经典驱动电路

Ⅰ 关于MOC3021驱动双向可控硅典型应用电路的问题

MC3021之2脚为低电平时双向可控硅导通，当它为高电平时，交流电的下一个过零点后截止。
RC的值图上已有标准值。
两电阻的功率没有明确经验值，1/4W貌似也可以正常工作。

Ⅱ EXB841的典型驱动电路和（带6个IGBT的）IPM智能模块怎么连啊，费解死了。 难道是EXB841驱动电路的接IGBT

EXB840、EXB841,是日产专用变频器驱动厚膜模块，驱动IGBT电路还得有一些其他辅助电路，不是一、二句说清楚。可参考这个模块相关电路。很多资料都有。

Ⅲ 非常无奈的三极管

1、PNP，发射极正电源，基极接控制脚（比如数字逻辑电路的输出端口，逻辑“1”时，基极接高电平，基极电压等于或者略小于正电源，三极管截止。逻辑“0”，基极相当于接地，三极管饱和导通），这时PNP管就相当于一个开关，工作在开关状态（饱和导通，截止）。这时可以用于驱动像蜂鸣器，数码管这类的器件，但不适合作为小信号的放大使用。这是最经典的三极管驱动电路，在数字电路，单片机里面比比皆是。
2、第二种接法其实不太准确，正规的来说，没有什么基极负，发射极正的说法。只有发射结正偏（对于PNP管来讲，发射结的方向从发射极指向基极，要PN结正偏，也就是要发射极的电压至少高于基极电压0.7V，PN结正向导通。）或者发射结反偏（发射极电压小于基极电压），还有一种零偏（两个电压相等）。
如果要三极管工作在放大状态，务必要发射结正偏，集电结反偏。如果要工作在饱和状态，则发射结正偏，集电结正偏或者零偏。如果要工作在截止状态，则发射结、集电结都反偏或者发射结零偏。
PNP管如果作为音频放大，则基极是信号输入端，基极的电压肯定在正负电源之间（此时的负电源有可能是0V，也有可能是负电压），如果接正电源就没法放大信号了。
三极管的状态和连接方法其实不麻烦，多看看也就那么回事。

Ⅳ 如何看懂经典电路图

看懂电路图其实并不难。
但你要看懂，必须要有扎实的基础知识才行。
你起码必须知道各种回电子元件的答功用，什么是整流电路、滤波电路、放大电路、钳位电路、控制电路、单端放大、推挽放大、CTL电路、OCL电路、振荡电路、混频电路、调谐电路、各种门电路及各种数字电路等等等等。
只有知道了这些，看电路图，才会说，噢，这是电源部分，这是接收部分、这是放大部分、这是驱动部分、这是输出部分等等等等，然后才能自然地把这些联想起来，哪一部分出现故障会导致什么问题。
没有个三五年，十来年，是不可能的。

Ⅳ MOSFET几种典型驱动电路

MOSFET数字电路
数字科技的进步，如微处理器运算效能不断提升，带给深入研发新一代MOSFET更多的动力，这也使得MOSFET本身的操作速度越来越快，几乎成为各种半导体主动元件中最快的一种。MOSFET在数字信号处理上最主要的成功来自CMOS逻辑电路的发明，这种结构最大的好处是理论上不会有静态的功率损耗，只有在逻辑门（logic gate）的切换动作时才有电流通过。CMOS逻辑门最基本的成员是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS逻辑门的基本操作都如同反相器一样，在逻辑转换的瞬间同一时间内必定只有一种晶体管（NMOS或是PMOS）处在导通的状态下，另一种必定是截止状态，这使得从电源端到接地端不会有直接导通的路径，大量节省了电流或功率的消耗，也降低了集成电路的发热量。
MOSFET在数字电路上应用的另外一大优势是对直流（DC）信号而言，MOSFET的栅极端阻抗为无限大（等效于开路），也就是理论上不会有电流从MOSFET的栅极端流向电路里的接地点，而是完全由电压控制栅极的形式。这让MOSFET和他们最主要的竞争对手BJT相较之下更为省电，而且也更易于驱动。在CMOS逻辑电路里，除了负责驱动芯片外负载（off-chip load）的驱动器（driver）外，每一级的逻辑门都只要面对同样是MOSFET的栅极，如此一来较不需考虑逻辑门本身的驱动力。相较之下，BJT的逻辑电路（例如最常见的TTL）就没有这些优势。MOSFET的栅极输入电阻无限大对于电路设计工程师而言亦有其他优点，例如较不需考虑逻辑门输出端的负载效应（loading effect）。

