① 求毕业论文设计 ：音频放大器设计其中一部分，
http://..com/link?url=WShWe6_U82GWuhZC8Bb0z-ckE-kprczq8DI4G
② 气体检测仪器在使用的时候需要注意什么
一、注意经常性的校准和检测
有毒有害气体检测仪也同其它的分析检测仪器一样，都是用相对比较的方法进行测定的：先用一个零气体和一个标准浓度的气体对仪器进行标定，得到标准曲线储存于仪器之中，测定时，仪器将待测气体浓度产生的电信号同标准浓度的电信号进行比较，计算得到准确的气体浓度值。因此，随时对仪器进行校零，经常性对仪器进行校准都是保证仪器测量准确的必不可少的工作。需要说明的是：目前很多气体检测仪都是可以更换检测传感器的，但是，这并不意味着一个检测仪可以随时配用不同的检测仪探头。不论何时，在更换探头时除了需要一定的传感器活化时间外，还必须对仪器进行重新校准。另外，建议在各类仪器在使用之前，对仪器用标气进行响应检测，以保证仪器真正起到保护的作用。
二、注意各种不同传感器间的检测干扰
一般而言，每种传感器都对应一个特定的检测气体，但任何一种气体检测仪也不可能是绝对特效的。因此，在选择一种气体传感器时，都应当尽可能了解其它气体对该传感器的检测干扰，以保证它对于特定气体的准确检测。
三、注意各类传感器的寿命
各类气体传感器都具有一定的使用年限，即寿命。一般来讲，在便携式仪器中，LEL传感器的寿命较长，一般可以使用三年左右；光离子化检测仪的寿命为四年或更长一些；电化学特定气体传感器的寿命相对短一些，一般在一年到两年；氧气传感器的寿命最短，大概在一年左右。电化学传感器的寿命取决于其中电解液的干涸,所以如果长时间不用，将其密封放在较低温度的环境中可以延长一定的使用寿命。固定式仪器由于体积相对较大，传感器的寿命也较长一些。因此，要随时对传感器进行检测，尽可能在传感器的有效期内使用，一旦失效，及时更换。
四、注意检测仪器的浓度测量范围
各类有毒有害气体检测器都有其固定的检测范围。只有在其测定范围内完成测量，才能保证仪器准确地进行测定。而长时间超出测定范围进行测量，就可能对传感器造成永久性的破坏。
比如，LEL检测器，如果不慎在超过100%LEL的环境中使用，就有可能彻底烧毁传感器。而有毒气体检测器，长时间工作在较高浓度下使用也会造成损坏。所以，固定式仪器在使用时如果发出超限信号，要立即关闭测量电路，以保证传感器的安全。
③ 宏碁笔记本为什么会突然黑屏
1、显示器
由于显示器自身的原因而不能正常工作造成的黑屏，如显示器的电源线有问题，电源插头接触不良(注意：两头都有可能)，电源开关坏，显示器内部电路故障等。
2、主板
集成了 BIOS芯片、I/O控制芯片、键和面板控制开关接口、指示灯插接件、扩充插槽、主板及插卡的直流电源供电接插件等元件。
主板引起开机无显主要因：非硬件故障：BIOS设置错误、或者静电、接口生绣引起。
解决方法：把主板上的COMS电池插下一分钟后再安装上，接口生绣主要是内存接口，在确保断电后用一字刀反复摩擦。
芯片故障：主板芯片本身导致，在排除接口和主要和显示相关配件是正常的情况下（如交换内存、CPU、显示器、移除所以外接接口），如开机还是无显示，可以判定是主板本身故障。如果遇到这种情况我们只能拿到专业的维修店找师傅用专业的仪器检测，确定具体芯片故障。
3、内存
内存是与CPU进行沟通的桥梁，经常松动或者金手指生绣，导致开机无显，一般开机“滴、滴”报警两声。
解决方法：把内存拔掉用橡皮搓清理内存金手指，重新安装就可以解决此类问题;如果故障依旧，可以交换内存测试，两声报警90%情况就是因内存引起。
4、显卡
与显示器最有直接关联的就是显卡，如果显卡没有信号送出或有信号送不出去时，这时显示器当然不会亮了。在实际使用中，显卡与主板不兼容，显卡的信号输出插座接触不好或松动，再有就是显卡损坏，显卡与主板的AGP插槽接触不好，这些都会造成显示器不亮。
5、信号线
检查显示器信号线的D形插头是否有断针，歪针或短针情况，再者就是信号线内部有断线。解决方法是更换优质的信号线。
6、软件冲突
这类故障最典型的特征是当安装完某一个软件后，系统提示重启，自检画面后，显示屏上只有光标在闪烁。解决方启动时按住“Ctrl”键，选第3项进入安全模式后，把刚才安装的软件卸载。
7、病毒破坏
病毒的破坏力极强，特别是随着互联网时代的到来，通过网络传播的病毒也越来越多。能够造成显示器黑屏的病毒如：CIH之类的病毒，这类病毒的破坏性极强，直接对主板的BIOS芯片进行改写，造成机器根本不启动，不自检。
④ 微星785gtm e45超频
微星785G-E45在主板上做的是个显卡超频开关。要超频CPU需要在主板BIOS里进行设置。具体的设置方法：一、BIOS主菜单
1、Standard CMOS Features 标准CMOS属性 8、Cell Menu 核心菜单
2、Advanced BIOS Features 高级BIOS 属性 9、M-Flash U盘刷新BIOS
3、Integrated Peripherals 整合周边设备 10、User Settings 用户设置项
4、Power Management 电源管理 11、Load Fail-Safe Defaults 加载安全缺省值
5、H/W Monitor 硬件监测 12、Load Optimized Defaults 加载优化值
6、Green Power 绿色节能 13、Save & Exit Setup 保存设置并退出
7、BIOS Setting Password 开机密码设置 14、Exit Without Saving 退出而不保存
进入Cell Menu 核心菜单设置
二、Cell Menu 核心菜单设置
1、CPU相关设置
CPU相关设置有9项
1-1、CPU Specifications：这是查看CPU的规格和参数，也可以随时按F4查看。
1-2、AND Cool `n` Quiet：AMD CPU的节能技术，也叫“凉又静”。依据CPU负载改变CPU的倍频和电压。当CPU空闲时，核心电压降到最低，倍频也降到最低。如果主板有微星的APS功能，请开启这个选项。该选项的设置是Enabled和Disabled。
1-3、Adjust CPU FSB Frequency （MHz）：调整CPU的前端总线频率。默认的频率是CPU的标准FSB频率，用户可以自己调整，就是超频。在这里直接键入频率数值，比如220。
1-4、Adjust CPU Ratio：调整CPU的倍频。AMD的CPU一般是锁定最高倍频的，只能降低倍频。有个别不锁倍频的CPU才可以调整到更高的倍频。该项的默认设置是Auto。敲回车，弹出倍频列表，用户可以从中选择希望的倍频。
1-5、Adjust CPU-NB Ratio：调整CPU内北桥（内存控制器）的倍率。AMD CPU整合了内存控制器，这个选项可以调整内存控制器的倍率。调整这个倍率要与内存频率设置相互配合，一般需要多次调整，才能达到最佳效果，如果设置不正确，可能引起蓝屏死机。
1-6、EC Firmware：EC固件设置。这是AMD SB710芯片组新开的一个设置项，用于开启被AMD关闭核心（有部分是不能正常运作的）。这项的默认设置是Normal。敲回车，弹出选项菜单供用户选择。
Normal是普通模式，就是不开启关闭的核心。Special是特殊模式，开启被关闭的核心。注意这个选项要配合下面的Advanced Clock Calibration设置。
1-7、Advanced Clock Calibration：高级时钟校准。这是SB750开始有的有的功能。用于校准CPU的时钟频率，同时支持AMD的CPU超频软件AMD Over Drive。SB710继承了这项功能，还可以配合EC Firmware开启关闭的核心。默认设置是Disabled。敲回车弹出选项菜单：
Auto是自动模式。想开启关闭的核心，请设置为Auto。
All Cores是对所有核心都进行相同的高级时钟校准。选择了All Core后，菜单会多出一个选项。
就是要求选择校准的百分比。在Value上敲回车会弹出百分比选择菜单。
Per Core可以对每个核心单独设置时钟校准百分比。选择Per Core后，菜单会多出一个选项：
也是要求选择校准的百分比。在每一个Value敲回车都会弹出百分比选择菜单。
请注意，Value的个数与CPU的核心数相匹配，比如2核的就有2个Value选项。
1-8、Auto Over Clock Technology：微星独有的一种自动超频技术，默认是Disabled，可以设置为Max FSB。就是系统自动侦测CPU可能超频的最大FSB值。设置该项后，系统可能重复启动多次，最后找到最大FSB启动。由于FSB涉及内存的频率，可能会因为内存缘故而出现在最大FSB情况下，不能进系统，或者蓝屏死机。
1-9、Multistep OC Booster：这是微星独有的超频辅助技术，当CPU因超频较高，不能启动时，可以利用这个选项。它的作用是先以较低的频率启动进系统，然后再恢复原来频率。
该选项默认是Disabled，有Mode1和Mode2选项。Mode1是以低于原频率90%的频率启动。Mode2是以低于原频率80%的频率启动。
2、内存相关设置
内存设置有3项：
2-1、MEMORY-Z：这是查看内存的SPD参数。也可以随时按F5查看
插2条内存，弹出2条内存的SPD信息，如果插4条，就会有4条SPD信息。回车就可以查看1条内存的SPD：
2-2、Advance DRAM Configuration：高级DRAM配置。就是用户自己配置内存时序参数。回车进入高级DRAM配置：
2-2-1、DRAM Timing Mode：DRAM时序模式。有4项设置：Auto、DCT0、DCT1、Both。
Auto就是按内存条的SPD设置内存时序参数。DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。默认设置是Auto。
这是DCT0的时序参数设置：
内存时序参数最主要的有4个。CL-tRCD-tRP-tRAS，这4个参数也是在内存条上常常看到的，比如8-8-8-24，就是这4个参数。
附注：内存时序参数知识
1、内存芯片内部的存储单元是矩阵排列的，所以用行（Row）地址和列（Column）地址标识一个内存单元。
2、内存寻址就是通过行地址和列地址寻找内存的一个存储单元。系统发出的地址编码需要经过地址译码器译出行地址和列地址，才可以对内存读写。
3、内存芯片是易失性存储器，必须经常对内存的每个存储单元充电，才可以保持存储的数据。读写前要先对选定的存储单元预充电（Pre charge）。
4、对内存的存储单元读写前要先发出激活（Active）命令，然后才是读写命令。
5、CL就是CAS Latency，CAS（列地址选通）潜伏时间，实际上也是延迟。指的是CPU发出读命令到获得内存输出数据的时间间隔。
6、tRCD是RAS-to-CAS Delay，行地址选通到列地址选通的延迟。一般是指发出激活命令和读写命令之间的时间间隔。在这段时间内经过充电，数据信号足够强。
7、tRP是Row-Pre charge Delay，行预充电延迟。一般是指发出预充电命令和激活命令之间的时间间隔。在这段时间内对激活的行充电。
8、tRAS是Row-active Delay，行激活延迟。一般是指行激活命令和发出预充电命令之间的时间间隔。
9、上述潜伏和延迟时间可以用绝对时间值ns，也可用相对时间—周期。一般多用周期表达。周期数越小，内存的速度越高。选购内存，不仅要看标注的频率，还要看标注的时序参数。内存时序参数标准由JEDEC制定。下面列出DDR3的时序参数规格，供参考。
标准的时序参数有7-7-7/8-8-8/9-9-9三种，其中7-7-7的最好。还有非标准的7-8-8/8-9-9的，这种时序参数的内存条，上标称频率就会死机蓝屏。降一级频率就没有问题。
2-2-2、DRAM Drive Strength：DRAM驱动强度。
该选项有4个参数，Auto是BIOS自动依据内存设置。其他是用户自己设置，DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。设置为DCT0/1或Both时，会增加设置项目，下面看看用户自己手动设置的项目：
每个通道的信号驱动强度设置包括8项。
CKE Drive Strength：时钟允许（Clock enable）信号驱动强度
CS/ODT Drive Strength：片选/内建终端电阻驱动强度
Addr/Cmd Drive Strength：地址/命令驱动强度
Clock Drive Strength：时钟信号驱动强度
Data Drive Strength：数据信号驱动强度
DQS Drive Strebgth：数据请求信号驱动强度
ProcOdt：CPU内建终端电阻
驱动强度的设置就是用户设置内存信号的强度，一般以默认为1，设置选项是默认的倍率：
2-2-3、DRAM Advance Control：DRAM高级控制。
该选项有4个参数，Auto是BIOS自动依据内存设置。其他是用户自己设置，DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。设置为DCT0/1或Both时，会增加设置项目，下面看看用户自己手动设置的项目：
每个通道的高级控制有6项。
