❶ 可控硅的rc吸收电路参数型号的选择
推荐你选择39Ω/10W电阻和0.1μf/630V电容。具体RC参数选择，与你的可控硅特性参数及回路要求回的答关断过冲都有关系。但是一般会有一个大致的范围，来满足要求，确保可控硅不会损坏。
一般来说，C值选的大一点，可控硅的耐压可以相对低一些。比如你选C=0.01μf，那么，你的可控硅应该选择额定电压1000V以上。换句话说，如果你选择了600V的可控硅，那么你的阻尼电容C就至少应该大于等于0.1μf。
❷ 全桥逆变中，mos管RC吸收电路，R和C一般取多大
最好网上搜索几篇这方面的专业文章，或者找一本开关电源设计原理方面的书籍，查阅一下。
还可以找几个典型的电路图，看看别人的取值，照抄也不会差太多。
❸ BUCK电路中二极管的RC吸收电路如何设计，具体的R、C的参数，求公式
RC滤波电路的计算及公式
对于无源RC一阶低通滤波电路，其传递函数为专G(s)=1/(RCs+1)。转换为信号经过它属的衰减的计算方法为：
Uo=Ui/[(2*Pi*f*R*C)^2+1]^0.5
式中：Uo为输出电压；Ui为输入电压；Pi为圆周率；f为信号频率。
❹ 关于继电器RC吸收回路设计的问题
直流继来电器，需在线圈两端并联二极管源，
这是因为当继电器断电（释放）时，继电器的线圈会产生自感电动势，这个电压会击穿和它相连的三极管，所以常常在继电器两端连一个二极管（通常称呼它叫：吸收二极管）将这个自感电动势短路、吸收掉。不用二极管，那就要连一个适当大小的电容也可以。
2、对于交流来说，需在触点（电源在高频分析时短路）两端并联RC吸合回路，RC吸合回路由电容和电阻串联组成。电阻经验值：10-100欧姆，电容经验值：0.1uF/250V或者0.22-0.47uF
这个触点两端的RC作用不一样，它是为了减小触电工作是的电火花用的，所以也称吸收回路，火花不仅对触电寿命有影响，同时它也是一个干扰源，所以同时这样做也是为了防干扰。
3、在交流继电器出放至RC的话，不是有句话说，通交隔直吗？在交流继电器线圈上并联一个C，不就是通直，从RC那条之路通过了吗？
这个问题你就不要困扰着，首先，电容并不是真正地通过交流电，另外对于电容你也要看是多大容量，不就是0.22-0.47uF，你可用公式计算一下，对于50HZ交流电它的容抗是很大的，不会成为通路的。
❺ MOSFET需要并联RC吸收电路吗
MOSFET的DS端是否需要加RC吸收电路取决于DS端电压的输出波形情况，如果有较大震荡，那么需要加吸版收电路权，具体步骤如下：
1、测量MOSFET的DS端波形，记录震荡频率；
2、DS端加电容（从小往大加），此时震荡频率会降低，通常加到振荡频率为不加时的二分之一；
3、通过此时C的值计算R的损耗，确定R值；
4、实测加入RC震荡的效果，并微调R和C的值；
❻ 双向可控硅驱动电机，RC吸收电路电阻老烧！求解决。。电阻改大也没用。
加大电阻的功率，或者减少C14的容量，103似乎太大了，我印象中那个电容不超过1000pF。
❼ 开关电源电路中RC吸收电路参数怎么计算
你好，采用低通滤波
截止平率f=1/2πRC
从电阻端进入，然后通过一个电容接地
电容是通高频阻低频，所以电容对高频信号呈现很低的阻抗，所以高频信号被接地，所以低频信号通过，称为低通滤波器
❽ 双向可控硅rc吸收电路可否用TVS替代，两者比较有什么区别
搜一下：双向可控硅rc吸收电路可否用TVS替代，两者比较有什么区别？
❾ RC吸收电路原理
RC吸收电路原理抄~(个人理解说的不对不要扔砖头)
相对于输入源来讲电容和电阻并联~
正常的时候,输入源的电压电流稳定`电流通过电阻R向负载供电
但输入源电压出现波动的时候,(波动可看到幅度不稳定的交流)
大家都知道电容是隔直通交``交流电通过电容进行充电`此时直流电还是通过
电阻R向负载供电`这样就能够使负载保持相对稳定的电压`
❿ mos管加上RC吸收后，会影响其开关频率吗 R、C的值怎么选取
不会的，RC电路只会吸收能量。
RC电路是按指数e的规律上升或下降专的
电容端电压上升或下降通式
（-t/RC）
U±Ae A为常数属，公式计算是列常微分方程求解得出，以上是通式。
（-t/RC） （-t/RC）
上升关键就是+Ae ，下降关键就是-Ae
RC就是时间常数，当t取1RC，2RC，3RC，4RC，刚好是e的整数次冥。
理论上讲，当t趋向于无穷大时候，充电或放电过程结束，工程计算上一般取
t=（3RC—5RC）就认为充电或放电过程结束，因为此时误差很小（0.7%—5%）