全桥集成电路

1. 用什么集成电路可以将交流电压变成直流电压

整流桥有多种方法可以用整流二极管将交流电转换为直流电，包括半波整流、全波整流以及桥式整流等。最简单的整流桥，就是将四个二极管封装在一起，内部桥式连接，只引出四个引脚。四个引脚中，两个直流输出端标有+或－，两个交流输入端有～标记。全桥的正向电流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多种规格，耐压值（最高反向电压）有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V等多种规格。
一般整流桥命名中有3个数字,第一个数字代表额定电流,A;后两个数字代表额定电压(数字*100),V.如:KBL410 即4A，1000V 。RS507 即5A，1000V。（1234567分别代表电压档的50V，100V，200V，400V，600V，800V，1000V）常用的国产全桥有佑风YF系列，进口全桥有ST、IR等。

2. 下图中全桥电路之前接一个电阻，这个电阻色环是红红黑红，反向是红黑红红，现在已烧掉，请问这个电阻是多

从电路结构来看，应该是一个22Ω的保险电阻，在电路中起的就是保险的作用，当其后端存在短路时，电阻会烧毁。频繁烧毁，说明后面电路存在短路，如果滤波电容没有问题，建议将整流桥从电路中断开后再测量二极管。另外，整流之后的好像还有稳压电路，是不是稳压集成电路烧坏了，也要检查一下。

3. 电磁炉RM621A集成电路用什么代

RM621 A是一款专门针对电磁炉电路而开发的控制器，其外形如图1所示。该芯片采用先进的频率跟踪及相位补偿技术，具有稳定性及一致性好、集成度高、抗干扰能力强、成本低等优点。

RM621内置三角波发生器、方波形成、频率跟踪、相位补偿、波形整形、IGBT驱动、高压限制、高压保护、突波保护、电源电压检测、电流检测等电路，其内部框图如图2所示，其主要特点如下：
该芯片采用TTL双极型工艺，内含一个100倍精密运算放大器及多个超高速电压比较器，抗电磁干扰能力强；微功耗，工作电流不大于15mA，静态电流约1 mA；采用IGBT管专用驱动电路，IGBT管工作温度低，可靠性高；最小连续输出功率可低至300W，最大输出功率可达2600W；电路简单，外围电路元件极少，线路布局方便，干扰小；兼容性强，可与多品牌、多型号的微电脑芯片（MCU）配套使用，方便维修改装。
由于RM621A内部已集成了电磁炉所需的振荡、比较放大、驱动等电路，因此采用该芯片的电磁炉电路外围元件极少，电路简单，其典型应用电路如图3所示，具体引脚功能如下：

①脚是电网电压检测及电网突波（脉冲）检测输入端。改变该脚外接电容C5的容量可改变电网突波检测的灵敏度；改变其外接电阻R2、R3的阻值比例可改变⑩脚的输出电压，并影响其对电网突波的检测所得电压幅度值。
②、③脚分别为电源相位取样与高压反馈取样输入端。一般在静态时，③脚电压高过②脚电压0.2V～0.5V。
另外，②、③脚间必须跨接一只中和电容C12，以消除自激干扰。若C12的容量太小，会影响高压限制点及高压保护点，一般选为470pF。改变③脚外接电阻R14、R15与R12的阻值比例，可改变高压限制及高压保护点。
④脚：接地。
⑤脚：电流取样输入端。该端通过电阻R10外接康铜丝电阻RJ，RJ两端的电压作为电流检测的依据。
RJ安装在高压滤波电容C2的负端与整流全桥D15的负端之间，其阻值为0.005Ω～0.01Ω。
⑥脚为＋18V供电端，为了能正常驱动IGBT管，要求18V供电电压不能过低，也不过高，其范围为15V～19V。
⑦脚为＋5V基准电压输入端。由于该脚电压会影响IC内部电路的高压限制及高压保护点，因此要求5V供电稳定，误差在0.1V内。
⑧脚管为IGBT管的驱动脉冲输出端，通过电阻R8与IGBT管的栅极（G）相连。该脚输出的脉冲波形如图4所示，高电平电压值为VCC-0.7V，此时IGBT管导通；低电平电压值低于0.3V，此时IGBT管截止。脉冲上升沿为300±30ns，下降沿为250±25ns。
⑨脚为电流检测输出端，某一时刻的输出电压等于100倍此时的整机工作电流（单位为A）与康铜丝电阻阻值（单位为Ω）的乘积，例如：某电磁炉在某时的整机电流为10A，所用康铜丝电阻的阻值为0.01Ω，则 ⑨脚的输出电压U=10A×0.01Ω×100=10V。若以图3中元件参数，则⑨脚具体电压值见。

