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集成电路开关

发布时间:2022-04-29 03:17:15

Ⅰ 集成电路各元件介绍

双极型集成电路

bipolar integrated circuit

以通常的NPN或PNP型双极型晶体管为基础的单片集成电路。它是1958年世界上最早制成的集成电路。双极型集成电路主要以硅材料为衬底,在平面工艺基础上采用埋层工艺和隔离技术,以双极型晶体管为基础元件。按功能可分为数字集成电路和模拟集成电路两类。在数字集成电路的发展过程中,曾出现了多种不同类型的电路形式,典型的双极型数字集成电路主要有晶体管-晶体管逻辑电路(TTL),发射极耦合逻辑电路(ECL),集成注入逻辑电路(I2L)。TTL电路形式发展较早,工艺比较成熟。ECL电路速度快,但功耗大。I2L电路速度较慢,但集成密度高。

同金属-氧化物-半导体集成电路相比,双极型集成电路速度快,广泛地应用于模拟集成电路和数字集成电路。

在半导体内,多数载流子和少数载流子两种极性的载流子(空穴和电子)都参与有源元件的导电,如通常的NPN或PNP双极型晶体管。以这类晶体管为基础的单片集成电路,称为双极型集成电路。
双极型集成电路是最早制成集成化的电路,出现于1958年。双极型集成电路主要以硅材料为衬底,在平面工艺基础上采用埋层工艺和隔离技术,以双极型晶体管为基础元件。它包括数字集成电路和线性集成电路两类。
发展简况 双极型集成电路是在硅平面晶体管的基础上发展起来的,最早的是双极型数字逻辑集成电路。在数字逻辑集成电路的发展过程中,曾出现过多种不同类型的电路形式。常见的双极型集成电路可分类如下。

