晶振内部电路

Ⅰ 请问 能详细说明晶振里面各部分工作原理

有源晶振的内部电路如上图，其中石英晶体XT相当于一个性能稳定的电感，和电容C2串联组成LC谐振电路，两个三极管T1和T2组成反馈放大电路，维持振荡的持续稳定。

Ⅱ 精密晶振的内部电路情况到底是怎样的

从下面链接中找出来的两个资料比较发现：
http://www.bs-skyline.com/pdf/STM.pdf
http://www.bs-skyline.com/chinese/c_3.html－－－－－－－－－－－－－－－－E
文资料原本是不错的，但转成中文就大不相同了，感觉中文版本就是缺乏某种客观性！可惜的是两者都没有封装代码和名称，如果为查找这一部分资料提供链接，就很好了。

Ⅲ 什么是晶振电路

凯越翔晶振是晶体振荡器的简称，在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络。电工学上这个网络有两个谐振点，以频率的高低分，其中较低的频率是串联谐振；较高的频率是并联谐振。由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近，在这个极窄的频率范围内，晶振等效为一个电感，所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会组成并联谐振电路。这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路，由于晶振等效为电感的频率范围很窄，所以即使其他元件的参数变化很大，这个振荡器的频率也不会有很大的变化。晶振有一个重要的参数，那就是负载电容，一般的晶振的负载电容为10PF或20pF.选择与负载电容值相等的并联电容,就可以得到晶振标称的谐振频率。一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地,这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容,这个不能忽略。

Ⅳ 什么是晶振电路

单片机工作都需要有时钟信号电路，晶振是时钟信号的一种。
晶振电路就是产生一种周期性波形的电路，如果频率定了，就可以通过分频的方式实现定时，也就是你的时钟信号。

Ⅳ 晶振的原理及作用

晶振用一种能把电能和机械能相互转化的晶体在共振的状态下工作，以提供稳定，精确的单频振荡。在通常工作条件下，普通的晶振频率绝对精度可达百万分之五十。高级的精度更高。有些晶振还可以由外加电压在一定范围内调整频率，称为压控振荡器（VCO）。

晶振的作用是为系统提供基本的时钟信号。通常一个系统共用一个晶振，便于各部分保持同步。有些通讯系统的基频和射频使用不同的晶振，而通过电子调整频率的方法保持同步。

晶振通常与锁相环电路配合使用，以提供系统所需的时钟频率。如果不同子系统需要不同频率的时钟信号，可以用与同一个晶振相连的不同锁相环来提供。

(5)晶振内部电路扩展阅读

晶振是石英晶体谐振器（quartz crystal oscillator）的简称，也称有源晶振，它能够产生中央处理器（CPU）执行指令所必须的时钟频率信号，CPU一切指令的执行都是建立在这个基础上的，时钟信号频率越高，通常CPU的运行速度也就越快。

只要是包含CPU的电子产品，都至少包含一个时钟源，就算外面看不到实际的振荡电路，也是在芯片内部被集成，它被称为电路系统的心脏。

参考资料网络——晶振

Ⅵ 晶振电路详解

晶振电路
我用反向器（74LS00）与晶振、两个小电容、一个大电阻。用的是典型电路，内可在示波容器上就是不振?
HC的或HCT的才行，如果电容小的话，应该用MOS输入的门。LS芯片的最高截止频率没问题，原因是LS芯片需一个百欧级偏置电阻才能达到线性状态，此时增益又不够。
HC和LS速度上并无区别（最大40兆），问题出在振荡电路是将非门当成线性反向放大器来使用。HC只要加个10兆电阻即可，此时仍有足够的放大倍数（约100）。LS加个1兆电阻仍是非线性状态，不可能振荡，需要5千才能线性，但此时负反馈太深，放大倍数过小（小于10），仍不可能振荡。
原先CMOS比TTL的速度低，高速CMOS与TTL的速度低错不多，由于CMOS的优点工耗低，故得以发展，HC就是高速CMOS，但TTL的可靠性要好（短路不会烧掉，CMOS就不同啦）。

