❶ 与门电路输出高电平为什么只有0.6V
对于TTL门电路来说，低电平电压低于0.3V，高电平电压高于2.4V 。 只有0.6V不合符数字电路的电平回要求。要么芯片损坏答了，要么输出端后面接错电路了。另外就是每个门电路有带负载的限制，数据手册有扇出系数的概念，看下是否超出其带负载大小了，不过一般很少人将一个输出端接3个以上的负载。
❷ 汽车门电路是什么
一、整车电路的组成
汽车整车电路通常有电源电路、起动电路、点火电路、照明与灯光信号装置电路、仪表信息系统电路、辅助装置电路和电子控制系统电路组成。
1、 电源电路
也称充电电路，是由蓄电池、发电机、调节器及充电指示装置等组成的电路，电能分配（配电）及电路保护器件也可归入这一电路。
2、 起动电路
是由起动机、起动继电器、起动开关及起动保护电路组成的电路。也可将低温条件下 起动预热的装置及其控制电路列入这一电路内。
3、点火电路
是汽油发动机汽车特有的电路。它由点火线圈、分电器、电子点火控制器、火花塞及点火开关组成。微机控制的电子点火控制系统一般列入发动机电子控制系统中。
4、照明与灯光信号装置电路
是由前照灯、雾灯、示廓灯、转向灯、制动灯、倒车灯、车内照明灯及有关控制继电器和开关组成的电路。
5、仪表信息系统电路
是由仪表及其传感器、各种报警指示灯及控制器组成的电路。
6、辅助装置电路
是由为提高车辆安全安性、舒适性等而设置的各种电器装置组成的电路。辅助电器装 置的种类随车型不同而有所差异，汽车档次越高，辅助电器装置越完善。一般包括风 窗刮水及清洗装置、风窗除霜（防雾）装置、空调装置、音响装置等。较高级车型上还装有车窗电动举升装置、电控门锁、电动座椅调节装置和电动遥控后视镜等。电子 控制安全气囊归入电子控制系统。
7、电子控制系统电路
主要有发动机控制系统（包括燃油喷射、点火、排放等控制）、自动变速器及恒速行驶控制系统、制动防抱死系统、安全气囊控制系统等电路组成。
二、三种电路图
1、布线图
布线图识按照汽车电器在车身上的大体位置来进行布线的。
其特点是：全车的电器（即电器设备）数量明显且准确，电线的走向清楚，有始有终，便于循线跟踪，查找起来比较方便。它按线束编制将电线分配到各条线束中去与各个插件的位置严格对号。在各开关附近用表格法表示了开关的接线与挡位控制关系，表示了熔断器与电线的连接关系，表明了电线的颜色与截面积。
布线图的缺点：图上电线纵横交错，印制版面小则不易分辨,版面过大印装受限制；读图、画图费时费力，不易抓住电路重点、难点；不易表达电路内部结构与工作原理。
2、原理图
◇ 整车电路原理图：
为了生产与教学的需要，常常需要尽快找到某条电路的始末，以便确定故障分析的路线。在分析故障原因时，不能孤立地仅局限于某一部分，而要将这一部分电路在整车电路中的位置及与相关电路的联系都表达出来。整车电路图的优点在于：
（1）对全车电路有完整的概念，它既是一幅完整的全车电路图，又是一幅互相联系的局部电路图。重点难点突出、繁简适当。
（2）在此图上建立起电位高、低的概念：其负极“－”接地（俗称搭铁），电位最低，可用图中的最下面一条线表示；正极“＋”电位最高，用最上面的那条线表示。电流的方向基本都是由上而下，路径是：电源正极“＋”→开关→用电器→搭铁→电源负极“－”。
（3）大可能减少电线的曲折与交叉，布局合理，图面简洁、清晰，图形符号考虑到元器件的外形与内部结构，便于读者联想、分析，易读、易画。
（4）各局部电路（或称子系统）相互并联且关系清楚，发电机与蓄电池间、各个子系统之间的连接点尽量保持原位，熔断器、开关及仪表等的接法基本上与原图吻合。
◇ 局部电路原理图：
为了弄清汽车电器的内部结构，各个部件之间相互连接的关系，弄懂某个局部电路的工作原理，常从整车电路图中抽出某个需要研究的局部电路，参照其他翔实的资料，必要时根据实地测绘、检查和试验记录，将重点部位进行放大、绘制并加以说明。这种电路图的用电器少、幅面小，看起来简单明了，易读易绘；其缺点是只能了解电路的局部。如图8－7所示为普桑发动机部分的电路原理图。
3、线束图
整车电路线束图常用于汽车厂总装线和修理厂的连接、检修与配线。线束图主要表明电线束各用电器的连接部位、接线柱的标记、线头、插接器（连接器）的形状及位置等，它是人们在汽车上能够实际接触到的汽车电路图。这种图一般不去详细描绘线束内部的电线走向，只将露在线束外面的线头与插接器详细编号或用字母标记。它是一种突出装配记号的电路表现形式，非常便于安装、配线、检测与维修。如果再将此图各线端都用序号、颜色准确无误地标注出来，并与电路原理图和布线图结合起来使用，则会起到更大的作用且能收到更好的效果。
三、一般汽车电路的接线规律