DCTL电路是第一种双极型数字逻辑集成电路,因存在严重的“抢电流”问题(见电阻-晶体管逻辑电路)而不实用。RTL电路是第一种有实用价值的双极型集成电路。早期的数字逻辑系统曾采用过 RTL电路,后因基极输入回路上有电阻存在,限制了开关速度。此外,RTL逻辑电路的抗干扰的性能较差,使用时负载又不能多,因而被淘汰。电阻-电容-晶体管逻辑电路(RCTL)是为了改善RTL电路的开关速度而提出来的,即在RTL电路的电阻上并接电容。实际上 RCTL电路也未得到发展。DTL电路是继 RTL电路之后为提高逻辑电路抗干扰能力而提出来的。DTL电路在线路上采用了电平位移二极管,抗干扰能力可用电平位移二极管的个数来调节。常用的 DTL电路的电平位移二极管,是用两个硅二极管串接而成,其抗干扰能力可提高到1.4伏左右(见二极管-晶体管逻辑电路)。HTL电路是在 DTL电路的基础上派生出来的。HTL电路采用反接的齐纳二极管代替DTL电路的电平位移二极管,使电路的阈值提高到约7.4伏左右(见高阈值逻辑电路)。可变阈值逻辑电路(VTL)也是DTL电路系列中的另一种变形电路。阈值逻辑电路(TLC)是 HTL和VTL逻辑电路的总称。TTL逻辑电路是在DTL逻辑电路基础上演变而来,于1962年研制成功。为了提高开关速度和降低电路功耗,TTL电路在线路结构上经历了三代电路形式的改进(见晶体管-晶体管逻辑电路)。
以上均属饱和型电路。在进一步探索提高饱和型电路开关速度的同时,发现晶体管多余载流子的存储效应是一个极重要的障碍。存储现象实质上是电路在开关转换过程中由多余载流子所引起。要提高电路开关速度,除了减少晶体管PN结电容,或者设法缩短多余载流子的寿命以外,就得减少和消除晶体管内载流子存储现象。60年代末和70年代初,人们开始在集成电路中利用熟知的肖特基效应。在TTL电路上制备肖特基势垒二极管,把它并接在原有晶体管的基极和集电极上,使晶体管开关时间缩短到1纳秒左右;带肖特基势垒二极管箝位的TTL门电路的平均传输延迟时间达2~4纳秒。
肖特基势垒二极管-晶体管-晶体管逻辑电路(STTL)属于第三代 TTL电路。它在线路上采用了肖特基势垒二极管箝位方法,使晶体管处于临界饱和状态,从而消除和避免了载流子存储效应。与此同时,在TTL电路与非门输出级倒相器的基极引入晶体管分流器,可以改善与非门特性。三极管带有肖特基势垒二极管,可避免进入饱和区,具有高速性能;输出管加上分流器,可保持输出级倒相的抗饱和程度。这类双极型集成电路,已不再属于饱和型集成电路,而属于另一类开关速度快得多的抗饱和型集成电路。
发射极耦合逻辑电路(ECL)是电流型逻辑电路(CML)。这是一种电流开关电路, 电路的晶体管工作在非饱和状态,电路的开关速度比通常TTL电路又快几倍。ECL逻辑电路把电路开关速度提高到 1纳秒左右,大大超过 TTL和STTL电路。ECL电路的出现,使双极型集成电路进入超高速电路范围。
集成注入逻辑电路 (I2L)又称合并晶体管逻辑电路(MTL),是70年代研制成的。在双极型集成电路中,I2L电路的集成密度是最高的。
三层结构逻辑电路(3TL)是1976年中国在I2L电路的基础上改进而成,因有三层结构而得名。3TL逻辑电路采用NPN管为电流源,输出管采用金属做集电极(PNM),不同于I2L结构。
多元逻辑电路(DYL)和双层逻辑电路(DLL),是1978年中国研制成功的新型逻辑电路。DYL逻辑电路线性与或门,能同时实现开关逻辑和线性逻辑处理功能。DLL电路是通过ECL和TTL逻辑电路双信息内部变换来实现电路逻辑功能的。
此外,在双极型集成电路发展过程中,还有许多其他型式的电路。例如,发射极功能逻辑电路(EFL)、互补晶体管逻辑电路(CTL)、抗辐照互补恒流逻辑电路(C3L)、电流参差逻辑电路(CHL)、三态逻辑电路(TSL)和非阈值逻辑电路(NTL)等。
特点和原理 双极型集成电路的制造工艺,是在平面工艺基础上发展起来的。与制造单个双极型晶体管的平面工艺相比,具有若干工艺上的特点。
①双极型集成电路中各元件之间需要进行电隔离。集成电路的制造,先是把硅片划分成一定数目的相互隔离的隔离区;然后在各隔离区内制作晶体管和电阻等元件。在常规工艺中大多采用PN结隔离,即用反向PN结达到元件之间相互绝缘的目的。除PN结隔离以外,有时也采用介质隔离或两者混合隔离法(见隔离技术)。
②双极型集成电路中需要增添隐埋层。通常,双极型集成电路中晶体管的集电极,必须从底层向上引出连接点,因而增加了集电极串连电阻,这不利于电路性能。为了减小集电极串连电阻,制作晶体管时在集电极下边先扩散一层隐埋层,为集电极提供电流低阻通道和减小集电极的串联电阻。隐埋层,简称埋层,是隐埋在硅片体内的高掺杂低电阻区。埋层在制作集成电路之前预先“埋置”在晶片体内。其工艺过程是:在 P型硅片上,在预计制作集电极的正下方某一区域里先扩散一层高浓度施主杂质即N+区;而后在其上再外延生长一层N型硅单晶层。于是,N型外延层将N+区隐埋在下面,再在这一外延层上制作晶体管。
③双极型集成电路通常采用扩散电阻。电路中按电阻阻值大小选择制备电阻的工艺,大多数是利用晶体管基区P型扩散的同时,制作每方约 150~200欧·厘米的P型扩散电阻。但是,扩散电阻存在阻值误差大、温度系数高和有寄生效应等缺点。除采用扩散电阻外,有时也采用硅单晶体电阻。
④双极型集成电路元件间需要互连线,通常为金属铝薄层互连线。单层互连布线时难以避免交叉的位置,必要时可采用浓磷扩散低阻区,简称磷桥连接法。
⑤双极型集成电路存在寄生效应。双极型集成电路的纵向NPN晶体管,比分立晶体管多一个P型衬底层和一个PN结。它是三结四层结构。增加的衬底层是所有元件的公共衬底,增加的一个PN结是隔离结(包括衬底结)。双极型集成电路因是三结四层结构而会产生特有的寄生效应:无源寄生效应、扩散电阻的寄生电容和有源寄生效应。隔离电容是集电极N型区与隔离槽或衬底P型区形成的PN结产生的电容。隔离和衬底接最低电位,所以这个电容就是集电极对地的寄生电容。扩散电阻的寄生电容是扩散电阻P型区与集电极外延层N型区产生的PN结电容,也属无源寄生效应。这一PN结电容总是处于反偏置工作状态。有源寄生效应即 PNP寄生晶体管。在电路中,NPN晶体管的基区、集电区(外延层)和衬底构成PNP寄生晶体管。在通常情况下,因PN结隔离,外延层和衬底之间总是反向偏置。只有当电路工作时,NPN管的集电结正偏,寄生PNP管才进入有源区。
工艺制备 (见彩图)是利用PN结隔离技术制备双极型集成电路倒相器的工艺流程,图中包括一个NPN晶体管和一个负载电阻R。原始材料是直径为75~150毫米掺P型杂质的硅单晶棒,电阻率ρ=10欧·厘米左右。其工艺流程是:先经过切片、研磨和抛光等工艺(是硅片制备工艺)制备成厚度约300~500微米的圆形硅片作为衬底,然后进行外延生长、氧化、光刻、扩散、蒸发、压焊和多次硅片清洗,最后进行表面钝化和成品封装。

制作双极型集成电路芯片需要经过 5次氧化,对氧化硅 (SiO2)薄层进行5次光刻,刻蚀出供扩散掺杂用的图形窗口。最后还经过两次光刻,刻蚀出金属铝互连布线和钝化后用于压焊点的窗口。因此,整套双极型集成电路掩模版共有 7块。即使通常省去钝化工艺,也需要进行6次光刻,需要6块掩模版。

