Ⅰ 求深度饱和时三极管所需的基极电流为Ibs=(Vcc-Vce（sat）)/β(Rc+Rce（sat）) 为什么分子不是Vcc 如图
饱和的实质，受外围电路参数（电源电压、负载阻抗等）的限制，提供给集电极的电流达不到基极电流的β倍。理解了这个，一切都会迎刃而解。
Ⅱ 请问常用的开关电路有哪些哪些元件可以构成开关电路
常见的开关电路有三极管开关电路，场效应管开关电路（包括MOS管开关电路），触摸开关电路，温控开关电路，单键开关电路，
光控开关电路，光电开关电路等等。
场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类，可以用作开关电路。
以三极管为例：
NPN和PNP
开关三极管
（1）我把
NPN三极管
看成一个三个脚继电器.
基极-----就是一个小电流的.继电器的信号吧
集电极-----可以说是正极吧
发射极------可以说负极吧
有一个小电流流入了基极的话那么集电极和发射极就会通.
（2）PNP三极管
看成一个三个脚继电器.
基极-----就是一个小电流的继电器信号
集电极-----可以说是正极吧
发射极------可以说负极吧
有一个小电流流出了基极的话，那么集电极和发射极就会通
当输入电压V1=-VB
时，BJT的发射结和集电结均为反向偏置（VBE＜0，VBC＜0），只有很小的反向漏电流IEBO和ICBO分别流过两个结，故iB≈
0，iC≈
0，VCE
≈
VCC，对应于上图中的A点。这时集电极回路中的c、e极之间近似于开路，相当于开关断开一样。BJT的这种工作状态称为截止。
BJT工作于三种不同模式：截止模式、线性放大模式及饱和模式
当V1=+VB2时，调节RB，使IB=VCC
/
RC，则BJT工作在上图中的C点，集电极电流iC已接近于最大值VCC
/
RC，由于iC受到RC的限制，它已不可能像放大区那样随着iB的增加而成比例地增加了，此时集电极电流达到饱和，对应的基极电流称为基极临界饱和电流IBS（
）
，而集电极电流称为集电极饱和电流ICS（VCC
/
RC）。此后，如果再增加基极电流，则饱和程度加深，但集电极电流基本上保持在ICS不再增加，集电极电压VCE=VCC-ICSRC=VCES=2.0-0.3V。这个电压称为BJT的饱和压降，它也基本上不随iB增加而改变。由于VCES很小，集电极回路中的c、e极之间近似于短路，相当于开关闭合一样。
BJT的这种工作状态称为饱和。
由此可见BJT相当于一个由基极电流所控制的无触点开关。
BJT截止时相当于开关“断开”，而饱和时相当于开关“闭合”。
以上就是我的回答，希望你能满意：）
Ⅲ 在电路中如何使用万用表判断电路中的三极管工作在放大状态
1、用电压表测基极与射极间的电压UBE，若此电压等于或略大于0.7V，再测CE间电压：若CE电压大于1V，为放大状态；
2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，放大电路中的三极管是否处于放大状态或处于何种工作状态，
①三极管放大状态下的特点
要使三极管处于放大状态，基极电流必须为：0IBs，根据三极管饱和状态的条件IB≥IBs，可知，电路中的三极管处于饱和状态，即该电路不能起到正常放大作用。
②三极管截止状态下的特点
三极管截止后，C、E间的截止电阻Rce＝UcE／Ic，UcEs很大，等于电源电压，Ics极小，C、E间电阻RcE很大，所以，三极管截止后C、E间视为开路，截止状态的NPN型三极管等效电路如图1b。
③三极管饱和状态下的特点
要使三极管处于饱和状态，必须基极电流足够大，即Is≥IBs。三极管在饱和时，集电极与发射极间的饱和电压(Uces)很小，根据三极管输出电压与输出电流关系式Uce＝Ec－IcRc，所以三极管饱和后，C、E间的饱和电阻RcEs=UcEs／Ics，UcEs很小，Ics最大，故饱和电阻RcEs很小。所以说三极管饱和后C、E问视为短路，饱和状态的NPN型三极管等效电路如图1a所示。
Ⅳ 三极管的基本开关电路在深度饱和时，基极电流IBS式子中为什么饱和导通压降和饱和导通内阻都有
个人理解，三极管饱和压降就是导通内阻Rce上的压降，按照右图电路饱和集电极电流应为Ic=Vcc-Vce/Rc，的确不应该再将Rce单拎出来串入回路了，故个人与你的质疑相同，支持把左式中的Rce去掉，在此有请高人指点。
Ⅳ 模拟电路题。求大神解释4。2。2那个Ibs是什么
晶体管基极最大饱和电流Ibs
Ⅵ 模拟电子技术中三级管Ibs啥含义
基极正常工作最大电流，当Ib大于ibs时，三级管饱和，相当于短路失去放大作用
Ⅶ 什么是三极管饱和状态如何使其进入饱和状态和退出此
三极管饱和后c、e
间视为短路.三极管截止后c、e
间视为开路.
