❶ 索尔kda1000b逆变器烧场效应管求解
常规要型号批号一致，才能用，另外查一下KA3525及其外围电路，
❷ 急求助。在网上那里可以查到集成电路型号的性能和参数！
这些型号好多厂家都会生产,但是每个厂家的具体参数有可能不通,所以您要先弄清楚需要哪个厂家 就可以去厂家的网站 进行查找了.
A INTECH(美国英特奇公司)
A- INTECH(美国英特奇公司
AC TEXAS INSTRUMENTS [T1](美国德克萨斯仪器公司) http://www.ti.com/
AD ANALOG DEVICES(美国模拟器件公司) http://www.analog.com/
AM ADVANCED MICRO DEVICES（美国先进微电子器件公司） http://www.advantagememory.com/
AM DATA-INTERSIL(美国戴特-英特锡尔公司) http://www.datapoint.com/
AN PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/
AY GENERAL INSTRUMENTS[G1](美国通用仪器公司)
BA ROHM(日本东洋电具制作所)(日本罗姆公司) http://www.rohmelectronics.com/
BX SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CA RCA(美国无线电公司)
CA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
CA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
CAW RCA(美国无线电公司)
CD FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
CD RCA(美国无线电公司)
CIC SOLITRON(美国索利特罗器件公司)
CM CHERRY SEMICONDUCTOR(美国切瑞半导体器件公司) http://www.cherry-semi.com/
CS PLESSEY(英国普利西半导体公司)
CT SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CX SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CXA SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CXD SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CXK DAEWOO(韩国大宇电子公司)
DBL PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/
DN AECO(日本阿伊阔公司)
D...C GTE(美国通用电话电子公司微电路部)
EA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
EEA THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
EF THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
EFB PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
EGC THOMSON-SGF(法国汤姆逊半导体公司)
ESM PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
F FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
FCM FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
G GTE(美国微电路公司)
GD GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]
GL GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]
GM GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]
HA HITACHI(日本日立公司) http://semiconctor.hitachi.com/
HD HITACHI(日本日立公司) http://semiconctor.hitachi.com/
HEF PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
HM， HZ HITACHI(日本日立公司) http://semiconctor.hitachi.com/
ICL， IG INTERSIL(美国英特锡尔公司)
IR， IX SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/
ITT， JU ITT(德国ITT半导体公司) http://www.ittcannon.com/
KA， KB SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/
KC SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
KDA SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/
KIA， KID KEC(韩国电子公司)
KM KS SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/
L SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
L SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LA SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LB SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LC SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LC GENERAL INSTRUMENTS(GI)(美国通用仪器公司)
LF PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
LF NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
LH NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
LH LK SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/
LM SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LM NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
LM SIGNETICS(美国西格尼蒂公司) http://www.spt.com/
LM FAIRCILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
LM SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
LM PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
LM MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
LM SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/
LP NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
LR LSC SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/
M SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
M MITSUBISHI(日本三菱电机公司) http://www.mitsubishi.com/
MA ANALOG SYSTEMS(美国模拟系统公司) http://www.analog.com/
MAX （美国）美信集成产品公司 http://www.maxim-ic.com/ http://www.maxim-ic.com.cn/
MB FUJITSU(日本富士通公司) http://www.fujitsu.com/
MBM FUJITSU(日本富士通公司) http://www.fujitsu.com/
MC MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
MC PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
MC ANALOG SYSTEMS(美国模拟系统公司) http://www.analog.com/
MF MITSUBISHI(日本三菱电机公司) http://www.mitsubishi.com/
MK MOSTEK(美国莫斯特卡公司)
ML PLESSEY(美国普利西半导体公司)
ML MITEL SEMICONDUCTOR(加拿大米特尔半导体公司) http://www.mitelsemi.com/
MLM MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
MM NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
MN PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/
MN MICRO NETWORK(美国微网路公司)
MP MICRO POWER SYSTEMS(美国微功耗系统公司)
MPS MICRO POWER SYSTEMS(美国微功耗系统公司)
MSM OKI(美国OKI半导体公司) http://www.oki.com/
MSM OKI(日本冲电气有限公司) http://www.oki.com/
N NA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
NC NITRON(美国NITROR公司)
NE SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
NE PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
NE MULLARD(英国麦拉迪公司)
NE SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
NJM NEW JAPAN RADIO(JRC)(新日本无线电公司)
OM PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/
OM SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
RC RAYTHEON(美国雷声公司)
RM RAYTHEON(美国雷声公司)
RH-IX SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/
S SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
S AMERICAN MICRO SYSTEMS(美国微系统公司)
SA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
SAA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
SAA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SAA GENERAL INSTRUMENTS(GI)(美国通用仪器公司)
SAA ITT(德国ITT-半导体公司) http://www.ittcannon.com/
SAB SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SAB AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
SAF SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SAK PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
SAS HITACHI(日本日立公司) http://semiconctor.hitachi.com/
SAS AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
SAS SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
SDA (德国西门子公司) http://www.siemens.com/
SC SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SE SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SE PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
SG SILICON GENERAL(美国通用硅片公司) http://www.ssil.com/
SG MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
SG PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
SH FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
SI SANKEN(日本三肯电子公司) http://www.sanken-elec.co.jp/
SK RCA(美国无线电公司)
SL PLESSEY(英国普利西半导体公司)
SN MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
SN TEXAS INSTRUMENTS(TI)(德国德克萨斯仪器公司) http://www.ti.com/
SND SSS(美国固体科学公司) http://www.s3.com/
SO SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
SP PLESSEY(英国普利西半导体公司)
STK SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
STR SANKEN(日本三肯电子公司) http://www.sanken-elec.co.jp/
SW PLESSEY(英国普利西半导体公司)
T TOSHIBA(日本东芝公司) http://www.toshiba.com/
T GENERAL INSTRUMENTS(GI)(美国通用仪器公司)
TA TOSHIBA(日本东芝公司) http://www.toshiba.com/
TAA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
TAA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
TAA SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
TAA PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)
TAA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
TAA PLESSEY(英国普利西半导体公司)
TAA MULLARD(英国麦拉迪公司)
TBA FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
TBA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
TBA SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
TBA HITACHI(日本日立公司) http://semiconctor.hitachi.com/
TBA NEC EIECTRON(日本电气公司) http://www.nec-global.com/
TBA ITT(德国ITT半导体公司) http://www.ittcannon.com/
TBA AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
TBA PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)
