晶体管电路设计与制作

A. 模拟电子课程设计，要求设计并制作一个单极晶体管放大电路，要求采用3DG6C完成

采用标准的基极分压射极电阻偏置电路的共发射极放大电路。发射极加一个100的交流负反馈电阻。集电极直流负载电阻取5.1K，晶体管电流放大系数取100。一般能够满足要求。

B. 手机CPU晶体管的设计思路是怎样的

要了解CPU的生产工艺，我们需要先知道CPU是怎么被制造出来的。
（1） 硅提纯
生产CPU等芯片的材料是半导体，现阶段主要的材料是硅Si，这是一种非金属元素，从化学的角度来看，由于它处于元素周期表中金属元素区与非金属元素区的交界处，所以具有半导体的性质，适合于制造各种微小的晶体管，是目前最适宜于制造现代大规模集成电路的材料之一。 在硅提纯的过程中，原材料硅将被熔化，并放进一个巨大的石英熔炉。这时向熔炉里放入一颗晶种，以便硅晶体围着这颗晶种生长，直到形成一个几近完美的单晶硅。以往的硅锭的直径大都是300毫米，而CPU厂商正在增加300毫米晶圆的生产。
（2）切割晶圆
硅锭造出来了，并被整型成一个完美的圆柱体，接下来将被切割成片状，称为晶圆。晶圆才被真正用于CPU的制造。所谓的“切割晶圆”也就是用机器从单晶硅棒上切割下一片事先确定规格的硅晶片，并将其划分成多个细小的区域，每个区域都将成为一个CPU的内核(Die)。一般来说，晶圆切得越薄，相同量的硅材料能够制造的CPU成品就越多。
（3）影印（Photolithography）
在经过热处理得到的硅氧化物层上面涂敷一种光阻(Photoresist)物质，紫外线通过印制着CPU复杂电路结构图样的模板照射硅基片，被紫外线照射的地方光阻物质溶解。而为了避免让不需要被曝光的区域也受到光的干扰，必须制作遮罩来遮蔽这些区域。这是个相当复杂的过程，每一个遮罩的复杂程度得用10GB数据来描述。
（4）蚀刻(Etching)
这是CPU生产过程中重要操作，也是CPU工业中的重头技术。蚀刻技术把对光的应用推向了极限。蚀刻使用的是波长很短的紫外光并配合很大的镜头。短波长的光将透过这些石英遮罩的孔照在光敏抗蚀膜上，使之曝光。接下来停止光照并移除遮罩，使用特定的化学溶液清洗掉被曝光的光敏抗蚀膜，以及在下面紧贴着抗蚀膜的一层硅。 然后，曝光的硅将被原子轰击，使得暴露的硅基片局部掺杂，从而改变这些区域的导电状态，以制造出N井或P井，结合上面制造的基片，CPU的门电路就完成了。
（5）重复、分层
为加工新的一层电路，再次生长硅氧化物，然后沉积一层多晶硅，涂敷光阻物质，重复影印、蚀刻过程，得到含多晶硅和硅氧化物的沟槽结构。重复多遍，形成一个3D的结构，这才是最终的CPU的核心。每几层中间都要填上金属作为导体。Intel的Pentium 4处理器有7层，而AMD的Athlon 64则达到了9层。层数决定于设计时CPU的布局，以及通过的电流大小。
（6）封装
这时的CPU是一块块晶圆，它还不能直接被用户使用，必须将它封入一个陶瓷的或塑料的封壳中，这样它就可以很容易地装在一块电路板上了。封装结构各有不同，但越高级的CPU封装也越复杂，新的封装往往能带来芯片电气性能和稳定性的提升，并能间接地为主频的提升提供坚实可靠的基础。

