硅镇流管电路

❶ 什么是硅镇静钢（和铝镇静钢）

根据脱氧程度不同，模铸时分为：①沸腾钢；②半镇静钢；③镇静钢。

而连铸时，基本为镇静钢，根据钢种和产品质量，脱氧分为3种模式：

①硅镇静钢（用Si+Mn脱氧）；

②硅铝镇静钢（Si+Mn+少量Al脱氧）；

③铝镇静钢（用过剩Al>0.01%）。

硅镇静钢

用Si+Mn脱氧，形成的脱氧产物有：①纯SiO2(固体)；②MnO·SiO2（液体）；③MnO·FeO（固溶体）。

对于硅镇静钢，控制Mn/Si，使其生成液态的MnO·SiO2，钢水可浇性好，但与Si、Mn相平衡的[O]D较高（（40～60）×10-6），在结晶器内钢水凝固时易生成皮下针孔或气泡，影响铸坯质量。

采用Si+Mn脱氧后，使钢水可浇性好（不堵水口），又不使铸坯产生针孔或皮下气泡，要控制钢水中溶解氧[O]D在（10～20）×10-6。

对于含碳较高的硅镇静钢（如高碳硬线钢、弹簧钢），为避免Al2O3夹杂的有害作用，一般不加铝脱氧，而是用低铝的铁合金脱氧，钢水中的酸溶铝[Al]s极低（<0.002%），则钢中溶解氧[O]D较高。为降低钢中[O]D，在LF精炼采用白渣操作+氩气搅拌，钢渣精炼扩散脱氧，既能把钢水中[O]D降到<20×10-6,也能有效地脱硫（[S]<0.01%）。

硅镇静钢（C0.29%,Mn0.8%～1.2%,Si0.15%～0.40%）,LF精炼后钢水中[O]D与水口堵塞和针孔的关系可知：

钢水中[O]D控制在（10～20）×10-6，既可防止水口堵塞，铸坯又无皮下气孔生成。但钢水中[O]D<10×10-6，水口堵塞的可能性增加，因此应控制好：

（1）合适的Mn/Si

①Mn/Si低时形成SiO2夹杂，增加了水口堵塞的可能性；

②Mn/Si高（>2.5）时生成典型的MnO·SiO2（MnO54.1%,SiO245.9%），夹杂物容易上浮。

（2）铁合金中铝含量。如果铁合金中带入的铝使钢水中[Al]s>0.003%,就会形成固态Al2O3。

（3）控制LF白渣精炼时间，减少MnO·Al2O3生成。

3.2 硅铝镇静钢

仅用Si+Mn脱氧，铸坯易形成皮下针孔，除采用LF白渣精炼降低钢中[O]D外，还可用Si+Mn+少量铝脱氧。但如果既要保持连铸的可浇性又要防止铸坯产生皮下针孔，应用Si+Mn+少量铝脱氧，形成的脱氧产物可能有：①蔷薇辉石（2MnO·2Al2O3·5SiO2）；②锰铝榴石（3MnO·Al2O3·3SiO2）；③纯（Al2O3>25%）。

要把夹杂物成分控制在相图中锰铝榴石的阴影区，这样就可达到：①夹杂物熔点低（1400℃），球形易上浮；②热轧时夹杂物可塑性好（800～1300℃）；③锰铝榴石夹杂物中Al2O3接近20%左右，变形性最好；④无单独Al2O3的析出，钢水可浇性好，不堵水口；⑤脱氧良好，不生成气孔。

理论计算指出，在钢中Si=0.2%，Mn=0.4%，温度为1550℃条件下，若钢中酸溶铝[Al]s≤0.005%，则钢中[O]<20×10-6,生成锰铝榴石而无Al2O3析出，钢水可浇性好，铸坯又不产生皮下气孔。这对连铸生产是非常重要的。对于高碳硬线钢，用Si+Mn脱氧控制好钢中的[Al]s来得到易变形的锰铝榴石而防止脆性Al2O3夹杂析出，这对于防止拉拔脆断是非常重要的。

3.3 铝镇静钢
对于中低碳细晶粒钢，要求钢中酸溶铝[Al]s≥0.01%；对于低碳铝镇静钢，为改善薄板深冲性能，要求钢中[Al]s=0.02%～0.05，为此要求用过剩铝脱氧。这样，需要解决两个问题。

