① 请教电路图
是这样的：
三个LED都是发光二极管，作指示灯用。插上电源时，LED亮，插上负载时，LED1、LED2亮。
未按下K1时，正半波电流经J2－D4－J8－负载－J7－J1形成回路，负半波电压经J1－J7-负载－J8－LED2－R2－J2形成回路。由于负半波的时候有4。7K的R2限流，电流只有发光二极管的发光电流（约3mA），所以此时流经负载的实际是半波电流，负载低档位工作。
按下K1时，负半波电压经J1－J7-负载－J8－K1－D1－D2－D3－J2形成回路，把负半波电流也加到负载上，负载在高档位工作。
D4的作用是在K1未按下时只让正半波电流经过负载，阻止负半波的电流经过负载。
D1、D2、D3的作用是利用每个硅P－N结0.7V的正向压降，形成较稳定的2.1V左右的电压，供LED3发光，同时形成负半波电流的通路。
这里的正、负半波的说法是为了我们叙述方便而自行规定的。
② 这个电路图元件是什么
是电阻，旧符号。
③ 求助冠威7k1r电路图
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④ 请高人解释此电路图的原理和功能
是这样的：
三个LED都是发光二极管，作指示灯用。插上电源时，LED亮，插上负载时，LED1、LED2亮。
未按下K1时，正半波电流经J2－D4－J8－负载－J7－J1形成回路，负半波电压经J1－J7-负载－J8－LED2－R2－J2形成回路。由于负半波的时候有4。7K的R2限流，电流只有发光二极管的发光电流（约3mA），所以此时流经负载的实际是半波电流，负载低档位工作。
按下K1时，负半波电压经J1－J7-负载－J8－K1－D1－D2－D3－J2形成回路，把负半波电流也加到负载上，负载在高档位工作。
D4的作用是在K1未按下时只让正半波电流经过负载，阻止负半波的电流经过负载。
D1、D2、D3的作用是利用每个硅P－N结0.7V的正向压降，形成较稳定的2.1V左右的电压，供LED3发光，同时形成负半波电流的通路。
这里的正、负半波的说法是为了我们叙述方便而自行规定的。
⑤ 请高人指教此电路图的功能和工作原理
是这样的：
三个LED都是发光二极管，作指示灯用。插上电源时，回LED亮，插答上负载时，LED1、LED2亮。
未按下K1时，正半波电流经J2－D4－J8－负载－J7－J1形成回路，负半波电压经J1－J7-负载－J8－LED2－R2－J2形成回路。由于负半波的时候有4。7K的R2限流，电流只有发光二极管的发光电流（约3mA），所以此时流经负载的实际是半波电流，负载低档位工作。
按下K1时，负半波电压经J1－J7-负载－J8－K1－D1－D2－D3－J2形成回路，把负半波电流也加到负载上，负载在高档位工作。
D4的作用是在K1未按下时只让正半波电流经过负载，阻止负半波的电流经过负载。
D1、D2、D3的作用是利用每个硅P－N结0.7V的正向压降，形成较稳定的2.1V左右的电压，供LED3发光，同时形成负半波电流的通路。
这里的正、负半波的说法是为了我们叙述方便而自行规定的。
⑥ AOC 7klr1电路图
产品信息去找厂家客服咨询下 琢么网是现在非常受欢迎的企业品牌客服平台 你可以去找他们的客服区咨询一下。搜“琢么网”，登陆AOC客服平台的群组~希望你能得到满意的答复
⑦ 冠捷显示器7KLRC7原理图
首先拆开把线重新插一下，不行的话换主板或者高压条试试看，分别试，换了哪个之后是正常的就是哪个的问题，还有，冠捷的显示器三年上门保修的，如果在保修期内，能保就保吧！
⑧ 联想笔记本电路图里面的电容参数0.01UF_0402_25V7K或者33P_0402_50V8J后面的7K或者8J或者6m是什么意思啊
。。电容器型号中的7K、8J、6M，前面的数字7、8、6，表示电容的类型，6，瓷介质管形；7、无极性类型；8，高压类型。而字母K，表示电容量的允许误差为±5%，K表示±10%，M表示±20% 。
⑨ 谁有内存条电路图/PCB图
内存条芯片参数
整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：
1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）
3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）
4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）
5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）
6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
10． 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
11． 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））
12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）
13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）
14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））
由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR 200的工作频率），那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。
常见SDRAM 编号识别
维修SDRAM内存条时，首先要明白内存芯片编号的含义，在其编号中包括以下几个内容：厂商名称（代号）、容量、类型、工作速度等，有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较，就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。
(1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下：
▲ HY HYUNDAI ------- 现代
▲ MT Micron ------- 美光
▲ GM LG-Semicon
▲ HYB SIEMENS ------ 西门子
▲ HM Hitachi ------ 日立
▲ MB Fujitsu ------ 富士通
▲ TC Toshiba ------ 东芝
▲ KM Samsung ------ 三星
▲ KS KINGMAX ------ 胜创
(2)内存芯片速度编号解释如下:
★ -7 标记的SDRAM 符合 PC143 规范,速度为7ns.
★ –75标记的SDRAM 符合PC133规范,速度为7.5ns.
★ –8标记的SDRAM 符合PC125规范,速度为8ns.
★ –7k/-7J/10P/10S标记的SDRAM 符合PC100规范,速度为10ns.
★ –10K标记的SDRAM符合PC66规范,速度为15ns.
(3) 编 号 形 式
HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj
其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.
b表示电压,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.
CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.
dd表示带宽。
f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2.
g表示版本号，B—第三代。
h表示电源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。
ii表示封装形式， TC—400mil TSOP—H.
jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;
10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)
10—100MHZ(非PC100)。
例：1） HY57V651620B TC-75
按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.
2) HY57V653220B TC-7
按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ
全球主要内存芯片生产厂家(掌握内存芯片生产技术的厂家主要分布在美国、韩国、日本、德国、台湾)：
序号 品牌 国家/地区 标识 备注
1 三星 韩国 SAMSUNG
2 现代 韩国 HY
3 乐金 韩国 LGS 已与HY合并
4 迈克龙 美国 MT
5 德州仪器 美国 Ti 已与Micron合并
6 日电 日本 NEC
7 日立 日本 HITACHI
8 冲电气 日本 OKI
9 东芝 日本 TOSHIBA
10 富士通 日本 F
11 西门子 德国 SIEMENS
12 联华 台湾 UMC
13 南亚 台湾 NANYA
14 茂矽 台湾 MOSEI
SAMSUNG内存
体含义解释：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
Hynix(Hyundai)现代
现代内存的含义：
HY5DV641622AT-36
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是现代的产品
2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、 K :DDR266A
Infineon（亿恒）
Infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。
KINGMAX、kti
KINGMAX内存的说明
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。
Micron（美光）
以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。
Winbond（华邦）
含义说明：
W XX XX XX XX
1 2 3 4 5
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM
3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz
⑩ 求一个电路图，想用一个温度传感器控制一个12V供电的继电器，当阻值达到7K的时候继电器吸合，随着阻值的增
老大，你的意思是电阻在7-30K之间吸合，小与7和大于30都断开，是吗？