汽车线路一般采用单线制、用电设备并联、负极搭铁、线路有颜色和编号加以区分，并以点火开关为中心将全车电路分成几条主干线，即：蓄电池火线（30号线）、附件火线（Acc线）、钥匙开关火线（15号线）。
（1）蓄电池火线（B线或30号线）
从蓄电池正极引出直通熔断器盒，也有汽车的蓄电池火线接到起动机火线接线柱上，再从那里引出较细的火线。
（2）点火仪表指示灯线（IG线或15号线）
点火开关在ON（工作）和ST（起动）挡才有电的电线，必须有汽车钥匙才能接通点火系统、预充磁、仪表系统、指示灯、信号系、电子控制系重要电路。
（3）专用线（Acc线或15A线）
用于发动机不工作时需要接入的电器，如收放机、点烟器等。点火开关单独设置一挡予以供电，但发动机运行时收音机等仍需接入与点火仪表指示灯等同时工作，所以点火开关触刀与触点的接触结构要作特殊设计。
（4）起动控制线（ST线或50号线）
起动机主电路的控制开关（触盘）常用磁力开关来通断。磁力开关的吸引线圈、保持线圈可以由点火开关的起动挡控制。大功率起动机的吸引、保持线圈电流也很大（可达40~80A），容易烧蚀点火开关的“30－50”触点对，必须另设起动机继电器（如东风、解放及三菱重型车）。装有自动变速器的轿车，为了保证空挡起动，常在50号线上串有空挡开关。
（5）搭铁线（接地线或31号线）
汽车电路中，以元件和机体（车架）金属部分作为一根公共导线的接线方法称为单线制，将机体与电器相接的部位称为搭铁或接地。搭铁点分布在汽车全身，由于不同金属相接（如铁、铜与铝、铅与铁），形成电极电位差，有些搭铁部位容易沾染泥水、油污或生锈，有些搭铁部位是很薄的钣金件，都可能引起搭铁不良，如灯不亮、仪表不起作用、喇叭不响等。要将搭铁部位与火线接点同等重视，所以现代汽车局部采用双线制，设有专门公共搭铁接点，编绘专门搭铁线路图，堪与熔断器电路提纲图并列。为了保证起动时减少线路接触压降，蓄电池极桩夹头、车架与发动机机体都接上大截面积的搭铁线，并将接触部位彻底除锈、去漆、拧紧。
四、读识电路图的一般要点
（1）纵观“全车”，眼盯“局部”－由“集中”到“分散”。
全车电路一般都是由各个局部电路所构成，它表达了各个局部电路之间的连接和控制关系。要把局部电路从全车总图中分割出来，就必须掌握各个单元电路的基本情况和接线规律。
汽车电路的基本特点是：单线制、负极搭铁、各用电器互相并联。各单元（局部）电路，例如电源系统、起动系统、点火系统、照明系统、信号系统、仪表系统等都有其自身的一些特点，看电路要以其自身的特点为指导，去分解并研究全车电路，这样做会少一些盲目性，能较快速、准确地识读汽车电路图。开始，必须认真地读几遍图注，对照线路图查看电器在车上的大概位置及数量，电器的用途，有没有新颖独特的电器，如有，应加倍注意。
（2） 抓住“开关”的作用－所控制的“对象”。开关是控制电路通断的关键，特别注意继电器不但是控制开关也是被控制对象。
（3） 寻找电流的“回路”－控制对象的“通路”。
回路是最简单的电气学概念。无论什么电器，要想正常工作（将电能转换为其他形式的能），必须与电源（发电机或蓄电池）的正负两极构成通路。即：从电源的正极出发→通过用电器→回到同一电源的负极。这个简单而重要的原则无论在读什么电路图时都是必须用到的，在读汽车电路时却往往被忽略，理不出头绪来。
❸ 如何学好模电和数电
好好看书，认真听讲
选1本较好的参考书~~~
多做练习，经常动手~~~~~
模拟电子电路不要看平时学的难,考试的时候考的很简单.我认为你要把这门课程学好的话当然不花个几个月是不行的,要是应付考试花一两天甚至几个小时都考的过60分,方案如下:
这个时候你说要把书来看一遍肯定是来不及,而且也没的必要.把最近几年的考试卷子一定要找到,这个就是你考试过的必要工具.找个对这个课学的可以的或者懂的到点点的,让他给你说哈哪道大题是对应哪一章的(这个时候先专攻大题,基本上大题所对应的章节是独立的,不会来个综合几章的考题),然后就靠你各个击破了.你去分析考试题时你会发现每年的考题都用那几个公式,基本上解题也是模式化,所以你每章认真吃透两三道考题就OK,这个时候不要为什么要那么做,只管是什么就行.
(1)放大器电路那章是重点,直流通路,交流通路,还有交流等效电路,共基、共射、共集放大器算电压增益,输入,输出电阻这些是重点花的时间要多点,最好找个人给你讲要快些.差不多2小时可以把这章的大题搞定.
(2)第二个重难点就是放大电路的反馈那章,考试知识点也很固定,基本就考判断正负反馈的方法,负反馈放大电路的放大倍数公式四种组态对放大性能对放大电路的影响反馈系数等.花1到2小时搞定.
(3)前面半导体器件介绍章节像二极管,三极管,场效应管这些东西都是基础,这部分应该先看,因为后面要用到这里的基础知识.也花不到好多时间.
