⑴ 在IGBT的逆变模块上加了一种小型的电路板，问工程师他们说是作为吸收用，具体是吸收什么大概作用是啥
在IGBT开通关断的时候会有很大的di/dt，电路杂生电感的存在会产生dv/dt，吸收就是吸收dv/dt。可能模块的杂生电感大吧
⑵ IGBT吸收电路为什么很少用C直接吸收
直接用C吸收，应用于直流正负母线上，即跨接在一个半桥上，若单管IGBT直接用C吸收，会引起半桥短路（电容隔直通交）
⑶ IGBT常用缓冲电路有哪些
1、 缓冲电路的作用与基本类型
电力电子器件的缓冲电路(snubber circuit)又称吸收电路，它是电力电子器件的一种重要的保护电路，不仅用于半控型器件的保护，而且在全控型器件(如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的应用技术中起着重要的作用。
晶闸管开通时，为了防止过大的电流上升率而烧坏器件，往往在主电路中串入一个扼流电感，以限制过大的di/dt，串联电感及其配件组成了开通缓冲电路，或称串联缓冲电路。晶闸管关断时，电源电压突加在管子上，为了抑制瞬时过电压和过大的电压上升率，以防止晶闸管内部流过过大的结电容电流而误触发，需要在晶闸管的两端并联一个RC网络，构成关断缓冲电路，或称并联缓冲电路。
GTR、GTO等全控型自关断器件在实际使用中都必须配用开通和关断缓冲电路;但其作用与晶闸管的缓冲电路有所不同，电路结构也有差别。主要原因是全控型器件的工作频率要比晶闸管高得多，因此开通与关断损耗是影响这种开关器件正常运行的重要因素之一。例如，GTR在动态开关过程中易产生二次击穿的现象，这种现象又与开关损耗直接相关。所以减少全控器件的开关损耗至关重要，缓冲电路的主要作用正是如此，也就是说GTR和功率MOSFET用缓冲电路抑制di/dt和/dt，主要是为了改变器件的开关轨迹，使开关损耗减少，进而使器件可靠地运行。
没有缓冲电路时GTR开关过程中集电极电压uCE和集电极电流iC的波形，开通和关断过程中都存在uCE和iC同时达到最大值的时刻;因此出现了瞬时的最大开关损耗功率Pon和Poff，从而危及器件的安全。所以，应采用开通和关断缓冲电路，抑制开通时的di/dt，降低关断时的/dt，使uCE和iC的最大值不会同时出现。
GTR开关过程中的uCE和iC的轨迹，其中轨迹1和2是没有缓冲电路的情况，开通时uCE由UCC(电源电压)经矩形轨迹降到0，相应地iC由0升到ICM;关断时iC由ICM经矩形轨迹降到0，相应地uCE由0升高到UCC。不但集电极电压和电流的最大值同时出现，而且电压和电流都有超调现象，这种情况下瞬时功耗很大，极易产生局部热点，导致GTR的二次击穿而损坏。加上缓冲电路后，uCE和iC的开通与关断轨迹分别如3和4所示，由可见，其轨迹不再是矩形，避免了两者同时出现最大值的情况，大大降低了开关损耗，并且最大程度地利用于GTR的电气性能。
GTR的开通缓冲电路用来限制导通时的di/dt，以免发生元件的过热点，而且它在GTR逆变器中还起着抑制贯穿短路电流的峰值及其di/dt的作用。GTO的关断缓冲电路不仅为限制GTO关断时再加电压的/dt及过电压，而且对降低GTO的关断损耗，使GTO发挥应有的关断能力，充分发挥它的负荷能力起重要作用。
IGBT的缓冲电路功能更侧重于开关过程中过电压的吸收与抑制，这是由于IGBT的工作频率可以高达30~50kHz;因此很小的电路电感就可能引起颇大的LdiC/dt，从而产生过电压，危及IGBT的安全。PWM逆变器中IGBT在关断和开通中的uCE和iC波形。在iC下降过程中IGBT上出现了过电压，其值为电源电压UCC和LdiC/dt两者的叠加。
为开通时的uCE和iC波形，增长极快的iC出现了过电流尖峰iCP，当iCP回落到稳定值时，过大的电流下降率同样会引起元件上的过电压而须加以吸收。逆变器中IGBT开通时出现尖峰电流，其原因是由于在刚导通的IGBT负载电流上叠加了桥臂中互补管上反并联的续流二极管的反向恢复电流，所以在此二极管恢复阻断前，刚导通的IGBT上形成逆变桥臂的瞬时贯穿短路，使iC出现尖峰，为此需要串入抑流电感，即串联缓冲电路，或放大IGBT的容量。
综上所述，缓冲电路对于工作频率高的自关断器件，通过限压、限流、抑制di/dt和/dt，把开关损耗从器件内部转移到缓冲电路中去，然后再消耗到缓冲电路的电阻上，或者由缓冲电路设法再反馈到电源中去。此缓冲电路可分为两在类，前一种是能耗型缓冲电路，后一种是反馈型缓冲电路。能耗型缓冲电路简单，在电力电子器件的容量不太大，工作频率也不太高的场合下，这种电路应用很广泛。
⑷ 请教变频器中IGBT的吸收电容安装方式
我认为不一定要靠近IGBT的，毕竟这点距离对大电流电子没有什么关系的，我见到很多变频器设计都不会靠近IGBT的
⑸ IGBT 中阻容吸收回路到底是怎样的工作原理，实现了什么样的保护功能，望详细说明下，
就是利用电容器两端电压不能突变的原理，吸收瞬间过电压，实现过压保护。
⑹ igbt管中的阻容吸收回路的工作原理是怎样的，到底实现了什么样的保护功能，望较详细说明下
IGBT关断时，由于漏感L的存在，会引起电压尖峰V=Ldi/dt，在IGBT管中并联阻容吸收电路，可以吸收电压尖峰，防止IGBT过压击穿；电容吸收的能量在IGBT导通的时候被释放掉，如此循环。
⑺ IGBT吸收电容的选择标准是什么
以后再不要小看igbt吸收电容在电路中的作用啦，勿因小失大！
选择不好的吸收电容影响：
电容作用于IGBT,电容本身一般不容易坏，过滤尖峰电压能力好坏对IGBT影响很大
1，如果电压不稳定，IGBT尖峰电压将很大，IGBT很容易被击穿
2.平时不出问题，不代表以后不出问题，如果IGBT尖峰电压反复冲击，IGBT寿命将受影响。
之前到访好多用户，发现IGBT被击穿或IGBT寿命短，不耐用，最后发现，他们用的国产吸收电容滤波不太好
IGBT使用英飞凌别以为就很有保障，IGBT吸收电容是和IGBT配合的，
其实，IGBT吸收电容很重要，要选品质好的品牌，推荐使用台湾誉电，美国CDE都可以
⑻ GTR、P-MOSFET、IGBT吸收电路的基本结构如何
RC 吸收
RCD吸收
⑼ IGBT RCD吸收电路，电阻为什么发热厉害
一是有直流电流通过消耗功率，二是有谐波（高频）电流通过消耗功率。故发热是正常的。
⑽ IGBT RC吸收电路中电容电阻如何选择
楼上说的是整流电路的RC保护电路设计
IGBT的保护电路根据IGBT规格的不同有RC、RCD和C三种，
RC吸收电路适用于中型IGBT，一般根据你的开关频率来选择，就是3*R*C要小于开关频率，比如你的频率是1000HZ，就可以选择3uF的电容和75欧的电阻