eak电路

『壹』 菜鸟请求大家能帮我详细的解释一下这个电路中，VT1 与VT2是怎样交替导通的。

物理定理，定律，公式表
粒子的运动（1）------直线运动
1）匀变速运动
1平均速度V = S / T级（定义）。有用的推论VT2-VO2 = 2AS
3。中间的速度Vt / 2 = V水平=（VT + VO）/ 4决赛中速度VT = VO +
中间位置，速度VS / 2 = [（VO2 + VT2）/ 2] 1/2 6。位移s = V平T = VOT + AT2 / 2 = Vt/2t
7。加速度a =（VT-VO）/ T {VO是一个积极的方向，和Vo是相同的方向（加速度）> 0;扭转A <0}
实验的推论Δs的= AT2 {ΔS是连续的相邻相等的内部位移差（T）}
9。物理量及单位：初速度（VO）：米/秒，加速度（a）：m/s2末速度（Vt）：m / s的时间（t）秒（s）;位移（s）：米（M）;到家：米速度单位换算：1米/秒=3.6公里每小时。
注意：
（1）的平均流速是一个向量;
（2）对象的速度，加速度是不一定大;
（3）=（Vt的-Vo级） /吨的措施，而不是确定的模式;
（4）其它相关内容：质量，位移和路程，参考系，时间和时间[看到的第一个卷P19] / S - T图，V - 吨图/速度和速率的瞬时速度看第一卷P24]。
2）自由下落
1。初始速度VO = 0 2。终端速度Vt = GT
3。下降高度h = GT2 / 2（计算）4 VO位置下来。推论VT2 = 2GH
注：
（2）= G = 9.8米/
（1）自由落体的匀加速直线运动，初速度为零遵循匀变速运动规律; S2≈10m/s2（在赤道附近的重力加速小，在高山上比平地的方向直降小）。抛体运动

（3）垂直位移s = VOT-GT2 / 2。终端速度Vt = VO-GT（G = 9.8m/s2≈10m/s2）
3。有用的推论VT2摄氧量=-2GS 4。上升的最大高度Hm = Vo2/2g（抛出点计算）
往返时间T = 2Vo /克（从抛出落回原来的位置时）
请注意： />（1）处理的全过程：向上为正方向匀减速直线运动，加速度为负;
（2）分段处理：向上为匀减速直线运动的自由落体，与对称;
（3）的上升和下落的过程中，对称性，如在同一个点的速度等值反向。
粒子的运动（2）----曲线运动，万有引力
1）平抛运动
1。水平方向，速度：VX = VO 2。垂直方向，速度：VY = GT
3。水平位移：X = VOT 4。垂直位移为：y = GT2 / 2
运动时间t =（2Y /克）1/2（通常表示为（2H / g）的1/2）
6。闭速度Vt =（VX2 + VY2）1/2 = [VO2 +（GT）2] 1/2
合闸速度方向和水平角度β：tgβ= Vy速度/ Vx的= gt/V0
7。总排量：S =（X2 + Y2）1/2，
位移方向与水平面夹角α：tgα= Y / X = GT / 2Vo
8。水平加速度：AX = 0，垂直加速度：AY = G
注：
（1）卧式抛体运动，匀变速曲线运动，加速度g，通常可以看作是一个合成的自由落体匀速直线运动的水平方向和垂直方向上;
（2）掉落高度h（y）的运动决定水平抛出速度无关;
（3）θ和β之间的关系tgβ=2tgα;
（4）的时间t是解决关键的平坦的抛物线的运动，（5）的曲线运动的对象必须速度和力的方向的加速度，当遭受曲线运动（加速度）的方向是不相同的直线，对象指南。
2）匀速圆周运动
线速度V = S / T =2πR/ T 2。角速度ω=Φ/吨=2π/ T =2πF
向心加速度= V2 / R =ω2r=（2π/ T）2R 4。同心F心= MV2 / R =mω2r= MR（2π/ T）2 =mωv= F一起
5周期和频率：T = 1 / F 6。角速度和线速度的关系：V =ωR
角速度和速度ω=2πN（相同的频率和速度的意义在这里）
8主要物理量和单位：电弧长度（s）： m个（m）角度（Φ）：弧度（RAD），频率（F）：他（HZ）;周期（T）：秒（s），转速（n）：R / S;半径（R）：米（米）的线速度（V）：m / s的角速度（ω）：为rad / s，向心加速度：m/s2之间。
注意：
（1）向心力可以由一个特定的力的提供，还可以提供由力还可以提供由分力的方向的方向总是垂直于速度，指向圆心;
（2）做匀速圆周运动的物体，向心力等于力，向心力只改变速度的方向，不改变大小的速度，使对象的动能保持不变，和向心力，没有做的工作，但的势头正在发生变化。
）引力
1。开普勒第三定律：T2/R3 = K（=4π2/GM）{R：轨道半径，T：周期，K：常数（做了行星的质量无关。取决于质量的核心对象）}
2。万有引力定律：F = Gm1m2/r2（G = 6.67×10-11N？m2/kg2方向在它们的连线）
3。天体由于重力和加速度的比重：GMm/R2 =毫克; G = GM/R2 {R：天体半径（m），M：天体质量（kg）}
4颗卫星的轨道速度，角速度，周期：V =（GM / R）1/2;ω=（GM/r3）1/2; T =2π（r3/GM）的1/2 {M：中心天体的质量}
第一（第二3）宇宙速度V1 =（G地方R地）1/2 =（GM / R接地）1/2 =7.9公里/秒; V2 =11.2公里/秒; V3 =16.7公里/秒
地球同步轨道卫星GMM /（R + h）的2 =m4π2（R至+ H）/ T2 {≈36000公里从地球的表面河，h：高度：地球的半径}
注： BR />（1）天体运动所需的向心力是由引力，F = F 000;
（2）应用万有引力定律可估算天体的质量密度;
（3 ）对地静止卫星在赤道上空运行，运行周期与地球的自转周期是相同的;
（4）卫星轨道半径小时，势能变小，较大的动能，速度，更大的周期较小（与3反）; >（5）地球卫星环绕速度和最小的传输速度是7.9公里/ s的。
力（常见的力，力的合成与分解）
1）常见的力
1。重力G =毫克（直降方向，G = 9.8m/s2≈10m/s2，点的重心，适用于地球表面附近）
胡克定律F = KX {方向沿着回收变形方向，K：刚性系数（N / m的），X：变形（米）}
3。滑动摩擦力F =μFN{物体??的运动方向相反μ：摩擦系数，FN：正压力（N）}
静摩擦力0≤F静态≤FM（相对运动方向发展的趋势和对象相反，fm为最大静摩擦力）
5引力F = Gm1m2/r2（G = 6.67×10-11N？m2/kg2，其连接的方向）
6。电场力F = kQ1Q2/r2（K = 9.0×109N？m2/C2，其连接的方向）
7。电场力F =式（E：电场强度N / C，问：电力?，正电荷，在电场力的磁场方向相同）
8。安培力F =BILsinθ（θ为B和L的角度，当L⊥B：F = BIL，B / / L时：F = 0）
9。洛伦兹力f =qVBsinθ（θB和V，当V⊥B：F = QVB，V / /：f = 0时）
注：
（1）的刚度系数k的角度确定由弹簧本身;
（2）独立的摩擦系数μ和压力的大小和接触面积的大小，由接触表面的表面状态的决定的材料性质;
（3）调频稍大比μFN，通常被视为FM≈μFN;
（4）其它相关内容：静摩擦力（大小，方向）卷P8];
（5）物理量符号及单位B：磁感应强度（T），L：有效长度（m），I：电流强度（A），V：带电粒子速度（米/秒），Q：带电粒子（带电体）电源（C）;
（ 6）安培力的洛伦兹力的方向是用左手判断。组合和分解