(4)各种电压比较器的特点,门限电压的分析,基本运算电路的公式,矩形波和三角波电路的画法,直流稳定电源,差分放大电路,频率响应这些都很快1小时搞定了
数字电路我告诉你怎么学：
数字电路里最重要的是知道什么是1什么是0，这只是两个电平，理解它的意思你就会一半的数电了。
明白各种数进制的转换，2进制、10进制、16进制等。
会使用计数器、触发器，会用它们设计数字电路
别的没了~我工作好几年，数电基本上就用到这些，这只占数电课程的很小一部分，但是知道这些，足够你出去混饭吃了~别的学了也是白学，浪费时间精力，信我一句话。
若是为考验做准备的话，那可需要把全部内容学透了，研究生考试可不管内容有用没用，都要考的。但是考试的重点一般会放在门电路的设计和计数器电路的设计上，主要就这两块，需要专攻。另外卡诺图也得看看，很可能也考。
❹ 与或非口诀
无论多么复杂的单片机电路，都是由若干基本电路单元组成的。2.2.1 常用的逻辑门电路最基本的门电路是与、或、非门，把它们适当连接可以实现任意复杂的逻辑功能。用小规模集成电路构成复杂逻辑电路时，最常用的门电路是与（AND）、或（OR）、非（INV BUFF）、恒等（BUFF）、与非（NAND）、或非（NOR）、异或（XOR）。主要是因为这7种电路既可以完成基本逻辑功能，又具有较强的负载驱动能力，便于完成复杂而又实用的逻辑电路设计。1.与门与门是一个能够实现逻辑乘运算的、多端输入、单端输出的逻辑电路，逻辑函数式：F = A·B其记忆口诀为：有0出0，全1才1。2.或门或门是一个能够实现逻辑加运算的多端输入、单端输出的逻辑电路，逻辑函数式：F = A+B其记忆口诀为：有1出1，全0才0。3.非门实现非逻辑功能的电路称为非门，有时又叫反相缓冲器。非门只有一个输入端和一个输出端，逻辑函数式是：F =A非非门逻辑符号4.恒等门实现恒等逻辑功能的电路称为恒等门，又叫同相缓冲器。恒等门只有一个输入端和一个输出端，逻辑函数式是：F = A 同相缓冲 器和反相缓冲器在数字系统中用于增强信号的驱动能力。5.与非门与和非的复合运算称为与非运算，逻辑函数式是：F = A.B非其记忆口诀为：有0出1，全1才0。6.或非门
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或与非的复合运算称为或非运算，逻辑函数式是：F = A+B非其记忆口诀为：有1出0，全0才1。 7.异或门异或逻辑也是一种广泛应用的复合逻辑，其记忆口诀为：相同出0，不同出1。 逻辑门电路是单片机外围电路运算、控制功能所必需的电路。在单片机系统中我们经常使用集成逻辑电路（常称为集成电路）。一片集成逻辑门电路中通常含有若干个逻辑门电路，如7400为4重二输入与非门，即7400内部有4个二输入的与非门。 高速CMOS74HC逻辑系列集成电路具有低功耗、宽工作电压、强抗干扰的特性，是单片机外围通用集成电路的首选系列。随着单片机内部功能的不断增强和硬件软件化，外部所用的逻辑门电路将越来越少。 8.门电路的国标符号与国际流行符号常用门电路国标符号与国际流行符
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号对照如图所示。 2.2.2 集电极开路门输出电路门电路的输出级采用集电极开路的三极管结构，制成集电极开路门电路（OC门, Open Collector Gate）。OC与非门的逻辑符号如图所示。 OC与非门逻辑符号 由于OC门的输出端是开路的，即悬空，故OC门在应用时输出端需外接一个上拉负载电阻和电源。通过选择合适的电阻和电源电压，既可以
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保证输出的高、低电平合乎要求，又可使输出端三极管的负载电流不会过大。 OC门在单片机系统中主要有两个作用：一个是“线与”另一个是驱动器。 OC门在单片机系统中，还常常作为控制执行机构。利用OC门可以控制一些较大电流的执行机构，用OC门和晶体管控制电动机的电路如图所示。 OC非门和晶体管控制电动机 逻辑门电路符号图包括与门，或门，非门，同或门，异或门，还有这些门电路的逻辑表达式， 1．与逻辑 （1）与逻辑：当决定某一事件的所有条件都具备时，该事件才会发生。 （2）真值表：符号0和1分别表示低电平和高电平，将输入变量可能的取值组合状态及其对应的输出状态列成的表格。 表11.2 与门真值表 A B Y 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1
❺ 门电路工作原理
第五节 CMOS逻辑门电路
http://www.fjtu.com.cn/fjnu/courseware/0321/course/_source/web/lesson/char2/j6.htm 看看把
CMOS逻辑门电路是在TTL电路问世之后 ，所开发出的第二种广泛应用的数字集成器件，从发展趋势来看，由于制造工艺的改进，CMOS电路的性能有可能超越TTL而成为占主导地位的逻辑器件 。CMOS电路的工作速度可与TTL相比较，而它的功耗和抗干扰能力则远优于TTL。此外，几乎所有的超大规模存储器件 ，以及PLD器件都采用CMOS艺制造，且费用较低。
早期生产的CMOS门电路为4000系列 ，随后发展为4000B系列。当前与TTL兼容的CMO器件如74HCT系列等可与TTL器件交换使用。下面首先讨论CMOS反相器，然后介绍其他CMO逻辑门电路。
MOS管结构图
MOS管主要参数：
1.开启电压VT
·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；
·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2. 直流输入电阻RGS
·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
3. 漏源击穿电压BVDS