TBA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
TBA PLESSEY(英国普利西半导体公司)
TBA NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
TBA THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
TBA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
TBA MULLARD(英国麦拉迪公司)
TC TOSHIBA(日本东芝公司) http://www.toshiba.com/
TCA ITT(德国ITT半导体公司) http://www.ittcannon.com/
TCA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
TCA SPRAGUE ELECTRIC(美国史普拉格电子公司)
TCA MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体公司) http://www.motorola.com/
TCA PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)
TCA PLESSEY(英国普利西半导体公司)
TCA SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
TCA MULLARD(英国麦拉迪公司)
TCA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
TCA AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
TCA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
TCM TEXAS INSTRUMENTS[TI](美国德克萨斯仪器公司) http://www.it.com/
TDA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
TDA SPRAGUE ELECTRIC(美国史普拉格电子公司)
TDA MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体公司) http://www.motorola.com/
TDA PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)
TDA NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
TDA PLESSEY(英国普利西半导体公司)
TDA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
TDA NEC ELECTRON(日本电气公司) http://www.nec-global.com/
TDA AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
TDA ITT(德国ITT半导体公司) http://www.ittcannon.com/
TDA HITACHI(日本日立公司) http://semiconctor.hitachi.com/
TDA SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利-SGS亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
TDA PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)
TDA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
TDA RCA(美国无线电公司)
TDA MULLARD(英国麦拉迪公司)
TDA THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
TDB THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
TDC TRW LSI PRODUCTS(美国TRW大规模集成电路公司)
TEA THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
TEA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
TL TEXAS INSTRUMENTS(TI)(美国德克萨斯仪器公司) http://www.toshiba.com/
TL MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
TM TOSHIBA(日本东芝公司) http://www.toshiba.com/
TMM TOSHIBA(日本东芝公司) http://www.toshiba.com/
TMS TEXAS INSTRUMENTS(TI)(美国德克萨斯仪器公司) http://www.ti.com/
TP TEXAS INSTRUMENTS(TI)(美国德克萨斯仪器公司) http://www.ti.com/
TP NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
TPA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
TUA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
U AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
UAA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
UC SOLITRON(美国索利特罗器件公司) http://www.solitron.com/
ULN SPRAGUE EIECTRIC(美国史普拉格电子公司) http://www.sharp.com/
ULN SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
ULN MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
ULS SPRAGUE ELECTRIC(美国史普拉格电子公司) http://www.sharp.com/
ULX SPRAGUE ELECTRIC(美国史普拉格电子公司) http://www.sharp.com/
XR TEXAR INTEGRATED SYSTEMS(美国埃克萨集成系统公司) http://www.ti.com/
YM YAMAHA(日本雅马哈公司) http://www.yamaha.co.jp/
UA MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
UA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
UA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
UA FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
UAA THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
UPA NEC ELECTRON(日本电气公司) http://www.nec-global.com/
UPB NEC ELECTRON(日本电气公司) http://www.nec-global.com/
UPC NEC ELECTRON(日本电气公司) http://www.nec-global.com/
UPD NEC ELECTRON(日本电气公司) http://www.nec-global.com/
UPD NEC-MIRO(美国NEC电子公司微电脑分部) http://www.nec-global.com/
❸ 主板电池电压值应该是多少
这个肯定对你有帮助 看看吧
首先是老规程，开机按”del”进bios，蓝底白字使得我们的第一感觉并不陌生。
第一大项（standard cmos features）标准cmos设置，进入后感觉更加贴切了，和我们所用过得其他bios大相径庭，设时间、设硬盘、光驱、软驱（没装软驱的朋友就把它设为“none”以免开机报错）完成，就这么简单！
“esc”选择第二大项（advanced bios features）bios高级设置，进入从上至下依次为：1、harddisk boot priority硬盘开机优先权；2、cd-rom boot priority光驱开机优先权；3、first/second/third/other boot device第一、二、三开机方式；4、boot up floppy seek启动时是否侦测软驱（没装软驱的朋友就把它设为“disabled”以免开机报错）；5、security option在开机或进bios时设置密码，家里的电脑这一步基本多余；6、hdd s.m.a.r.t capability硬盘智能诊断，最好设为“disabled”；7、full screen logo show自检阶段显示全屏logo，想减少开机等待时间就设为“disabled”。完成了。
第三大项开始与超频相关了（advanced chipset features）芯片组高级设置，进入第一项便是至关重要的dram configuration内存设置项，超频是否稳定与其设置息息相关。进入内存项：
1、max memclock内存频率值选项，大家都知道只有当内存频率与外频同步时才能最大限度的发挥cpu性能，而amd64已经将外频提高到了200这就意味着ddr400内存已成为其最低标准配置，这样同步超高频率时，ddr400内存被设为“auto”就显得很吃力了，除非你花大价钱购买了tccd核心或其他超频性能强的内存，否则最好将其设为200（极不推荐使用ddr333内存，会极大拖累整机性能，如果暂时只有ddr333那就把该值设为166最为保险）。
2、1t/2t memory timing内存时钟选项，分为1t、2t，跑1t时内存速度发挥到及至，而对内存品质要求更加苛刻，内存不行的话跑1t会导致不稳定、死机甚至蓝屏。奉劝大家如果想稳定的同步超频最好选择2t。
3、tcl/trcd/tras/trp这四项便是我们曾经探讨过得内存时序设置，不超频时高品质的ddr400内存可以完成5-3-3-2.0跑1t的任务，速度相当快，但如果是同步超频的话还是设的保守些吧，必尽是安全第一。
完成了对内存的设置我们接着设置显卡，1、agp aperture size agp显卡缓冲大小，128m显卡选128m，64m显卡也可选128m来适当提升显卡性能；2、agp 2.0 speed agp2.0显卡打开此项选择agp4x；agp3.0显卡选择auto或agp8x；3、agp fast write agp快写功能，此项打开可以小幅提升显卡性能，一旦感觉显卡不稳不妨试试关闭它看是否能得到解决；4、ht frequency amd64独到的hyper transport频率，nforce3 250gb支持1g的ht，但高频ht会使超频受影响我在超频时就选择了2x的ht，频率是400，效果不错；5、system bios cacheable将系统bios映射到内存以提高系统性能，但是超频时打开它极易造成蓝屏。
而第四、第五、第六大项都是主板的一些板载硬件的设置、ide及pci设备管理与超频无关，大家可以在配置这些设备时参照说明书一步一步来，我就不多说了。
第七大项（pc health status）系统状态侦测，磐正主板开机显示pc health也是它的特征之一，所以第一项就是是否在开机时显示pc health，当然是毫不犹豫的“enabled”；2、smart cpu fan temperate 智能风扇温度调整，想超频安全还是把它“disabled”了吧；再朝下不可调的便是主板传感器采集的即时电压，温度，风扇转速等数据，依次为：风扇转速、cpu电压、agp电压、芯片组电压、内存电压、电池电压、电源电压。最后一项对超频安全很有意义acpi shutdown temperature 温度过热保护项，由于amd64先进的制成使其发热不大，所以此项应该设置为低于70℃。
我的经验是：未超频时记录这些数据及波动范围，在超频成功点亮机器后先到这里来看一下，对照每个数据特别是温度和电压波动，如果差异很大，就及时调整，省得还要进系统费硬盘。
第八大项（power bios features）这就是磐正引以为荣的“power bios”强大的超频选项，也是我们diy最重要的“武器”
1、system performance 系统功能项，此项有两项可选不超频时选择“normal”（常规）；超频时选择“fastest”（高速）
2、cpu overclock in mhz cpu外频调节项，amd效仿intel锁死了倍频，这是我们amdfans最大的悲哀，不过我们发现超外频比超倍频的系统性能提高的多，所以磐正也没含糊，此项允许用户1m步进，逐步超频，并且一旦超频失败，无法点亮机器，您只要一直按住键盘上的“insert”即可恢复进入bios进行降频处理，省了许多麻烦，磐正的这款主板居然能将外频调到400！
3、amd k8 cool’n’quiet 该项就能控制amd64“冷静”技术的开关，此技术大概原理是，在cpu空闲时，cpu自动降频、降压，散热风扇减速，从而延长cpu的使用寿命同时更加安静。如果是超频用户最好不要开它，开了它超频就失去意义了，并且会给超频增加难度。
4、agp overclock in mhz agp/pci锁频，超频对其它硬件特别是agp设备和pci设备的影响大小就看这一项了，将agp设为66即可将超频对其它硬件带来的负面影响降到最低。
5、cpu ratio control cpu倍频调节项，其实此项形同虚设，倍频被锁，岂是磐正能解？
6、cpu voltage cpu电压调节，amd64 2800+的默认电压为1.55v，电压较“巴顿”低了0.1v发热小可性能却比2500+强了不少，还是老原则加压不要超过默认电压的10%
7、dimm voltage 内存电压调节，想使ddr400运行更高频率，一方面是参数设置，另一方面就是适当加压，推荐使用大机箱+整体式纯铜内存散热片，这样内存电压即使加到2.9v也应该不会有问题，但是保险起见还是不推荐超过2.7v
8、agp voltage agp电压调节，对于需要外接供电的显卡最好是加0.1v电压以加强显卡稳定性。但是一般情况下是没有必要的。
9、chipset voltage 芯片组电压调节，适当加芯片组电压对超频的稳定很有帮助，加0.1v即可，如果自己设计了芯片组散热器，可以自己决定加压幅度，但还是不太推荐。
至此我们完成了nforce3 250gb 主板的bios超频介绍，我用实际范例给大家总结一下：
具体配置：cpu：amd64 2800+(.13nm 512k l2)
cpu散热：酷冷至尊多用途散热底座+avc红骑士
主板：磐正ep-8kda3j
内存：金士顿ddr400 512m×1（d-43核心 酷冷至尊整体纯铜散热片）
显卡：双敏5718v(5700v)( 酷冷至尊酷飞热管散热oc500/600)
硬盘：迈拓 ata-133 80g （2m缓存）
具体bios设置：进入标准cmos设置（standard cmos features）设软驱为“none”
进入bios高级设置 （advanced bios features）设boot up floppy seek启动时软驱检测设为“disabled”
进入芯片组高级设置（advanced chipset features）设内存设置项dram configuration分别为：auto/2t/3/3/8/3（此为同步的超频设置，不敢同步可把auto改为200，时序可设为2.5-3-8-3跑2t）
显卡设置为128m/agp 8x/ht频率2 x/bios映射关闭
进入系统状态侦测（pc health status）设acpi shutdown temperature温度过热保护项为70℃
进入power bios设system performance 系统功能项为“fastest”
设cpu overclock in mhz cpu外频调节项为250 mhz
设agp overclock in mhz agp/pci锁频为66mhz
设cpu voltage cpu电压调节为加0.1v
设dimm voltage 内存电压调节为2.8v
agp电压不动
设chipset voltage 芯片组电压调节为1.6v
“f10”回车，点亮！进系统，一切正常，cpu温度32℃，super pi成绩104万位41秒，运行测试，游戏，上网，听歌，十分稳定，超频成功！
再补充点超完后测试超频的稳定性的软件
为了确认获得的最大频率，我们建议使用三个免费软件。它们可以量化性能上的得益，并且可以测试获得的频率是否稳定。
superpi 1m：它是一个非常快的测试，计算pi值的小数点后一百万位数字。它可以迅速检测到由内存或处理器引起的不稳定问题。但是请注意，超频的处理器成功通过这个superpi 1m测试并不表示它就很稳定了。在这里，它是超频确认的第一个步骤。如果处理器没有通过这个测试，那就要重新向下设定它的频率了。
superpi 32m：同样的软件，但这次pi值的计算结果拥有3千2百万位小数。它是对内存和处理器十分彻底的测试。如果这个测试成功地完成，那就代表了非常好的稳定性...