DRAM Termination：内存芯片的片内终端电阻。从DDR2开始内存防止信号干扰的终端电阻放在芯片内。DDR3也是这样。这项是设置终端电阻的参数，设置参数有Auto、Disabled、75 ohms、150 ohms、50 ohms。默认是Auto。
DRAM Drive Weak：减弱DRAM驱动强度。设置参数有Auto、Normal、Reced。Auto是让BIOS依据内存条自动设置。Normal是默认强度，Reced是减弱驱动强度。
DRAM Parity Enable：允许DRAM 奇偶校验。奇偶校验是对内存读写是防止数据错误的一种方法。但允许奇偶校验会影响内存读写速度。设置参数有Auto、Enabled、Disabled。默认设置是Auto。
DRAM Self Refresh Rate Enable：允许DRAM自刷新速率。DRAM刷新就是充电，通过充电保持数据信号。自刷新是关闭系统时钟CKE，DRAM采用自己的内部时钟确定刷新速率。设置参数有Auto、Enabled、Disabled。默认设置是Auto。
DRAM Burst Length 32：DRAM突发模式的长度32。突发模式是系统对内存读写时一次连续读写。连续读写的长度有32字节和64字节。这项设置就是选择32字节，还是64字节。设置参数有Auto、64字节、32字节。默认是Auto。Auto就是由系统依据数据分布自动采用突发模式的长度。
Bank Swizzle Mode：Bank搅和模式。内存芯片内的存储单元是按矩阵排列的，每一矩阵组成一个Bank，芯片内的Bank有4 Bank、8 Bank等，一般中文称之为逻辑Bank。
内存芯片组成内存条后，也有Bank，一般以64位为一个Bank。通常一面内存的8颗芯片构成一个Bank。双面就是2个Bank。CPU和内存进行数据交换时以Bank为单位，一次交换64位数据，也就是通常说的“带宽”，双通道就是128位。这种Bank称之为物理Bank。CPU访问内存时先定位物理Bank，然后通过片选（信号）定位芯片内的逻辑Bank。
插在DIMM槽的内存条有1个或2个片选Bank，访问命令不管实际有几个片选Bank，都是覆盖2个。Bank Swizzle模式就是通过异或（XOR）逻辑运算，判定实际的片选Bank。设置参数有Auto、Disabled、Enabled。Auto就是交给BIOS和系统处理。Disabled就是禁止Swizzle模式，Enabled就是允许。Swizzle模式可以提高CPU的性能，但是会影响显卡性能。一般还是设置Auto为好。
2-2-4、1T/2T Memory Timing：1T/2T内存时序。这个选项也叫做“命令速度”，就是内存控制器开始发送命令到命令被送到内存芯片的延迟。1T当然比2T快。但是要依据内存条的性能。性能低的设置1T后肯定要蓝屏死机。一般保持Auto设置即可，让BIOS自己去设置。
2-2-5、DCT Unganged Mode：内存通道控制模式。选择内存通道的控制模式，Ganged是一个双通道，128位带宽。Unganged是2个单通道，64位x2带宽。设置选项是Disabled（Ganged）和Enabled（Unganged）。默认是Enabled。
2-2-6、Bank Interleaving：Bank交错存取。内存bank 交错存取可以让系统对内存的不同bank同时存取，可以提升内存速度及稳定性。设置值有Auto和Disabled，默认值是Auto(开启交错存取)。
2-2-7、Power Down Enabled：开启或关闭DRAM Power Down。内存掉电设置，选项有Disabled和Enabled。默认是Disabled。
设置为Enabled后，增加Power Down Mode选项，选择Channel模式和Chip Select模式。
2-2-8、MemClk Tristate C3/ATLVID：开启或关闭内存时钟在C3/ATLVID下的3态。默认是关闭的（Disabled）。
2-3、FSB/DRAM Ratio：前端总线和内存倍率设置。
默认设置是Auto，自动识别内存条的SPD，设置内存频率。回车可以手动设置。
通过设置倍率可以改变内存的频率，FSB=200，1:2就是DDR800，1:3.33就是DDR1333。1:4 就是DDR1600。
如果出现蓝屏死机现象，可以先通过这项设置降低内存频率试试，是不是内存不兼容或内存品质不良。如果降低频率可以排除故障，可以降频使用，或者更换内存条。
DDR3 1333内存条有3种，一种是SPD只有1066，没有1333，可以通过设置倍率（1:1.333）上到1333。第二种是SPD有1333，但是1333的参数不对，1333对应的频率应该是666，这种内存的频率是601，这样的内存也需要通过设置倍率上1333。第三种是标准的1333，SPD的1333频率参数是666或667。这种内存默认就可以上1333。
DDR3 1600内存有3种：超频1600的（SPD只有1333），可以通过设置倍率（!:4）到1600。第2种是SPD参数有1600（800），这样的内存条可以默认上1600。第3种是1600采用X.M.P规格，使用这种1600内存，BIOS会出现X.M.P选项，把这项设置为Disabled即可上1600
3、内置显卡超频
为方便用户对内置显卡4200超频，BIOS把显卡频率设置选项移到核心菜单，叫做：
Onboard VGA Core Over Clock。
Onboard VGA Core Over Clock的设置项有Disabled（默认）和Enabled。
开启显卡超频，增加一项调整显卡频率值的选项：Adjust Onboard VGA Frequency。默认值是500MHz。超频时直接键入频率值，比如550MHz。
4、HT和PCI相关设置
HT（超传输）总线是AMD的开发的芯片互连总线。AMD把内存控制器移到CPU，CPU内部采用HT总线。显卡采用PCIE总线，HT和PCIE之间需要桥接。AMD的北桥就起到HT和PCIE的桥接作用。北桥和CPU之间是HT总线连接。所以BIOS有HT总线的设置和PCIE总线的设置。相关设置有4项：
4-1、HT Link Control：HT链接控制。这个选项设置需进入二级菜单。回车进入二级菜单后，看到的是2个选项：
HT Incoming Link Width和HT Outgoing Link Width：HT上行链接宽度和下行链接宽度。HT总线采用差分信号，单向串行传输。每一路采用一对信号线，一条发送信号（下行），一条接收信号（上行）。这两个选项就是设置HT总线的位宽。3个设置项：Auto（默认）、8位、16位。Auto是让系统自动设置，8位和16位是手动设置。
2-4-2、HT Link Speed：HT链接速度。链接速度以倍率表示，从x1到x13。默认设置是Auto，系统自动依据CPU动态设置，FSB超频会自动提升HT链接速度。用户也可以手动设置固定的倍率。X1是200MHz，X5就是1000MHz，以此类推。
2-4-3、Adjust PCI-E Frequency：调整PCI-E频率。
系统给PCI-E的频率是100MHz，由于现在的FSB和PCI-E时钟频率是分开的，调整FSB频率不会影响PCI-E/PCI频率。超频时不必再考虑锁定PCI-E和PCI频率。BIOS也没有锁定选项。这里的PCI-E频率调整是为PCI-E超频设计的，直接键入超频频率值，超频范围是100MHz-150MHz。
2-4-4、Auto Disable DRAM/PCI Frequency：自动关闭DRAM/PCI时钟信号。
默认设置是Enabled，系统将关闭空闲的DRAM和PCI槽的时钟信号，降低干扰。
5、电压设置
785GM-E65 BIOS提供了8项电压设置：
CPU VDD电压：CPU VDD电压。调整范围1.1000-1.5500V
CPU-NB VDD电压：CPU内北桥VDD电压。调整范围1.1000-1.5500
CPU电压：CPU核心电压。调整范围1.025-1.975V
CPU-NB电压：CPU内北桥电压。调整范围1.202-1.520V
DRAM电压：内存电压。调整范围1.50-2.42V
NB电压：北桥电压。调整范围1.108-1.337V
HT Link电压：HT总线链接电压。调整范围1.202-1.454V
SB电压：南桥电压。调整范围1.228-1.472V
1、上面8项电压中，前2项VDD电压是CPU内的CMOS电路的漏极电压。调整这个电压可以使超频更稳定。
2、其余5项电压是供电电压。超频时提高一点电压可以提高超频成功率。因为超频后，CPU内的CMOS开关频率加快，输出信号的电平幅度会降低，导致信号不稳定，提高一点供电电压，就会提高信号电平幅度，增强信号。
简单讲CPU内的所有晶体管都是CMOS电路，都是开关。CPU运算就是这些CMOS开关电路不停地“开”和“关”。“开”就是导通，让代表“1”的高电平信号通过。“关”就是断开，信号变成低电平，表示“0”。如果代表“1”的高电平较低，就会与低电平的“0”混淆，CPU分辨不出“1”和“0”，自然运算就出错，导致死机、蓝屏。
3、电压提升过高也不利于超频，因为电压过高，把信号电平也拉高，信号电平越高，CMOS开关的频率就无法加快。这个道理可以从CPU电压的进展历程看出来。486/586时代，CPU的核心电压和I/O电压都是3.3V。奔腾4开始，把CPU的核心电压与I/O分开，核心电压降到2V左右，现在降到1.xx V，降低信号电平就是要提高CPU的频率。CPU的频率取决于CMOS电路的开关速度，信号电平设计的越低，开关速度就越快。
4、有些DIY发现，超频频率很高时，CPU满载运作会有“掉”电压的现象。于是想办法改电路，或者再提高电压。其实，“掉”电压是正常现象。频率提高30%，CMOS电路的开关频率提高30%，开关时间缩短30%，输出的高电平信号电压肯定降低，自然也要把供电电压拉低。
5、所以，调整电压要适当，不是越高越好。上述8项电压设置，灰色的Auto表示默认电压。白色数字表示正常范围的电压。红色数字表示非正常电压，包括过高和过低的。
6、调整电压时，可以用小键盘的“+”和“-”键，也可以用Page Up和Page Down键
超频CPU可以提高性能，但带来的坏处是降低CPU的寿命。建议过保再超。
⑤ 谁会用3538KX驱动创新5.1声卡超级高手请进！高分酬谢
SB LIVE!系列可能是全世界卖的最好的娱乐声卡了。它使用与E-MU APS专业声卡相同的主芯片EMU10k1。可是，他的原厂驱动根本没有发挥EMU10k1芯片强大的运算能力！以来自俄罗斯的发烧友Eugene Gavrilov、Max Mikhailov和Hanz Petrov为首，与世界各地的一些编程高手组成了一个驱动开发小组，开始了针对EMU10k1芯片的研究。这些高手们终于为使用SB Live声卡来制作音乐的无产阶级音乐制作人编写出了一个专门用来进行电脑音乐制作的专业驱动——这就是kX驱动。kX驱动以其专业的性能和强大的插件功能，已经被越来越多的人所接受。kX驱动不但支持使用EMU10k1芯片的SB-LIVE系列声卡，而且支持使用EMU10k2的Audigy系列声卡，支持Windows 98SE, Windows Me, Windows 2000和 Windows XP操作系统。从此，创新SB Live可以完全支持低延迟达到10.66ms甚至是惊人的2.66ms的16通道ASIO（Audigy上是32通道），支持GSIF（也就是可以用 GigaStudio了），音效插件模块化，优化的DX接口，图形化的DSP模块操作，软件界面多语言支持，软件界面支持皮肤更换——也就是说,你的SB LIVE!已经脱胎换骨成为了“专业音频卡”了！我们可以用一个便宜的SB LIVE!声卡也可以使用CUBASE SX,Nuendo等等必须使用ASIO的专业音频软件。也可以使用最经典的软件采样器GIGASTUDIO。甚至已经有“第三方”的软件高手开发了KX 驱动下的吉他效果器插件TubeDrive！音色一般，但是仔细调节一下觉得还挺有意思！但它不占用CPU资源，完全是实时的！对演奏延迟感觉敏感的人，非常有帮助！ LC/9)Sh_n
需要注意的是：现在市场上卖得很多的“特惠版”的Live！卡是装不了KX驱动的。还有，Audigy的话，只有Audigy豪华版可以装KX。Audigy2装不了。 i.I iwe0G
KX驱动的安装 mAh0xgm
好了，现在开始安装kX驱动。首先到KX驱动开发小组的主页http://kxproject.lugosoft.com/下载最新的KX3538驱动。或者点击这里直接下载。 /NCEZ@2BN,
在安装之前，要确保系统中已经卸载了创新原厂的驱动其他版本声卡驱动，否则会造成冲突或无法安装！一定要卸载干净，卸载后，那个创新的文件夹也要手工删除掉。建议大家最好连WINXP系统自带的LIVE驱动也删除掉，以保证让声卡彻底“忘掉”她自己曾经是创新Live。具体的做法：进入WINXP系统安装目录下的INF目录（如C:\WINNT\Inf或者C:\WINDOWS\Inf，INF目录为系统隐藏目录，一般情况下不会直接看到INF目录，需要在“我的电脑”的“工具”菜单下选“文件夹选项”来修改才能看到。）找到INF目录下wdma10k1.inf文件，将此文件删除！另外，卸载原厂驱动并删掉此文件后，在还没有装KX之前，不要上网，否则系统会再次从微软升级网站下载微软为LIVE设计的驱动。 D4[1CQ@}4D
