mos电路图

① mos驱动电路图看不懂

看了你们的对话,我发现楼主还没明白,小白没有关系,没开数电模电更没关系,现在的你能对照着图纸连接实物,说明你很有学习电路的潜力!! 下面我给你详细点的解释,希望对你有所帮助.

J3的三个端子:1.PWM信号,控制MOS管的开关,也可以接普通高电平,其实PWM信号就是一组不断高低变化的电平信号,这样MOS就不停地开关,如果改变PWM的高低比例,就起到了控制输出功率的作用.
2.Vcc是电源正极的意思 (在你这个电路里它不起作用,可以不接)
3,是地线(电源的负极)

J2的两个端子:1.地线(电源的负极)
2.Vs另一组电源正极(你这里,该电压是提供给空心杯做动力的)

J3的两个端子 1.MOS输出端,接空心杯负极
2.电源Vs输出,接空心杯正极

这里的Vs与Vcc应该是有区别的,Vcc是经过稳压后提供给系统的电源,比如单片机的+5V
Vs是给空心杯提供能源的,你这里应该直接电池的两端,或是专门有一组高放电倍率的航模专用锂电池!

二极管用的是普通的发光二极管,这里是指示工作状态用

这个图驱动两个空心杯没问题,如果还要更多也没有问题,但要注意给MOS加散热器.

② mos开关电路怎么连接

MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。

一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V.如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

MOS管是电压驱动，按理说只要栅极电压到到开启电压就能导通DS，栅极串多大电阻均能导通。但如果要求开关频率较高时，栅对地或VCC可以看做是一个电容，对于一个电容来说，串的电阻越大，栅极达到导通电压时间越长，MOS处于半导通状态时间也越长，在半导通状态内阻较大，发热也会增大，极易损坏MOS，所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小，一般要加前置驱动电路的。

MOS开关电路

MOS和三极管相像，但是三极管属于电流驱动型，而MOS属于电压驱动型，因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压。一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通，但是为了考虑可靠性，往往是加上一个电阻，接到12V左右，这是我们常用的。如图我们产品中的一个图，是电机驱动，用的就是MOS的开关特性。另外，数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关，因为数字电路只有0和1。图中的PWM是单片机IO端口直接过来的，0V和5V可变。后面一个推挽电路，然后给MOS。

③ MOS管作为开关的电路图如何画

从图标出VBAT、VBAT OUT看，你的整个电路都错了：

1、P型场效应管应从S极输入、D极输出，回你把输入和输出弄反了。答

2、那个R23，应接在S、G之间，而不是接在G、D之间。R23是泄放电阻，当控制信后从0到1时，迅速将加在G极的负压释放，保证有效关断。就算你标错那个OUT，在S极输入、D极输出，你哪个R23就会使管子导通。除非EN FANG有个正压输入加到G极上，否则电路就不会关闭。

④ 请问p沟道与n沟道mos管的电路图画法

增强型栅极虚线，耗尽行栅极是实线，p沟道箭头由栅极指向外，n沟道箭头由外指向栅极。还有一种是结型场效应管，一般不用，就不增加楼主的负担了

⑤ MOS管功率放大器电路图的硬件电路设计

采用OP07组成的二阶带阻滤波器的阻带范围为40～60 Hz，其电路如图2所示。带阻滤波器的性能参数有中心频率ω0或f0，带宽BW和品质因数Q。Q值越高，阻带越窄，陷波效果越好。
功率放大电路往往要求其驱动负载的能力较强，从能量控制和转换的角度来看，功率放大电路与其它放大电路在本质上没有根本的区别，只是功放既不是单纯追求输出高电压，也不是单纯追求输出大电流，而是追求在电源电压确定的情况下，输出尽可能大的功率。
本电路采用两个MOS管构成的功率放大电路，其电路如图4所示。此电路分别采用一个N沟道和一个P沟道场效应管对接而成，其中RP2和RP3为偏置电阻，用来调节电路的静态工作点。特征频率fT放大电路上限频率fH的关系为：fT≈fhβh，系统阶跃相应的上升时间tr与放大电路上限频率的关系为：trfh=0.35。