prime95：在测试模式中，这个软件“野蛮”地使用处理器，导致了大量的发热。由于这个原因，它成为一个非常好的稳定性测试。为了确认超频，要让它运行几个小时。通常3个小时已经足够了，但如果想要百分之百地确定处理器的稳定性，那就运行24个小时。遇到稳定性问题会弹出出错信息，但也可能发生死机或重启。
3dmark2001：它是3dmark的老版本了，2001版。我们用它是因为2003和2005版带有特别占用显卡资源的3d场景。例如，用相同的显卡，athlon 64 3000+相对于athlon fx-55的分数没有太大的差别。2001版的场景更简单一些，因此更多占用处理器。理想的情况是循环运行它，持续数小时。为此应该在模式中设定：在选项中点击change，并在benchmark中勾上loop。它也是检查显卡和处理器完全超频的系统稳定性的理想测试，同时包括内存。如果3dmark 2001通过，你还可以测试3dmark03和3dmark05，以确保万无一失。如果这些测试全都通过的话，就可以肯定已经获得了稳定的超频。但superpi，premium 95和3dmark 2001的组合已经足够了。
【一】超频原理
为了更好的超频，超频原理不可不学。以超频最有效果的CPU 为例，目前CPU的生产可以说是非常精密的，以至于生产厂家都无法控制每块CPU到底可以在什幺样的频率下工作，厂家实际上就已经自己做了次测试，将能工作在高频率下的CPU标记为高频率的，然后可以卖更高的价钱。但为了保证它的质量，这些标记都有一定的富余，也就是说， 一块工作在600MHZ的CPU，很有可能在800MHZ下依然稳定工作，为了发掘这些潜在的富余部分，我们可以进行超频。
此外，我们还可以借助一些手段来使CPU稳定工作在更高的频率上，这些手段主要是两点：增加散热效果、增加工作电压。
对于电脑的其它配件，依然利用这样的原理进行超频，如显示卡、内存、 甚至鼠标等等。
好了，你已经开始着急了，我要超频，得怎幺来呢？该如何下手？
【二】超频准备
别着急，超频之前要做一些准备，这些准备将使你超频可以顺利进行。磨刀不误砍柴工，多准备一点没坏处。
CPU散热风扇 —— 非常关键的超频工具，一定要买好风扇，绝对很值得！
导热硅脂 —— 增加CPU和风扇散热片之间的热传递，很有用的东西，价格便宜。
导热硅胶 —— 一般用来往芯片上粘贴小的散热片，给主板芯片降温、显卡芯片降温、给内存芯片降温用。
小散热片 —— 辅助降温用，主要用来给发热略大的芯片降温。
【三】超频CPU
最有效果的超频，莫过于超频CPU了，而且现在的CPU大多数都是可超的，我们就多说一说如何超频电脑的CPU。
电脑的CPU工作频率为主频，它是由外频和倍频的乘积决定的，超频CPU，超倍频是最佳方案。但有的厂家为 防止我们超频，将CPU的外频锁定了（这更证实了超频的合理性），如Intel大部分的CPU都是锁了外频的。那幺对于这种CPU，我们也只能通过提升外频来进行了。这种提升可能有局限，但可以带来更大的好处。
目前的主流CPU有两家：Intel的和AMD的。
1、Intel，CPU当之无愧的龙头老大，它生产的CPU始终占有相当大的市场。
2、AMD，CPU厂商中的后起之秀，也占有相当的市场份额。
知道了自己的电脑是何种CPU之后，我们要查找它的最高可超频率，以便确定超频的目标，可超频率可以在《各种CPU超频编号大集合》中查到.
大家所使用的电脑中大多数都是用的这两种CPU，当你确定了自己的CPU型号之后，还要确定CPU的核心工艺 和出厂日期。对于超频来说，越先进的核心工艺就越好超，同一型号的CPU，出厂日期越靠后的也越好超。如.18微米的内核工艺，则理论上最多能到1.2G左右。要想上再高的频率只有用更好的工艺生产。
教你如何超频（下）
超频CPU正式开始，分为以下几步：
【1】更换好的散热片：
这步要看原来的CPU风扇和散热片是否优良，优质的风扇价格一般都在50元以上，这笔投资尽量要保证。对于超频非常有用。在换上优质风扇的同时，注意在CPU与风扇散热片底座的接触部分涂抹导热硅脂，这样可以提高散热速度。
【2】提升CPU倍频：
此法目前仅适合K62和Duron以及T bird的CPU，如果是Duron和T bird还要用铅笔来破解倍频，很多文章有介绍，这里不再赘述。超倍频需要主板支持修改倍频，选购主板的时候要十分注意。
【3】提升CPU外频：
提升外频可以带来系统性能的大幅度提升，对于PIII处理器，目前的一般都是100外频，只有超到133左右，在散热优良而还可以加电压的时候，甚至可到150以上。但在这时，需要您的电脑的内存、显卡可以工作在如此之高的频率之下。因此相对来说，100外频的PIII处理器，是超外频比较理想的CPU。此法跟提升CPU倍频的方法一起用，效果最好。当然，这需要您的主板支持外频的调节，有的主板支持逐兆调节，就是专门为了超外频而设计的。
【4】增加电压：
增加电压带有一定的危险性，建议不采用，如确实需要增加电压来增加超频后的稳定性，则要一点一点的加，并监视温度以策安全。对于Intel的CPU，稍微加一些电压效果是明显的；对于AMD的CPU，可以多加一些电压。这里要提到的是主板要支持更改电压，否则超频余地不会太大。如果是需要转接卡的话，要注意选择或更换可以调节电压的转接卡为上策。
【5】软件超频：
软件超频是利用超频软件来进行的，例如技嘉的主板，就有可以软件超频的型号。这些软件超频的例子会在以后的文章中介绍。
一般的来说，超频CPU只要按照以上的步骤，应该可以做到超频成功的，至于超频的幅度，就取决于您的机器 的各个配件的质量了，值得注意的是：超频会缩短CPU的寿命，如果您想让现在的机器能使用个十年八年的， 还是不要超频为好。不过现在电脑的更新换代实是快，10年对于电脑来说，太漫长了……:-)
【四】超频显卡
对于狂热的超频爱好者来说，任何一个超频的机会也不容错过，显卡是电脑中第二个可以超频的对象，自然也倍受青睐，超频显卡也要看显卡的芯片核心工艺，越先进的越耐超。
超频显卡除了超频核心频率以外，还可以超频显存频率，为什幺市面上出现了很多使用5.5ns的显存的显卡呢? 就是因为显存的反应时间越小，可超的频率就越高，6ns显存一般也能超到200M，5.5ns自然可超到更高。超频显存可能会带来很多热量，我们可以在显存上粘贴散热片来缓解这个问题。
【五】超频鼠标
不要奇怪，超频鼠标是指让鼠标的刷新率增加，不信你快速晃动鼠标，你会发现其实鼠标的光标也不是连续的，一般的PS2鼠标刷新率是80HZ，也就是说1秒钟画出80个光标。当然，刷新率是越高越好的，这样可以使得光标显示效果细腻，改变刷新率是通过软件更改的，目前有一款软件叫PS2PLUS，它可将PS2鼠标的刷新率刷到200！拿市面上随处可见的普通的双飞燕2D鼠标来试验，当运行刷新软件将刷新率调整到200MHZ的时候，鼠标变得非常好用，点击准确，移动平滑，感觉跟100多元的罗技鼠标相当啦！不花钱升级了鼠标，何乐而不为！但要注意该软件好象不能用在windows2000下，且不能改变USB鼠标的刷新率，好在USB鼠标的刷新率已经是120了，基本够了。在前文提到的网址可以下载该软件。
【六】超频内存、硬盘
千万别有误会，超频内存和硬盘，其实是不太可能的，我们所说的超频，其实是指提升了CPU的外频之后，总线频率上升了带来的内存、硬盘的工作频率的提高，因为这两样东东可改变的东西更少了，几乎就不能做什幺手脚，所以最好也不要进行超频工作。前一阵子有的文章介绍可以超频硬盘转速，这也是骗人的空谈，没有理论基础。至于内存的CAS=2和=3之分，效果也是很小的，可忽略不计。
【七】超频测试
成功的超频，应该禁得起严格的测试，一般是系统正常运行，软件运行稳定，运行各种测试软件表示性能确实稳定，无其它故障出现即可。
【八】几种超频性能很好的CPU介绍
很多朋友的超频经历告诉我们，如下的几款CPU超频性能很好：
1）PIII550E、PIII650E比较好超。
2）ron，生产日期靠后的比较好超。
想来现在主要也只有这几种东西可以超频了，如果您已经成功的超频了，并且很稳定，那幺恭喜您已经完成了少花钱升级的目标，但如果您达不到您的目的或者出现了超频失败，也不用灰心丧气，我们来看看超频失败的几种现象。
【超频失败现象小结】
现象一：系统可以启动，但运行大的软件的时候死机，而且时快时慢。 分析和解决：此时您的系统已经达到瓶颈，若不能略微降低CPU主频，则应该利用提升电压、增加散热效果等手段来使之稳定下来。
现象二：电脑可以启动，但进不了操作系统。分析和解决：您的电脑处在不能启动的边缘，您应该降低超频幅度以求得稳定。
现象三：电脑不能启动，完全黑屏。分析和解决：超的太高了，导致CPU运算频繁出错而无法正常工作，别太贪心，少超一点啦。
现象四：系统可以启动，但屏幕时而出现斑块花点。分析和解决：显卡顶不住了，可考虑降低显卡的超频幅度或者总线的超频幅度。
现象五：系统其它板卡工作不正常。但系统稳定。分析和解决：您的主板设计不良，导致超频之后的电磁干扰增加，影响板卡的工作稳定性，可以换到距离比较远的 插槽重新试验，或者更换抗干扰能力强的板卡
主板结构对超频的影响
时下，随着围绕超频这个话题写的文章很多。大家看多了，自然而然就会对超频的硬件环境有了较深的了解。比如：选择好的主板、硬盘、散热风扇、内存、甚至电源对超频成功率的高低也有一定的影响。在这些设备之中，对超频帮助最大的应该是主板了。主板超频给广大DIYer带来了丰富的话题，“可加CPU工作电压”、“可加外部I/O电压”、“AGP同步工作”、“外频微调技术”、“线性调频技术”、“内存异步”等等。对超频有帮助的新功能不断涌现，而一些DIYer却过分依赖这些功能来达到超频的目的。很多DIYer对主板的用料方面，都抱着相同的观点：采用昂贵电子组件的主板就是好主板，稳定性好，超频成功率高。那些用廉价电子组件的“烂板子”不适合用来超频。这个观点有其正确的一面，也有其不完全的地方。
一、主板两个加电压功能（CPU工作电压、外部I/O工作电压）的工作原理：