三极管构成的放大电路，在实际应用中，除了用做放大器外（在放大区），三极管还有两种工作状态，即饱和与截止状态。
三极管饱和状态下的特点:
要使三极管处于饱和状态，必须基极电流足够大，即ib≥ibs。三极管在饱和时，集电极与发射极间的饱和电压（uces）很小，根据三极管输出电压与输出电流关系式uce＝ec－icrc，所以ibs＝ics／β＝ec－uces／β≈ec／βrc。三极管饱和时，基极电流很大，对硅管来说，发射结的饱和压降ubes＝0.7v（锗管ubes＝－0.3v），而uces＝0.3v，可见，ube＞0，ubc＞0，也就是说，发射结和集电结均为正偏。三极管饱和后，c、e
间的饱和电阻rce＝uces／ics，uces
很小，ics
最大，故饱和电阻rces很小。.饱和后ic不会随着ib的增加再增加，三极管饱和后c、e
间视为短路。
三极管截止状态下的特点:
要使三极管处于截止状态，必须基极电流ib＝0，此时集电极ic＝iceo≈0（iceo
为穿透电流，极小），根据三极管输出电压与输出电流关系式uce＝ec－icrc，集电极与发射极间的电压uce≈ec。三极管截止时，基极电流ib＝0，而集电极与发射极间的电压uce≈eco
可见，ube≤0，ubc＜0，也就是说，发射结和集电结均为反偏。三极管截止后，c、e
间的截止电阻rce＝uce／ic，uces
很大，等于电源电压，ics
极小，c、e
间电阻rce
很大，所以，三极管截止后c、e
间视为开路.
.三极管放大状态下的特点:
要使三极管处于放大状态，基极电流必须为：0＜ib＜ibs。三极管放大时，基极电流ib＞0，对硅管来说，发射结的压降ube＝0.7v（锗管ube＝－0.3v），三极管在放大状态时，集电极与发射极间的电压uce＞1v
以上，ube＞0，ubc＜0，也就是说，发射结正偏，集电结反偏。三极管在放大状态时，ib
与ic
成唯一对应关系。当ib
增大时，ic
也增大，并且1b
增大一倍，ic
也增大一倍。所以，ic
主要受ib
控制而变化，且ic
的变化比ib
的变化大得多，即集电极电流ic＝β×ib。
Ⅷ 4.2.2里面 那个Ibs 是什么意思。模拟电路
基极饱和导通电流
Ⅸ 三极管的ube大于uces了是不是就饱和了，那为什么还需要用ib和ibs来判断管子是否饱和呢
三极管饱和时Ic电流不随Ib变化，Ic已经最大，为什么叫饱和呢，就是这个原因，集电结收集发射极扩散到基极的电子能力已经是最大了这里的最大主要是指的是Ie的电流，就是说le是电源针对负载所能提供电流接近于最大了，相当于电源vcc直接和负载电阻串联时的电流了，Ie=Ib+Ic,Ic最大的时候，Ie也是最大了，所以Ib继续增大的话，Ic就会减小，Ie基本不变。饱和这个叫法我觉得是拿人来比拟的，如果一个人的肚子就那么大，他已经吃饱了，这时，就相当于三极管饱和时的电流，你再给他喂，他就会吐了。在集电极回路，Ie的最大值决定于负载，当负载减小时，vcc发射电子的能力也会提高的。至于你说的“书上那个特性曲线当三极管饱和时Uce很小时，此时Ic也是好小，不是最大啊？？？”