·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
·ID剧增的原因有下列两个方面：
（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿
（2）漏源极间的穿通击穿
·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后
，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID
4. 栅源击穿电压BVGS
·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
5. 低频跨导gm
·在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
·是表征MOS管放大能力的一个重要参数
·一般在十分之几至几mA/V的范围内
6. 导通电阻RON
·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大 ，一般在几十千欧到几百千欧之间
·由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似
·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内
7. 极间电容
·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS
·CGS和CGD约为1～3pF
·CDS约在0.1～1pF之间
8. 低频噪声系数NF
·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的
·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输 出端也出现不规则的电压或电流变化
·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）
·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小
·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小
一、CMOS反相器
由本书模拟部分已知，MOSFET有P沟道和N沟道两种，每种中又有耗尽型和增强型两类。由N沟道和P沟道两种MOSFET组成的电路称为互补MOS或CMOS电路。
下图表示CMOS反相器电路，由两只增强型MOSFET组成，其中一个为N沟道结构，另一个为P沟道结构。为了电路能正常工作，要求电源电压VDD大于两个管子的开启电压的绝对值之和，即
VDD＞(VTN＋|VTP|) 。
1.工作原理
首先考虑两种极限情况：当vI处于逻辑0时 ，相应的电压近似为0V；而当vI处于逻辑1时，相应的电压近似为VDD。假设在两种情况下N沟道管 TN为工作管P沟道管TP为负载管。但是，由于电路是互补对称的，这种假设可以是任意的，相反的情况亦将导致相同的结果。
下图分析了当vI=VDD时的工作情况。在TN的输出特性iD—vDS（vGSN＝VDD）(注意vDSN=vO)上 ，叠加一条负载线，它是负载管TP在 vSGP=0V时的输出特性iD－vSD。由于vSGP＜VT（VTN=|VTP|=VT），负载曲线几乎是一条与横轴重合的水平线。两条曲线的交点即工作点。显然，这时的输出电压vOL≈0V（典型值＜10mV ，而通过两管的电流接近于零。这就是说，电路的功耗很小（微瓦量级）
下图分析了另一种极限情况，此时对应于vI＝0V。此时工作管TN在vGSN＝0的情况下运用，其输出特性iD－vDS几乎与横轴重合 ，负载曲线是负载管TP在vsGP＝VDD时的输出特性iD－vDS。由图可知，工作点决定了VO＝VOH≈VDD；通过两器件的电流接近零值 。可见上述两种极限情况下的功耗都很低。
由此可知，基本CMOS反相器近似于一理想的逻辑单元，其输出电压接近于零或+VDD，而功耗几乎为零。
2.传输特性
下图为CMOS反相器的传输特性图。图中VDD=10V，VTN=|VTP|=VT=
2V。由于 VDD＞（VTN＋|VTP|），因此，当VDD-|VTP|>vI>VTN 时,TN和TP两管同时导通。考虑到电路是互补对称的，一器件可将另一器件视为它的漏极负载。还应注意到，器件在放大区（饱和区）呈现恒流特性，两器件之一可当作高阻值的负载。因此，在过渡区域，传输特性变化比较急剧。两管在VI=VDD/2处转换状态。
3.工作速度
CMOS反相器在电容负载情况下，它的开通时间与关闭时间是相等的，这是因为电路具有互补对称的性质。下图表示当vI=0V时 ，TN截止，TP导通，由VDD通过TP向负载电容CL充电的情况。由于CMOS反相器中，两管的gm值均设计得较大，其导通电阻较小，充电回路的时间常数较小。类似地，亦可分析电容CL的放电过程。CMOS反相器的平均传输延迟时间约为10ns。
二、CMOS门电路
1.与非门电路
下图是2输入端CMOS与非门电路，其中包括两个串联的N沟道增强型MOS管和两个并联的P沟道增强型MOS管。每个输入端连到一个N沟道和一个P沟道MOS管的栅极。当输入端A、B中只要有一个为低电平时，就会使与它相连的NMOS管截止，与它相连的PMOS管导通，输出为高电平；仅当A、B全为高电平时，才会使两个串联的NMOS管都导通，使两个并联的PMOS管都截止，输出为低电平。
因此，这种电路具有与非的逻辑功能，即
n个输入端的与非门必须有n个NMOS管串联和n个PMOS管并联。
2.或非门电路
下图是2输入端CMOS或非门电路。其中包括两个并联的N沟道增强型MOS管和两个串联的P沟道增强型MOS管。
当输入端A、B中只要有一个为高电平时，就会使与它相连的NMOS管导通，与它相连的PMOS管截止，输出为低电平；仅当A、B全为低电平时，两个并联NMOS管都截止，两个串联的PMOS管都导通，输出为高电平。