“这块CPU超频不上去，加电压试试”，这是很多发烧友在超频失败后首先会想到的。从理论上讲，为什幺加电压会使CPU超频成功率上升或工作得更稳定，在很多的文章中都有说明——主要原理是放大高低电平的讯号，在这里我就不重复了。但从主板的角度来讲（特别是长期超频使用的主板），增加CPU的工作电压是十分危险的。以前在各种计算机杂志发表的文章中，无数次提到过加电压会损坏CPU的观点，可几乎很少会提到加电压对主板的影响。主板上控制CPU和各部分电压的组件是POWER IC和场效应管（俗称MOS管或三极管），主要的分压功能是靠场效应管来实现的，场效应管（下面简称为MOS管）就是我们平时看到一般附有散热片的组件。主板的每个重要部分，如：CPU、内存、芯片组、Cache都有一个相对应的MOS管供给其稳定的电压，MOS管本身有自己的额定电压和额定电流的限制，长时间过高的电压会使MOS管过热，很容易烧毁MOS管。其实不靠加大CPU的工作电压，而加大MOS管对CPU的供电电流也能对超频起到很好的效果，由于电压不变MOS管也不会过热。只要在设计的时候安置一个能供应CPU较强电流的MOS管就可以了。但事实并不是这样简单的，无论是增加电压还是增强供电电流，对主板布线的要求都很高，供电的线路一定要布得足够粗才行，否则有烧坏板子的危险（主板的PCB烧坏的话，十之八九是报废了）。如果你长时间加电压超频使用的主板，请检查一下主板背面的线路（绿色的主板看得更清楚）有没有发黄的线路，那就是因为加电压超频对供电线路造成的伤害，时间长的话，有可能会起泡甚至烧断线路（PCB一般都是4层板，如果烧断的是中间层的线路就彻底报废了）。由此可见，加电压超频对主板来说也很危险。
“提高I/O电压，可以使差的内存稳定工作在更高的工作频率上”。不知从什幺时候开始，一些主板开始提供提升外部I/O电压的功能来，而提升I/O电压主要是为了让差一些的内存也能更稳定地超频。如果靠提高内存工作电压就能使它工作得更快的话，是不是所有的PC100内存只要标明3.5V工作电压，就能立刻升级到PC133规格了呢？当然不是。事实上很多标明5V的EDO内存也可以稳定工作在3.3V，另一方面，很多3.3V的SDRAM即使工作在5V的环境下，也无法稳定工作在更高的工作频率下。从设计原理上分析，好的布线和时钟RC电路（R=电容 C=电阻）的配合对内存工作的影响远比工作电压的高低要明显。时钟发生器（CLOCK GEN）到内存的时钟线最好是等长的，如果有明显短的线则必须加上RC电路对数据传输进行延时（也就是数据相位的调整），目的就是要让一组数据同时到达内存中，不能有相位差。如果出现了相位偏差，那就会造成内存工作不稳定。在高工作频率下，由于讯号的周期短，更容易出现相位偏差的情况，也就是为什幺越高的外频，越挑内存的原因。因此从理论上来讲，主板布线合理标准并配合RC电路可以使较差的内存稳定工作在较高的系统外频下。笔者曾经在一块还是工程样品的主板上，通过调节RC电路使PC100的内存以同步方式稳定工作在140MHz的外频，够酷吧！可惜那块主板经过这样的调整，对一些PC133的内存反而更挑了，RC电路是很难调的。
虽然主板可以靠提高工作电压的方法来达到超频的目的，但真正应该注重的是依靠主板本身良好电路设计来实现超频的稳定，何况提高工作电压对CPU和主板的危害是很大的。
二、主板电容的用料对超频的影响：
很多发烧友都认为，主板采用了越大的电容，性能就越稳定。因此大家对一些使用了1500μF，甚至是2000μF电容的“高档”主板十分推崇，其实是陷入了一个误区。要说明这点，我们先要从主板的供电系统谈起。
现在的个人电脑越来越快，随着CPU主频和系统总线工作频率的提高，对主板供电的要求也越来越严格，尤其在我们将CPU超频的时候。因此主板稳定工作的前提是必须有纯净的电流供应。主板是由机箱电源直接供电的，从机箱电源出来的电流是很“脏”的，如果用示波仪观察会发现有很多的尖峰和杂波。在这点上，细心的读者应该可以看出选择一个好的机箱电源对超频是有一定的帮助。有时候换一个优质的大功率机箱电源，能使主板超频更加稳定。现在回到正题上来，主板必须对电源进行过滤和净化才能使用。过滤净化的方法就如同我们平时家用净水器的原理，我们知道净水器用不同的滤质对水中的无机杂质和有机杂质进行过滤。主板也一样，针对不同的杂讯用不同的组件来进行过滤和净化。主要的组件有扼流线圈和大小电容。原始电流首先流经扼流线圈（俗称线圈），因为线圈有一个蓄能的特性，它可以初步过滤掉一些高频杂讯，然后进入电容组进一步过滤，净化，拉平（把峰形波拉成方波）。电容组由大小两种电容组成，小电容一般指0.1μ或小于0.1μ的贴片电容，其规格为0805，主要是过滤高频杂讯的。这种电容的频率响应范围比较大，也可以过滤掉一些中频杂讯。大电容指的是1000μ以上的电解电容（俗称直立电容），它的频响范围主要在低频区，所以一般用它来过滤低频杂讯。
稍稍介绍一下关于大电解电容的知识，一般的大电解电容的外皮上都有一条金色的带状线，上面印有一个大大的“I”字母，表示该电容是LOW ESR（低漏电，低噪音）的。电容外皮上还印着该电容的耐温参数，一般为105℃。1000μ以上的电解电容以前只有日本才能生产，现在大陆和台湾也能生产了，制作工艺丝毫不比日本的差，所以这种电容不一定非用日本产的不可。外皮的颜色差异（有黄色、黑色、绿色、蓝色）仅表示该电容的热补偿能力的不同。不过，根据实际使用的效果来看，差别不大，所以只要电容能达到其标称的性能就可以了。简略介绍完电解电容后，现在我用一个例子来比喻1000μ和2000μ电容滤波的效果。我们把电容滤波的过程比喻成削梨。有的人削梨皮比较宽，所以削得快，但浪费比较多；有的人削梨皮比较窄，所以削得慢，但浪费少。采用2000μ的大电解电容如同前一种削梨的方法，可以用较少的电容来完成电源的滤波过程，而采用1000μ的小电解电容如同后一种削梨的方法，用较多的电容并联来完成电源的滤波动作。前者滤波波形损失较大，严重的甚至会滤掉一些重要的波形，（可以做实验来验证，把现有主板上1000μ的电容全改为1500μ或2000μ的?/ca>
❹ 我的电脑光驱为什么放进碟片时CPU的风扇转的剧烈
应该是听错了，刚放进碟片时应该是光驱的读盘噪音。我的机器也是，噪音相当之大。咔咔响也是光驱的读盘声。好像是dvd的光头寻道发出的声音。
sata的接口当然是接sata设备啊。光驱硬盘什么的。
cpu没有机械部分理论上不会发出声音。即使是触点接触不良也不应该发出耳朵可以听见的打火声。这个问题值得研究。至于音箱发出的声音是因为设计缺陷或滤波电容有问题而产生的杂波引起的。特征是，开机时较小或没有关机的一瞬间较大逐渐减小。关掉电源后（关机之后没关掉电源时主板和电源的一部分电路是在工作的。）主板不再通电也就没有了的声音。如果不严重应该不是什么大问题。cpu是个问题。你确定它发出了声音？
❺ 急求宽带放大器(2003 b题)原理图及论文
宽带放大器
摘 要
本作品基于压控对数放大器设计，由主放大及输入输出电路、增益控制电路、显示及处理模块、测量电路和电源模块组成，具有宽带数字程控和数字AGC功能。其中的AD603的使用方便了程控增益，AD844的使用提高了输出电压的有效值范围。由于综合应用了电容去耦、磁珠滤波等降噪措施，较好地抑制了放大器的噪声。
关键词： 压控对数放大器 宽带数字程控 数字AGC 降噪
一：方案比较与论证
分析题目要求，我们将本设计分为：主放大电路及输入输出电路、增益控制、键盘显示及处理、测量和稳压电源五大功能模块。各模块间的关系如图1-1所示。
图1-1 各模块的关系
1．主放大器及输入输出电路
方案一：采用分立元件设计。此方案元器件成本低，易于购置。但
是设计、调试难度太大，周期很长，尤其是短时间内手工制作难以保证可
靠性及指标，故不采用此方案。
方案二：采用高速宽带集成运放设计。此方案优势是电路容易实现，指标和可靠性容易得到保证。故采用此方案。
2．增益控制电路
方案一：采用场效应管或三极管控制增益。主要利用场效应管的可变电阻区（或三极管等效为压控电阻）实现增益控制，电路简单，调试复杂。
方案二：采用高速乘法器型D/A实现。利用D/A转换器的VRef作信号的输入端，D/A的输出端做输出。用D/A转换器的数字量输入端控制传输衰减实现增益控制。此方案简单易行，但经实验知：当信号频率较高时，系统容易发生自激，因此不选此方案。
方案三：利用能够压控增益的放大器实现。其特点是可以用单片机方便地预置增益。
由于主放大器可以找到压控增益的器件，本系统采用方案三。
3. 有效值测量电路
方案一：采用真有效值转换器件测量，此方案电路简单、精度高。但价格较贵，同时器件难找。现有的有效值转换器件如AD637、AD737在较高频率段无法满足本题测量要求。
方案二：采用峰值检波测量。采用峰值检波电路，检出峰值经A/D转换后由单片机转换为有效值。电路简单可靠，但前提是信号是正弦波，否则误差较大。考虑到本题要求测量的是标准正弦波，因此选择本方案。
4. 稳压电源
方案一：线性稳压电源。其中包括并联型和串联型两种结构。并联型电路复杂，效率低，仅用于对调整速率和精度要求较高的场合；串联型电路比较简单，效率较高，尤其是若采用集成三端稳压器，更是方便可靠。
方案二：开关稳压电源。此方案效率高，但电路复杂, 开关电源的工作频率通常为几十～几百KHz，基波与很多谐波均在本放大器通频带内，极容易带来串扰。
电源模块选择方案一中的串联型稳压电源。
总体系统框图如图1-2所示。
图1-2 系统框图
二．理论分析与参数计算
放大器链路的组成如图2-1所示：
图2-1 主放大器电路图
图中注明了设计中每级增益的分配，并在下方依据器件的官方资料给出了各级-3dB通频带的上限。
通频带计算
如图2-1，系统通频带由BUF634缓冲器、两级AD603放大器和AD844放大器共同决定，由频率响应公式可知系统增益与频率的关系如下：
(式2-1)
式中：, , ，为器件资料中相应运放的通频带，为放大链路中各级放大器的中频电压放大倍数。
经计算，系统3dB带宽，符合设计要求。
2．增益控制范围及精度
为实现60dB放大能力，本设计采取两级AD603级联和后级AD844放大电路的增益分配方式。依据资料，AD603采用的是增益为-11dB～31dB、带宽90MHz的工作方式，其每级增益为：
GAD603（dB）=40×Vg+10 （式2-2）
式中，Vg为AD603的增益控制电压，范围为-0.50V～0.50V。
按图3-3接法，AD844放大电路增益为17.8dB ,前级输入衰减6dB, 所以整个放大器的增益为：
G（dB）=2×GAD603+17.8-6=80×Vg+31.8 （式2-3）
Vg的变化范围为-0.5～0.5V，因此理论上的增益控制范围为-8.2～71.8 dB。
单片机通过D/A的输出电压控制AD603的增益，若采用的是8位D/A转换器，则D/A输入值KDA与AD603控制电压的对应关系为：
（式2-4）
式中，KDA为D/A的输入值。
由式2-3及式2-4可知增益G与D/A输入值KDA的对应关系为：
（式2-5）
则可得增益控制的理论精度为：
（式2-6）
由以上分析可知，该电路满足对增益控制范围及精度的指标要求。
3．自动增益控制范围
AGC范围的计算式为：
G=20log（Vs2/Vs1）-20log(VOH/VOL) （式2-7）