Ⅱ 数字集成电路按开关元件不同,可分为什么两大类

分为TTL和CMOS两大类。

Ⅲ 数字集成电路按开关元件不同,可分什么两大类

数字集成电路按开关元件不同,可分为TTL(双极型三极管)和CMOS(场效应管)两大类。

Ⅳ 什么集成电路起按钮开关作用

比如手机现在流行用的触摸屏就可以代替按钮(已经有这种产品了,比如iPhone,基本上打电话拨号直接按屏幕)
还有一些MP4或者电磁炉上的控制面板,看起来那些按钮都像是平板的,没有凸出来的,按下去也不会凹进去,但电磁炉却知道你按下去了。这就是用一种电容触摸感应的电路原理来实现的,跟上面说的iPhone的电容式触摸屏的原理是差不多的。这是一个整套电路系统,不是单个集成电路元器件就能实现的。

补充:"用电子器件代替用手来按键的作用",那就是三极管或者场效应管MOSFET可以实现.具体的型号,可以用个型号为IRF530N的MOSFET管.

Ⅳ 开关型霍尔集成电路的工作原理

开关型霍尔集成电路是磁敏感传感器。当有磁铁靠近霍尔开关时电路输出有效信号。
开关型霍尔集成电路体积小,灵敏度高,安全可靠,使用简单,安装方便。是很好的非接触式位置开关传感器。

Ⅵ 什么集成电路起开关按钮作用

很多集成电路都可以用来做电子开关,就算是分立元件也可以做。

Ⅶ 什么是集成电路

Ⅷ 常用的集成电路

1、金属封装型集成电路
金属封装型集成电路的功能较为单一,引脚数较少。其安装及代换都十分方便

2、功率塑封式集成电路
功率塑封式集成电路一般只有一列引脚,引脚数目较少一般为3~16只。

其内部电路简单,且都是用于大功率的电路;通常都设有散热片,可以贴装在其它金属散热片上,通常情况下其引脚不进行特殊的弯折处理

3、单列直插型集成电路
单列直插型集成电路其内部电路相对比较简单。引脚数目较少(3~16)只,只有一排引脚。这种集成电路造价较低,安装方便。小型的集成电路多采用这种封装形式

4、双列直插式集成电路
双列直插式集成电路多为长方形结构,两排引脚分别由两侧引出,这种集成电路内部电路较为复杂,一般采用陶瓷塑封,耐高温好,安装比较方便,应用广泛,其引脚通常情况下都是直的,没有进行特殊的折弯处理。

5、双列表面安装式集成电路
双列表面安装式集成电路的引脚分布是在两侧的,引脚数目较多,一般为5~28只。

双列表面安装式集成电路引脚很细,有特殊的弯折处理,便于粘贴在电路板上。

6、扁平封装型集成电路、
扁平封装型集成电路的引脚数目较多,且引脚之间的间隙很小。主要通过表面安装技术安装在电路板上。这种集成电路在数码产品中十分常见,其功能强大,体积很小,检修和更换都较为困难(需要使用专业工具)

7、矩形针脚插入型集成电路
矩形针脚插入型集成电路的引脚很多,内部结构十分复杂,功能强大,这种集成电路多用于高智能化的数字产品中。如计算机中的中央处理器(CPU)多采用针脚插入型封装形式。

8、球栅阵列型集成电路
球栅阵列型集成电路体积小,引脚在集成电路的下方(因此在集成电路四周看不见引脚),形状为球形,采用表面贴片焊接技术,被广泛的用在小型数码产品中。如新型手机的信号处理集成电路

Ⅸ 集成电路是什么意思

集成电路是指的一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构;其中所有元件在结构上已组成一个整体,使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。

集成电路在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比(基于锗(Ge)的集成电路)和罗伯特·诺伊思(基于硅(Si)的集成电路)。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。

(9)集成电路开关扩展阅读:

集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑(微机)用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。

1、电视机用集成电路包括行、场扫描集成电路、中放集成电路、伴音集成电路、彩色解码集成电路、AV/TV转换集成电路、开关电源集成电路、遥控集成电路、丽音解码集成电路、画中画处理集成电路、微处理器(CPU)集成电路、存储器集成电路等。

2、音响用集成电路包括AM/FM高中频电路、立体声解码电路、音频前置放大电路、音频运算放大集成电路、音频功率放大集成电路、环绕声处理集成电路、电平驱动集成电路,电子音量控制集成电路、延时混响集成电路、电子开关集成电路等。

3、影碟机用集成电路有系统控制集成电路、视频编码集成电路、MPEG解码集成电路、音频信号处理集成电路、音响效果集成电路、RF信号处理集成电路、数字信号处理集成电路、伺服集成电路、电动机驱动集成电路等。

4、录像机用集成电路有系统控制集成电路、伺服集成电路、驱动集成电路、音频处理集成电路、视频处理集成电路。

5、计算机集成电路,包括中央控制单元(CPU)、内存储器、外存储器、I/O控制电路等。

6、通信集成电路

7、专业控制集成电路

Ⅹ 什么是集成电路接近开关 最好是有个图片 谢谢!

没有图片,全名接近传感器。去网络下应该有图片

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