VGS电路

A. 和电子电路有关的问题，请求帮助，非常感谢！~

VGS(th)---开启电压或阀电压
Vth---阀电压（门限电压）
VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）
Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）
VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）
VDS(on)---漏源通态电压
VDS(sat)---漏源饱和电压

B. MOS管中VGS的作用

pmos
管的vgs
同样也有正和负。
mos
管的vgs一般不常采用负电压关断，但是如果采用负电压，可以增加关断可靠性，还可以提高vds
的耐压承受力。
比如说+12v
是开启mos,
-5v
是关闭mos。
是不是你对地的概念有困惑？

C. 关于场效应管Vgs和Vds电压的问题

是这样子的，电路有个参考点作为地，平时所说的电压都是相对于地做参考的，比如你所说的D极电压就是D极相对于地的电压。你所问的Vds是指D极相对于S极的电压，也就是由原来的参考地改为以S作为参考。简单来说就是你站在2楼以地面作为参考高度是10米的话，改为以1楼楼顶作为参考后高度就为5米了。

D. 带场效应管的电路中VDS和VGS，准备将下图的电路图进行仿真，不明白图中VGS和VDS应放置何种元器件，谢谢！

放电压表也可以，放示波器也可以，一般来说那个地方仿真一般都是要看波型，都是放示波器

E. mOS管导通后的Vgs是多少和刚满足导通条件时的电压有什么关系

MOS管导通后的Vgs电压始终为该管的开启电压，和刚满足导通条件时比较，导通后随着源极S电位的升高，Vg电压也要升高，在漏极电流不变的的情况下Vgs是个常数。

N沟道与P沟道是不一样的。如N沟道管，导通后Vgs与“偏置”电路有关，与其他无关。Vgs越大则导通电阻越小。P沟道是相反的（在无“偏置”时，即正常时是导通的）。

mOS管注意：

1、为了安全使用MOS管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。

2、各类型MOS管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守MOS管偏置的极性，如结型MOS管栅源漏之间是PN结。N沟道管栅极不能加正偏压，P沟道管栅极不能加负偏压。

F. 在场效应管的放大电路中,就vgs而言,什么型mos管是单极性的

所有的mos都是单极型的，三极管才是双极型的。

G. MOS管中Vgs是什么意思

Vgs是栅极相对于源极的电压。

与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是：

|VGS|>|VTP (PMOS)|，

值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。

PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路。

(7)VGS电路扩展阅读

PMOS工作原理——

因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层。

当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。

H. p沟道的工作状态怎么判断。。。p沟道怎么求vgs

P沟道的MOS管，当Vgs<Vgs(th)【其实是|Vgs|>|Vgs(th)|】时导通

• 当Vds>Vgs-Vgs(th)时，工作在线性区

• 当Vds<Vgs-Vgs(th)时，工作在饱和区

【注意：这里的Vds是负数,Vds的绝对值大的时候是饱和的，Vds的绝对值太小就进入线性区了】

一般在分析电路的时候，都是先算出Vgs，判断MOS管状态，再去求漏极电流的Id，当然做题之类的可能会先给漏极电流，再去算栅源电压，这种情况套公式就好了

I. 分析含有MOS管的电路，并求VGS和VDS

Vgs就是栅极对源极的电压，如果源极直接接地，栅极电压就等于Vgs。

J. 电路中VGS>VT是什么意思

VT是场效应管起始导通的Vgs值，Vgs>VT就是导通的必要条件。