式中，Vs2、Vs1分别为输入信号的最大和最小值；VOH、VOL分别为输出的最大和最小值。
由式2-7推知，当输入信号的有效值为0.0012VVi2.0V时，要保证输出电压有效值为4.5VVO5.5V，则AGC范围为64dB。图2-2给出了放大器在进入AGC模式后的传输特性在matlab中的仿真结果。由图知，此功能满足题目要求。
图2-2
4．系统噪声
本系统噪声主要由输入端电阻热噪声、BUF634电路噪声、AD603电路噪声及AD844电路噪声等引起。在最高增益60dB状态下，对系统各级噪声分别进行近似计算：
= （式2-8）
= （式2-9）
= （式2-10）
= （式2-11）
= （式2-12）
在式（2-8）～（2-12）中：取K=、T=300K、R=、B=90MHz；、、和表示各器件噪声系数，分别为4、1.3，1.3和2；B1、B2、B3、B4和 G1、G2、G3m、G4m分别表示各器件的带宽和增益，具体数值如图2-1所示。由此进一步可推知，系统噪声有效值及峰峰值分别为：
=0.054V（式2-13）
Un峰峰==0.153V （式2-14）
由以上分析可知，该电路可满足题目对噪声的指标要求。
5.运放之间的耦合电容
AD603的输入阻抗为100，为了保证9KHz以上的信号通过，把高通滤波的截止频率设置为8KHz。
由 可得，两个AD603之间应该加的电容的大小为：
C2====199nF （式2-15）
选标称值 C2=330 nF。
在buf634与AD603之间所加的电容值为：
C1==== 99nF （式2-16）
为了留一定的余量，取标称值C1=220 nF
同理可得，在AD603与AD844之间的电容为：C3=220 nF
三、单元电路设计与实现
综合分析本题目的基本要求和发挥部分要求，我们确定的总设计目标为完成题目全部功能和指标。各单元电路设计如下：
1. 输入缓冲电路
为了使输入阻抗 1K，带宽8KHz~10MHz，采用BB公司的BUF634来完成，本级增益为0dB 。具体电路图如下所示：
图3-1 输入缓冲级电路图
考虑到通频带带宽的要求以及降低缓冲级的输入噪声，BUF634选用30MHz带宽的电路连接形式。BUF634具有高输入阻抗，为了降低系统引入的噪声和干扰，并且满足输入阻抗大于，在BUF634的输入端对地并接一电阻。
BUF634的输出端串接一100Ω电阻，与后级AD603的输入阻抗（100Ω）构成一衰减倍数为0.5的衰减器，以保证输入信号有较大的范围。
2．主放大电路
此电路可以由ADI公司的AD603完成。AD603在宽频带工作模式下，增益控制范围为-11dB～+31dB ，且控制电压与增益dB 数成线性关系，为达到设计目标可用两级级联。AD603的噪声谱密度只有1.3 ，能够满足低噪声的设计要求。
图3-2 主放大电路
其具体电路如上图2-2所示，其每级增益为
（式3-1）
其中，为AD603的增益控制电压，单位伏特，范围-0.50V～0.50V。故两级AD603的可控增益范围为-22dB～62dB，可以保证本电路有较大的增益预置范围和AGC控制范围。
3． 输出级放大电路
本级采用AD844放大电路完成，AD844具有高达2000V/us的压摆率和很强的带负载能力，开环输出电阻15，在电源为±15V、负载电阻为600Ω时，就能够使输出电压的有效值达到8.40V。AD844的全功率带宽为20MHz,满足放大器带宽的要求。电路如图2-3所示。
图 3-3 输出级电路
鉴于主放大器AD603的最大输出电压为2.5V，AD844输出阻抗约为15，为确保在600电阻负载上输出8.5V,则设计此级增益至少为：
（式3-2）
调试完成后，测得增益为7.67倍，即17.7dB。
4． 增益控制电路
采用AD7528实现。电路图如图3-4所示。
图3-4 增益控制电路
有效值测量电路
该电路由峰值检波（输出时电阻分压）和A/D转换电路实现。具体电路如图3-5所示。
图3-5
图3-5中，R1的作用是把检波电路输出的电压范围转换至A/D的输入电压范围0～5.0V。经过调试，最终确定输出电压有效值与A/D数值的关系为：
U有效=KAD×34.1+300 （式中，U有效 的单位mV） （式3-3）
其中的检波电路采用最常见的峰值检波形式，检波时常数以通频带的低端频率（）为依据来设计。对应的周期为0.11ms，则检波时常数取1ms。具体器件的参数为： R1=100K，C1=10nF
电路
图3-5 峰值包络检波电路图
multisim仿真结果
图3-6
若采用如图3-7所示的电路图，则可以解决小振幅电压的测量问题，但该电路调试比较麻烦，故不采用。
图3-7 一种可测小振幅电压的检波电路
6． MCU及显示键盘系统
单片机采用AT89C55,键盘控制采用专用芯片ZLG7289A,使按键的处理和控制变得简单、易控。测量输出有效值、控制增益以及实现自动增益控制都可由具体的软件算法实现。采用128*64的图形液晶显示模块作为显示界面。
为了使放大器的实用性更好，我们还用PCF8583为系统扩展了掉电保护功能，可让预设的增益值长时间保持。
7．电源部分
电源提供+5V/1A、5V/0.5A 和15V/0.5A五路输出，以保证系统正常工作。
参数计算
A）输出5V电压时，输出的电流至少为1.5A，变压器输出电压为9.5V。
在0.01s内稳压器件输入级电压变化为：
=4.06V （式3-4）
式中，U=9.5V为变压器交流输出电压值，Ud=2.3为LM323K的最小管压降。1.4V为二极管压降。
滤波电容C为：
式中，ΔUIP-P为稳压器输入端纹波电压的峰峰值；
T为电容放电时间；
IC为电容放电电流，可取Ic=I0。
取标程值 C=4700uf
B）输出+15V电压时，输出的电流至少为0.5A，变压器输出电压为23.8V。
在0.01s内稳压器件输入级电压变化为：
=13.7V （式3-5）
滤波电容C为：
为了进一步减小纹波，取 C=3300uf
C）输出-15V电压时，输出的电流至少为0.5A，变压器输出电压为-23.8V。
与+15V计算方法相同，确定滤波电容为；
C=3300 uf （式3-7）
电路图
图3-8 电源电路
8. 去耦和降噪
（1）放大器级联时采用电容耦合，电容值依据通频带下限频率确定。
（2）放大器板上所有运放电源线及数字信号线均加磁珠和电容滤波。磁珠可滤除电流上的高频毛刺，电容滤除较低频率的干扰，它们配合在一起可较好地滤除电路上的串扰。其电路形式如图3-9所示。安装时尽量靠近IC电源和地。
（3）在两个焊接板之间传递模拟信号时用同 图3-9
轴线，以使传输阻抗匹配，并可减少空间电磁波对本电路的干扰。
（4）数字电路部分和模拟电路部分的电源严格分开，同时数字地和模拟地电源地一点相连。
（5）在BUF634的输入端及AD844的输出端都并联有小电阻，以提高系统抗干扰能力，使系统更加稳定。
四：系统软件设计与控制算法分析
1．软件功能和结构
本系统软件采用结构化程序设计方法，功能模块各自独立，包括系统初始化、程控放大模块、自动增益控制模块、测量电压有效值、按键处理模块和显示模块。软件主体流程图如下图4-1所示。
图4-1主程序流程图 图4-2自动增益控制流程图
2．功能模块算法设计
（1）有效值测量模块 该模块利用峰值检波方式实现电压有效值的测量。采集峰值时，采取的是采样10次、均值滤波的方式，从而减小误差，使测量更准确。所测电压的有效值与A/D的值成线性对应关系，多测量几组数据，再由式3-3求出有效值。
（2）程控增益模块 增益控制字由式2-5确定。为了保护系统，软件对设置的增益范围进行了限定，当超出0~60dB时，则视为无效输入，并显示相应提示。
（3）自动增益控制（AGC）模块 当执行AGC功能时，输出信号经过检波后，由A/D转换送入单片机，然后与AGC输出电压范围的最大值和最小值作比较，根据三者之间的大小关系改变程控放大器的增益。单片机每次读取A/D的值经过运算输出控制电压总共需要60us左右的时间，本设计中软件增益控制约为100个执行周期，即。因此软件AGC的时常数约为6ms。根据不同的要求设定软件可方便的实现可变时常数AGC。其流程如图4-2所示。
（3）按键处理模块 此系统的按键功能包括选定设计要求的九级增益（数字键1～9）、任意增益（10dB～60dB）预设、AGC功能、日期时间的显示和预设。其中增益预设对输入数据的范围进行了限定，当输入数据超出范围时，显示相应的错误提示。
（4）显示模块 采用128*64的图形液晶显示模块显示预设的增益值以及输出电压的有效值，形象直观。预设时采用反显字符的方式提示正在进行的操作，界面友好。
（5）掉电保护功能 使用实时日历钟芯片PCF8583显示当前的时间、日期，并可对其预设，还利用其内部的低压RAM实现了掉电保护功能。
五：系统测试
测试条件
室温25℃，工频220V交流电源
测试仪器
胜利仪器 DT890 数字式万用表
Agilent 33120A 信号发生器 15MHZ
Tektronix TDS 210 数字示波器 60MHZ
测试方案、结果与结果分析
输入阻抗测试
图5-1 阻抗测试 图5-2 幅频特性测试
如图5-1连接，用示波器测量V和Vi,则输入电阻为：
= （式5-1）
表5-1 （R=1.2KΩ）
f(Hz) 5K 10K 20K 80K 500K 1M 2M 4M 6M 8M
V(mV) 468 424 420 420 424 420 420 408 400 392
Vi(mV) 170 148 172 172 168 172 152 156 148 128
Ri(K) 1.14 1.07 1.39 1.39 1.31 1.39 1.13 1.24 1.17 0.97
结果分析：经过测量，在5KHz到6MHz范围内满足输入阻抗1K，满足并超过了设计要求。
幅频特性测试
测试电路连接如下图5-3-2，改变不同频率，分别测试输入、输出电压，按下式计算增益，得出幅频特性。
， G=20lg AV （式5-2）
表5-2
f（Hz） 7K 10K 20K 500K 2M 5M 6M 12M
2.00 2.00 2.00 2.00 1.92 1.96 1.88 1.64
13.0 15.0 17.2 19.2 18.2 18.0 17.6 10.8
6.50 7.50 8.60 9.60 9.50 9.18 9.36 6.59
G（dB） 16.3 17.5 18.7 19.6 19.6 19.3 19.4 16.4
结论：由上表可看出，本放大器的3dB 带宽为7KHz~12MHz， 在20KHz~6MHz频带内增益起伏1dB ，满足并超过了题目的要求。