C. 用三极管实现简单的运算放大器 的电路原理图

推荐《晶体管电路设计与制作》一书。

其书的第二部分主要就是讲解用晶体管实现运算放大器。

一部分目录：

D. 我想学无线电知识 想弄明白收音机工作原理 制作遥控车 大家推荐几本书看看 要详细的 是不是应该先学晶体管

讲收音机，这两本都还不错：
《图表细说收音机装配与整机电路分析》
http://proct.dangdang.com/proct.aspx?proct_id=20420961&ref=search-1-pub
《无线电收音机及无线电路的设计与制作》
http://proct.dangdang.com/proct.aspx?proct_id=9217112&ref=search-1-pub
第一本还可以买，第二本网上有电子版。建议边学习，边自己做一个。购买一套“分立”元件的收音机套件即可。一二十块钱。
网上的资料还有：
《半导体超外差式收音机+》山东人民版+1973.pdf
《半导体收音机的设计与制作》+邮电+(59版）.pdf
《硅管收音机设计》+邮电+1981.pdf
《半导体收音机》（80版增订本）+河南【低电压收音机】.pdf
《半导体收音机》+北京人民+1973【道理将得非常清楚】.pdf
《耳塞式晶体管收音机制作》+陈有卿+农机版+1984.pdf
《简单的半导体放大器和收音机》.pdf
《晶体管收音机》（电子技术讲座三）++上海业余工大编++(科学版).pdf
《晶体管收音机元件制作》(75版）.pdf
《初级晶体管收音机》.pdf
《晶体管收音机制作入门》-冯报本.pdf
《矿石及晶体管收音机》.pdf
《少年晶体管收音机》.pdf
《收音机制作图解》.pdf
论坛有《矿石收音机论坛》，大牛出没之地。这是后话。
当然，学模电我每次都要推荐《晶体管电路设计》【日】
http://proct.dangdang.com/proct.aspx?proct_id=8903355&ref=search-1-pub
本来，《电路》、《模电》、《数电》，甚至《微波》、《单片机》都是基础（还有更基础的就不提了），不过不必搞得太复杂，到时候知道翻书就行了。自己摸索吧。

E. 设计并制作一个单级晶体管放大器

看下课本把，
查看单晶体管集电极输出单管放大器，这个章节，电路属于普通电路应用，设置5倍放大电路，

F. 求电子电路设计实例书籍~~

晶体管电路设计（下）——实用电子电路设计丛书
晶体管电路设计（上）——实用电子电路设计丛书

作 者： （日）铃木雅臣 著，彭军 译
出 版 社： 科学出版社
出版时间： 2005-2-1 字 数： 362000 版 次： 1 页 数： 305 印刷时间： 2005/02/01 开 本： 印 次： 纸 张： 胶版纸 I S B N ： 9787030132789 包 装： 平装 所属分类： 图书 >> 工业技术 >> 电子 通信 >> 基本电子电路

上册是晶体管，下册是场效应管，这是我见到最好的基础电子的教材，切记：作 者： （日）铃木雅臣 著，彭军 译

下册内容：

内容简介
本书是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。本书作为下册主要介绍晶体管/FET电路设计技术的基础知识和基本实验，内容包括FET放大电路、源极跟随器电路、功率放大器、电压/电流反馈放大电路、晶体管/FET开关电路、模拟开关电路、开关电源、振荡电路等。上册则主要介绍放大电路的工作、增强输出的电路、功率放大器的设计与制作、拓宽频率特性等。
本书面向实际需要，理论联系实际，通过大量具体的实验，抓住晶体管、FET的工作图像，以达到灵活运用这些器件设计应用电路的目的。
本书适用对象是相关领域与部门工程技术人员以及相关专业的本科生、研究生；还有广大的电子爱好者。