对于OCL放大器来说，一般有：PTM≈0.2POM，其中PIM为单管的最大管耗，POM为最大不失真输出管耗。根据计算，并考虑到项目要求，本设计选用IRF950和IRF50来实现功率放大。 此工作可由单片机内部的10位AD转换器完成，但实验发现，单片机的10位AD芯片的处理效果不是很好。因此本设计采用了两个AD转换芯片来对负载输出的信号进行转换，并使用单片机控制计算，然后送入液晶显示其功率和效率。
AD1674是一片高速12位逐次比较型A/D转换器，该芯片内置双极性电路构成的混合集成转换器，具有外接元件少，功耗低，精度高等特点，并具有自动校零和自动极性转换功能，故只需外接少量的电阻和电容元件即可构成一个完整的A/D转换器。AD8326是TI公司推出的16位高速模数转换器，其转换速度快，线性度好，精度高。AD8326和A1674的电路连接图分别如图5和图6所示。 本电路采用12864液晶来实时显示输出的功率、直流电源供给的功率和整机效率。该液晶具有屏幕反应速度快、对比度高、功耗低等优点。可以实现友好的人机交互。为了简化电路，本设计采用串口连接。并在单片机的控制下，按照要求的格式显示接收到的数据和字符信息。图7为液晶显示电路的连接图。其中D0～D7为数据口，R/W为液晶读写信号，E是使能端。
由于本系统是低频正弦信号的功率放大，要求能测量并显示输出功率、整机效率等信息，所以要用到AD转换。AD芯片测量的交流信号，所以，测量的电压数据进行比较，以获得最大电压值，此值即为正弦信号的最大值。而要想得到正弦信号的有效值，就要对最大值进行处理，从而获得有效值。这样，就可以将电源的输出功率和供给功率，根据欧姆定律计算出其数值，并将测得的数据用液晶适时的显示出来。
因此，本系统软件实现的功能应当可以实现对正弦信号有效值的测量；同时能够通过液晶准确显示输出功率和系统供给功率和整机效率。
图8所示是本系统软件的设计流程图。

⑥ 求一个单片机控制mos管的电路图

电路原理图：

单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西， 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲，最好用N沟道的MOS。

如果驱动的东西（功率）很大，（大电流、大电压的场合），最好要做电气隔离、过流超压保护、温度保护等~~ 此时既要隔离传送控制信号（例如PWM信号），也要给驱动级（MOS管的推动电路）传送电能。

常用的信号传送有PC923 PC929 6N137 TL521等 至于电能的传送可以用DC-DC模块。如果是做产品的话建议自己搞一个建议的DC-DC，这样可以降低成本。

(6)mos电路图扩展阅读：

MOS管应用

1、低压应用

当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。

2、宽电压应用

输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。

为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。

⑦ MOS开关电路

MOS开关电路图电路图如下：

AOD448是30V75A的管子，是用4.5V驱动的，偏高了点。

可以用，AO3416等管子，电压用2.5V就能驱动。当电压为2.5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。

也可以用IRF540N，1A条件下一点问题都没有，当时做精密恒流源，可以控制到精度1mA。不过散热很重要，要有足够大的散热片和小风扇。电压有个3-5V就足够了。高电平驱动（其实就相当于PWM）。

(7)mos电路图扩展阅读：

MOS管开关电路：

1、P沟道MOS管开关电路

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。需要注意的是，Vgs指的是栅极G与源极S的电压，即栅极低于电源一定电压就导通，而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大，所以只适用低功率的情况。大功率仍然使用N沟道MOS管。

2、N沟道mos管开关电路

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了，漏极D接电源，源极S接地。需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差，所以当NMOS作为高端驱动时候，当漏极D与源极S导通时，漏极D与源极S电势相等，那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压，漏极D与源极S才能继续导通。

⑧ 请问图中mos放大电路的等效电路图怎么画啊，可以的话能写下解题过程吗，十分感谢

我得等消防电路和三极管是一样的，只不过没试管的分析的时候是作为。可供电压源来分析，而不像三极管作为可控电流源的

⑨ 利用4只mos管为基础，画出全桥逆变电路原理图

4只MOS管做全桥驱动。
可以利用4只n mos管，以及自举电路，对称的给上下臂送高低电平，以控制上下臂不同MOS管导通，以达到控制电流方向的目的。
也可以利用2只p mos管，2只n mos管实现，pmos做上臂，nmos做下臂，驱动方法类似。
还可以使用专门的驱动器芯片，只需要连接好4只nmos，然后给芯片输入端送不同电平即可。