重新启动电脑，系统将提示找到新硬件的对话框。不要管它，直接双击KX驱动的安装文件。如果是安装于WIN2000和WINXP系统，则不需要装 Microsoft Windows 98SE Quick Fix for AC-3 playback”（快速修复AC-3回放功能）。“kX Project SDK”项是kX驱动开发工具包，如果不进行kX驱动的开发，就没必要选择它。安装完成后会自动搜索到你的声卡型号并安装驱动程序。 E\Hhi.-
在完成所有的步骤后，重启电脑，完成kX驱动的安装。这时，我们会发现在系统任务栏中有一个kX图标 Ql sMMIax
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，右击该图标会打开“kX Manager”的功能项目菜单，包括kX混音器、kX DSP、kX路由器、Speaker test等。打开音频属性看看，Live的标记已经没有了。也就是说，从现在开始，你的声卡不再是SB LIVE!了，而是一块全新的——KX专业音频卡！！ WUx }+3eWv
深入开发KX驱动 +h^>?U,
但是问题来了！安装KX驱动以后发现KX默认的界面实在是太混乱！搞了半天居然没有声音！更无法录音！极度郁闷！这个KX驱动的默认界面是想要针对所有的用户的所有用途而设计。既然我们用这个“KX专业音频卡”来做“专业”录音。那么能不能为这种专业应用对KX驱动进行优化呢？于是我直接从KX驱动的核心内容——KX DSP软跳线入手，彻底搞定KX驱动！并且不再被KX原有的界面牵着走，重新建立了用于“专业录音”DSP连线模式！实现了完全基于DSP的“听湿录干 ”，演员独立的监听返送，各个驱动间的直接连接录音等功能，而且思路比较清晰明了，操作方便！希望此文能够让大家在使用KX驱动录音的时候更加明白一些！呵呵！ la N:H mR8
我先来介绍一下KX复杂的界面与DSP模块之间的关系。 (y%}].[bB
KX驱动最重要的特点在于它采用模块化的设计！所有的功能模块都有自己的输入输出端口，就像真的硬件系统一样。我们需要把这些虚拟的功能模块用“虚拟导线”连接起来才能完成相应的功能。这就使KX驱动的应用极为灵活！个人认为这可能是借鉴了德国CREAMWARE公司的SCOPE平台软件的设计思想。 ^Ts|/+}'i
首先我们打开KX驱动的DSP窗口！如下图，按这个按钮： (3YCe {
3a #2 }
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现在我们看到的就是KX驱动的默认DSP连线状态。 braHWC'VYg
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DSP连线状态 [ sJ f)<
乱七八糟的！这么多连线就像看电路板！谁知道这个东西怎么用？！？！？不要着急，我们只要了解了这几个模块的功能，就可以理解这些连线了！下面我们分别了解KX默认界面中主要的的四个主要模块，prolog，eplog，FXbus和xrouting。只要搞清楚这些模块的功能，就可以破解这些连线的秘密了！ h^R EBPe
首先看prolog和eplog模块。 0zfh:O
在英文中prolog和eplog的意思是前奏和尾声。他们分别代表了SB LIVE!上的所有物理端口和部分逻辑端口，等等！什么是物理端口？什么又是逻辑端口呢？所谓物理端口，就是真实地我们看得见摸得着的各种输入输出口！这些我们在音频卡上都可以看到！比如线路输入输出口，话筒接口等等！而逻辑端口包括各种我们看不见的驱动程序的输入输出口——MME,ASIO输入输出端口！prolog包括SBLIVE!上的所有物理输入接口和一个需要被选择的AC97输入端口（在AC97控制界面中选择，这个后面会详细介绍）。 eplog则包含SBLIVE!上的所有物理输出接口和所有的ASIO输入端口。有点乱！没错！就是因为乱，我们才被搞得晕头转向！这两个模块反映到KX 的界面，实际上就是那个“Ins `n` Outs”部分！上面是输出控制，下面是输入控制！ $5kb3x<W
l&l& e OE
3D L7
“Ins `n` Outs”部分 ! J`>;&
明白了么？不明白没关系！因为这两个模块设计太烂，我们最后将会抛弃他们，用更好的模块去替代！ wdg,dk9e$
FXbus模块实际上是KX驱动最重要的内容——KX 路由！它的用途是为各种驱动输出端口分配一个逻辑端口！也就是说。ASIO,MME,WDM,GSIF的输出是不能直接显示在KX驱动中的！需要把他们指定到相应的FXbus上才能工作！ +(n&>7 5
在KX驱动中，MME,ASIO逻辑端口必须分配到FXbus中才可以获得“真实的”端口。FXbus一共有16条总线，也就是说我们可以把MME 和ASIO输出口分别通过这16条FXbus输出（Audigy的FXBusX模块有32条FXBus输出）。SB LIVE!内置的合成器音源也要通过他来分配端口。在FXbus的默认设置中，MME的输出口通过FXbus0、1实现，ASIO1、2通过 FXbus2、3实现，SB LIVE!内置的合成器音源通过FXbus4、5实现！另外还有AC3的输出端口也是通过FXbus实现的！在KX驱动中，GSIF驱动的输出与 MME,WDM都是共享的！ }jHS
在下面这张图中显示，在KX驱动默认状态，Wave 0/1(也就是MME0/1,WDM0/1,还有GSIF0/1)它们的输出是通过FXBus0/1来实现。在这张图中，显示Wave 0/1是从FXbus0/1端口输出，同时，他也可以被发送到FXbus13/14上。 s2=rj?g&(X
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图 LsaE-l
而ASIO0/1是通过FXBus2/3输出的！如图： <u "xHl8Io
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图 f</'=k
而对于以前SB LIVE！的两个内建的SOUNDFONT音源则是通过FXBus4/5输出的。甚至，你可以分别指定每一个MIDI通道都有自己的声音输出！这个功能十分有用，也就是说，你能同时分轨对16个MIDI声部同时录音！！！这能极大的提高效率！！！如下图： K"Vo'9R[_
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图 J )R2O{ z
FXbus模块非常重要！没有它就无法让KX驱动发出任何声音。他是KX的核心内容！ !9 7U2L4
现在，有了prolog，eplog和FXbus三个模块，我们实际上已经可以录音和监听了——直接把相关端口连接起来就可以了！ {7EnM 1]
例如，实现从AC97线路输入口到ASIO程序的直接监听录音 v67utI SNI
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图 * :r6E
现在我们可以录音了！但是放音的时候还要重新调整线路！这肯定是不行的！我们如果有一个调音台来混音，能够监听和选择录音来源就好了。那么，我们还有一个xrouting模块是不是可以完成这个调音台的任务呢！ W#|30RU.G
关于xrouting模块 5yA1<&z
很遗憾！本人认为这个是KX驱动默认界面最大的败笔！xrouting本来想成为一个“想要把所有的信号都输入进来的”超级调音台，它对应的KX驱动界面就是所谓的“录音”部分。但是因为它并没有给所有的端口分配控制，因此让人搞不明白！我被这个“录音”部分搞得糊里糊涂！而且这个3538 Beta版驱动好像还有BUG，即使我将所有的推子推起仍然无法对AC97线路端口录音，我更改了他的连线才实现录音功能！这个xrouting模块设计实在不怎么样！更可恶xrouting模块的录音输出混合了所有的声音，我们需要的和不需要的声音都被录音！信号质量严重下降！ kdq<)>"
返过头来我们再看那些效果器的连线就更乱了！完全没有实现我们用KX驱动的根本目的——给我们这些专业人士作“专业”录音！难道没有办法了么？嘿嘿！我们的俄罗斯发明家们早已经为我们想好了！他们准备好了一些专业的模块，只等着我们将它们连接起来，配置一个专业的KX工作模式！让KX驱动真正位无产阶级音乐家们服务！ !sTOo
全面改进KX驱动的默认工作模式 Xa,d"R~
首先，我们要保留了FXbus模块，如果你用Audigy，那么可以把FXBus模块换成FXBusX模块获得32通道的FXBus! _ ^2\/@
然后我扔掉KX驱动默认的其他所有模块！什么prolog、eplog，当然还有xrouting模块！然后我们在DSP界面内点击右键，添加以下几个模块，分别是：Src模块（物理输入端口选择），k1lt模块（物理输出端口，MME的逻辑输入端口包含在这里），ASIO模块（ASIO逻辑输入端口）。还有一个MX6模块（12路调音台！12路输入，1立体声母线，2编组，2辅助）！这几个模块分别替代了以前prolog，eplog和 xrouting模块的作用！ l_q=@y
其中Src物理输入端口模块替代了prolog模块！它通过一个下拉菜单实现物理端口录音源的选择！如下图。 r 9~Wh $
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图 1(YEOZ
可是我这样只能选择一个立体声录音源啊！没关系，我们可以同时添加多个Src模块！考虑到对于SB LIVE!数码版音频卡只有那个线路输入口还算有点儿意义，有2个通道输入我已经知足！用Audigy的朋友可用端口可以更多，但是请注意，AC97录音端口是要在AC97界面里进行选择的！如图8！注意AC97界面中下面的那几个输入源一定要选择为“静音”，而“Gain”推子下面的开关则一定要打开！如下图。 _8z ga A
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图 .7K<9K +P
k1lt物理输出端口模块替代了原来eplog的部分功能！如下图。 F, .dC&B
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怎么样！这个一目了然吧！需要注意的是MME的逻辑输入端口包含在k1lt模块里！也就是说如果我们要用COOLEDIT录音就要把音频信号连接到k1lt的13和14端口上！当然你也可以自由更换位置，因为k1lt物理输出端口是可以任意调换的！这简直太方便了！ \2^_v' >K
这个ASIO输入端口能够完成16通道的ASIO输入连接！如下图。 *RllKP Y)
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图 wgcKeTD9
需要注意的是，KX驱动并不同事都打开这些ASIO端口，需要到KX ASIO设置窗口打开这些ASIO端口！为了不过多地占用资源，我们一般选择有2进2出的ASIO端口就可以了！，如下图。 5)=YTUCk
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图 O <#H5/Tq
现在，输入输出端口都已经齐备！我们需要用MX6模块将这些模块连接起来！用它要替代那个失败的xrouting模块工作！ TO]7 %aB
我们先看看MX6模块和MX6调音台。 }pOJ M &I
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MX6调音台 ){FXonVP
12个红色输入端分别对应调音台IN1到IN6的6个推子。8个蓝色的输出端口从上至下分别是立体声MIX母线，Rec立体声录音编组母线，立体声 AUX1和立体声AUX2！每个通道都有3个开关分别是[R]—发送到Rec立体声录音编组母线，[M]—发送到立体声MIX母线，[E]通道开关，必须打开他才能激活通道。每个通道的S1推子和S2推子是分别控制发送给立体声AUX辅助1和立体声AUX辅助2的音量。[RECMON]开关用于对Rec立体声录音编组母线监听。电平表默认监视立体声MIX母线。当按下[Vu= REC]开关时则监视Rec立体声录音编组母线的电平。 5hg ^K^ZZ
下面我们将充分利用这个MX6，按照“专业录音”的要求连接一个DSP!请看下图（下载这个KXPRO1的KX设置文件，导入即可看到这个界面了） " ,>,t_J
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图 ;Vlt4,s)
下面我们以MX6为中心连接所有的输入输出和效果器等设备。 z3C@ 0v=u>
先提一下KX连线的基本规则。蓝色的端口都是代表输出。而红色端口代表输入。一个输出端口可以连接多个输入端口，而一个输入端口只能有一个输出端！我们首先看输入部分的连线。 Gid 6,J
调音台输入1/2连接到，这是。调音台输入3/4连接到FXBus2/3。这是ASIO逻辑输出指定的端口 qN@0k>11?