因此，这种电路具有或非的逻辑功能，其逻辑表达式为
显然，n个输入端的或非门必须有n个NMOS管并联和n个PMOS管并联。
比较CMOS与非门和或非门可知，与非门的工作管是彼此串联的，其输出电压随管子个数的增加而增加；或非门则相反，工作管彼此并联，对输出电压不致有明显的影响。因而或非门用得较多。
3.异或门电路
上图为CMOS异或门电路。它由一级或非门和一级与或非门组成。或非门的输出。而与或非门的输出L即为输入A、B的异或
如在异或门的后面增加一级反相器就构成异或非门，由于具有的功能，因而称为同或门。异成门和同或门的逻辑符号如下图所示。
三、BiCMOS门电路
双极型CMOS或BiCMOS的特点在于，利用了双极型器件的速度快和MOSFET的功耗低两方面的优势，因而这种逻辑门电路受到用户的重视
。
1.BiCMOS反相器
上图表示基本的BiCMOS反相器电路，为了清楚起见，MOSFET用符号M表示BJT用T表示。T1和T2构成推拉式输出级。而Mp、MN、M1、M2所组成的输入级与基本的CMOS反相器很相似。输入信号vI同时作用于MP和MN的栅极。当vI为高电压时MN导通而MP截止；而当vI为低电压时,情况则相反，Mp导通，MN截止。当输出端接有同类BiCMOS门电路时，输出级能提供足够大的电流为电容性负载充电。同理，已充电的电容负载也能迅速地通过T2放电。
上述电路中T1和T2的基区存储电荷亦可通过M1和M2释放，以加快
电路的开关速度。当vI为高电压时M1导通，T1基区的存储电荷迅速消散。这种作用与TTL门电路的输入级中T1类似。同理 ，当vI为低电压时，电源电压VDD通过MP以激励M2使M2导通，显然T2基区的存储电荷通过M2而消散。可见，门电路的开关速度可得到改善。
2.BiCMOS门电路
根据前述的CMOS门电路的结构和工作原理，同样可以用BiCMOS技术实现或非门和与非门。如果要实现或非逻辑关系，输入信号用来驱动并联的N沟道MOSFET，而P沟道MOSFET则彼此串联。正如下图所示的
2输入端或非门。
当A和B均为低电平时，则两个MOSFET MPA和MPB均导通，T1导通而MNA和MNB均截止，输出L为高电平。与此同时，M1通过MPA和MpB被VDD所激励，从而为T2的基区存储电荷提供一条释放通路。
另一方面，当两输入端A和B中之一为高电平时 ，则MpA和MpB的通路被断开，并且MNA或MNB导通，将使输出端为低电平。同时，M1A或M1B为T1的基极存储电荷提供一条释放道路。因此 ，只要有一个输入端接高电平，输出即为低电平。
四、CMOS传输门
MOSFET的输出特性在原点附近呈线性对称关系，因而它们常用作模拟开关。模拟开关广泛地用于取样——保持电路、斩波电路、模数和数模转换电路等。下面着重介绍CMOS传输门。
所谓传输门（TG）就是一种传输模拟信号的模拟开关。CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道增强型MOSFET并联而成，如上图所示。TP和TN是结构对称的器件，它们的漏极和源极是可互换的。设它们的开启电压|VT|=2V且输入模拟信号的变化范围为-5V到+5V 。为使衬底与漏源极之间的PN结任何时刻都不致正偏 ，故TP的衬底接+5V电压，而TN的衬底接-5V电压 。两管的栅极由互补的信号电压（+5V和-5V）来控制，分别用C和表示。
传输门的工作情况如下：当C端接低电压-5V时TN的栅压即为-5V，vI取-5V到+5V范围内的任意值时，TN均不导通。同时,TP的栅压为+5V
，TP亦不导通。可见，当C端接低电压时，开关是断开的。
为使开关接通，可将C端接高电压+5V。此时TN的栅压为+5V ，vI在-5V到+3V的范围内，TN导通。同时TP的棚压为-5V ，vI在-3V到+5V的范围内TP将导通。
由上分析可知，当vI＜-3V时，仅有TN导通，而当vI＞+3V时，仅有TP导通当vI在-3V到+3V的范围内，TN和TP两管均导通。进一步分析
还可看到，一管导通的程度愈深，另一管的导通程度则相应地减小。换句话说，当一管的导通电阻减小，则另一管的导通电阻就增加。由于两管系并联运行，可近似地认为开关的导通电阻近似为一常数。这是CMOS传输出门的优点。
在正常工作时，模拟开关的导通电阻值约为数百欧，当它与输入阻抗为兆欧级的运放串接时，可以忽略不计。
CMOS传输门除了作为传输模拟信号的开关之外，也可作为各种逻辑电路的基本单元电路。
❻ 怎样学好模电
于模电、数电的学习，对于多数人都很困惑，是块比较难啃的骨头，对于初学者模电要比数电学起来更加难些，由于模电是基于半导体技术为基础的学科，所以很多教科书一开始就讲述半导体物理，而半导体物理本身就是比较抽象的，这样一来使得很多初学者抱着较高的兴趣来学模电，结果翻开书本第一章节就遇到难以理解的知识，更不用谈元器件特性曲线，计算公式及其重要参数，而且后面的章节又是以前面章节中的的元器件为基础开始讲解的，于是这种看似合理的章节安排最终使得大多数初学者一再受到打击，无法提起兴趣继续学习，对于悟性好些的或许可以坚持多看几章内容，对于悟性不好的只能望而怯步，现在教科书都是如出一辙，个人认为要想理解模电（在这里先谈模电入门以后再说学好模电），关键是要有持之以恒，不达目的不罢休的精神；只有你认为你有这两点且超乎常人就不怕入不了门，只要入门了学好模电也是指日可待的事情。
上面的这些长篇大论似乎看起来都是些空空的大道理，给人感觉无多大实用价值，其实不然，讲下自己的学习经历你就会理解的我说的是切身体会，虽说现在自己也算不上什么模电达人但是我可以捶胸骄傲的说自己模电入门了，这为以后提高模电技术打下了坚实基础，不敢说我的学习方法对每个人都有用，但至少证明了对我而言自己的学习方法是正确的有效的；当初我也是一名模电爱好者，很幸运的是当时我也有机会学习模电技术，可惜的是学习了一段时间后不但没有长劲反而打击的自己联学习兴趣都没有了，于是上大学时我选择的自动化专业，模电在自动化专业中所占比重并不是很多，这样等于自己逃避了学习模电，再一次错过了学好模电的机会，大学毕业后在工作中发现模电技术很重要，一块电路板损坏了故障可能就是一个几毛钱的元件损坏引起，但是由于无人会修只能换掉整块小则数百大则数千的电路板，虽说这钱不由我们出，但是我们错过的是一次锻炼自己的机会，于是经历这种事情多了，就越发觉得模电的重要性，于是痛下决心开始学习模电。
