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场效应管电路

发布时间:2020-12-31 03:34:07

A. 场效应管构成的恒流源电路

如图,其中分压电阻和稳压管为场效应管的栅极提供一个固定的基准电压。

B. 场效应管恒流源电路图

给你画了一个: 1欧负载时:



恒定电流I=0.6/R2 不过12V时,最好将MOS换为低导通电压的! 我仿真环境是30V下的~

C. 场效应管2N60用在哪些电路

这是一个mos管,他的Ids是2A,Vds是600V,也就是说电压低于600V,电流小于2A的电路,都能用它

D. 用场效应管3DJ6F做一个放大电路

一个射频(RF)放大器可以具有其最大功率传输的阻抗,音频和仪表放大器通常优化输入和输出阻抗,以使用最小的负载并获得最高的信号完整性。

一个声称增益为20 dB的放大器可能具有10倍的电压增益和远超过20 dB(100功率比)的可用功率增益,但实际上可以提供一个低得多的功率增益,比如输入是一个600 Ω的麦克风,输出接在一个47 kΩ的功率放大器的输入端上。

ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域。

表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。


(4)场效应管电路扩展阅读:

在二极管加上正向电压(P端接正极,N端接负极)时,二极管导通,其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时,N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端,而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动。

从而形成导通电流。同理,当二极管加上反向电压(P端接负极,N端接正极)时,这时在P型半导体端为负电压,正电子被聚集在P型半导体端,负电子则聚集在N型半导体端,电子不移动,其PN结没有电流通过,二极管截止。在栅极没有电压时,由前面分析可知,在源极与漏极之间不会有电流流过。

当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时,由于电场的作用,此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极,但由于氧化膜的阻挡,使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中(见图7b),从而形成电流。

使源极和漏极之间导通。可以想像为两个N型半导体之间为一条沟,栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁,该桥的大小由栅压的大小决定。

E. 场效应管在电路中如何控制电流大小

这个很简单,只是使用过MOS管的人远不如使用过三极管的人多而已 。
MOS管是电压控制器件,也就是需要使用电压控制G脚来实现对管子电流的控制。
一般市面上最常见的是增强型N沟通MOS管,你可以用一个电压来控制G的电压,MOS管导通电压一般在2-4V,不过要完全控制,这个值要上升到10V左右。给你推荐一种方法。
基本方法:用一个控制电压(比较器同相输入端)和一个参考电压(比较器反相输入端),同时进入电压比较器(比较器电源接正12V和地,比如LM358当比较器),比较器的输出经过5.1K电阻上拉后接G脚,如果控制电压比参考电压高,则控制MOS管导通输出电流。
参考电压可以来自于采样电阻,也就是在NMOS的S极接一个大功率小电阻后接地,这个电阻做电流采样,当电流流过电阻后会形成电压,把它放大处理后做参考。
刚开始的时候,电流很小,所以控制电压比参考电压高很多,这时候G脚基本上都加了12V,可以使管子迅速导通,在很短时间后,当电流增大逐步达到某个值时,参考电压迅速上升,与控制电压接近并超过时,比较器就输出低电平(接近0V)使管子截止,电流减小。然后电流减少后,参考电压又下去,管子又导通,电流又增大。然后周而复始。
如果你用D/A输出代替控制电压,则可以获得对MOS管的精确控制,我们以前实现过输出范围10-2000mA,步进1mA,输出电流精度正负1mA的水平。

F. 在一个开关电源的电路里{场效应管}的作用是什么呢谢谢

在一个开关电路里,如下图:

带软开启功能的MOS管电源开关电路

场效应管,也就是MOSFET的作用是作为开关,控制电源的通断,具体分析见《带软开启功能的MOS管电源开关电路》

G. 请推荐一场效应管和电路图,用于5V或3.3V单片机控制5V和12V电源通断

电路图见下图,有具体的元器件型号:

H. “三极管”和“场效应管”有什么不同在电路中的作用分别是什么

三极管,全称为“半导体三极管”,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。

I. 场效应管的电路符号

这叫绝缘栅型场效应管,里面的不是稳压管,而是反相保护二极管。

J. 结型场效应管怎么不用做开关电路

2sk1020是500v30a的n沟道场效应管,栅极和源极最高容许电压正负30v.
你做单端反激电源可用uc3842或专3844直接驱动,做推挽属式可用sg3525直接驱动,做半桥或全桥拓扑的电源的话可在sg3525或tl494的输出再加驱动芯片ir2110来驱动2sk1020。无论何种驱动方式都要在其栅极和源极间加一10k电阻和一个20v稳压管,栅极与驱动芯片之间加一个几欧的电阻,此电阻上并联一个1n4148二极管,负极接栅极正极接驱动芯片的输出。芯片供电电压可选在18v至20v之间。说的不妥处请高手再指正。

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