FXBus4/5,也就是SB LIVE!合成器的输出端口连接到调音台的输入5/6，Src物理输入端口连接到调音台输入7/8，调音台剩下的两对立体声输入口9/10和11/12分别被混响和延时效果器的效果返回占用。这样，对应到MX6的调音台界面上： !6pE0(V^+4
IN1——FxBus0/1，MME输出信号 &eY& 6I
IN2——FXBus2/3，ASIO输出 ?A2j j`N1x
IN3——FXBus4/5，SB LIVE!合成器的输出 U^ Ul j/%6
IN4——Src物理输入源 l2 mO{'|C
IN5，IN6——混响和延时效果器的效果返回 MGfIA?u
再看输出。考虑到MX6没有MIX总输出控制。我让MIX母线通过一个St Vol立体声衰减后再进入到k1lt指定的物理输出端口连接监听音箱。REC录音编组母线同时输出给MME和ASIO逻辑输入端口，实现录音功能。而 MX6的辅助1则同时发送给混响和延时效果器——只要控制效果器的返回量就可以控制效果强度！最后辅助2发送给演员的耳机放大器共演员监听！我们可以完全设定一个独立的混音给演员！这个很重要！因为我们就可以利用[RECMON]开关实现对声源的独奏监听而不影响演员的监听。Peak模块用于监视Src物理输入端口的信号输入电平。 1vUW$)?X
这样，我们就可以像用真实的调音台一样来使用这个MX6调音台了，虽然它是虚拟的！ .u\xA 7X
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图 W'}^m*F
这是一个用ASIO程序录音的例子，设置调音台，实现完全基于DSP的“听湿录干”，演员独立的监听返送。 141XnAb)I
MX6调音台的应用还可以很方便地实现的对不同的驱动程序间的录音。我们知道IN1的信号来自电脑KX驱动FX BUS1，FX BUS1是传输WINDOWS MME驱动的输出，GIGASTUDIO 的GSIF驱动输出也是通过FX BUS1，而IN2的信号来自FX BUS2 的ASIO的输出。根据我们的连接，MX6的Rec BUS的信号则直接进入到ASIO IN和Windows的MME IN录音输入端。这样当我想要用CUBASE 的ASIO输入直接对MME或者GSIF输出的信号进行录音，只需点开IN1的通道上面那个[R]开关即可！需要注意的是不要打开录音软件上的直接监听，否则可能会形成信号环路产生反馈啸叫。还要注意同时要关闭其他通道的[R]开关，否则你会得到各种驱动的声音和AC97线路口输入声音甚至效果信号的混合物，那就没意思了！ m(p0)X),_i
怎么样！大家明白了？如果感兴趣大家可以到本期光盘上找到这个实例的KX设置文件。导入即可！ jrZH1 dvE
回过头来再看KX的默认界面！哈哈面目全非，很多项目都空了！我们再也不用看KX晦涩难懂的默认界面了！需要注意的是“主要”和“AC97”界面仍然起作用！ aa,^+^ J
如下图，KX驱动默认界面已经面目全非！很多项目都已经空了。 NK$BF(HBi
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图 -Ta| qQa
送给吉他手的礼物 1y7Fv D~ v
KX驱动包含了一个吉他效果器TubeDrive，用了一下，还不错！绝对0延时，呵呵！我在录制时只是用它做监听，而原始信号可以直接绕开他进入 ASIO输入，让CUBASE直接录音。然后等后期制作的时候用Amplitube，Guitar Rig等等软效果器仔细制作音色！怎么连线大家可直接倒入我做好的一个KX设置看一下,（下载kx pro2.kx），声音很一般，但是他的优点是完全实时，没有任何延迟！你甚至可以直接把多个TubeDrive串联起来，做出更失真音色。 ;QqC c !b
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TubeDrive 吉他效果器 ^+rI=c 0
总结： !]2`dp\!
总体来说KX驱动超出了我的预想。在这么便宜的声卡上实现了专业音频卡的一些功能！当然，如果你有Audigy就更好了！实现的功能更多。因为 LIVE!的DSP寄存器是128个。而Audigy是256个，也就是说，在Audigy里可以添加和使用比Live多一倍的效果器插件，呵呵！ %%qg<iO_
但是说老实说，这个东西还是只能玩完而已。音质就不用提了，16bit录音是SB LIVE!的极限。重要的是，KX驱动的ASIO性能是比较差的。我的电脑，如果使用专业音频卡，可以轻松的实现5ms的延时。而使用KX驱动，则要到 10ms才能稳定工作。而且KX驱动的操作、使用还是比较麻烦，考虑到很多KX使用者并没有专业知识，这对使用KX驱动有一些困难。能搞定KX驱动的朋友估计可以很快上手CREAMWARE 专业复杂的SPF平台！ RLR\*dL1
我做了2种KX驱动的DSP连线模式文件，分别是KXPRO1和KXPRO2.其中KXPRO1适合一般的录音用户，KXPRO2适合吉他手。事实上KX驱动还可以有更复杂的连接和应用。比如可以给吉他声音加上压缩、均衡，合唱等等。一个字，玩！ VJOB+CKE
KX驱动把SB LIVE!的能力基本上开发出来了，真的应该感谢远在俄罗斯的KX驱动的开发者！写这个文章的目的是希望大家都来学习电脑音乐。如果你手里有一块SB LIVE!那么装上KX驱动，就可以体验专业音频软件的乐趣了！虽然它的性能还是差一些，但是我们已经可以用它开始玩儿电脑音乐了！至少能在家给自己录个小样给朋友们听听！这是很有意思的事情
⑥ 开机时出现system COMS ckecksum bad
出现“CMOS CHECKSUM BAD”提示，说明“CMOS校检失败”。可能有三种情况：
1、是CMOS电池失效，请更换电池；
2、病毒攻击CMOS导致CMOS数据变更，用杀毒盘杀毒；
3、主板的供电电路故障。
恢复设置。方法：开机 按 del 进入，在菜单项选择“Load Setup Defaults”，如没有就选择"Load......"开头的就是的了
CMOS是由一块2032锂电池供电的，如果我们将电池取出，在短时间内BIOS设置并不能还原。这是因为在电池旁边还有一个电容，其存储的电量能在较短时间内为CMOS供电。
将电池槽的正、负极弹片用金属物短接，即可直接放电。
为了保险起见，我们可以将电池槽的正、负极弹片用金属物短接，从而为电容放电，这样就能在较短的时间内将BIOS设置恢复到出厂状态。最后再将电池装回原处，重新设置BIOS。
⑦ 我想了解电线电缆的基本知识，以及合格的电线电缆应具体哪些条件
怎样辨别电缆质量好坏
购买电线时怎样鉴别优劣 国家已明令在新建住宅中应使用铜导线。但同样是铜导线，也有劣质的铜导线，其铜芯选用再生铜，含有许多杂质，有的劣质铜导线导电性能甚至不如铁丝，极易引发电气事故。目前，市场上的电线品种多、规格多、价格乱，消费者挑选时难度很大。单就家庭装修中常用的2.5平方毫米和4平方毫米两种铜芯线的价格而言，同样规格的一盘线，因为厂家不同，价格可相差20%~30%。至于质量优劣，长度是否达标，消费者更是难以判定。 据业内人士透露：电线之所以价格差异巨大，是由于生产过程中所用原材料不 变频电缆
同造成的。生产电线的主要原材料是电解铜、绝缘材料和护套料。目前原材料市场上电解铜每吨在5万元左右，而回收的杂铜每吨只有4万元左右；绝缘材料和护套料的优质产品价格每吨在8000元~10000元，而残次品的价格每吨只需4000元~5000元，差价更悬殊。另外，长度不足，绝缘体含胶量不够，也是造成价格差异的重要原因。每盘线长度，优等品是100米，而次品只有90米左右；绝缘体含胶量优等品占35% ~40%，而残次品只有15%。通过对比，消费者不难看出成品电线销售价格存在差异是材质上存在猫腻所致。
电缆介绍
[electric cable;power cable] 通常是由几根或几组导线[每组至少两根]绞合而成的类似绳索的电缆,每组导线之间相互绝缘,并常围绕着一根中心扭成，整个外面包有高度绝缘的覆盖层
电线电缆是指用于电力、通信及相关传输用途的材料。“电线”和“电缆”并没有严格的界限。通常将芯数少、产品直径小、结构简单的产品称为电线，没有绝缘的称为裸电线，其他的称为电缆；导体截面积较大的(大于6平方毫米)称为大电线，较小的(小于或等于6平方毫米)称为小电线，绝缘电线又称为布电线。
电缆分类
电线电缆主要包括裸线、电磁线及电机电器用绝缘电线、电力电缆、通信电缆与光缆。 电线电缆是指用于电力、通信及相关传输用途的材料。“电线”和“电缆”并没有严格的界限。通常将芯数少、产品直径小、结构简单的产品称为电线，没有绝缘的称为裸电线，其他的称为电缆；导体截面积较大的(大于6平方毫米)称为大电线，较小的(小于或等于6平方毫米)称为小电线，绝缘电线又称为布电线。 电线电缆主要包括裸线、电磁线及电机电器用绝缘电线、电力电缆、通信电缆与光缆。 电缆有电力电缆、控制电缆、补偿电缆、屏蔽电缆、高温电缆、计算机电缆、信号电缆、同轴电缆、耐火电缆、船用电缆等等。它们都是由多股导线组成，用来连接电路、电器等。
电线电缆命名
命名规则
电线电缆的完整命名通常较为复杂，所以人们有时用一个简单的名称(通常是一个类别的名称)结合型号规格来代替完整的名称，如“低压电缆”代表0.6/1kV级的所有塑料绝缘类电力电缆。电线电缆的型谱较为完善，可以说，只要写出电线电缆的标准型号规格，就能明确具体的产品，但它的完整命名是怎样的呢？ 电线电缆产品的命名有以下原则：
产品名称中包括的内容
(1)产品应用场合或大小类名称
(2)产品结构材料或型式；(3)产品的重要特征或附加特征 基本按上述顺序命名，有时为了强调重要或附加特征，将特征写到前面或相应的结构描述前。
结构描述的顺序
产品结构描述按从内到外的原则：导体-->绝缘-->内护层-->外护层-->铠装型式。
简化
在不会引起混淆的情况下，有些结构描述省写或简写，如汽车线、软线中不允许用铝导体，故不描述导体材料。 案例： 额定电压8.7/15kV阻燃铜芯交联聚乙烯绝缘钢带铠装聚氯乙烯护套电力电缆 (太长了！) “额定电压8.7/15kV”——使用场合/电压等级 “阻燃”——强调的特征 “铜芯”——导体材料 “交联聚乙烯绝缘”——绝缘材料 “钢带铠装”——铠装层材料及型式(双钢带间隙绕包) “聚氯乙烯护套”——内外护套材料(内外护套材料均一样，省写内护套材料) “电力电缆”——产品的大类名称 与之对应的型号写为ZR-YJV22-8.7/15，型号的写法见下面的说明。
电线电缆制造流程概述
电线电缆的制造与大多数机电产品的生产方式是完全不同的。机电产品通常采用将另件装配成部件、多个部件再装配成单台产品，产品以台数或件数计量。电线电缆是以长度为基本计量单位。所有电线电缆都是从导体加工开始，在导体的外围一层一层地加上绝缘、屏蔽、成缆、护层等而制成电线电缆产品。产品结构越复杂，叠加的层次就越多。
电缆制造工艺流程简介