（1）加铝方法

如何把铝加到钢水中达到目标值，且铝的回收率尽可能高。
（2）如何避免Al2O3夹杂的有害作用
对于加铝方法，将一部法加铝改为两部法加铝：

①出钢时加铝量脱除钢水中超出C—O平衡的过剩氧量：
②精炼加铝量为脱除C相平衡的氧+目标铝含量（喂铝线）。

钢水中与酸溶铝[Al]s相平衡的[O]D很低，为（2～6）×10-6，脱氧产物全部为Al2O3，其害处是：①Al2O3熔点高（2050℃），钢水中呈固态；②可浇性差，堵水口；③Al2O3可塑性差，不变形，影响钢材性能，尤其是深冲薄板的表面缺陷。

为此，采用钙处理（喂Si-Ca线或Ca线）来改变Al2O3形态。

（1）加铝较少，[Al]s较低，采用轻钙处理

轻钙处理后生成钙长石CaO·Al2O3·2SiO2(CaO20%～25%,Al2O337%,SiO244%)或钙黄长石2CaO·Al2O3·SiO2（CaO40%,Al2O337%,SiO222%）。希望把夹杂物成分控制在CaO-SiO2-Al2O3相图中的阴影区。夹杂物钙长石熔点低（1200～1400℃），在钢液中易上浮，可浇性好，不堵水口；热轧时夹杂物易变形不会发生拉拔脆断现象。

（2）加铝较多，[Al]s较高，采用重钙处理

溶解钙与钢水中固相Al2O3生成不同组成的铝酸钙（CaO-Al2O3）夹杂，CaO和Al2O3生成五个中间相，其组成与熔点见表2。应控制钢中钙含量，避免生成中间相CA6、CA2、CA而生成液相的12CaO·7Al2O3，有利于夹杂物上浮，也能够防止水口堵塞。

生成的铝酸钙夹杂中富集CaO，具有高的硫容量，能吸收足够的硫，当钢水凝固时，夹杂物中硫的溶解度降低，硫化物沉淀形成中心为铝酸钙CaO-Al2O3,外壳为CaS的双相夹杂。

钢中加入的Ca除与反应外，还能与硫反应生成CaS。CaS也会引起水口堵塞。为提高钙处理转变Al2O3为12CaO·7Al2O3的效率，应控制钢水中的硫含量小于0.01%。若S=0.010%～0.015%，钙处理后有CaS生成；S=0.030%～0.040%时，钙处理首先生成CaS，CaS堵塞水口严重。

钙处理铝镇静钢，判断钢水中Al2O3向球化转变的指标，文献中有不同的说法：①Ca/Al>0.14；②Ca/T[O]=0.7～1.2。

对于铝镇静钢，钙处理后：①解决了可浇性，不堵水口；②夹杂物易上浮去除；③消除了Al2O3不变形夹杂物对钢性能的有害作用。

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❷ 懂电子闸流管的请进

闸流管---- 只是一种内部充有銾气的电子三极管，它的特性与可控硅相仿，用灯丝变压器可调式的整流电路是通过交直流叠加来控制栅极电压，从而控制这三个管的点火（导通）角或叫点火提前量来达到控制输出直流电压的高低。

充氢闸流管由阴极、阳极、栅极及氢储存元件组成，利用低压氢气为工作介质，导通时靠等离子体形成内部导电介质，是可控点火的离子开关真空器件。
充氢闸流管[hydrogen thratron]是由阳极、阴极、栅极（一个或几个栅极，至少有控制栅栅极，可选提高点火稳定性的预点火栅，或提高工作电压的分压栅极）、储氢器（寿命要求长的还内置可以补充工作寿命内氢气损耗）等组成，将所有电极用绝缘外壳密封，利用低压氢气（氘气）作为工作及灭弧绝缘介质，是离子开关管中的一个分支，将触发脉冲（正极性）加到栅极，阴极发射的电子在栅阴电场的加速作用下，使阴- 栅间隙产生雪崩击穿并将氢分子电离产生等离子体，当放电电流大到一定程度，等离子体中的快速电子会越过栅极，进入阳极—栅极空间，在阳栅空间电场加速下，阳栅间隙产生雪崩击穿，产生阳栅空间的等离子体，并使阳栅间隙击穿导通，使外电路由于电流以闸流管的阳极-栅极-阴极空间的等离子体中的电子流为载体通过形成闭合回路，而输出脉冲电流，在储能元件(一般是由LC元件组成的人工线)放电终了时，流过闸流管的电流值降到零，管内等离子体消电离，阳极—栅极空间恢复绝缘状态，为下一次放电道统做好准备,由于等离子体具有内电场为零的特点，故氢闸流管在导通时的电压降比较小，是具有正启动特性的脉冲电真空器件,具有工作电压高，脉冲电流大，触发电压低，脉冲宽度窄，电流上升快，点火稳定等特点，广泛应用于国防、医疗、高能激光、科学研究等领域或场合。