和你一样再次拿起学校的教科书，开始硬啃，一句话一句话的仔细看反复琢磨，直到完全理解，之后每一个图每一条公式用自己的理解去解释它们，看是否符合逻辑，这样一来检验自己所学是否扎实二来不用去死记硬背那些公式，只要理解了就不需要去背诵任何一个公式的。这样一个过程下来看完一本书大概花了3个月的时间，看完一遍之后虽说理解了但是感觉知识点还是不太牢靠，总觉得有种丢三拉四的感觉，于是再一次从头看了一遍，这一遍过后花了一个半月时间掌握了75%以上的内容，于是为了巩固我看了第三遍使得自己的知识内容掌握到90%，当然有些知识点别人也有自己的理解可能与我们的理解相左，可以把这10%的困惑留下来以后慢慢理解。
在学习过程中不可能自己全部都理解了，尤其是看一遍就像全部理解那纯粹是天方夜谭，如果你看一遍觉得完全看不懂，这就对了，因为模电是需要仔细去揣摩的，看第一遍不是为了完全理解它在说什么，而是了解这本书都讲了什么内容，前后章节都是怎么联系起来的，这是看第一遍的要点所在，知道这个了，第一遍就没白看。
第二遍开始看时就需要仔细去理解每一句话每一幅图以及每一个公式的由来，对于不理解的地方不重要，可以借助其它参考书或网络，或学校老师等等其它途径来解决，记住你不知道的知识点肯定也有和你一样不知道的人在网络上求助，所以网络是很好的老师，因此不要拿父母的血汗钱来打游戏看电影，当然适当的休闲还是允许的
其次，有很多EDA软件可以在线仿真，网上有很多我就不写了，不同软件适合不同人，自己可以找一下的，EDA软件不仅可以帮助我们分析电路工作特性，加深对电路的理解，还可以帮助我们分析波形参数等等，使得我们学习效率大大提高，我们不用去实验室就可以完成一切操作了。
说了这么多，都是自己的一些个人经历，当然其他人也有更好的学习方法可以借鉴，总而言之想学好模电，信心很重要不要轻言放弃，不要三天打鱼两天晒网，否则你每次都是从零开始，永远啃不下这块揪心的骨头，何不如一鼓作气拿下它呢
❼ 怎样学好模拟电路
好好看书，认真听讲 选1本较好的参考书~~~ 多做练习，经常动手~~~~~ 模拟电子电路不要看平时学的难,考试的时候考的很简单.我认为你要把这门课程学好的话当然不花个几个月是不行的,要是应付考试花一两天甚至几个小时都考的过60分,方案如下: 这个时候你说要把书来看一遍肯定是来不及,而且也没的必要.把最近几年的考试卷子一定要找到,这个就是你考试过的必要工具.找个对这个课学的可以的或者懂的到点点的,让他给你说哈哪道大题是对应哪一章的(这个时候先专攻大题,基本上大题所对应的章节是独立的,不会来个综合几章的考题),然后就靠你各个击破了.你去分析考试题时你会发现每年的考题都用那几个公式,基本上解题也是模式化,所以你每章认真吃透两三道考题就OK,这个时候不要为什么要那么做,只管是什么就行. (1)放大器电路那章是重点,直流通路,交流通路,还有交流等效电路,共基、共射、共集放大器算电压增益,输入,输出电阻这些是重点花的时间要多点,最好找个人给你讲要快些.差不多2小时可以把这章的大题搞定. (2)第二个重难点就是放大电路的反馈那章,考试知识点也很固定,基本就考判断正负反馈的方法,负反馈放大电路的放大倍数公式四种组态对放大性能对放大电路的影响反馈系数等.花1到2小时搞定. (3)前面半导体器件介绍章节像二极管,三极管,场效应管这些东西都是基础,这部分应该先看,因为后面要用到这里的基础知识.也花不到好多时间. (4)各种电压比较器的特点,门限电压的分析,基本运算电路的公式,矩形波和三角波电路的画法,直流稳定电源,差分放大电路,频率响应这些都很快1小时搞定了。 数字电路我告诉你怎么学： 数字电路里最重要的是知道什么是1什么是0，这只是两个电平，理解它的意思你就会一半的数电了。 明白各种数进制的转换，2进制、10进制、16进制等。 会使用计数器、触发器，会用它们设计数字电路 别的没了~我工作好几年，数电基本上就用到这些，这只占数电课程的很小一部分，但是知道这些，足够你出去混饭吃了~别的学了也是白学，浪费时间精力，信我一句话。 若是为考验做准备的话，那可需要把全部内容学透了，研究生考试可不管内容有用没用，都要考的。但是考试的重点一般会放在门电路的设计和计数器电路的设计上，主要就这两块，需要专攻。另外卡诺图也得看看，很可能也考。
❽ 电路和模电哪个难
我个人觉得是模电难，电路的只是比较具体，而模电比较抽象，更加联系实际！
模拟电子电路不要看平时学的难,考试的时候考的很简单.我认为你要把这门课程学好的话当然不花个几个月是不行的,要是应付考试花一两天甚至几个小时都考的过60分,方案如下:
这个时候你说要把书来看一遍肯定是来不及,而且也没的必要.把最近几年的考试卷子一定要找到,这个就是你考试过的必要工具.找个对这个课学的可以的或者懂的到点点的,让他给你说哈哪道大题是对应哪一章的(这个时候先专攻大题,基本上大题所对应的章节是独立的,不会来个综合几章的考题),然后就靠你各个击破了.你去分析考试题时你会发现每年的考题都用那几个公式,基本上解题也是模式化,所以你每章认真吃透两三道考题就OK,这个时候不要为什么要那么做,只管是什么就行.
(1)放大器电路那章是重点,直流通路,交流通路,还有交流等效电路,共基、共射、共集放大器算电压增益,输入,输出电阻这些是重点花的时间要多点,最好找个人给你讲要快些.差不多2小时可以把这章的大题搞定.
(2)第二个重难点就是放大电路的反馈那章,考试知识点也很固定,基本就考判断正负反馈的方法,负反馈放大电路的放大倍数公式四种组态对放大性能对放大电路的影响反馈系数等.花1到2小时搞定.
(3)前面半导体器件介绍章节像二极管,三极管,场效应管这些东西都是基础,这部分应该先看,因为后面要用到这里的基础知识.也花不到好多时间.