一、电线电缆产品制造的工艺特性： 1．大长度连续叠加组合生产方式 大长度连续叠加组合生产方式，对电线电缆生产的影响是全局性和控制性的，这涉及和影响到： （1）生产工艺流程和设备布置 生产车间的各种设备必须按产品要求的工艺流程合理排放，使各阶段的半成品，顺次流转。设备配置要考虑生产效率不同而进行生产能力的平衡，有的设备可能必须配置两台或多台，才能使生产线的生产能力得以平衡。从而设备的合理选配组合和生产场地的布置，必须根据产品和生产量来平衡综合考虑。 （2）生产组织管理 生产组织管理必须科学合理、周密准确、严格细致，操作者必须一丝不苟地按工艺要求执行，任何一个环节出现问题，都会影响工艺流程的通畅，影响产品的质量和交货。特别是多芯电缆，某一个线对或基本单元长度短了，或者质量出现问题，则整根电缆就会长度不够，造成报废。反之，如果某个单元长度过长，则必须锯去造成浪费。 （3）质量管理 大长度连续叠加组合的生产方式，使生产过程中任何一个环节、瞬时发生一点问题，就会影响整根电缆质量。质量缺陷越是发生在内层，而且没有及时发现终止生产，那么造成的损失就越大。因为电线电缆的生产不同于组装式的产品，可以拆开重装及更换另件；电线电缆的任一部件或工艺过程的质量问题，对这根电缆几乎是无法挽回和弥补的。事后的处理都是十分消极的，不是锯短就是降级处理，要么报废整条电缆。它无法拆开重装。 电线电缆的质量管理，必须贯串整个生产过程。质量管理检查部门要对整个生产过程巡回检查、操作人自检、上下工序互检，这是保证产品质量，提高企业经济效益的重要保证和手段。 2．生产工艺门类多、物料流量大 电线电缆制造涉及的工艺门类广泛，从有色金属的熔炼和压力加工，到塑料、橡胶、油漆等化工技术；纤维材料的绕包、编织等的纺织技术，到金属材料的绕包及金属带材的纵包、焊接的金属成形加工工艺等等。 电线电缆制造所用的各种材料，不但类别、品种、规格多，而且数量大。因此，各种材料的用量、备用量、批料周期与批量必须核定。同时，对废品的分解处理、回收，重复利用及废料处理，作为管理的一个重要内容，做好材料定额管理、重视节约工作。 电线电缆生产中，从原材料及各种辅助材料的进出、存储，各工序半成品的流转到产品的存放、出厂，物料流量大，必须合理布局、动态管理。 3．专用设备多 电线电缆制造使用具有本行业工艺特点的专用生产设备，以适应线缆产品的结构、性能要求，满足大长度连续并尽可能高速生产的要求，从而形成了线缆制造的专用设备系列。如挤塑机系列、拉线机系列、绞线机系列、绕包机系列等。 电线电缆的制造工艺和专用设备的发展密切相关，互相促进。新工艺要求，促进新专用设备的产生和发展；反过来，新专用设备的开发，又提高促进了新工艺的推广和应用。如拉丝、退火、挤出串联线；物理发泡生产线等专用设备，促进了电线电缆制造工艺的发展和提高，提高了电缆的产品质量和生产效率。 二、电线电缆的主要工艺 电力电缆
电线电缆是通过：拉制、绞制、包覆三种工艺来制作完成的，型号规格越复杂，重复性越高。 1．拉制 在金属压力加工中.在外力作用下使金属强行通过模具（压轮），金属横截面积被压缩,并获得所要求的横截面积形状和尺寸的技术加工方法称为金属拉制。 拉制工艺分：单丝拉制和绞制拉制。 2．绞制 为了提高电线电缆的柔软度、整体度，让2根以上的单线，按着规定的方向交织在一起称为绞制。 绞制工艺分：导体绞制、成缆、编织、钢丝装铠和缠绕。 3．包覆 根据对电线电缆不同的性能要求，采用专用的设备在导体的外面包覆不同的材料。包覆工艺分： A．挤包：橡胶、塑料、铅、铝等材料。 B．纵包：橡皮、皱纹铝带材料。 C．绕包：带状的纸带、云母带、无碱玻璃纤维带、无纺布、塑料带等，线状的棉纱、丝等纤维材料。 D．浸涂：绝缘漆、沥青等 三、塑料电线电缆制造的基本工艺流程 1．铜、铝单丝拉制 电线电缆常用的铜、铝杆材，在常温下，利用拉丝机通过一道或数道拉伸模具的模孔，使其截面减小、长度增加、强度提高。拉丝是各电线电缆公司的首道工序，拉丝的主要工艺参数是配模技术。 2．单丝退火 铜、铝单丝在加热到一定的温度下，以再结晶的方式来提高单丝的韧性、降低单丝的强度，以符合电线电缆对导电线芯的要求。退火工序关键是杜绝铜丝的氧化. 3．导体的绞制 为了提高电线电缆的柔软度，以便于敷设安装，导电线芯采取多根单丝绞合而成。从导电线芯的绞合形式上，可分为规则绞合和非规则绞合。非规则绞合又分为束绞、同心复绞、特殊绞合等。 为了减少导线的占用面积、缩小电缆的几何尺寸，在绞合导体的同时采用紧压形式，使普通圆形变异为半圆、扇形、瓦形和紧压的圆形。此种导体主要应用在电力电缆上。 4．绝缘挤出 塑料电线电缆主要采用挤包实心型绝缘层，塑料绝缘挤出的主要技术要求： 4．1．偏心度：挤出的绝缘厚度的偏差值是体现挤出工艺水平的重要标志，大多数的产品结构尺寸及其偏差值在标准中均有明确的规定。 4．2．光滑度：挤出的绝缘层表面要求光滑，不得出现表面粗糙、烧焦、杂质的不良质量问题 4．3．致密度：挤出绝缘层的横断面要致密结实、不准有肉眼可见的针孔，杜绝有气泡的存在。 5．成缆 对于多芯的电缆为了保证成型度、减小电缆的外形，一般都需要将其绞合为圆形。绞合的机理与导体绞制相仿，由于绞制节径较大，大多采用无退扭方式。成缆的技术要求：一是杜绝异型绝缘线芯翻身而导致电缆的扭弯；二是防止绝缘层被划伤。 大部分电缆在成缆的同时伴随另外两个工序的完成：一个是填充，保证成缆后电缆的圆整和稳定；一个是绑扎，保证缆芯不松散。 6．内护层 为了保护绝缘线芯不被铠装所疙伤，需要对绝缘层进行适当的保护，内护层分：挤包内护层（隔离套）和绕包内护层（垫层）。绕包垫层代替绑扎带与成缆工序同步进行。 7．装铠 敷设在地下电缆，工作中可能承受一定的正压力作用，可选择内钢带铠装结构。电缆敷设在既有正压力作用又有拉力作用的场合（如水中、垂直竖井或落差较大的土壤中），应选用具有内钢丝铠装的结构型。 8．外护套 外护套是保护电线电缆的绝缘层防止环境因素侵蚀的结构部分。外护套的主要作用是提高电线电缆的机械强度、防化学腐蚀、防潮、防水浸人、阻止电缆燃烧等能力。根据对电缆的不同要求利用挤塑机直接挤包塑料护套。
⑧ AMD 785G主板BIOS详细介绍
是微星主板吗！如果是你就看看这个吧
微星AMD 785G主板BIOS设置详解
鉴于微星的说明书做得实在是太烂，很多BIOS的设置都没有给出详细说明（其实是压根就没写，难道微星觉得玩他们家板子的都是电脑熟手不成..），所以这里给出详解说明书，帖子里的是纯文字版，要看图文完整的版的请下载附件里的那个，思密达。
一、BIOS主菜单
1、Standard CMOS Features 标准CMOS属性
2、Advanced BIOS Features 高级BIOS 属性
3、Integrated Peripherals 整合周边设备
4、Power Management 电源管理
5、H/W Monitor 硬件监测
6、Green Power 绿色节能
7、BIOS Setting Password 开机 密码设置
8、Cell Menu 核心菜单
9、M-Flash U盘刷新BIOS
10、User Settings 用户设置项
11、Load Fail-Safe Defaults 加载安全缺省值
12、Load Optimized Defaults 加载优化值
13、Save & Exit Setup 保存设置并退出
14、Exit Without Saving 退出而不保存
二、Cell Menu 核心菜单设置
1、CPU 相关设置
CPU相关设置有9项
1-1、CPU Specifications ：这是查看CPU的规格和参数，也可以随时按F4查看。
1-2、AND Cool `n` Quiet ：AMD CPU的节能技术，也叫“凉又静”。依据CPU负载改变CPU的倍频和电压 。当CPU空闲时，核心电压降到最低，倍频也降到最低。如果主板有微星的APS功能，请开启这个选项。该选项的设置是Enabled 和Disabled。
1-3、Adjust CPU FSB Frequency （MHz）： 调整CPU的前端总线频率。默认的频率是CPU的标准FSB频率，用户可以自己调整，就是超频 。在这里直接键入频率数值，比如220。
1-4、Adjust CPU Ratio ：调整CPU的倍频。AMD的CPU一般是锁定最高倍频的，只能降低倍频。有个别不锁倍频的CPU才可以调整到更高的倍频。该项的默认设置是Auto。敲回车，弹出倍频列表，用户可以从中选择希望的倍频。
1-5、Adjust CPU-NB Ratio ：调整CPU内北桥 （内存 控制器）的倍率。AMD CPU整合了内存控制器，这个选项可以调整内存控制器的倍率。调整这个倍率要与内存频率设置相互配合，一般需要多次调整，才能达到最佳效果，如果设置不正确，可能引起蓝屏死机 。
1-6、EC Firmware ：EC固件设置。这是AMD SB710芯片组新开的一个设置项，用于开启被AMD关闭核心（有部分是不能正常运作的）。这项的默认设置是Normal。敲回车，弹出选项菜单供用户选择。
Normal是普通模式，就是不开启关闭的核心。Special是特殊模式，开启被关闭的核心。注意这个选项要配合下面的Advanced Clock Calibration设置。
1-7、Advanced Clock Calibration ：高级时钟校准。这是SB750开始有的有的功能。用于校准CPU的时钟频率，同时支持AMD的CPU超频软件AMD Over Drive。SB710继承了这项功能，还可以配合EC Firmware开启关闭的核心。默认设置是Disabled。敲回车弹出选项菜单：
Auto是自动模式。想开启关闭的核心，请设置为Auto。
All Cores是对所有核心都进行相同的高级时钟校准。选择了All Core后，菜单会多出一个选项。
就是要求选择校准的百分比。在Value上敲回车会弹出百分比选择菜单。
Per Core可以对每个核心单独设置时钟校准百分比。选择Per Core后，菜单会多出一个选项：
也是要求选择校准的百分比。在每一个Value敲回车都会弹出百分比选择菜单。
请注意，Value的个数与CPU的核心数相匹配，比如2核的就有2个Value选项。
1-8、Auto Over Clock Technology ：微星独有的一种自动超频技术，默认是Disabled，可以设置为Max FSB。就是系统 自动侦测CPU可能超频的最大FSB值。设置该项后，系统可能重复启动多次，最后找到最大FSB启动。由于FSB涉及内存的频率，可能会因为内存缘故而出现在最大FSB情况下，不能进系统，或者蓝屏死机。
1-9、Multistep OC Booster ：这是微星独有的超频辅助技术，当CPU因超频较高，不能启动时，可以利用这个选项。它的作用是先以较低的频率启动进系统，然后再恢复原来频率。
该选项默认是Disabled，有Mode1和Mode2选项。Mode1是以低于原频率90%的频率启动。Mode2是以低于原频率80%的频率启动。
2、内存相关设置
内存设置有3项：
2-1、MEMORY-Z：这是查看内存的SPD参数。也可以随时按F5查看
插2条内存，弹出2条内存的SPD信息，如果插4条，就会有4条SPD信息。回车就可以查看1条内存的SPD：
2-2、Advance DRAM Configuration：高级DRAM配置。就是用户自己配置内存时序参数。回车进入高级DRAM配置：
2-2-1、DRAM Timing Mode：DRAM时序模式。有4项设置：Auto、DCT0、DCT1、Both。