，你看看饱和区曲线图，不同的Ib，在饱和区内的曲线几乎是重合的，重合就意味着在同一个uce值对应的ic几乎是一样的，你的意思是Ic在饱和区既然已经是最大了，为啥还会变小呢？对不，这是由三极管结构决定的，在放大区，ubc（集电结）是反偏的，即uc>ub，利于基区非平衡的少子--电子的漂移运动,这时集电极收集电子的能力强，Ic增大的时候，负载上的压降就会增大，uc电位就会降低，降到uc=ub时，这就是饱和区的临界点，也是集电极收集能力的接近最大值，Ic接近最大，当Ib继续增大（ub上升），相对应的，IC这时也增加，但是非常缓慢，是按照<β倍的Ib增加的，uce继续下降，这时ub>uc,集电结正偏，集电极收集电子的能力随着ub的增大而逐渐变弱，也就是IC变小。或者说随着ube的增加，相当于uce变的更小。而这时uce趋近于零，压降决定于负载。对应于那个图，你可以看到，在饱和区，所有的曲线几乎是重合的，是线性的，你在饱和区对应的Uce所在的横轴上取一点，做一条垂线，交于如图上的一点，这个点对应的一个Ic值，这说明了什么呢？就是说在饱和区 这个区间内，如果保持Uce不变，那么不管Ib如何变化，Ic不变，Uce小，那么Ic也小，就是说在在饱和区，uce的值唯一确定了Ic值的，和Ib的变化无关。uce变小，那么Ic也会变小。对于放大区的曲线，你可以把它想象成一个逐渐开启的闸门，随着Ib的增加，基区内的复合运动增强，扩散到基区的电子会以（1+β）Ib的比例增加，而这时，集电结还处于反偏，利于漂移，收集能力并没有完全发挥出来。所以ic就以βIb增加，这个范围对于放大电路来说Uce的范围比较大，在这个范围内，Ib和Ic是成比例变化的，这也是由三极管自身特殊的结构和外部的电压环境的结果。其实，对这个图，你从右向左看会更舒服点，事实上也是如此，是先有放大，后有饱和的。
还想说几句，为什么那么多人对三极管都不了解，我也是其中一个，那多人对这个输出特性曲线图产生了歧义，为什么那些写书的让那么多人看不懂呢？据说，现在有很多很多电气工程师都对三极管迷迷糊糊的。有几个写教材的是用自己的知识去写书的，你们写书的时候能不能从读者的角度出发，而不是我写我的，你看你的，懂不懂跟我没关系。可有一比，到饭馆去端别人留下的剩菜，回来后加点水，加点盐就端出来献给朋友，是不是很不要脸，其实他是脸不红心不跳的。还有，那些教材后面一堆这本教材所参考的资料，多的眼花，难道你不会看懂了用自己的话说写出了么？你既然是参考的，那说明你不理解你要写的东西，要不你何必去参考别人的，而且基本上是抄过来，稍微加工一下而已，还要注明是参考的，为啥要注明呢，是不是你怕抄的东西是错的，出问题的时候一推二左五的，不是我做的菜啊，悲哀，以前所谓的旧社会里走出了很多大师级的科学家，比如华罗庚、杨振宁、钱学森等等，现在呢？再一次悲哀和无奈。
Ⅹ 三极管进入饱和的条件是 IB≥IBS=Ics/β （IBS和ICS是什么意思）
IBS表示三极管还满足集电极电流等于基极电流乘以放大倍数这种关系的最大电流，ICS表示本三极管电路所能供给的最大集电极电流
UBE表示基极与发射极间的电压（UBE要达到发射结的启动电压后才能有基极电流产生，这里是说明没有基极电流，表示三极管处于截止状态）