模拟电路
有一段时间，MOSFET并非模拟电路设计工程师的首选，因为模拟电路设计重视的性能参数，如晶体管的转导（transconctance）或是电流的驱动力上，MOSFET不如BJT来得适合模拟电路的需求。但是随著MOSFET技术的不断演进，今日的CMOS技术也已经可以符合很多模拟电路的规格需求。再加上MOSFET因为结构的关系，没有BJT的一些致命缺点，如热破坏（thermal runaway）。另外，MOSFET在线性区的压控电阻特性亦可在集成电路里用来取代传统的多晶硅电阻（poly resistor），或是MOS电容本身可以用来取代常用的多晶硅—绝缘体—多晶硅电容（PIP capacitor），甚至在适当的电路控制下可以表现出电感（inctor）的特性，这些好处都是BJT很难提供的。也就是说，MOSFET除了扮演原本晶体管的角色外，也可以用来作为模拟电路中大量使用的被动元件（passive device）。这样的优点让采用MOSFET实现模拟电路不但可以满足规格上的需求，还可以有效缩小芯片的面积，降低生产成本。
随著半导体制造技术的进步，对于整合更多功能至单一芯片的需求也跟著大幅提升，此时用MOSFET设计模拟电路的另外一个优点也随之浮现。为了减少在印刷电路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成电路数量、减少封装成本与缩小系统的体积，很多原本独立的类比芯片与数位芯片被整合至同一个芯片内。MOSFET原本在数位集成电路上就有很大的竞争优势，在类比集成电路上也大量采用MOSFET之后，把这两种不同功能的电路整合起来的困难度也显著的下降。另外像是某些混合信号电路（Mixed-signal circuits），如类比/数位转换器（Analog-to-Digital Converter,ADC），也得以利用MOSFET技术设计出效能更好的产品。

Ⅵ 端子集电极输出2.7v（说明书写着集电极输出，最大输出16v,30ma,测量实际输出才2.7v）

这个NPN的三极管按照你的这种接法，根本就无法工作的。
从你的要求来看，这用经典驱动电路即可满足要求。
你可以参考网络文库里面的继电器驱动电路
http://wenku..com/link?url=_

Ⅶ 求指导经典晶闸管的驱动电路

Ⅷ igbt驱动板的典型IGBT驱动板电路原理图

下图为DA962Dx系列原理图，参考下图可设计出最大可驱动300A/1700V的IGBT驱动板，市售全功能版本的IGBT驱动板是在此基础上增加了更多保护、指示等附加功能。
下图为DA102Dx系列原理图，参考下图可设计出最大可驱动2400A/1700V的IGBT驱动板。

Ⅸ 选择IGBT主要要考虑哪些参数

1、看你用的电压等级；
2、看你的需要的电流大小及其过载能力；
3、使用热仿真软件仿真一下数据，看看IGBT选型是否正确，Tj有没有超过允许的温度。
深圳市凯泰电子供应IGBT，国产IGBT，电磁炉专用IGBT，交期有保障

Ⅹ IGBT如何选择需要参考哪些参数

最高电压
最大电流
输入电容
若开关频率大于5KHZ
最好配驱动芯片.
或采用经典驱动电路(18V结构)