Ⅶ 晶振内部电路（或陶瓷片）的谐振频率如何推导的

由于C0远远大于C1所以Fs≈Fp≈Fr晶体谐振频率

第五、另外还需要说明的是，晶体发生谐振的导纳中是六大谐振频率，而不是两个。

不知道是不是帮到你了？

Ⅷ 请问什么是晶振电路谢谢

日振电路：
晶振是电路中常用用的时钟元件，全称是叫晶体震荡器，在单片专机系统属里晶振的作用非常大，他结合单片机内部的电路，产生单片机所必须的时钟频率，单片机的一切指令的执行都是建立在这个基础上的，晶振的提供的时钟频率越高，那单片机的运行速度也就越快。
晶振用一种能把电能和机械能相互转化的晶体在共振的状态下工作，以提供稳定，精确的单频振荡。在通常工作条件下，普通的晶振频率绝对精度可达百万分之五十。高级的精度更高。有些晶振还可以由外加电压在一定范围内调整频率，称为压控振荡器（vco）。
晶振的作用是为系统提供基本的时钟信号。通常一个系统共用一个晶振，便于各部分保持同步。有些通讯系统的基频和射频使用不同的晶振，而通过电子调整频率的方法保持同步。
晶振通常与锁相环电路配合使用，以提供系统所需的时钟频率。如果不同子系统需要不同频率的时钟信号，可以用与同一个晶振相连的不同锁相环来提供。

Ⅸ 晶振是用来干什么的在电路中起什么作用

晶振在应用具体起到的作用，微控制器的时钟源可以分为两类：
基于机械谐振器件的时钟源，如晶振、陶瓷谐振槽路；RC（电阻、电容）振荡器。一种是皮尔斯振荡器配置，适用于晶振和陶瓷谐振槽路。另一种为简单的分立RC振荡器。
基于晶振与陶瓷谐振槽路的振荡器通常能提供非常高的初始精度和较低的温度系数。RC振荡器能够快速启动，成本也比较低，但通常在整个温度和工作电源电压范围内精度较差，会在标称输出频率的5%至50%范围内变化。但其性能受环境条件和电路元件选择的影响。需认真对待振荡器电路的元件选择和线路板布局。在使用时，陶瓷谐振槽路和相应的负载电容必须根据特定的逻辑系列进行优化。具有高Q值的晶振对放大器的选择并不敏感，但在过驱动时很容易产生频率漂移（甚至可能损坏）。影响振荡器工作的环境因素有：电磁干扰（EMI）、机械震动与冲击、湿度和温度。这些因素会增大输出频率的变化，增加不稳定性，并且在有些情况下，还会造成振荡器停振。上述大部分问题都可以通过使用振荡器模块避免。这些模块自带振荡器、提供低阻方波输出，并且能够在一定条件下保证运行。
最常用的两种类型是晶振模块和集成RC振荡器（硅振荡器）。晶振模块提供与分立晶振相同的精度。硅振荡器的精度要比分立RC振荡器高，多数情况下能够提供与陶瓷谐振槽路相当的精度。
选择振荡器时还需要考虑功耗。分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。CMOS放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容值。比如，HC04反相器门电路的功率耗散电容值是90pF。在4MHz、5V电源下工作时，相当于1.8mA的电源电流。再加上20pF的晶振负载电容，整个电源电流为2.2mA。陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，相应地也需要更多的电流。相比之下，晶振模块一般需要电源电流为10mA ~60mA。硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频（固定）器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。一种低功率的硅振荡器，如MAX7375，工作在4MHz时只需不到2mA的电流。在特定的应用场合优化时钟源需要综合考虑以下一些因素：精度、成本、功耗以及环境需求。
参考链接：http://ke..com/view/480656.htm?fromtitle=%E6%99%B6%E6%8C%AF&fromid=108235&type=syn#5

Ⅹ 晶振电路上为什么要加一个1M的电阻

不是每个用晶体的地方都要加的。

部分是因为晶体驱动电路的原因,部分是因为晶体的不同类型或加工工艺的原因。

这个电阻也并不都是1M，有的大点有的小点，还更工作条件有关。

基本上，其作用是作为阻抗匹配，使晶体的驱动电路或晶体本身处于更良好的工作条件。

(10)晶振内部电路扩展阅读：

晶振和电阻的关系（资料来自YXC扬兴晶振官网《晶振、电容和电阻的关系》）

1、配合IC内部电路组成负反馈、移相,使放大器工作在线性区。

晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。

2、晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动；晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drive level调整用。用来调整drive level和发振余裕度。

3、并联降低谐振阻抗,使谐振器易启动；Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,并联降低谐振阻抗,使谐振器易启动。