最大增益 G max=，电路接法同图（5-2）
表5-3
F 10K 50K 500K 6M
Vop-p（V） 17.0 19.8 20.0 21.6
Vip-p（mV） 20 20 20 20
Gm（ dB ） 50.6 52.0 60.0 52.7
结果分析，本放大器的最大增益满足了发挥部分58dB 的要求，并达到了60 dB。
增益步进测试 测试电路如下图所示：
图5-3 增益步进测试
6dB步进测试
G设（ dB ） 10 16 22 28 34 40 52 46 58
Vi（mV） 50 50 50 50 20 20 20 20 20
V0（V） 0.161 0.364 0.632 1.240 1.030 1.900 7.440 4.080 16.200
V0/Vi 3.22 7.28 12.64 24.80 51.50 95.00 372.0 204.0 810.0
G测 10.2 17.2 22.0 27.9 34.2 39.6 51.4 46.2 58.2
| -G设| 0.2 1.2 0.0 0.1 0.2 0.4 0.6 0.2 0.2
表5-4 f=500kHz
结论：从上表可看出，6dB步进时测试的增益与预置的增益最大差值为1.2dB，达到发挥部分的要求。
2dB 步进测试表
表5-5 f=500kHz
G设（ dB ） 42 44 46 48 50 52 54 56
Vi（mV） 20 20 20 20 20 20 20 20
V0（V） 2.61 3.03 4.04 5.14 5.97 8.15 9.91 13.12
V0/Vi 130.5 151.5 202.0 257.0 298.5 407.4 495.5 660.7
G测 42.3 43.6 46.1 48.2 49.5 52.2 53.9 56.3
| G测-G设| 0.3 0.4 0.1 0.2 0.5 0.2 0.1 0.3
结论：由上表可以看出，预设增益2dB步进时测试的增益与预置的增益最大差值为0.5dB，达到发挥部分的要求。
输出有效值显示测试
改变输入信号的幅度，观察不同输出电压时的示波器显示值与液晶显示值，比较并计算出其误差。测试结果如下表：
表5-6 f=1MHz G=20dB
Vi(mV) 5 25 50 100 200 300 400 500 560 580 600
Vo液晶（V） 0.30 0.30 0.37 0.89 1.90 2.96 3.93 4.92 5.71 5.78 5.78
（V） 0.05 0.25 0.50 1.00 2.00 3.00 4.00 5.00 5.60 5.80 6.00
0.25 0.05 0.13 0.11 0.10 0.04 0.07 0.08 0.11 0.02 0.22
测试结论：从上表可以看出，单片机测试显示的电压有效值在0.5V～5.8V之间时，误差较小。在此范围外，由于A/D的限制，无法正常测试显示。（前面已论述）
最大有效值输出
图5-4 最大有效值输出测量
设置增益G=40dB，调节使输出最大且不失真。
表5-7
f（Hz） 50K 100K 1M 2M 5M 6M
（V） 9.10 9.00 8.54 7.50 7.79 7.16
结论：在输出信号不失真的情况下，通频带内最大输出电压有效值大于6.00V，满足并超过设计基本及发挥部分的要求。
（6）AGC性能测量
切换电路到AGC功能，使输入信号从一个较小值逐渐增大，观察输出，找出输出能够稳定在4.5V～5.5V之间的输入信号范围。
图5-5 AGC性能测量
表5-8 f= 500kHz
Vi（mV） 50 100 500 800 1000 2000 5000 10000
Vo 4.89 4.86 5.22 5.17 5.25 5.00 5.23 5.30
结论: 经测试，输入信号幅值从50mV～10V之间变化时，输出能够稳定在4.8V～5.3V之间。所以，AGC控制系统的调整范围为 ，输出电压有效值稳定在4.8V到5.3V之间，满足了设计发挥部分的要求。
（7）输出噪声测试
图5-6 输出噪声测试
结果分析： 经测试，在增益为58dB 情况下，输出噪声电压峰-峰值为300mV , 满足题目要求。
（8） ‘其他’项功能测试
A：自动计时和校时功能
能够实时地显示年、月、日、小时、分钟和秒的时间信息。
B：掉电保护功能
在前面程控功能完成的前提下测试, 观察系统断电前后初始增益值是否改变。测试结果如下表：表5-9
断电前（dB） 10 28 40
重启后（dB） 10 28 40
结论：具有计时和校时的功能，掉电保护功能正常。
C. 输出限定提示
我们设定放大器的增益范围为8dB～60dB,当设定增益超过这个范围时，液晶将显示“Input Over!”的提示。经测试，此功能实现完好。
（9）电源测试
三路负载均为1K，用示波器测电压。
图5-7 电源输出电压测试
表5-10
+5V +15V -15V
输出电压（V） 4.97 14.87 -14.87
当输出电压降至95%时，电流为最大输出电流。
图5-8 电源最大电流测试
表5-11
+5V +15V -15V
最大电流（A） 1.50 0.56 0.67
给三路电源同时加上500的负载，用示波器测其纹波。
图5-9 稳压电源纹波测试
表5-12
+5V +15V -15V
纹波电压（mV） 12 15 18
结果分析：电源的各项参数均满足设计要求。
六：总体结论
综合上述各部分的测试结果：本设计圆满地完成了题目基本部分的要求，还较好地完成了题目发挥部分的要求并扩展了掉电存储和输入限定等功能。前级降压、后级升压的设计不但扩展了AGC的范围，还提高了输出电压幅度。各种去耦和降噪措施的综合应用保证放大器稳定工作并且降低了噪声如果能对输出增益进行进一步实测校正或者使用性能更好的器件，还可以进一步提高指标。
七．附录：
参考文献
（ 1 ）《电子线路设计、试验、测试》 谢自美主编 华中理工大学出版社出版
（ 2 ）《第四届全国电子设计竞赛获奖作品选编》第三届全国电子设计竞赛组委会编 北京理工大学出版社出版
（ 3 ）《全国大学生电子设计竞赛获奖作品精选 1994-1999 》
全国大学生电子设计竞赛组委会编 北京理工大学出版社
（ 4 ）《 MCS-51 系列单片机应用系统设计》何立民编著 北京航空航天大学出版社出版
（ 5 ）《电子测量》 刘国林 殷贯西等编著 机械工业出版社出版
（ 6 ）《一种性能优良的自动增益控制电路》 张淑娥 杨再旺 李文田 华北电力大学
2.整个系统完整的电路图
（1）主要功能实现电路
（2）最小系统板
（3）电源部分
3．重要芯片资料
器件特性：
·“Linear in dB”Gain control
·pin programmable gain ranges -11dB to +31dB with 90MHz
·1.3 input noise spectral density
·线性增益（以dB为单位）控制；
·1.3输入噪声谱密度；
·275输出信号压摆率；
·90MHz 带宽下可实现-11dB到+31dB增益变化范围；
·0.5 dB典型增益控制精度；
·带宽独立于可变增益。
BUF634特性：
·HIGH OUTPUT CURRENT: 250mA
·SLEW RATE: 2000V/s
·PIN-SELECTED BANDWIDTH:
30MHz to 180MHz
·WIDE SUPPLY RANGE: 2.25 to 18V
AD 844特性：
·Wide Bandwidth: 60 MHz at Gain of –1
·Wide Bandwidth: 33 MHz at Gain of –10
·Very High Output Slew Rate: Up to 2000 V/_s
·20 MHz Full Power Bandwidth, 20 V p-p, RL = 500 _
·Fast Settling: 100 ns to 0.1% (10 V Step)
·Differential Gain Error: 0.03% at 4.4 MHz
·Differential Phase Error: 0.158 at 4.4 MHz
·High Output Drive: 650 mA into 50 _ Load
·Low Offset Voltage: 150 mV Max (B Grade)
·Low Quiescent Current: 6.5 mA
·Available in Tape and Reel in Accordance with
·EIA-481A Standard
❻ 磐正这个主板Epox EP-8KDA7I如何超频
进了系统后，用CPU-Z测试你的CPU外频到底是多少。
这个主板有自动恢复的功能，你调到400，如果启动不成功，会自动恢复默认值。
你先把bios刷到最新，然后把内存频率降到100，再超CPU外频（建议以10递增），成功启动后，用CPU-Z测试是否真正超频成功，成功了再重启调整。
另外，你的AMD Sempron, 1600即使超频成功，比如外频超到250，也不会有很大的飞跃，毕竟你这个CPU已经很老了，和现在主流已经跨越了几代，你要想超频一下就达到双核或四核的效果，这是不可能的。
一般来说超频可以提升10%~40%左右的效能（具体要看你CPU的体制和整机的搭配），但参照物是你原CPU的基础之上。
❼ 电脑主板
你说的是不是io错误啊？
实话说回答不了你去电脑城咨询一下修二手的！他们应该知道！
不好意思
❽ 有没有全球集成电路器件厂商的资料啊
集成电路
型号前缀 对应国外生产厂商 互联网网址
A INTECH(美国英特奇公司)
A- INTECH(美国英特奇公司
AC TEXAS INSTRUMENTS [T1](美国德克萨斯仪器公司) http://www.ti.com/
AD ANALOG DEVICES(美国模拟器件公司) http://www.analog.com/
AM ADVANCED MICRO DEVICES（美国先进微电子器件公司） http://www.advantagememory.com/
AM DATA-INTERSIL(美国戴特-英特锡尔公司) http://www.datapoint.com/
AN PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/
AY GENERAL INSTRUMENTS[G1](美国通用仪器公司)
BA ROHM(日本东洋电具制作所)(日本罗姆公司) http://www.rohmelectronics.com/