⑩脚为电源电压检测输出端。该脚电压值随市电电压的变化而变化，若以图3中元件参数，则⑩脚具体电压值见。

11、12脚为三角波形成端，这两脚间接有时间常数设定电容C8（2200pF）。
13脚为中断输出端。当电网电压中有瞬时尖峰高压，或加在IGBT管c极电压过高时，该脚输出低电平，同时IC内部关断⑧脚的驱动脉冲输出。

15脚为关断时间延时端，其延时时间由外接电容C10的容量决定。
14脚为开／关机控制输入端，低电平关机，高电平开机。须注意的是：在开机前，需先提供给16脚一定的电压。另外，在13脚输出中断信号后，应给此脚加一个低电平关机信号，待13脚电压恢复正常后，再重新开机。
16脚为PWM功率控制信号输入端，此脚电压越高，整机功率越大；反之，整机功率越小。

4. 开关电源电路原理

开关电源电路原理：
供电（启动）：芯片的VDD脚接一个电容到地，一个电阻到输入版电压正权极，上电时输入电压通过电阻给电容充电，当电容上的电压充到芯片的启动电压门限值时，芯片开始工作。

供电（维持）：为了节能，启动电阻都比较大，单靠电阻电容不能提供维持芯片正常工作所需的电流，所以要在高频变压器上设一个供电绕组给芯片供电。芯片一旦启动工作，该绕组的输出电压就为芯片提供持续的电源。
开关管驱动：芯片一旦启动工作，GATE脚便驱动开关管导通或截止，各输出绕组便有电压输出。
开关管电流检测：开关管源极接一个电流采样电阻，采样电压送到芯片CS脚，当电流达到设计的最大值时，CS脚电压大于芯片内部设定的基准电压，GATE脚电压变低，关断开关管。
输出电压反馈：输出电压的变化经光藕反馈到芯片COMP脚，控制占空比。
振荡频率：RT脚到地的电阻大小，决定开关频率。

5. 各位大侠，你们好!请问电磁加热电路有几种方式。比如半桥 全桥 还有单管驱动。是这样吗

哈哈你问的问题太大了,
电磁加热根据工作频率分中频加热和高频加热.一般在中频加热比较多，根据你的 问题，你问的应该是类似电磁炉的吧，这个根据功率输出部份的电路结构分，单管、半桥和全桥等，在家用的 电磁炉上一般使用单管，因为结构简单价格低，在目前市场上的电磁加热由部份采用半桥（但是不成熟，对人体由危害）。根据电路振荡电路结构分单片机和硬电路结构；单片机的结构简单，保护电路简单等电路设计优点、价格便宜，调试方便，可扩展触摸开关功能等在目前的家用电磁炉和一些所谓电磁加热技术中使用多。硬电路结构是指使用振荡集成电路产生波形通过三极管放大最后推动功率管完成工作的，在一些小功率的泡茶的电磁炉和 超大功率的电磁加热中常见，各由优缺点。

6. Sg1731集成电路的工作原理是什么

SG1731型PWM集成电路是专门针对直流电动机控制而设计的单片IC。它可以实现两个象限的脉宽调制。图示为SG1731单片PWM集成电路的功能结构图。它包含一个三角波发生器；一个用于误差电压放大的宽频带运算放大器；一个用于平行移动三角波电平的加／减网络，外部可编程的PWM比较器和具有续流二极管的且可提供±lOOmA、±32V的图腾极(totempole，推挽电路)全桥输出的驱动器；一个与TTL电平兼容的封锁端子，呈低电平时输出驱动器呈高阻状态。该电路可双电源（正、负电源）使用，也可单电源应用。