Auto就是按内存条的SPD设置内存时序参数。DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。默认设置是Auto。
这是DCT0的时序参数设置：
内存时序参数最主要的有4个。CL-tRCD-tRP-tRAS，这4个参数也是在内存条上常常看到的，比如8-8-8-24，就是这4个参数。
附注：内存时序参数知识
1、内存芯片内部的存储单元是矩阵排列的，所以用行（Row）地址和列（Column）地址标识一个内存单元。
2、内存寻址就是通过行地址和列地址寻找内存的一个存储单元。系统发出的地址编码需要经过地址译码器译出行地址和列地址，才可以对内存读写。
3、内存芯片是易失性存储器，必须经常对内存的每个存储单元充电，才可以保持存储的数据 。读写前要先对选定的存储单元预充电（Pre charge）。
4、对内存的存储单元读写前要先发出激活（Active）命令，然后才是读写命令。
5、CL就是CAS Latency，CAS（列地址选通）潜伏时间，实际上也是延迟。指的是CPU发出读命令到获得内存输出数据的时间间隔。
6、tRCD是RAS-to-CAS Delay，行地址选通到列地址选通的延迟。一般是指发出激活命令和读写命令之间的时间间隔。在这段时间内经过充电，数据信号足够强。
7、tRP是Row-Pre charge Delay，行预充电延迟。一般是指发出预充电命令和激活命令之间的时间间隔。在这段时间内对激活的行充电。
8、tRAS是Row-active Delay，行激活延迟。一般是指行激活命令和发出预充电命令之间的时间间隔。
9、上述潜伏和延迟时间可以用绝对时间值ns，也可用相对时间—周期。一般多用周期表达。周期数越小，内存的速度越高。选购 内存，不仅要看标注的频率，还要看标注的时序参数。内存时序参数标准由JEDEC制定。下面列出DDR3的时序参数规格，供参考。
标准的时序参数有 7-7-7/8-8-8/9-9-9 三种，其中 7-7-7 的最好。还有非标准的 7-8-8/8-9-9 的，这种时序参数的内存条，上标称频率 就会死机蓝屏。降一级频率 就没有问题。
2-2-2、DRAM Drive Strength：DRAM驱动 强度。
该选项有4个参数，Auto是BIOS自动依据内存设置。其他是用户自己设置，DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。设置为DCT0/1或Both时，会增加设置项目，下面看看用户自己手动设置的项目：
每个通道的信号驱动强度设置包括8项。
CKE Drive Strength：时钟允许（Clock enable）信号驱动强度
CS/ODT Drive Strength：片选/内建终端电阻驱动强度
Addr/Cmd Drive Strength：地址/命令驱动强度
Clock Drive Strength：时钟信号驱动强度
Data Drive Strength：数据信号驱动强度
DQS Drive Strebgth：数据请求信号驱动强度
ProcOdt：CPU内建终端电阻
驱动强度的设置就是用户设置内存信号的强度，一般以默认为1，设置选项是默认的倍率：
2-2-3、DRAM Advance Control：DRAM高级控制。
该选项有4个参数，Auto是BIOS自动依据内存设置。其他是用户自己设置，DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。设置为DCT0/1或Both时，会增加设置项目，下面看看用户自己手动设置的项目：
每个通道的高级控制有6项。
DRAM Termination：内存芯片的片内终端电阻。从DDR2开始内存防止信号干扰的终端电阻放在芯片内。DDR3也是这样。这项是设置终端电阻的参数，设置参数有Auto、Disabled、75 ohms、150 ohms、50 ohms。默认是Auto。
DRAM Drive Weak：减弱DRAM驱动强度。设置参数有Auto、Normal、Reced。Auto是让BIOS依据内存条自动设置。Normal是默认强度，Reced是减弱驱动强度。
DRAM Parity Enable：允许DRAM 奇偶校验。奇偶校验是对内存读写是防止数据错误的一种方法。但允许奇偶校验会影响内存读写速度。设置参数有Auto、Enabled、Disabled。默认设置是Auto。
DRAM Self Refresh Rate Enable：允许DRAM自刷新速率。DRAM刷新就是充电，通过充电保持数据信号。自刷新是关闭系统时钟CKE，DRAM采用自己的内部时钟确定刷新速率。设置参数有Auto、Enabled、Disabled。默认设置是Auto。
DRAM Burst Length 32：DRAM突发模式的长度32。突发模式是系统对内存读写时一次连续读写。连续读写的长度有32字节和64字节。这项设置就是选择32字节，还是64 字节。设置参数有Auto、64字节、32字节。默认是Auto。Auto就是由系统依据数据分布自动采用突发模式的长度。
Bank Swizzle Mode：Bank搅和模式。内存芯片内的存储单元是按矩阵排列的，每一矩阵组成一个Bank，芯片内的Bank有4 Bank、8 Bank等，一般中文称之为逻辑Bank。
内存芯片组成内存条后，也有Bank，一般以64位为一个Bank。通常一面内存的8颗芯片构成一个Bank。双面就是2个Bank。CPU和内存进行数据交换时以Bank为单位，一次交换64位数据，也就是通常说的“带宽”，双通道就是128位。这种Bank称之为物理Bank。CPU访问内存时先定位物理Bank，然后通过片选（信号）定位芯片内的逻辑Bank。
插在DIMM槽的内存条有1个或2个片选Bank，访问命令不管实际有几个片选Bank，都是覆盖2个。Bank Swizzle模式就是通过异或（XOR）逻辑运算，判定实际的片选Bank。设置参数有Auto、Disabled、Enabled。Auto就是交给 BIOS和系统处理。Disabled就是禁止Swizzle模式，Enabled就是允许。Swizzle模式可以提高CPU的性能，但是会影响显卡 性能。一般还是设置Auto为好。
2-2-4、1T/2T Memory Timing：1T/2T内存时序。这个选项也叫做“命令速度”，就是内存控制器开始发送命令到命令被送到内存芯片的延迟。1T当然比2T快。但是要依据内存条的性能。性能低的设置1T后肯定要蓝屏死机。一般保持Auto设置即可，让BIOS自己去设置。
2-2-5、DCT Unganged Mode：内存通道控制模式。选择内存通道的控制模式，Ganged是一个双通道，128位带宽。Unganged是2个单通道，64位x2带宽。设置选项是Disabled（Ganged）和Enabled（Unganged）。默认是Enabled。
2-2-6、Bank Interleaving：Bank交错存取。内存bank 交错存取可以让系统对内存的不同bank同时存取，可以提升内存速度及稳定性。设置值有Auto和Disabled，默认值是Auto(开启交错存取)。
2-2-7、Power Down Enabled：开启或关闭DRAM Power Down。内存掉电设置，选项有Disabled和Enabled。默认是Disabled。
设置为Enabled后，增加Power Down Mode选项，选择Channel模式和Chip Select模式。
2-2-8、MemClk Tristate C3/ATLVID：开启或关闭内存时钟在C3/ATLVID下的3态。默认是关闭的（Disabled）。
2-3、FSB/DRAM Ratio：前端总线和内存倍率设置。
默认设置是Auto，自动识别内存条的SPD，设置内存频率。回车可以手动设置。
通过设置倍率可以改变内存的频率，FSB=200，1:2就是DDR800，1:3.33就是DDR1333。1:4 就是DDR1600。
如果出现蓝屏死机现象 ，可以先通过这项设置降低内存频率试试，是不是内存不兼容或内存品质不良。如果降低频率可以排除故障 ，可以降频使用，或者更换内存条。
DDR3 1333 内存条有 3 种，一种是 SPD 只有 1066 ，没有 1333 ，可以通过设置倍率（ 1:1.333 ）上到 1333 。第二种是 SPD 有 1333 ，但是 1333 的参数不对， 1333 对应的频率应该是 666 ，这种内存的频率是 601 ，这样的内存也需要通过设置倍率上 1333 。第三种是标准的 1333 ， SPD 的 1333 频率参数是 666 或 667 。这种内存默认就可以上 1333 。
DDR3 1600 内存有 3 种：超频 1600 的（ SPD 只有 1333 ），可以通过设置倍率（ !:4 ）到 1600 。第 2 种是 SPD 参数有 1600 （ 800 ），这样的内存条 可以默认上 1600 。第 3 种是 1600 采用 X.M.P 规格，使用这种 1600 内存， BIOS 会出现 X.M.P 选项，把这项设置为 Disabled 即可上 1600 。
3、内置显卡超频
为方便用户对内置显卡4200超频，BIOS把显卡频率设置选项移到核心菜单，叫做：
Onboard VGA Core Over Clock。
Onboard VGA Core Over Clock的设置项有Disabled（默认）和Enabled。
开启显卡超频，增加一项调整显卡频率值的选项：Adjust Onboard VGA Frequency。默认值是500MHz。超频时直接键入频率值，比如550MHz。
4、HT和PCI相关设置
HT（超传输）总线是AMD的开发的芯片互连总线。AMD把内存控制器移到CPU，CPU内部采用HT总线。显卡采用PCIE总线，HT和PCIE之间需要桥接。AMD的北桥就起到HT和PCIE的桥接作用。北桥和CPU之间是HT总线连接。所以BIOS有HT总线的设置和PCIE总线的设置。相关设置有 4项：
4-1、HT Link Control：HT链接控制。这个选项设置需进入二级菜单。回车进入二级菜单后，看到的是2个选项：
HT Incoming Link Width和HT Outgoing Link Width：HT上行链接宽度和下行链接宽度。HT总线采用差分信号，单向串行传输。每一路采用一对信号线，一条发送信号（下行），一条接收信号（上行）。这两个选项就是设置HT总线的位宽。3个设置项：Auto（默认）、8位、16位。Auto是让系统自动设置，8位和16位是手动设置。
2-4-2、HT Link Speed：HT链接速度。链接速度以倍率表示，从x1到x13。默认设置是Auto，系统自动依据CPU动态设置，FSB超频会自动提升HT链接速度。用户也可以手动设置固定的倍率。X1是200MHz，X5就是1000MHz，以此类推。
2-4-3、Adjust PCI-E Frequency：调整PCI-E频率。
系统给PCI-E的频率是100MHz，由于现在的FSB和PCI-E时钟频率是分开的，调整FSB频率不会影响PCI-E/PCI频率。超频时不必再考虑锁定PCI-E和PCI频率。BIOS也没有锁定选项。这里的PCI-E频率调整是为PCI-E超频设计的，直接键入超频频率值，超频范围是 100MHz-150MHz。