BX SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CA RCA(美国无线电公司)
CA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
CA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
CAW RCA(美国无线电公司)
CD FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
CD RCA(美国无线电公司)
CIC SOLITRON(美国索利特罗器件公司)
CM CHERRY SEMICONDUCTOR(美国切瑞半导体器件公司) http://www.cherry-semi.com/
CS PLESSEY(英国普利西半导体公司)
CT SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CX SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CXA SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CXD SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CXK DAEWOO(韩国大宇电子公司)
DBL PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/
DN AECO(日本阿伊阔公司)
D...C GTE(美国通用电话电子公司微电路部)
EA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
EEA THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
EF THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
EFB PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
EGC THOMSON-SGF(法国汤姆逊半导体公司)
ESM PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
F FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
FCM FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
G GTE(美国微电路公司)
GD GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]
GL GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]
GM GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]
HA HITACHI(日本日立公司) http://semiconctor.hitachi.com/
HD HITACHI(日本日立公司) http://semiconctor.hitachi.com/
HEF PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
HM， HZ HITACHI(日本日立公司) http://semiconctor.hitachi.com/
ICL， IG INTERSIL(美国英特锡尔公司)
IR， IX SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/
ITT， JU ITT(德国ITT半导体公司) http://www.ittcannon.com/
KA， KB SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/
KC SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
KDA SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/
KIA， KID KEC(韩国电子公司)
KM KS SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/
L SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
L SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LA SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LB SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LC SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LC GENERAL INSTRUMENTS(GI)(美国通用仪器公司)
LF PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
LF NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
LH NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
LH LK SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/
LM SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LM NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
LM SIGNETICS(美国西格尼蒂公司) http://www.spt.com/
LM FAIRCILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
LM SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
LM PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
LM MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
LM SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/
LP NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
LR LSC SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/
M SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
M MITSUBISHI(日本三菱电机公司) http://www.mitsubishi.com/
MA ANALOG SYSTEMS(美国模拟系统公司) http://www.analog.com/
MAX （美国）美信集成产品公司 http://www.maxim-ic.com/ http://www.maxim-ic.com.cn/
MB FUJITSU(日本富士通公司) http://www.fujitsu.com/
MBM FUJITSU(日本富士通公司) http://www.fujitsu.com/
MC MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
MC PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
MC ANALOG SYSTEMS(美国模拟系统公司) http://www.analog.com/
MF MITSUBISHI(日本三菱电机公司) http://www.mitsubishi.com/
MK MOSTEK(美国莫斯特卡公司)
ML PLESSEY(美国普利西半导体公司)
ML MITEL SEMICONDUCTOR(加拿大米特尔半导体公司) http://www.mitelsemi.com/
MLM MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
MM NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
MN PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/
MN MICRO NETWORK(美国微网路公司)
MP MICRO POWER SYSTEMS(美国微功耗系统公司)
MPS MICRO POWER SYSTEMS(美国微功耗系统公司)
MSM OKI(美国OKI半导体公司) http://www.oki.com/
MSM OKI(日本冲电气有限公司) http://www.oki.com/
N NA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
NC NITRON(美国NITROR公司)
NE SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
NE PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
NE MULLARD(英国麦拉迪公司)
NE SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
NJM NEW JAPAN RADIO(JRC)(新日本无线电公司)
OM PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/