其主要功能有：

(1)允许有极宽的电源工作范围，控制电源为±3.5～±15V;驱动电源为士2.5～±22V。

(2)输出极可提供lOOmA的正、反向驱动电流。

(3)三角波频率的可调范围：100～350kHz;三角波的峰一峰调整范围为1～10V；振荡定时电容的取值范围为200pF～2.5μF。

(4)误差放大器的转换速率高，典型值为15V/μs，单位增益带宽为1MHz。

(5)具有死区调节功能，即在误差为零时，调节土UT，的大小，可在输出端得到相位相差180°的初始脉冲。

(6)关断控制功能：当管脚(15)端低电平(TTL电平兼容)作用时，输出级晶体管就瞬时地被强制到截止状态。这种功能可用来对系统提供各种保护。

7. 功率集成电路与电力电子模块实现集成的思路有何不同

带来的益处：装置体积减小、可靠性提高、使用方便、维护成本低。 功率集成电路与集成电力电子模块实现集成的思路的不同：前者是将所有的东西都集成于一个芯片当中（芯片集成），而后者则是将一系列的器件集成为一个模块来使用（封装集成）。

8. 全桥应变力传感器问题与发现

压力传感器 压力传感器是工业实践、仪器仪表控制中最为常用的一种传感器，并广泛应用于各种工业自控环境，涉及水利水电、铁路交通、生产自控、航空航天、军工、石化、油井、电力、船舶、机床、管道等众多行业。 力学传感器的种类繁多，如电阻应变片压力传感器、半导体应变片压力传感器、压阻式压力传感器、电感式压力传感器、电容式压力传感器、谐振式压力传感器及电容式加速度传感器等。但应用最为广泛的是压阻式压力传感器，它具有极低的价格和较高的精度以及较好的线性特性。下面我们主要介绍这类传感器。 1、压阻式压力传感器原理与应用： 压阻式压力传感器是利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。压阻式传感器常用于压力、拉力、压力差和可以转变为力的变化的其他物理量（如液位、加速度、重量、应变、流量、真空度）的测量和控制。 压阻效应 当力作用于硅晶体时，晶体的晶格产生变形,使载流子从一个能谷向另一个能谷散射,引起载流子的迁移率发生变化，扰动了载流子纵向和横向的平均量，从而使硅的电阻率发生变化。这种变化随晶体的取向不同而异，因此硅的压阻效应与晶体的取向有关。硅的压阻效应不同于金属应变计，前者电阻随压力的变化主要取决于电阻率的变化，后者电阻的变化则主要取决于几何尺寸的变化（应变），而且前者的灵敏度比后者大50～100倍。 压阻式压力传感器结构 压阻式压力传感器采用集成工艺将电阻条集成在单晶硅膜片上,制成硅压阻芯片,并将此芯片的周边固定封装于外壳之内，引出电极引线。压阻式压力传感器又称为固态压力传感器，它不同于粘贴式应变计需通过弹性敏感元件间接感受外力，而是直接通过硅膜片感受被测压力的。硅膜片的一面是与被测压力连通的高压腔，另一面是与大气连通的低压腔。硅膜片一般设计成周边固支的圆形，直径与厚度比约为20～60。在圆形硅膜片(N型)定域扩散4条P杂质电阻条,并接成全桥，其中两条位于压应力区，另两条处于拉应力区，相对于膜片中心对称。硅柱形敏感元件也是在硅柱面某一晶面的一定方向上扩散制作电阻条，两条受拉应力的电阻条与另两条受压应力的电阻条构成全桥。 发展状况 1954年C.S.史密斯详细研究了硅的压阻效应，从此开始用硅制造压力传感器。早期的硅压力传感器是半导体应变计式的。后来在N型硅片上定域扩散P型杂质形成电阻条，并接成电桥,制成芯片。