目录
第1章 晶体管、FET和IC
1.1晶体管和FET的灵活使用
1.2进入自我设计IC的时代
第2章 FET放大电路的工作原理
2.1放大电路的波形
2.2FET的工作原理
第3章 源极接地放大电路的设计
3.1设计放大电路前的准备
3.2放大电路的设计
3.3放大电路的性能
3.4源极接地放大电路的应用电路
4.1源极跟随器的工作
4.2源极跟随器电路的设计
4.3源极跟随器的性能
4.4源极跟随器电路的应用电路7
第5章 FET低频功率放大器的设计与制作
5.1低频功率放大电路的构成
5.2MOSFET功率放大器的设计
5.3功率放大器的调整及性能评价
5.4低频功率放大器的应用电路
第6章 栅极接地放大电路的设计
6.1栅极接地的波形
6.2栅极接地电路的设计
6.3栅极接地电路的性能
6.4栅极接地放大电路的应用电路
第7章 电流反馈型OP放大器的设计与制作
7.1电流反馈型OP放大器
7.2电流反馈型OP放大器的基本构成
7.3电流反馈型视频放大器的设计、制作
7.4视频放大器的性能
7.5电流反馈型OP放大器的应用电路
第8章 晶体管开关电路的设计
8.1发射极接地型开关电路
8.2发射极接地型开关电路的设计
8.3如何提高开关速度
8.4射极跟随器型开关电路的设计
8.5晶体管开关电路的应用
第9章 FET开关电路的设计
9.1使用JFET的源极接地型开关电路
9.2采用MOSFET的源极接地型开关电路
9.3源极跟随器型开关电路的设计
第10章 功率MOS电动机驱动电路
10.1电动机驱动电路的结构
10.2H电桥电动机驱动电路的设计
10.3电动机驱动电路的工作波形
10.4电动机驱动电路的应用电路
第11章 功率MOS开关电源的设计
11.1开关电源的结构
11.2升压型开关电源的设计
11.3电源电路的波形和性能
11.4升压型开关电源的应用电路
第12章 晶体管开关电源的设计
12.1降压型电源的结构
12.2降压型开关电源的设计
12.3电源的波形与特性
12.4降压型开关电源的应用电路
第13章 模拟开关电路的设计
13.1模拟开关的结构
13.2JFET模拟开关的设计
13.3模拟开关电路的性
13.4模拟开关的应用电路
第14章 振荡电路的设计
14.1振荡电路的构成
14.2RC振荡电路的设计
14.3LC振荡电路的设计
14.4石英振荡器的设计
14.5各种振荡电路
第15章 FM无线话筒的制作
15.1无线话筒的结构
15.2无线话筒的设计
15.3FM无线话筒的应用电路
参考文献
电抗计算图

G. 二、晶体管放大电路设计与制作 设计要求：（1）输入正弦波信号：有效值Ui≤10mv，内阻Rs＝50

Aus = Uo/Ui = 3000/10 =300，采用一级共射放大电路应该能够满足要求。去参考教材等资料，看看源增益放大电路，得到电路图然后再去计算元件参数值。

H. 在线等，大学模电。若晶体管为pnp型该如何设计电路

换成抄PNP三极管后的电路。结构变了袭，输出逻辑与β的关系也会变。

既能让信号电流沿一个方向流动，又能阻止信号电流朝相反方向流动。在第二次世界大战爆发前夕，贝尔实验室在寻找比早期使用的方铅矿晶体性能更好的检波材料时，发现掺有某种极微量杂质的锗晶体的性能不仅优于矿石晶体，而且在某些方面比电子管整流器还要好。

(8)晶体管电路设计与制作扩展阅读：

三端子晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET，单极性）。晶体管有三个极（端子）；双极性晶体管的三个极（端子），分别是由N型、P型半导体组成的发射极（Emitter）、基极(Base) 和集电极（Collector）。

场效应晶体管的三个极（端子），分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。

为了克服电子管的局限性，第二次世界大战结束后，贝尔实验室加紧了对固体电子器件的基础研究。肖克莱等人决定集中研究硅、锗等半导体材料，探讨用半导体材料制作放大器件的可能性。

I. 晶体管放大电路设计

附图中放大器技术指标

输入电阻Rs>6KΩ大于1KΩ

输出电阻Ro=500Ω小于3KΩ

电压放大倍数Av=100大于60

低频响应小于100Hz

高频响应大于100KHz

输入电压幅度40mV

输出电压不失真幅度4V

输出幅度达到4V时总谐波失真THD<2%，信号10mV输出1V时THD<0.2%

图中晶体管β值按照100设计。晶体管可选用9013。若晶体管β值不是100，则只要按照将图中Rb数值乘以β除以100就得到修正的Rb。

按照元增民《模拟电子技术》设计，不明之处请翻阅该书。

J. 设计并制作单级晶体管放大器 求电路图

可以按照你的电路图制作没有问题。输入电阻小于等于5K的要求比较苛刻，用你的电路图可以实现但是应该把C3取消，如果不取消的话RI不能达到5K。取消以后电路既有静态工作点稳定功能又有交流负反馈功能，可以提高输入电阻。