接地栅闸流管[grid GND hydrogen thyratron]是普通闸闸流管的改良产品，工作时栅极接地，触发脉冲（负极性）加到阴极，阴-栅间隙产生雪崩击穿形成等离子体，等离子体中的快速电子越过栅极到达阳-栅空间，在阳栅电场的加速作用下引起阳极栅极空间的雪崩击穿，同时电子离子在电场作用下轰击阳极和栅极表面，导致表面蒸发产生金属蒸汽，从而产生以电离的金属蒸汽为主体的真空电弧，从而使外电路通过闸流管形成闭合回路，由于放电电流不依赖阴极的发射电流，故而可以导通比普通闸流管大数十倍的电流，并而且具有前沿电流上升速率大和内阻小的特点。

❸ 硅谷小镇怎么样

摘要 硅谷小镇现在的位置和规划都是不错的，预计开盘也是毛坯销售，价格不会太高，预计也是在1.35-1.4万/平，整体性价比还是可观的。

❹ 三极管的主要参数

1、电压/电流：用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围

2、hFE：电流放大倍数

3、VCEO：集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压

4、PCM：最大允许耗散功率

5、封装形式：指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现

(4)硅镇流管电路扩展阅读

三极管的发现历史：

1947年12月23日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，3位科学家——巴丁博士、布莱顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。

这个器件，就是在科技史上具有划时代意义的成果晶体管。因它是在圣诞节前夕发明的，而且对人们未来的生活发生如此巨大的影响，所以被称为“献给世界的圣诞节礼物”。这3位科学家因此共同荣获了1956年诺贝尔物理学奖。