此芯片仍需粘贴在弹性元件上才能敏感压力的变化。采用这种芯片作为敏感元件的传感器称为扩散型压力传感器。这两种传感器都同样采用粘片结构，因而存在滞后和蠕变大、固有频率低、不适于动态测量以及难于小型化和集成化、精度不高等缺点。70年代以来制成了周边固定支撑的电阻和硅膜片的一体化硅杯式扩散型压力传感器。它不仅克服了粘片结构的固有缺陷，而且能将电阻条、补偿电路和信号调整电路集成在一块硅片上，甚至将微型处理器与传感器集成在一起，制成智能传感器。这种新型传感器的优点是: ①频率响应高(例如有的产品固有频率达1.5兆赫以上),适于动态测量;②体积小（例如有的产品外径可达0.25毫米），适于微型化；③精度高，可达0.1～0.01％； ④灵敏高,比金属应变计高出很多倍，有些应用场合可不加放大器；⑤无活动部件，可靠性高，能工作于振动、冲击、腐蚀、强干扰等恶劣环 境。其缺点是温度影响较大（有时需进行温度补偿）、工艺较复杂和造价高等。缺点是： ①温度特性差，由于压阻式压力传感器是用半导体材料制作的，受温度影 响较大，因此，在温度变化大的环境中使用时，必须进行温度补偿。 ②工艺复杂，对研制条件要求高而严格，尤其是扩散杂质、烧结、封装工 艺等比其他传感器要复杂的多，因而成本也相对要高。应用 压阻式传感器广泛地应用于航天、航空、航海、石油化工、动力机械、生物医学工程、气象、地质、地震测量等各个领域。在航天和航空工业中压力是一个关键参数，对静态和动态压力，局部压力和整个压力场的测量都要求很高的精度。压阻式传感器是用于这方面的较理想的传感器。例如,用于测量直升飞机机翼的气流压力分布，测试发动机进气口的动态畸变、叶栅的脉动压力和机翼的抖动等。在飞机喷气发动机中心压力的测量中，使用专门设计的硅压力传感器,其工作温度达500℃以上。在波音客机的大气数据测量系统中采用了精度高达0.05％的配套硅压力传感器。在尺寸缩小的风洞模型试验中，压阻式传感器能密集安装在风洞进口处和发动机进气管道模型中。单个传感器直径仅2.36毫米，固有频率高达300千赫,非线性和滞后均为全量程的±0.22％。在生物医学方面,压阻式传感器也是理想的检测工具。已制成扩散硅膜薄到10微米,外径仅0.5毫米的注射针型压阻式压力传感器和能测量心血管、颅内、尿道、子宫和眼球内压力的传感器。图3是一种用于测量脑压的传感器的结构图。压阻式传感器还有效地应用于爆炸压力和冲击波的测量、真空测量、监测和控制汽车发动机的性能以及诸如测量枪炮膛内压力、发射冲击波等兵器方面的测量。此外，在油井压力测量、随钻测向和测位地下密封电缆故障点的检测以及流量和液位测量等方面都广泛应用压阻式传感器。随着微电子技术和计算机的进一步发展，压阻式传感器的应用还将迅速发展。

9. 全桥整流电路从哪里输出5V电压

你好：

1，桥式整流桥是整流元件，可以把交流电变为直流电。

2，电路图中的 7805 是三端稳压集成电路，可以输出 +5v 的稳定电压。

10. 谁知道L298N集成电路的组成，帮忙介绍一下，我想焊接一个。

它内部采用两个高电压、大电流的全桥电路A、B，每个桥需要两个标准的TTL 逻辑电平输入，以驱动继电器、螺线管（电磁铁）、直流电机和步进电机（2 相或4 相）等负载。两个使能引脚EnA、EnB 分别使能桥A、桥B。每个桥的三极管发射极连接在一起, 分别是引脚SenseA、SenseB，以外接电流反馈电阻。此外L298 还需要一个额外的电
压供应端Vss 作为逻辑电路部分的电源.