUT丨≤5.2mA 4.5V 4.2 3.98 3.84 3.7 V

6.0V 5.7 5.48 5.34 5.2

VOL 输出低电平电压 VIN=VIH丨IOUT丨≤20μA 2.0V 0 0.1 0.1 0.1 V

4.5V 0 0.1 0.1 0.1

6.0V 0 0.1 0.1 0.1

VIN=VIH丨IOUT丨≤4.0mA丨IOUT丨≤5.2mA 4.5V 0.2 0.26 0.33 0.4 V

6.0V 0.2 0.26 0.33 0.4

IIN 最大输入电流 VIN=VCCorGND 6.0V ±0.1 ±1.0 ±1.0 μA

ICC 电源电流 VIN=VCCorGNDIOUT=0μA 6.0V 2.0 20 40 μA

交流电气特性:

Symbol符号 Parameter参数 条件 典型 GuaranteedLimit保证极限 单位

tPHL,tPLH 最高传播延迟时间 8 15 ns

.0Vto6.0V,CLe50pF,tretfe6ns(unlessotherwisespecified)交流电气特性:

Symbol符号 Parameter参数 Conditions条件 VCC TA=25℃ TAeb40to85℃ TAeb55to125℃ 单位

典型 保证界限

tPHL,tPLH 最大传输延迟时间 2.0V 55 95 120 145 ns

4.5V 11 19 24 29

6.0V 9 16 20 24

tTLH,tTHL MaximumOutputRiseandFallTime最大输出上升和下降时间 2.0V 30 75 95 110 ns

4.5V 8 15 19 22

6.0V 7 13 16 19

CPD PowerDissipationCapacitance(Note5)功耗电容 (pergate) 20 pF

CIN 最大输入电容 5 10 10 10 pF

应用电路：

图4CMOS相反器构成震荡电路

图5利用三个反向器组成一个clock的振荡器电路

❼ 谁给介绍TLP250驱动电路的原理

TLP250是一种可直接驱动小功率

MOSFET和IGBT的功率型光耦，由日

本东芝公司生产，其最大驱动能力达

1.5A。选用TLP250光耦既保证了功率

驱动电路与PWM脉宽调制电路的可靠

隔离，又具备了直接驱动MOSFET的能

力，使驱动电路特别简单。

TLP250包含一个GaA1As光发射二极

管和一个集成光探测器，是8脚双列封

装，适合于IGBT或功率MOSFET栅极

驱动电路。

看它的内部结构你应该就知道了

1-空
2-输入+
3-输入-
4-空
5-电源负
6-输出
7-输出
8-电源正

❽ 求教电路：用的是tlp521-2光耦

恐怕你怎么换R2 7脚也不能输出5V，这个接法实现不了你的目的。8,7脚间的光电三级无论如何也要有压降的，且R2有负反馈作用，影响三极管导通程度，所以7,8脚间压降不会太小。你可以考虑提高8脚电压，提高到7V估计就可以了。或者把R2接到8脚，另外一端接5V，7脚接地，1,2脚之间没电压时8脚可输出5V，有电压时估计8脚在零点几伏。这么改控制逻辑要反向一下。

❾ 求解电路图,TLP627是放大隔离,Q303是放大作用吗属于两级放大吗详解.谢谢啊

TLP627主要是作隔离用，Q303是一个MOS，在这里是当个开关用，IO_OUTPUT3给一个低电平，光耦（TLP627）导通，驱动Q303导通

❿ 电路板上TLP和TNY可以互换吗

电路板上t lp是不能和t NY进行更换的，这个的话是不同的，一个电子元器件