电路的击穿区

A. 二极管的击穿原理是什么，齐纳击穿与雪崩击穿有什么去别

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。
回答者： 中华才俊网 - 大魔法师 八级

二极管的击穿原理见楼上，齐纳击穿和雪崩击穿区别在于：

齐纳击穿可恢复，齐纳二极管（稳压二极管）击穿后可以自愈，是一种正常的工作状态，齐纳二极管就工作在齐纳击穿区。

雪崩击穿不可恢复，是一种非正常的工作状态，一旦二极管工作在雪崩击穿区，该二极管即已损坏报废，表现为短路，失去半导体特性。

当齐纳二极管的反向击穿电流超过其允许的最大击穿电流数倍时，齐纳二极管也会发生雪崩击穿，现象是二极管短路报废。
回答者： 南燕老师 - 高级魔法师 六级 1-8 15:17

B. 如何判断mos工作在放大区，饱和区，截止区，击穿区换句话说判断他们的工作条件是什么

判断mos工作在放大区，饱和区，截止区，击穿区。以结型N沟道场效应管为例：

1、输出特性曲线中，场管的工作区域分成了三个部分：可变电阻区（对应三极管的饱和区），恒流区（对应三极管的放大区），夹断区，也叫截止区（对应三极管的截止区）。

2、介于可变电阻区和恒流区之间的那条橙色曲线是预夹断轨迹，它是各条曲线上使uDS=uGS−uGS(off) 的点连接而成的，预夹断轨迹满足方程：uDS=uGS−uGS(off)。可变电阻区就应该满足uDS<uGS−uGS(off)。恒流区就应该满足：uDS>uGS−uGS(off)。而截止区就是满足uGS<uGS(off)

(2)电路的击穿区扩展阅读：

mos管工作在放大区，而且很常见。做镜像电流源、运放、反馈控制等，都是利用mos管工作在放大区，由于mos管的特性，当沟道处于似通非通时，栅极电压直接影响沟道的导电能力，呈现一定的线性关系。

由于栅极与源漏隔离，因此其输入阻抗可视为无穷大，当然，随频率增加阻抗就越来越小，一定频率时，就变得不可忽视。这个高阻抗特点被广泛用于运放，运放分析的虚连、虚断两个重要原则就是基于这个特点。这是三极管不可比拟的。

C. 什么叫二极管的反向击穿区请指教

二极管所加的反向电压超过最大反向电压就被击穿.普通的二极管一旦击穿就会损坏.稳压二极管所加的反向电压达到其稳压值时就击穿.所不同的是稳压二极管工作在击穿区.随着反向电压的增加,稳压二极管的电流增大,电压几乎不变,稳压二极管不会损坏.稳压二极管在电路中工作在反向击穿区.在电路中反向连接.

D. 放大电路中，场效应晶体管应工作在漏极特性的是什么区

既然是放大电路当然要工作在放大区了，如果是截止区就没有信号了，饱和区又会发生切峰失真

E. 二极管的伏安特性曲线上包含有哪四个区二极管在数字电路中起什么作用

正向截止区、正向导通区、反向截止区、正向击穿区。
二极管在数字电路中起作用：钳位、门.........

F. 什么是二极管死区电压和反向击穿区电压

死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。
在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。死区电压是指在二极管应用在具体的电路中时，由于本身的压降，也就是供电电压小于一定的范围时不导通，造成输出波形有残缺，从供电电压经过零点直到输出波形残缺消失的时候，这一段电压就是死区电压，本质上就是二极管的开启电压。
当二极管加上正向电压时，便有正向电流通过。但正向电压很低时，外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动所形成的阻力，此时正向电流很小，二极管呈现很大的电阻。当正向电压超过一定数值（硅管约0.5V，锗管约0.1V）后，二极管电阻变得很小，电流增长很快。这个电压往往称死区电压。
理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0
实际二极管：硅二极管的死区电压为0.5V，正向压降为0.6~0.7V
锗二极管的死区电压约0.1V，正向压降为0.2~0.3V
反向击穿电压，二极管反向击穿时的电压值。二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VBWM一般是VBR的一半。

G. 二极管击穿后是短路还是断路

二极管击穿后可能是短路也可能是断路。

外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。

如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。

(7)电路的击穿区扩展阅读

二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。

二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。

二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。

主要有三种颜色，具体压降参考值如下：红色发光二极管的压降为2.0--2.2V，黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V，绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V，正常发光时的额定电流约为20mA。二极管的电压与电流不是线性关系，所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。