(4)各种电压比较器的特点,门限电压的分析,基本运算电路的公式,矩形波和三角波电路的画法,直流稳定电源,差分放大电路,频率响应这些都很快1小时搞定了
数字电路我告诉你怎么学：
数字电路里最重要的是知道什么是1什么是0，这只是两个电平，理解它的意思你就会一半的数电了。
明白各种数进制的转换，2进制、10进制、16进制等。
会使用计数器、触发器，会用它们设计数字电路
别的没了~我工作好几年，数电基本上就用到这些，这只占数电课程的很小一部分，但是知道这些，足够你出去混饭吃了~别的学了也是白学，浪费时间精力，信我一句话。
若是为考验做准备的话，那可需要把全部内容学透了，研究生考试可不管内容有用没用，都要考的。但是考试的重点一般会放在门电路的设计和计数器电路的设计上，主要就这两块，需要专攻。另外卡诺图也得看看，很可能也考。
❾ 自考电子技术基础的考点是哪些
楼主，我帮你查了些资料，你看有用没，有用的话一定要记得给我加分哦。谢谢了，考试一次通关！呵呵呵！
《电子技术基础》（含模拟电路、数字电路）考试大纲
一、本课程的基本要求
一）模拟部分
1．熟练掌握普通二极管、稳压管的外特性和主要参数，正确理解PN结的单向导电性。
2．熟练掌握双极型、单极型三极管的外特性和主要参数，正确理解它们的工作原理。
3．熟练掌握共射（共源）、共集（共漏）和共基组态放大电路的工作原理；静态工作点；用微变等效电路法分析增益、输入和输出电阻。正确理解图解分析法；电流源的工作原理。
4．熟练掌握含有一个时间常数的单级放大电路的频率特性以及FH和FL，正确理解Bode图的含义，一般了解频率失真和增益带宽积的概念。
5．熟练掌握功率放大电路的工作原理、输出功率和效率的估算，正确理解非线性失真的原因。
6．熟练掌握差动放大电路的工作原理、输入和输出方式、差模增益、差模输入和输出电阻，正确理解共模抑制比的概念。
7．正确理解多级放大电路中的零点漂移现象，一般了解多级放大电路级与级之间的耦合方式。
8．熟练掌握理想运算放大器、实际运算放大器的主要参数。正确理解不同类型运算放大器的特点，一般了解一种典型运算放大器的工作原理。
9．熟练掌握用集成运算放大器组成的反馈放大电路类型和极性的判断、负反馈对放大电路性能的影响，深度负反馈下的闭环增益估算。正确理解AF=A/（1+AF）公式的含义、自激振荡的条件和根据要求正确引入反馈。
10．熟练掌握产生正弦波振荡的条件、RC正弦波发生电路，正确理解LC正弦波发生电路的工作原理，一般了解石英晶体振荡电路。
11．熟练掌握集成运放组成的比例、求和、积分运算电路，正确理解虚短和虚断的概念和二阶有源低通电路，一般了解其它运算电路和其它有源滤波器。
12．熟练掌握比较电路的基本特性，正确理解非正弦波发生电路的工作原理。
13．熟练掌握电容滤波桥式全波整流电路的工作原理和整流电压的计算、线性稳压电路的工作原理，正确理解开关稳压电路的工作原理，一般了解电感滤波电路的特点。
二）数字部分
1．掌握双极型晶体管和MOS管的工作区划分及相应的等效电路；了解双极型晶体管和MOS管的开关工作过程及有关参数。
2．掌握常用数制与编码，主要是二进制、十进制、十六进制、BCD码、原码、补码、反码以及它们之间相互转换的方法。
3．熟练掌握逻辑代数的基本定律、定理及基本规则，逻辑问题的描述方法，逻辑函数的代数法化简和卡诺图化简。
4．掌握TTL和CMOS基本逻辑门的功能和主要外特性；了解ECL及其它CMOS门的主要特点。
5．掌握组合逻辑电路的分析与设计方法，了解竞争冒险现象与消除方法。
6．熟练掌握常用集成组合逻辑器件的逻辑功能及使用方法，正确理解他们的工作原理。
7．熟练掌握触发器的逻辑功能、外特性及其应用，正确理解触发器的工作原理，了解其电路结构。
8．掌握时序逻辑电路的分析方法和同步时序逻辑电路的设计方法。
9．掌握常用集成时序逻辑器件的逻辑功能及使用方法，正确理解他们的工作原理。
10．了解CMOS存储单元的基本工作原理和集成存储器的逻辑功能；了解PLD的基本工作原理。
11．掌握单稳态触发器、施密特触发器、多谐振荡器等脉冲单元电路的工作原理，并了解这些电路的典型应用；掌握波形分析方法及其主要参数的工程估算方法。
12．掌握A/D与D/A转换的基本原理；了解常用A/D与D/A转换方法。
二、本课程的教学内容
一）模拟部分
（一）、半导体器件基础
1．半导体的基础知识；
2．半导体二极管、稳压管；
3．双极型三极管；
4．场效应管。
（二）、放大电路基础
1．单管共射放大电路的工作原理；
2．放大电路的分析方法；
3．晶体管单管放大电路的三种基本接法；
4．场效应管单管放大电路；
5．单管放大电路的频率响应；
6．多级放大电路以及级间耦合。
（三）、集成运算放大电路
1．集成运算放大电路的基本单元电路；
2．集成运算放大电路的性能指标以及使用注意事项。
（四）、放大电路的负反馈
1．负反馈放大电路的组态；
2．反馈的表示方法；
3．深度负反馈下放大电路的近似计算；
4．负反馈对放大电路性能指标的影响；
5．负反馈放大电路的自激振荡以及消除方法。
（五）、运算电路
1．比例运算电路；
2．加减法运算电路；
3．积分电路和微分电路；
4．对数和指数运算电路；
5．乘法和除法运算电路。
（六）、有源滤波电路
1．低通滤波电路（LPF）；
2．高通滤波电路（HPF）；
3．带通滤波电路（BPF）；
4．带阻滤波电路（BEF）。
