① IGBT吸收电路为什么很少用C直接吸收
直接用C吸收,应用于直流正负母线上,即跨接在一个半桥上,若单管IGBT直接用C吸收,会引起半桥短路(电容隔直通交)
② 尖峰吸收电路是什么意思啊
开关电源中在开关管截止的瞬间,会在开关变压器初级感应出一个反向高回脉冲电压,容易损坏开关管答。为此在变压器初级并联一个由高压电容和快恢复二极管组成的脉冲吸收回路,给这个反向高脉冲电压提供一个放点通路,保护开关管。这个回路就叫尖峰吸收回路。
③ RC吸收电路原理
RC吸收电路原理抄~(个人理解说的不对不要扔砖头)
相对于输入源来讲电容和电阻并联~
正常的时候,输入源的电压电流稳定`电流通过电阻R向负载供电
但输入源电压出现波动的时候,(波动可看到幅度不稳定的交流)
大家都知道电容是隔直通交``交流电通过电容进行充电`此时直流电还是通过
电阻R向负载供电`这样就能够使负载保持相对稳定的电压`
④ 晶闸管并吸收电路的作用
晶闸管并吸收电路的作用:
在没有RC阻容吸收时,有一条反压很高波形,回加了RC后,吸收或抑制答了下反压增加因素,使器件电压击穿损坏减少。
加了RC吸收后,电路换相过零时,RC电容上电压特性相反,使器件加入反相电压,从而使器件可靠关断。
晶闸管T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。
(4)吸收电路扩展阅读:
当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导通,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。因此,两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门极电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通,晶体管饱和导通。
设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,设流过J2结的反相漏电电流为Ic0。
⑤ 我想做一个阻容吸收电路用来吸收尖峰电压值,手里有一个1uF188v的 ,不知道电阻该选多大的 ,希望大家帮助
嗯,先要明白概念:
阻容是应对交流电的,是一个频敏元件,不同于压敏元件,,主要针对于电压的瞬间振荡和高频电流,而且对于瞬态尖峰,效果很差或者说没有,成熟的瞬态抑制一般都用:压敏电阻,瞬态抑制二极管(TVS),保护用可控硅,雪崩二极管,气体放电管等成熟器件,一般使用中使用一个就行了。
阻容只能用于滤波和防干扰,一般对于交流电力驱动的小功率负载,取100欧姆和0.05uF(瓷片电容),大容量的电容针对低频干扰,小容量的针对高频干扰,这个可以根据容抗计算。
计算阻容的值要有以下数据(或者粗略的):
工作电压,工作频率,干扰频率,负载阻抗
1、电容电压不得小于工作电压的1.5倍,正极电压谷值(波形最低端)如果始终不低于负极则可以用电解电容。
2、电阻至少大于或等于10倍负载阻抗(阻性负载,感性负载用电压除电阻不得大于线路保护电流的100分之一【这个我没试验过,仅供参考】)。
3、确定干扰频率,才能确定电容容值,根据容抗公式,
你的1uF电容针对于55赫兹的交流电来说有2.89千欧的阻抗,虽然够大,但是对电路干扰的阻抗同样大,如果是1K赫兹的干扰,容抗达到159欧姆(理论计算值),所以不适用于滤波,一般高频滤波电容没有大于0.1uF的,一般都是0.01uF。
最后,资料仅供参考,我也没有科学论证过,如果造成您的设备爆炸什么的,不承担责任。
⑥ RCD吸收电路的RCD吸收电路的原理
若开关断开,蓄积在寄生电感中能量通过开关的寄生电容充电,开回关电压上升。答其电压上升到吸收电容的电压时,吸收二极管导通,开关电压被吸收二极管所嵌位,约为1V左右。寄生电感中蓄积的能量也对吸收电容充电。开关接通期间,吸收电容通过电阻放电。
⑦ 大神解释一下这个吸收电路作用
1. RCD尖峰吸收电路
2. 吸收高频变压器线圈产生的电动势
⑧ RCD吸收电路如何设计
上面的回答有几处错误,
1. 1/2(Lleak*Ipeak^2*(Vsnub/(Vsnub-N*Vout))) 是能量单位J 焦耳,计算功率P还应再乘以工作频率内F(Hz)。容
2. 钳位电压一般选择为反射电压的1.4倍左右,这样的综合损耗通常最低。
选取电阻和电容时,应先估算几个参量,匝比,初级峰值电流,钳位电压,另外有些参数不可忽略如次级整流管压降,变压器二次侧漏感(尤其匝比比较大的时候)。有了这些参数之后,基本可以计算电阻了,P=V^2/R即可,选择一个纹波电压值Vr,如选为钳位电压的10%,C=I*T/Vr即可。
初步选定后,整机再做调整,即可得到合适的参数。离线式的反激电源,100K左右的频率,最终的参数一般电阻为几十千欧,电容为几纳法,否则计算的一定不合理或设计的不合理。
⑨ 尖峰吸收电路的原理是什么
在图中所示的电路中。
尖峰吸收电路
在开关管VT截止的瞬间,其集电极上产生的反峰专值电压属经C1、R1构成充电回路,充电电流使尖峰电压被控制在一定范围内,以免开关管被击穿。当C1充电结束后,C1通过开关变压器T的初级绕组、300V滤波电容、地、R1构成放电回路。因此,当R1取值小时,虽然利2.对尖峰电压的吸收,但增大了开关管的开启损耗;当R1取值大时,虽然降低了开关管的开启损耗,但降低了对尖峰电压的吸收。
⑩ 什么叫尖峰吸收回路电路
开关电源中在开关管截止的瞬间,会在开关变压器初级感应出一个反向高脉冲回电压,容易损坏开关管。答为此在变压器初级并联一个由高压电容和快恢复二极管组成的脉冲吸收回路,给这个反向高脉冲电压提供一个放点通路,保护开关管。这个回路就叫尖峰吸收回路。