❺ 三极管的参数是哪些

三极管的参数解释
λ---光谱半宽度
VF---正向压降差
Vz---稳压范围电压增量
av---电压温度系数
a---温度系数
BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压
BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压
BVceo---基极开路，CE结击穿电压
BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压
BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压
Cib---共基极输入电容
Cic---集电结势垒电容
Cieo---共发射极开路输入电容
Cies---共发射极短路输入电容
Cie---共发射极输入电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cjo---零偏压结电容
Cjv---偏压结电容
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
CL---负载电容（外电路参数）
Cn---中和电容（外电路参数）
Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容
Coeo---共发射极开路输出电容
Coe---共发射极输出电容
Co---零偏压电容
Co---输出电容
Cp---并联电容（外电路参数）
Cre---共发射极反馈电容
Cs---管壳电容或封装电容
CTC---电容温度系数
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
Ct---总电容
Cvn---标称电容
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
D---占空比
ESB---二次击穿能量
fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率
fT---特征频率
f---频率
h RE---共发射极静态电压反馈系数
hFE---共发射极静态电流放大系数
hfe---共发射极小信号短路电压放大系数
hIE---共发射极静态输入阻抗
hie---共发射极小信号短路输入阻抗
hOE---共发射极静态输出电导
hoe---共发射极小信号开路输出导纳
hre---共发射极小信号开路电压反馈系数
IAGC---正向自动控制电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值
IB---基极直流电流或交流电流的平均值
Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流
Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流
Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流
ICMP---集电极最大允许脉冲电流
ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。
ICM---最大输出平均电流
Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值
IDR---晶闸管断态平均重复电流
ID---暗电流
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流
IEM---发射极峰值电流
IE---发射极直流电流或交流电流的平均值
IF（AV）---正向平均电流
IF(ov)---正向过载电流
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IFMP---正向脉冲电流
IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
iF---正向总瞬时电流
IGD---晶闸管控制极不触发电流
IGFM---控制极正向峰值电流
IGT---晶闸管控制极触发电流
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流
IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
Iop---工作电流
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IP---峰点电流
IR（AV）---反向平均电流
IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流
Irp---反向恢复电流
IRRM---反向重复峰值电流
IRR---晶闸管反向重复平均电流
IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）
ir---反向恢复电流
iR---反向总瞬时电流
ISB---二次击穿电流
Is---稳流二极管稳定电流
IV---谷点电流
Izk---稳压管膝点电流
IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
IZSM---稳压二极管浪涌电流
Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流
n---电容变化指数；电容比
PB---承受脉冲烧毁功率
PCM---集电极最大允许耗散功率
Pc---集电极耗散功率
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率
Pd---耗散功率
PFT（AV）---正向导通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向导通总瞬时耗散功率
PGM---门极峰值功率
PG---门极平均功率
Pi---输入功率
Pi---输入功率
PK---最大开关功率
PMP---最大漏过脉冲功率
PMS---最大承受脉冲功率
PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率
Pn---噪声功率
Pomax---最大输出功率
Posc---振荡功率
Po---输出功率
Po---输出功率
PR---反向浪涌功率
Psc---连续输出功率
PSM---不重复浪涌功率
Ptot---总耗散功率
Ptot---总耗散功率
PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率
Q---优值（品质因素）
r δ---衰减电阻
R(th)ja----结到环境的热阻
R(th)jc---结到壳的热阻
r(th)---瞬态电阻
rbb分钟Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积
rbb分钟---基区扩展电阻（基区本征电阻）
RBB---双基极晶体管的基极间电阻
RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数）
RB---外接基极电阻（外电路参数）
Rc ---外接集电极电阻（外电路参数）
RE---射频电阻
RE---外接发射极电阻（外电路参数）
RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻
RG---信号源内阻
rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻
RL---负载电阻
RL---负载电阻（外电路参数）
roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻
Rs(rs)----串联电阻
Rth---热阻
Rth----热阻
Rz(ru)---动态电阻
Ta---环境温度
Ta---环境温度
Tc---管壳温度
Tc---壳温
td---延迟时间
td----延迟时间
tfr---正向恢复时间
tf---下降时间
tf---下降时间
tgt---门极控制极开通时间
tg---电路换向关断时间
Tjm---最大允许结温
Tjm---最高结温
Tj---结温
toff---关断时间
toff---关断时间
ton---开通时间
ton---开通时间
trr---反向恢复时间
tr---上升时间
tr---上升时间
tstg---温度补偿二极管的贮成温度
Tstg---贮存温度
ts---存储时间
ts---存贮时间
Ts---结温
V n---噪声电压
V v---谷点电压
V（BR）---击穿电压
VAGC---正向自动增益控制电压
VB2B1---基极间电压
VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）
VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）
VBE10---发射极与第一基极反向电压
VBE---基极发射极（直流）电压
VB---反向峰值击穿电压
VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VCB---集电极-基极（直流）电压
Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）
VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降
VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压
VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压
VCE---集电极-发射极（直流）电压
Vc---整流输入电压
VDRM---断态重复峰值电压
VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VEB---饱和压降
VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）
VF（AV）---正向平均电压
VFM---最大正向压降（正向峰值电压）
VF---正向压降（正向直流电压）
VGD---门极不触发电压
VGFM---门极正向峰值电压
VGRM---门极反向峰值电压
VGT---门极触发电压
Vk---膝点电压（稳流二极管）
VL ---极限电压
Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值
Vn---中心电压
VOM---最大输出平均电压
Vop---工作电压
Vo---交流输入电压
Vp---穿通电压。
Vp---峰点电压
VRM---反向峰值电压（最高测试电压）
VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
VRWM---反向工作峰值电压
VR---反向工作电压（反向直流电压）
VSB---二次击穿电压
Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压
Vth---阀电压（门限电压）
Vz---稳定电压
δvz---稳压管电压漂移
η---单结晶体管分压比或效率
λp---发光峰值波长

❻ 整流二极管的型号

测二极管，万能表应打到，数字万能表二极管档位，测量正向电阻大反向电阻小，有得测万能表二极管坏了二极管会叫正常不叫。

❼ 请教一下，半导体闸流管是指什么具体电路图是什么样子的有俗称吗

指晶闸管，又叫可控硅。有单向晶闸管、双向晶闸管之分。图中左为单向晶闸管，右为双向晶闸管。