（七）、电压比较器
1．常用的电压比较器；
2．电压比较器的灵敏度和响应时间；
3．集成电路比较器。
（八）、波形发生与变换电路
1．正弦波振荡电路；
2．非正弦波振荡电路；
（九）、功率放大电路
1．功率放大电路的特点；
2．互补对称功率放大电路；
3．集成功率放大电路。
（十）、直流稳压电源
1．直流电源的组成；
2．整流电路；
3．滤波电路；
4．稳压电路；
5．集成三端稳压器。
二）数字部分
（一）、逻辑代数基础
1．概述：数字量和模拟量，数制与码制，算术运算与逻辑运算。
2．逻辑代数的三种基本运算、基本公式和常用公式。
3．逻辑代数的基本定理。
4．逻辑函数的代数化简法。
5．逻辑函数的卡诺图化简法。
（二）、门电路
1．半导体二极管和三极管的开关特性。
2．TTL门电路：TTL与非门的工作原理、静态输入特性、输出特性、动态特性，其它类型TTL门电路及改进系列。
3．OS门电路：CMOS反相器的工作原理、静态输入特性、输出特性、动态特性，其它类型CMOS 门电路及改进系列。
（三）、组合逻辑电路
1．组合逻辑电路的分析方法和设计方法
2．常用集成组合逻辑电路：编码器、译码器、数据选择器、数据分配器、加法器、数值比较器。
合逻辑电路中的竞争—冒险现象：竞争冒险产生的原因、检查方法和消除方法。
（四）、触发器
1．触发器的电路结构与动作特点：基本RS触发器、同步RS触发器、主从RS触发器、主从JK触发器、边沿D触发器。
2．触发器的逻辑功能及其描述方法。
3．触发器逻辑功能的转换。
（五）、时序逻辑电路
1．时序逻辑电路的分析方法与步骤。
2．同步时序逻辑电路的设计方法与步骤。
3．常用集成时序逻辑电路：寄存器和移位寄存器、计数器、序列脉冲发生器。
（六）、脉冲波形的产生与整形
1．施密特触发器：由门电路组成的施密特触发器、集成施密特触发器，施密特触发器的应用。
2．单稳态触发器：由门电路组成的单稳态触发器、集成单稳态触发器，单稳态触发器的应用。
3．多谐振荡器：由门电路组成的多谐振荡器、由施密特触发器组成的多谐振荡器，石英晶体多谐振荡器。
4．555定时器及其应用：555定时器的组成和工作原理，用555定时器接成的单稳态触发器，用555定时器接成的施密特触发器，用555定时器接成的多谐振荡器。
（七）、半导体存储器
1．只读存储器（ROM）：固定ROM、PROM、和EPROM。
2．随机存取存储器（RAM）：RAM的结构及工作原理。
3．存储器容量的扩展：字扩展和位扩展，存储器的应用。
（八）、可编程逻辑器件
1．可编程阵列逻辑（PLA）的基本电路结构和应用。
2．通用阵列逻辑（GAL）的电路结构、输出逻辑宏单元（OLMC）及应用。
3．可擦除的可编程逻辑器件（EPLD）的基本结构和特点。
4．现场可编程门阵列（FPGA）的基本结构与应用。
（九）、数—模和模—数转换
1．D/A转换器：权电阻网络D/A转换器、T形电阻网络D/A转换器、权电流型D/A转换器，具有双极性输出的D/A转换器，D/A转换器的转换精度与转换速度。
2．A/D转换器：A/D的基本原理，直接A/D转换和间接A/D转换，A/D转换器的转换精度与转换速度。
三、本课程的教学重点与难点
一）模拟部分
重点：二极管、三极管和场效应管的特性曲线；基本放大电路的微变等效电路分析法；三种基本组态放大电路的工作原理及特点；单管放大电路的频率响应；差动放大电路的工作原理；理想运算放大器的概念和主要参数；负反馈放大电路的分类及对放大电路性能指标的影响；集成运算放大电器的线性应用和非线性应用；功率放大电路的工作原理、输出功率及效率的估算；整流、滤波、稳压电路的工作原理以及三端集成稳压器的典型应用。
难点：三极管电流分配关系；放大电路静态工作点对其性能的影响；放大电路的频率响应；差动放大电路输入、输出方式；深度负反馈下放大电路闭环增益的近似估算；非正弦波发生电路；功率放大电路的输出功率、效率以及失真三者之间的关系。
二）数字部分
重点：双极型晶体管和MOS管的开关特性；二进制、十进制、BCD码以及它们之间相互转换的方法；逻辑代数的基本定律、定理及规则以及逻辑函数的代数法化简和卡诺图化简；TTL和CMOS基本逻辑门的功能和主要外特性；组合逻辑电路的分析与设计方法和常用集成组合逻辑器件的逻辑功能及使用方法；触发器的逻辑功能、外特性及其应用，时序逻辑电路的分析方法和同步时序逻辑电路的设计方法；常用集成时序逻辑器件的逻辑功能及使用方法；单稳态触发器、施密特触发器、多谐振荡器等脉冲单元电路的工作原理及应用；A/D与D/A转换的基本原理及使用方法。
难点：BCD码、原码、补码、反码以及它们之间相互转换的方法；逻辑问题的描述方法和逻辑函数的代数法化简和卡诺图化简；TTL和CMOS基本逻辑门的主要外特性；触发器的逻辑功能、工作原理及其电路结构；同步时序逻辑电路的设计方法；用常用集成计数器设计任意进制计数器的方法；CMOS存储单元的基本工作原理；脉冲单元电路的工作原理及其主要参数的工程估算方法；A/D与D/A转换的基本原理。
四、本课程的教学参考资料
1.《电子技术基础》（模拟部分），康华光主编，高等教育出版社，1999年
2.《电子技术基础》（数字部分），康华光主编，高等教育出版社，2000年。
3.《模拟电子技术基础》，童诗白主编，高等教育出版社，1998年。
4《数字电子技术基础》，阎石主编，高等教育出版社，1998年。