2-4-4、Auto Disable DRAM/PCI Frequency：自动关闭DRAM/PCI时钟信号。
默认设置是Enabled，系统将关闭空闲的DRAM和PCI槽的时钟信号，降低干扰。
5、电压设置
785GM-E65 BIOS提供了8项电压设置：
CPU VDD电压：CPU VDD电压。调整范围1.1000-1.5500V
CPU-NB VDD电压：CPU内北桥VDD电压。调整范围1.1000-1.5500
CPU电压：CPU核心电压。调整范围1.025-1.975V
CPU-NB电压：CPU内北桥电压。调整范围1.202-1.520V
DRAM电压：内存电压。调整范围1.50-2.42V
NB电压：北桥电压。调整范围1.108-1.337V
HT Link电压：HT总线链接电压。调整范围1.202-1.454V
SB电压：南桥电压。调整范围1.228-1.472V
1、上面8项电压中，前2项VDD电压是CPU内的CMOS电路的漏极电压。调整这个电压可以使超频更稳定。
2、其余5项电压是供电电压。超频时提高一点电压可以提高超频成功率。因为超频后，CPU内的CMOS开关频率加快，输出信号的电平幅度会降低，导致信号不稳定，提高一点供电电压，就会提高信号电平幅度，增强信号。
简单讲CPU内的所有晶体管都是CMOS电路，都是开关。CPU运算就是这些CMOS开关电路不停地“开”和“关”。“开”就是导通，让代表“1”的高电平信号通过。“关”就是断开，信号变成低电平，表示“0”。如果代表“1”的高电平较低，就会与低电平的“0”混淆，CPU分辨不出“1”和“0”，自然运算就出错，导致死机、蓝屏。
3、电压提升过高也不利于超频，因为电压过高，把信号电平也拉高，信号电平越高，CMOS开关的频率就无法加快。这个道理可以从CPU电压的进展历程看出来。486/586时代，CPU的核心电压和I/O电压都是3.3V。奔腾4开始，把CPU的核心电压与I/O分开，核心电压降到2V左右，现在降到 1.xx V，降低信号电平就是要提高CPU的频率。CPU的频率取决于CMOS电路的开关速度，信号电平设计的越低，开关速度就越快。
4、有些DIY发现，超频频率很高时，CPU满载运作会有“掉”电压的现象。于是想办法 改电路，或者再提高电压。其实，“掉”电压是正常现象。频率提高30%，CMOS电路的开关频率提高30%，开关时间缩短30%，输出的高电平信号电压肯定降低，自然也要把供电电压拉低。
5、所以，调整电压要适当，不是越高越好。上述8项电压设置，灰色的Auto表示默认电压。白色数字表示正常范围的电压。红色数字表示非正常电压，包括过高和过低的。
6、调整电压时，可以用小键盘 的“+”和“-”键，也可以用Page Up和Page Down键。
6、频展设置
Spread Spectrum（扩展频谱）技术是一种常用的无线通讯技术，简称展频技术。当主板上的时钟发生器工作时，脉冲的峰值会产生电磁干扰（EMI），展频技术可以降低脉冲发生器所产生的电磁干扰。在没有遇到电磁干扰问题时，应将此类项目的值全部设为“Disabled”，这样可以优化系统性能，提高系统稳定性；如果遇到电磁干扰问题，则应将该项设为“Enabled”以便减少电磁干扰。在将处理器超频时，最好将该项设置为“Disabled”，因为即使是微小的峰值飘移也会引起时钟的短暂突发，这样会导致超频后的处理器被锁死。
⑨ Am29LV800D-----这个flash.如何接成16位，和8位求助
（1）S3C2440 的地址线 ADDR1-19 与 Am29LV800D 的地址线 A0-18 依次武汉理工大学硕士学位论文
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相连。由于 NOR Flash 选择的是 512K×16Bit 存储形式，即 NOR Flash 的最小
存储单位为 2 字节，而 S3C2440 最小寻址单位为 1 字节，因此需要将地址线的
第二位 ADDR1 与 A0 相连，而 ADDR0 不与 NOR Flash 芯片相连。
（2）16位数据线依次相连。其中端口DQ15/A-1有两种用途，如果NOR Flash
芯片选择的是 1024K×8Bit 存储方式，该端口将作为最低位的地址线，而本文选
择的是 512K×16Bit 存储方式，因此该端口用作数据线的最高位 DQ15。
（3）CE 是片选信号，由于 NOR Flash 连接到 BANK0，因此需要用到 BANK0
的片选信号 nGCS0。读使能 OE，写使能 WE 与 S3C2440 对应引脚相连。
（4）RY/BY 表示 NOR Flash 是就绪还是繁忙的状态信息，此处没有使用，
所以悬空。RESET 低电平有效，与电路的复位模块相连。
（5）BYTE 是 NOR Flash 芯片读写方式的选择，高电平对应 16bit 模式，低
电平对应 8bit 模式。本文使用的是 16bit 模式，因此直接接 VDD。
（6）OM0，OM1 是 S3C2440 启动方式的选择。当 OM0=1，OM1=0 芯片置
为 16bit 方式，并且将 NOR Flash 芯片映射到 BANK0 地址 0x0 处。S3C2440 只
有 16bit 和 32bir 两种使用 NOR Flash 启动的方式，因此前面的 Am29LV800D 只
能使用 16bit 读写方式，而不能使用 8bit 模式。
NOR Flash 的读写方式基本与内存一样，可以直接在其地址范围内进行读写。
因此将启动程序拷贝到 NOR Flash 里面，上电后便可以直接运行。但 NOR Flash
价格昂贵，而且 1M 容量也显不足，因此本系统还加上了一块 NAND Flash 芯片
作为补充。
2.4.2 NAND Flash 存储器电路设计
相对于 NOR Flash 的昂贵，NAND Flash 则要便宜很多，因此更适合作为较
大容量的存储介质使用。1989 年东芝公司发表了 NAND Flash 技术（后将该技
术无偿转让给韩国三星公司），NAND Flash 技术强调降低每比特的成本，更高
的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NAND Flash 结构能提供极高
的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。其缺点在
于需要特殊的系统接口，并且 CPU 需要驱动程序才能从 NAND Flash 中读取数
据，使用时一般是将数据从 NAND Flash 中拷贝到 SDRAM 中，再供 CPU 顺序
执行，这也是大多数嵌入式系统不能从 NAND Flash 中启动的原因。
S3C2440 不仅支持从 NOR Flash 启动，而且支持从 NAND Flash 启动。这是武汉理工大学硕士学位论文
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因为从 NAND Flash 启动的时候，Flash 中开始 4k 的数据会被 S3C2440 自动地复
制到芯片内部一个叫“Steppingstone”的 RAM 中，并把 0x0 设置为内部 RAM
的起始地址，然后 CPU 从内部 RAM 的 0x0 位置开始执行。这个过程不需要程
序干涉。而程序则可使用这 4k 代码来把更多数据从 NAND Flash 中拷贝到
SDRAM 中去，从而实现从 NAND Flash 启动。
选择是从 NOR Flash 启动，还是 NAND Flash 启动，需要对 OM0 和 OM1
引脚进行不同的设置，如果常常需要切换启动模式，可以将这两个引脚接到跳
线柱上，通过跳线夹对其进行设置。
本文选用的是三星公司出品的 K9F1208U0B NAND Flash 芯片，该芯片容量
为 64M×8bit。由于 S3C2440 已经内置了 NAND Flash 控制器，因此电路设计十
分简单，不需要再外加控制芯片。电路图如图 2－4 所示。
图 2－4 NAND Flash 电路图
电路图说明：
（1）由于 NAND Flash 芯片是以字节为单位存储的，因此的数据线 I/O0-7
直接与 S3C2440 的数据线 DATA0-7 相连，不需要像 NOR Flash 那样偏移一位进
行相连。I/O0-7 是充当地址，命令，数据复用的端口。
（2）ALE 地址锁存允许，CLE 命令锁存允许，CE 片选，WE 写使能，RE
读使能依次与 S3C2440 的 NAND Flash 控制器的引脚 ALE，CLE，nFCE，nFWE，
nFRE 相连。
（3）WP 写保护，这里没有用到，直接接到高电平使其无效。VCC 与电源
相连，VSS 与地相连。武汉理工大学硕士学位论文
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（4）当 OM0，OM1 均接地为 0 时，S3C2440 将会从 NAND Flash 中启动，
内部 RAM“Steppingstone”将会被映射到 0x0 位置，取代本来在这个位置的 NOR
Flash。上电时 NAND Flash 中的前 4K 数据会被自动拷贝到“Steppingstone”中，
从而实现从 NAND Flash 启动。
（5）NCON、GPG15 接地；GPG13、14 接电源。这四个引脚用来对 NAND
Flash 进行设置。以上设置表示使用的 Flash 是普通 NAND Flash，一页的大小为
512 字 节 ， 需 要 进 行 4 个 周 期 的 地 址 传 输 完 成 一 次 寻 址 操 作 （ 这 是 因 为
K9F1208U0B 片内采用 26 位寻址方式，从第 0 位开始分四次通过 I/O0－I/O7 进
行传送），数据位宽为 8bit。不同的芯片有不同的设置方式，以上是 K9F1208U0B
的设置方式，其它芯片的设置方法需要参考 S3C2440 和具体使用的 NAND Flash
芯片的数据手册。
NAND Flash 不对应任何 BANK，因此不能对 NAND Flash 进行总线操作，
也就无法像 NOR Flash 和 SDRAM 一样通过地址直接进行访问。对 NAND Flash
存储芯片进行操作，必须通过 NAND Flash 控制器的专用寄存器才能完成。
NAND Flash 的写操作必须以块方式进行，读操作可以按字节读取。
对 K9F1208U0B 的操作是通过向命令寄存器（对于 S3C2440 来说此寄存器
为 NFCMMD，内存映射地址为 0x4e000004）发送命令队列实现的，命令队列一
般是连续几条命令或是一条命令加几个参数，具体的命令可以参考 K9F1208U0B
的数据手册。地址寄存器把一个完整的 NAND Flash 地址分解成 Column Address
与 Page Address 进行寻址。Column Address 是列地址，用来指定 Page 上的具体
某个字节。Page Address 是页地址，用来确定读写操作是在 Flash 上的哪个页进
行的，由于页地址总是以 512 字节对齐的，所以它的低 9 位总是 0。
