ocp8121电路图

❶ 开关电源中OVP，OCP，均流由哪些因数来决定

开关电源在加电时，会产生较高的浪涌电流，因此必须在电源的输入端安装防止浪涌电流的软启动装置，才能有效地将浪涌电流减小到允许的范围内。浪涌电流主要是由滤波电容充电引起，在开关管开始导通的瞬间，电容对交流呈现出较低的阻抗。如果不采取任何保护措施，浪涌电流可接近数百a。
开关电源的输入一般采用电容整流滤波电路如图2所示，滤波电容c可选用低频或高频电容器，若用低频电容器则需并联同容量高频电容器来承担充放电电流。图中在整流和滤波之间串入的限流电阻rsc是为了防止浪涌电流的冲击。合闸时rsc限制了电容c的充电电流，经过一段时间，c上的电压达到预置值或电容c1上电压达到继电器t动作电压时，rsc被短路完成了启动。同时还可以采用可控硅等电路来短接rsc。当合闸时，由于可控硅截止，通过rsc对电容c进行充电，经一段时间后，触发可控硅导通，从而短接了限流电阻rsc。
在一般情况下，利用基极驱动电路将电源的控制电路和开关晶体管隔离开。控制电路与输出电路共地，限流电路可以直接与输出电路连接，当输出过载或者短路时，v1导通，r3两端电压增大，并与比较器反相端的基准电压比较。控制pwm信号通断。

❷ ocp8121取消保护方法

如果方便，可用外接灯条试一哈。VD799空缺处接一个10V稳压管 ， 如果好了 就是用户把背光项调到最小所致，易走弯路，OCP8121 （同oz9902c） 第6脚是背光调节脚，正常电压2V左右。

❸ 芯片类知识翻译

将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜（thin-film）集成电路。另有一种厚膜（thick-film）集成电路（hybrid integrated circuit）是由独立半导体设备和被动组件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。
从1949年到1957年，维尔纳·雅各比（Werner Jacobi）、杰弗里·杜默（Jeffrey Dummer）、西德尼·达林顿（Sidney Darlington）、樽井康夫（Yasuo Tarui）都开发了原型，但现代集成电路是由杰克·基尔比在1958年发明的。其因此荣获2000年诺贝尔物理奖，但同时间也发展出近代实用的集成电路的罗伯特·诺伊斯，却早于1990年就过世。
介绍
晶体管发明并大量生产之后，各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用，取代了真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步，使得集成电路成为可能。相对于手工组装电路使用个别的分立电子组件，集成电路可以把很大数量的微晶体管集成到一个小芯片，是一个巨大的进步。集成电路的规模生产能力，可靠性，电路设计的模块化方法确保了快速采用标准化集成电路代替了设计使用离散晶体管。
集成电路对于离散晶体管有两个主要优势：成本和性能。成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术，作为一个单位印刷，而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关，消耗更低能量，因为组件很小且彼此靠近。2006年，芯片面积从几平方毫米到350 mm2，每mm2可以达到一百万个晶体管。
第一个集成电路雏形是由杰克·基尔比于1958年完成的，其中包括一个双极性晶体管，三个电阻和一个电容器。
根据一个芯片上集成的微电子器件的数量，集成电路可以分为以下几类：
小型集成电路（SSI英文全名为Small Scale Integration）逻辑门10个以下或晶体管100个以下。
中型集成电路（MSI英文全名为Medium Scale Integration）逻辑门11~100个或 晶体管101~1k个。
大规模集成电路（LSI英文全名为Large Scale Integration）逻辑门101~1k个或 晶体管1,001~10k个。
超大规模集成电路（VLSI英文全名为Very large scale integration）逻辑门1,001~10k个或 晶体管10,001~100k个

❹ 康佳led背光驱动块opc8121引脚功能

Opc8121引脚功能

❺ 电路中S/OCP 什么意思

1脚S/OCP端子，是自动输入补偿的过电流保护（OCP）回路。MOSFET漏极电流的检测，专是通过在MOSFET的源极（即S/OCP端子）属与GND之间所接的电流检测电阻R。检测电阻R两端的压降达到OCP门坎电压值时，MOSFET即被关断。内部原理图：

❻ 求助ocp8121背光芯片资料

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