OM SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
RC RAYTHEON(美国雷声公司)
RM RAYTHEON(美国雷声公司)
RH-IX SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/
S SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
S AMERICAN MICRO SYSTEMS(美国微系统公司)
SA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
SAA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
SAA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SAA GENERAL INSTRUMENTS(GI)(美国通用仪器公司)
SAA ITT(德国ITT-半导体公司) http://www.ittcannon.com/
SAB SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SAB AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
SAF SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SAK PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
SAS HITACHI(日本日立公司) http://semiconctor.hitachi.com/
SAS AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
SAS SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
SDA (德国西门子公司) http://www.siemens.com/
SC SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SE SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SE PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
SG SILICON GENERAL(美国通用硅片公司) http://www.ssil.com/
SG MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
SG PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
SH FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
SI SANKEN(日本三肯电子公司) http://www.sanken-elec.co.jp/
SK RCA(美国无线电公司)
SL PLESSEY(英国普利西半导体公司)
SN MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
SN TEXAS INSTRUMENTS(TI)(德国德克萨斯仪器公司) http://www.ti.com/
SND SSS(美国固体科学公司) http://www.s3.com/
SO SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
SP PLESSEY(英国普利西半导体公司)
STK SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
STR SANKEN(日本三肯电子公司) http://www.sanken-elec.co.jp/
SW PLESSEY(英国普利西半导体公司)
T TOSHIBA(日本东芝公司) http://www.toshiba.com/
T GENERAL INSTRUMENTS(GI)(美国通用仪器公司)
TA TOSHIBA(日本东芝公司) http://www.toshiba.com/
TAA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
TAA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
TAA SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
TAA PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)
TAA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
TAA PLESSEY(英国普利西半导体公司)
TAA MULLARD(英国麦拉迪公司)
TBA FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
TBA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
TBA SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
TBA HITACHI(日本日立公司) http://semiconctor.hitachi.com/
TBA NEC EIECTRON(日本电气公司) http://www.nec-global.com/
TBA ITT(德国ITT半导体公司) http://www.ittcannon.com/
TBA AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
TBA PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)
TBA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
TBA PLESSEY(英国普利西半导体公司)
TBA NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
TBA THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
TBA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
TBA MULLARD(英国麦拉迪公司)
TC TOSHIBA(日本东芝公司) http://www.toshiba.com/
TCA ITT(德国ITT半导体公司) http://www.ittcannon.com/
TCA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
TCA SPRAGUE ELECTRIC(美国史普拉格电子公司)
TCA MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体公司) http://www.motorola.com/
TCA PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)
TCA PLESSEY(英国普利西半导体公司)
TCA SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
TCA MULLARD(英国麦拉迪公司)
TCA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
TCA AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
TCA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
TCM TEXAS INSTRUMENTS[TI](美国德克萨斯仪器公司) http://www.it.com/
TDA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
TDA SPRAGUE ELECTRIC(美国史普拉格电子公司)
TDA MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体公司) http://www.motorola.com/
TDA PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)
TDA NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
TDA PLESSEY(英国普利西半导体公司)
TDA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
TDA NEC ELECTRON(日本电气公司) http://www.nec-global.com/
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❾ KDA币和CkB币那个收益高
kda，
金贝已成功完成LTC、CKB、HNS、SC等币种的多款算力服务器的研发、量产和销售。
金贝矿机总部位于上海，在杭州、香港、新加坡等地设有办事处，现有研发人员占公司人数70%以上，核心团队具备10年以上集成电路领域从业经验，成功流片超过10颗，覆盖高性能计算、区块链应用等领域。
本着成为卓越的区块链算力提供商，并推动行业发展这一理念，基于强大的核心团队和卓越的体系能力，金贝建立了从算法研究、芯片研发、芯片实现到量产交付的高效运营体系，并不断提升产品计算性能和竞争力，为数字经济的发展提供高性能、高可靠的算力基础设施。
除了目前所专注区块链领域外，金贝还响应国家芯片战略，根据公司发展战略和规划，正计划通过自主研发、战略合作等形式，将芯片及产品核心研发能力向物联网、人工智能等其他高性能计算、边缘计算领域探索延伸，进一步实现业务多元化。