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mos管驱动电路

发布时间:2020-12-29 22:14:55

⑴ 关于光耦驱动MOS管的电路

你做高边驱动?
没什么问题,要注意的是30V的管子用在24V供电系统中如果感性负载过大耐压不够。
你可以换一个更快的续流二极管。
另外你那个C61太大了,换一个100nf即可。

⑵ 怎么用5v单片机驱动mos管 图腾柱 还是驱动ic 电路图的最后

如果开关速度不高的话,单片机可以直接驱动MOS 管,速度高时加一级普通三极管放大。内
因大功率场效应管栅极容理论上不需要电流,但高速工作时,栅极电容(可达几千皮法)需快速充放电,因此会需消耗数毫安至几十毫安电流。

⑶ 这个电路图MOS管是怎么驱动的

1. Q5为NMOS管,R12为限流电阻(或是偏置电阻),源漏之间的二极管内为保护二极管。
2. 源极接地容,电压为0,当栅极(即图中右眼驱动1)的电压大于开启电压Vth(一般为0.7V)时,就可在源漏之间形成导电沟道,产生电流。
3. 栅极未加电压(或电压小于Vth)时,管子关闭,电阻很大,12V电压基本全部加在管子上,R12上电压很小,电路电流为几乎为0;栅极电压大于开启电压时,管子导通,电阻迅速变小,R12分得部分电压,电路中产生电流。此电流大小既满足欧姆定律(电阻电流电压方程),也满足萨支唐方程(管子电流电压方程),即上下电流相同,满足电流一致性。
4. 二极管起保护作用。当漏源电压较大时,在管子发生源漏穿通之前,二极管先发生反向击穿,从而保护了管子。
5. 如果二极管为稳压管的话,就是用来恒定漏源电压的,从而通过选择稳压管可以设置电流的大小。此时流过R12的电流等于流过二极管的电流与流过管子的电流之和,满足基尔霍夫电流定律,即流入节点的电流等于流出节点的电流。

⑷ mos管为什么要驱动电路 博客

不太理解你的问题的意思啊。驱动电路能进行受控的开和关,这样就能对mos管中专的id电流进行调制,另外mos管开通属和关断都需要进行充电和放电(虽然mos是电压驱动型器件,但由于结容的存在,需要对这些电容充电才能有驱动电压),这都需要电流,电流就是由驱动电路提供的,除此之外你还想问什么?

⑸ 如何用3.3V单片机驱动mos管

用三极管不如用ULN2803,一个ULN2803可以驱动8只MOS管。没有其他电路。 直接可以连接,简单方便。 做H桥的话内,可以控制2路,容如果只控制一路,也可以用ULN2003.

补充:你肯定没有看这两个IC,输出12V没有问题,最高输出电压50V,最高输出电流500mA,内部集成了续流二极管,基极电阻。直接上一个片子即可。其实这个片子里面就是集成的达林顿管,和用三极管是一样的道理。 可靠性比分立元件高。

⑹ 如何选择最适合的MOS管驱动电路

1、管种类和结构

MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。

至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。

对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小,且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。下面的介绍中,也多以NMOS为主。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免,后边再详细介绍。

在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。

2、MOS管导通特性

导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。

NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。

3、MOS开关管损失

不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。

MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,损失也越大。

导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

4、MOS管驱动

跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需要速度。

在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。

第二注意的是,普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里,但在12V汽车电子系统里,一般4V导通就够用了。

MOS管的驱动电路及其损失,可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。讲述得很详细,所以不打算多写了。

5、MOS管应用电路

MOS管最显著的特性是开关特性好,所以被广泛应用在需要电子开关的电路中,常见的如开关电源和马达驱动。

5种常用开关电源MOSFET驱动电路解析

在使用MOSFET设计开关电源时,大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素,这样的电路也许可以正常工作,但并不是一个好的设计方案。更细致的,MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET,其驱动电路,驱动脚输出的峰值电流,上升速率等,都会影响MOSFET的开关性能。

当电源IC与MOS管选定之后, 选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。

一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求:

(1)开关管开通瞬时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。

(2)开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。

(3)关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放,保证开关管能快速关断。

(4)驱动电路结构简单可靠、损耗小。

(5)根据情况施加隔离。

⑺ 求解释一些MOS管驱动电压

过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可以理解为:超过驱动门限(Vth)的剩余电压大小。

1)只有在你的过驱动电压“大于版零”的权情况下,沟道才会形成,MOS管才会工作。也就是说,能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通。

2)沟道电荷多少直接与过驱动电压二次方成正比。也就是说,能够使用过驱动电压来计算饱和区的电流。

3)如果能够更加深入理解的话,可以领悟到过驱动电压不单单适用于指代Vgs,也适用于指代Vgd。即
Vod1=Vgs-Vth;
Vod2=Vds-Vth;
如果两种Vod都大于零,说明晶体管沟道全开,也就是处于线性区。只有一种Vod大于零,说明晶体管沟道半开(在DS任意一端没打开有夹断),也就是处于饱和区。

⑻ 求一个单片机控制mos管的电路图

电路原理图:

单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西, 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以,要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲,最好用N沟道的MOS。

如果驱动的东西(功率)很大,(大电流、大电压的场合),最好要做电气隔离、过流超压保护、温度保护等~~ 此时既要隔离传送控制信号(例如PWM信号),也要给驱动级(MOS管的推动电路)传送电能。

常用的信号传送有PC923 PC929 6N137 TL521等 至于电能的传送可以用DC-DC模块。如果是做产品的话建议自己搞一个建议的DC-DC,这样可以降低成本。

(8)mos管驱动电路扩展阅读:

MOS管应用

1、低压应用

当使用5V电源,这时候如果使用传统的图腾柱结构,由于三极管的be有0.7V左右的压降,导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候,我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。

2、宽电压应用

输入电压并不是一个固定值,它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。

为了让MOS管在高gate电压下安全,很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下,当提供的驱动电压超过稳压管的电压,就会引起较大的静态功耗。

⑼ 单片机控制MOS管驱动12V电机电路

之所以用MOS驱动是因为单片机I/O驱动能力很弱(一般只有500mA左右的电流)。D14的作用是为回Q1和Q4组成答的互补输出电路提供开启电压,让Q1、Q4始终在开启状态。电源改成12V你不需要改任何东西。

⑽ MOS管驱动电路与MOSFET作开关作用有什么区别

MOSFET的开关作用是针对MOS特性得出的,MOS管输出特性曲线有可变电阻区、夹断区和恒流区,当在可回变电阻区和夹断区内答工作时,MOS管相当于一个电子开关。
MOS管驱动电路跟MOS本身没有必然联系,因为MOS管的控制比一般三极管麻烦一些,特别是关断的要求比较高,为了让MOS用起来更简单,就出现了驱动电路这类东西。MOS管当然不用驱动电路,也完全可以工作。
简单的说,驱动电路类似MOSFET的服务电路。

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