分压式偏置电路

1. 分压式偏置电路具有自动稳定什么的优点

具有自动稳定静态工作点的优点。对于偏置电路来讲,能够自动调节放大器的静态工作点。

晶体管构成的放大器要做到不失真地将信号电压放大，就必须保证晶体管的发射结正偏、集电结反偏。即应该设置它的工作点。所谓工作点就是通过外部电路的设置使晶体管的基极、发射极和集电极处于所要求的电位（可根据计算获得）。这些外部电路就称为偏置电路。

Re越大稳定性越好。但事物总是具有两面性，Re太大其功率损耗也大，同时Ve也会增加很多，使Vce减小导致三极管工作范围变窄，降低交流放大倍数。因此Re不宜取得太大。在小电流工作状态下，Re值为几百欧到几千欧；大电流工作时，Re为几欧到几十欧。

偏置电路往往有若干元件，其中有一重要电阻，往往要调整阻值，以便集电极电流Ic在设计规范内，保证晶体管正常工作，这要调整的电阻就是偏置电阻Re阻值大小。

2. 分压式射极偏置电路由几个元件组成,它们的作用分别是什么

包括基极上偏置电阻Rb1、下偏置电阻Rb2，以及发射极电阻Re三个电阻。
Rb1和Rb2分压为基极提供偏置电压，Re起到电流负反馈作用，稳定工作点。

3. 对直流而言，分压式偏置电路式是什么反馈电路

晶体管分压式偏置电路主要由上偏置电阻Rb1和下偏置电阻Rb2以及射极电阻Re构成。Re上并联有一个容量较大的电容器Ce，对于直流来说相当于开路。对于直流来说，电阻Re实际上是引入了负反馈，Re的阻值越大对Ic的抑制作用越强，电路的稳定性就好。所以分压式偏置电路是一种负反馈电路。

4. 分压偏置电路问题

、上偏置电阻和下偏置电阻。分压式偏置电路中，R1称为上偏置电阻，R2称为下偏置电阻，虽然基极电流通过上偏置电阻R1构成回路，但是R1和R2分 压后的电压决定了VT1基极电压的大小，在三极管发射极电阻R4阻值大小确定的情况下，也就决定了基极电流的大小，所以R1和R2同时决定VT1基极电流 的大小。

5. 分压式偏置电路的输出电压和输入电压的相位差是1800吗

放大电路的输出电压与输入电压之间的相位差是由放大电路的结构所决定的，与偏置电路的形式没有关系。
例如采用分压式偏置电路形式的共发射极放大器，它的输出电压与输入电压的相位差是180°(反相) ，而同样是采用分压式配置电路的共集电极放大器，它的输出电压与输入电压的相位差是0°(同相)。

6. 什么是分压式偏置放大电路

分压式偏置的意思就是偏置电压由两只电阻分压提供.简单的说,两只电阻串联后一端接电源,一端接地.中间部接三极管的基极.

7. 分压式偏置电路在更换三极管时需不需要重新调整静态控制点

以NPN三极管为例说明:
1、分压式偏置电路晶体管断路、或拆下时，b极的电压等于上下偏置电阻的分压值，通过两个阻值和电源电压可以计算得到。C极的电压电源电压，e极的电压等于0
2、如果三极管击穿，相当于bce短路，三极管的bce电压相等，如果e极没有串接电阻，直接接在电源负极，那么三个极的电压接近于0电压。但是这种状态最终可能会烧保险或是烧断c极。
3、在实际维修发现，有时候虽然三极管坏了，但be之间的PN接是好的，这种状态下b极的电压和三极管正常时候的一样，约等于0.5-0.7(硅管)，还有各种不同情况存在，要在具体电路中才能准确描述。

更换晶体三极管后，放大电路的静态工作点有无影响？毋庸置疑是有影响的，只是大小问题。
影响的大小与偏置的形式没有多大关系，而是与工作点稳定电路有极大关系，如果没有工作点稳定电路，更换三极管后，工作点可能会改变很多，因为不同的三极管，放大倍数是不同的，漏电是不同的，其它参数也是不同的。别说三极管，其它元件参数及温度和电压的变化都会影响工作点。而如果放大电路有性能优良的工作点稳定电路，则更换元件后，工作点的变化可忽略，所以实用的三极管放大电路都应设工作点自动稳定电路。

8. 分压式偏置电路是在基本放大电路的基础上增加了哪几个元件

分压式偏置电路在基本放大电路的基础上，增加了下偏电阻Rb2、射极串联电阻Re以及和Re并联的旁路电容Ce。

9. 分压式偏置电路的稳定静态工作点的原理

可以通过改变电路参数来改变静态工作点，这就可以设置静态工作点，若静态工作点设置的不合适，在对交流信号放大时就可能会出现饱和失真（静态工作点偏高）或截止失真（静态工作点偏低）。

所谓静态工作点，是指当放大电路处于静态时，电路所处的工作状态。在Ic/Uce 图上表现为一个点，即当确定的Vcc、Rb、Rc和晶体管状态下产生的电路工作状态。当其中一项改变时引起Ib变化而引起Q点沿着直流负载线上下移动。

(9)分压式偏置电路扩展阅读

静态工作点测量方法的改进

从共射放大电路的静态模型可知，在测量基极电压 U B时，由于基极端的等效电阻由三部分组成，第一，基区的体电阻 RB，第二，射极电阻 Re折合到基极端的电阻等于(1+β)Re，第三，基极下偏置电阻 Rb1，其阻值很大。所以基极端等效电阻（几十千欧）比较大，如果直接将万用表并接在基极测量 U B，则会严重的影响测量的准确度。

这时我们需采用间接测量方法，由静态模型可知，在三极管输入端导通以后其输入端电阻 RB较小，这样用较大内阻的万用表并接在B-E 极来测量 UBE，其引入的误差会很小，因此我们就可以通过测量 UBE和 UE的值，间接的测量出 U B的值，UB=UBE+UE.

这样就解决了学生在实验时遇到与理论不相符的问题.在测量发射极电压 E时，从发射极看进去的等效内阻由两部分组成，第一，发射极电阻 Rb1和 Re1，都比较小，第二，基区电阻 RB折合到发射极 RB/(1+β)。所以发射极电阻较小，另一方面，由于并接万用表在发射极后，相当于引入了一个电压串联负反馈，可以稳定发射极电压。

所以可以使用万用表直接并接测量 UE.在测量集电极电压 UC时，由静态模型可知，R2（几千欧）比较小，同时 UC的电位相对 UE的电位比较大，所以可以使用较大电压档并接在集电极直接测量UC。

10. 分压式偏置电路如图所示

1）关于基极电压的求解；

简单的： Ub = Vcc*Rb2/(Rb1+Rb2)；

严谨点的如上图示，采用戴维南等效理论，通常工程设计上采用前一种方法已能满足要求；

2）有了Ub，则 Ub = Ube + Ue，Ue = Ie*Re，这样得到 Ie；

那么，Uc = Vcc - Ic*Rc；Ic 取 = Ie，或者 Ic = Ie*β/(1+β)；

这样，Ub、Uc、Ue、Ic 等参数都得到了；

同时因为Re交流短路，所以 rbe = rbb+(1+β)*26/Ie；（直接套用公式）

3） Ro = Rc，Ri = Rb1//Rb2//rbe；

Uo = ic*Rc，Ui = ib*rbe；

Au = Uo/Ui =β*Rc/rbe (还是公式)；

4）微变等效电路，比照教材做吧（没有Re的那种）