一个 26 位地址中的 A0~A7 是它的列地址，A9~A25 是它的页地址。当发送
完命令后（例如读命令 00h 或 01h），地址将分 4 个周期发送。第一个周期是发
送列地址。之后 3 个周期则是指定页地址。当发送完地址后，就可以通过数据
寄存器对 NAND Flash 进行数据的读写。以上只是 S3C2440 的 NAND Flash 控制
器的大致操作流程，具体操作方式需要参考数据手册。
2.4.3 SDRAM 存储器电路设计
从 Flash 中读取数据的速度相对较慢，而 S3C2440 运行的速度却很快，其执
行指令的速度远高于从 Flash 中读取指令的速度。如果仅按照数据从 Flash 读取，武汉理工大学硕士学位论文
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然后再到芯片处理的方式设计系统，那么即使芯片的运算能力再强，在没有指
令执行的情况下，它也只能等待。因此系统中还需要加入 SDRAM。
SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是同步动态随机
存取存储器，同步是指工作时需要同步时钟，内部命令的发送与数据的传输都
以它为基准，动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失，随机是指
数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。
SDRAM 是与系统时钟同步工作的动态存储器，它具有数据吞吐量大，速度
快，价格便宜等特点。SDRAM 在系统中的主要作用是作为程序代码的运行空间。
当系统启动时，CPU 首先从复位地址处读取启动代码，在完成系统的初始化后，
将程序代码调入 SDRAM 中运行，以提高系统的运行速度。同时，系统和用户
堆栈、操作数据也存放在 SDRAM 中。
由于 SDRAM 自身结构的特点，它需要定时刷新，这就要求硬件电路要有
定时刷新的功能，S3C2440 芯片在片内集成了独立的 SDRAM 控制电路，可以
很方便的与 SDRAM 连接，使系统得以稳定的运行。
本设计使用的 SDRAM 芯片型号是 HY57V561620，存储容量为 4Bank×4M
×l6bit，每个 Bank 为 8M 字节，总共大小为 32M。本系统通过两片 HY57V561620
构建了 64MB 的 SDRAM 存储器系统，能满足嵌入式操作系统及较复杂算法的
运行要求。电路图如图 2－5 所示。
图 2－5 SDRAM 电路图
电路图说明：
（1）本系统使用两块 HY57V561620 芯片组成容量 64M 的 SDRAM。两片
SDRAM 都是以 2 字节为单位进行存储，因此一次存储的最小容量为 4 字节。将
一块芯片的数据线 DQ0-DQ15 与 S3C2440 的数据线低位 DATA0-DATA15 相连，武汉理工大学硕士学位论文
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而另一块则与数据线的高位 DATA16-DATA31 相连。
（2）两块 SDRAM 芯片地址线均与 S3C2440 地址线 ADDR2-ADDR14 依次
相连。SDRAM 的内部是一个存储阵列，阵列就如同表格一样，将数据“填”进去，
和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就
可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。正因为如
此 ， 地 址 是 通 过 将 存 储 单 元 的 列 地 址 和 行 地 址 分 开 进 行 传 送 的 ， 因 此
HY57V561620 只用了 13 根地址线便完成了一个 BANK（8M 大小）的寻址。否
则按照正常情况 8M 大小的地址空间，按照字节传输，需要用到 24 根地址线。
由于本系统由两块 16bit 的芯片组成，一次最小的存储单位为 4 字节，也就是说
寻址的间隔应该为 4（2
2
）字节。ADDR0 的间隔对应为 1 字节，ADDR1 为 2 字
节，ADDR2 为 4 字节。因此 HY57V561620 需要从 ADDR2 开始连接，从而达
到一次寻址的间隔为 4 字节的目的。
（3）HY57V561620由 4个BANK组成，每个BANK大小为8M（4M×16bit）。
因此在不同的 BANK 之间也需要寻址。由于一个 BANK 的大小为 8M=2
23
，因
此对间隔为 8M 的 BANK 空间寻址，需要使用从 ADDR24 开始的两根地址线。
所以 BA0，BA1 分别接到 ADDR24，ADDR25。
（4）LDQM，UDQM 为数据输入输出屏蔽，由 S3C2440 的 SDRAM 控制器
使用，这里连接到低位数据线的芯片连接到 DQM0，DQM1；而连接到高位数据
线的芯片连接到 DQM2，DQM3。具体连接方法可以查看 S3C2440 的数据手册。
（5）片选信号 CS 连接到 SDRAM 的片选信号 nSCS0，两块芯片对应同一
片选信号。这是因为两块芯片是按照高位，低位的方式连接的，他们处于同一
地址空间。
（6）RAS 行地址选通信号，CAS 列地址选通信号，WE 写使能，分别与
S3C2440 相应的控制引脚 nSRAS、nSCAS、nWE 相连。CLK 时钟信号，CKE
时钟使能信号分别连接到 SCKE、SCLK。
使用程序读写 SDRAM 前，需要初始化 SDRAM，对一些配置寄存器进行设
置。这里只使用了 BANK6，并未用到 BANK7。
初始化的代码大致如下：
void memsetup(void)
{
rBWSCON = 0x22111110; 武汉理工大学硕士学位论文
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rBANKCON0 = 0x700;
rBANKCON1 = 0x700;
rBANKCON2 = 0x700;
rBANKCON3 = 0x700;
rBANKCON4 = 0x700;
rBANKCON5 = 0x700;
rBANKCON6 = 0x18005;
rBANKCON7 = 0x18005;
rREFRESH = 0x8e07a3;
rBANKSIZE = 0xb2;
rMRSRB6 = 0x30;
rMRSRB7 = 0x30;
}
BWSCON 寄存器这里主要用来设置位宽，其中每 4 位描述一个 BANK，对
于本系统，使用的是两片容量为 32Mbyte、位宽为 16 的 SDRAM，组成了容量
为 64Mbyte、位宽为 32 的存储器，因此要将 BANK6 设置为 32 位。BANKCON0-5
没有用到，使用默认值 0x700 即可。BANKCON6-7 是用来设置 SDRAM，设成
0x18005 意味着外接的是 SDRAM，且列地址位数为 9。REFRESH 寄存器用于设
置SDRAM的刷新周期，查阅HY57V561620数据手册即可知道刷新周期的取值。
BANKSIZE 设置 BANK6 与 BANK7 的大小。BANK6、BANK7 对应的地址空间
与 BANK0~5 不同。BANK0~5 的地址空间大小都是固定的 128M，BANK7 的起
始地址是可变的，本系统仅使用 BANK6 的 64M 空间，因此可以令该寄存器的
位[2:0]＝010（128M/128M）或 001（64M/64M），多出来的空间会被检测出来，
不会发生使用不存在内存的情况，因为Bootloader和Linux内核都会作内存检测。
2.4.4 触摸屏电路设计
使用触摸屏 TSP（Touch Screen Panel）进行输入，是指用手指或其它物体触
摸安装在显示器前端的触摸屏，将所触摸的位置（以坐标形式）由触摸屏控制
器检测，并通过接口送到 CPU，从而确定输入的相应信息。触摸屏通过一定的
物理机制，使用户直接在加载触摸屏的显示器上，通过触摸控制方式而非传统
的鼠标键盘控制方式向计算机输入信息[14]
。武汉理工大学硕士学位论文
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根据其技术原理，触摸屏可分为矢量压力传感式、电阻式、电容式、红外
式和表面声波式等五类，当前电阻式触摸屏在嵌入式系统中用的较多。电阻触
摸屏是一个多层的复合膜，由一层玻璃或有机玻璃作为基层，表面涂有一层透
明的导电层，上面盖有一层塑料层，它的内表面也涂有一层透明的导电层，在
两层导电层之间有许多细小的透明隔离点把它们隔开绝缘。工业中常用 ITO
（Indium Tin Oxide 氧化锡）作为导电层。电阻式触摸屏根据信号线数又分为四
线、五线、六线……等类型。信号线数量越多，技术越复杂，坐标定位也越精
确。所有电阻式触摸屏的基本原理都是类似的，当触摸屏幕时，平常绝缘的两
层导电层在触摸点位置就有了一个接触，控制器检测到这个接通后，由于其中
一面导电层接通 Y 轴方向的 5V 均匀电压，另一导电层将接触点的电压引至控制
电路进行 A/D 转换，得到电压值后与 5V 相比，即可得触摸点的 Y 轴坐标，同
理得出 X 轴的坐标[15]
。本文使用是四线电阻式触摸屏。
S3C2440 提供 8 路 A/D 模拟输入，其中有 4 路是与触摸屏复用的，如果 XP、
XM、YP、YM 这 4 根引脚不用做触摸屏输入的时候可以作为普通的 A/D 转换使
用。S3C2440 的触摸屏接口有四种工作模式：
（1）正常转换模式：此模式与通用的 A/D 转换模式相似。此模式可在
ADCCON（ADC 控制寄存器）中设置，在 ADCDAT0（数据寄存器 0）中完成
数据读写。
（2）X/Y 坐标各自转换：触摸屏控制器支持两种转换模式，X/Y 坐标各自
转换与 X/Y 坐标自动转换。各自转换是在 X 模式下，将 X 坐标写入 ADCDAT0
然后产生中断；在 Y 模式下，将 Y 坐标写入 ADCDAT1 然后产生中断。
（3）X/Y 坐标自动转换：在此模式下，触摸屏控制器先后转换触摸点的 X
坐标与 Y 坐标。当 X 坐标与 Y 坐标都转换完成时，会向中断控制器产生中断。
（4）等待中断模式：当触摸笔按下时，触摸屏产生中断（INT_TC）。等待
中断模式必须将寄存器 rADCTSC 设置为 0xd3；在触摸屏控制器产生中断以后，
必须将此模式清除。
本设计采用的触摸屏是由广州友善之臂公司提供的，并且已经加在 LCD 屏
AA084VC03 之上，与 LCD 一起提供了一个对外接口。AA084VC03 是日本三菱
公司的 8.4 寸 TFT-LCD，分辨率为 640x480，262K 色。本款触摸屏为四线电阻
式触摸屏，使用 S3C2440 的触摸屏控制单元可以大大简化电路设计。具体电路
图见下一小节中的图 2－6。AM29LV800D
看看对你有没有用
⑩ 黑科技是什么意思
现在日常生活中，我们常说的黑科技更多的是指网络的新名词，即指高科技泛滥之后演变出来更强大或者更先进的技术以及创新、软硬件结合等，也包括基于现有技术的改进升级和改产品的使用体验等。同时黑科技也泛指生活中一切让大家感到“不明觉厉”的新硬件、新软件、新技术、新工艺、新材料等。