2）力。同一条直线上力的合成：F = F1 + F2，反向：F = F1-F2（F1> F2）

F. =（F12 + F22 +2角度力的合成：F1F2cosα ）1/2（余弦）F1⊥F2的法律：F =（F12 + F22）1/2
3。在一起的Fx的=Fcosβ，Fy的=Fsinβ，（β连同与x轴的正交tgβ= Fy的尺寸范围内：| F1-F2 |≤F≤| F1 + F2 |
4。力分解之间的角度/ FX）
注：
（1）力（矢量）的合成和分解遵循平行四边形;
（2）联合部队的受力零件之间的关系是等价的替代品可用合力替代建立分力在一起，反之亦然;
（3）在除了式方法中也可以被用来作为一个图方法要选择缩放严格映射;
F1和F2（4）的值是恒定的，较大的角度（α角）的F1和F2，迫使越小;
的合成（5）的同一条直线上的力，可以沿一条直线的正方向，用符号表示的方向力，从而简化了代数运算。
动能（运动和力）
1。牛顿第一运动定律（惯性定律）：物体具有惯性始终保持匀速直线运动或静止状态，直到有外力迫使它改变这三个国家至今
牛顿第二运动定律：F合共= mA或A = F合/ MA {与合作的总的外部决定，在外力的方向}
3。牛顿第三运动定律：F =-F'{负号表示方向相反，F，F'各自在对方，平衡和力反应力差，实际应用：反冲运动}
共通点力平衡F一起= 0，推广{正交分解法，三所收集的原则}
5超重：FN> G，失重：FN <G {加速向下的方向是失重，加速度向上，超重} BR /> 6。牛顿运动规律的适用条件：适用于适用于宏观物体低速运动问题，不适用于高速加工的问题并不适用于微观粒子[请参阅P67卷]
注意：平衡状态是指该对象是在静止或匀速直线状态，或匀速转动。
振动与波（机械振动和机械振动的传播）
简谐准F = KX {F：恢复力，K：比例系数，x：位移，负号表示F的方向所述始终扭转}
2。摆周期T =2π（L / G）1/2 {L：摆长度（m）G：的局部加速度的重力值既定的条件下：摆角θ> R}
3 。受迫振动频率特性：F = F驱动力
4。共振条件：F驱动力= F固体，A =最大值，共振预防卷P175]
机械波，横波和纵波卷II P2]
波速度V = S / T =λF =λ/ T {波的传播和应用[见一个周期向前传播的波长，波速度的大小是由介质本身}
声波速度（在空气中）0°C：332米/秒; 20°C：344米/ S，30°C：349米/秒;（声波是纵波）
8波明显的衍射（波绕过障碍物或孔继续传播）条件：障碍物的大小孔比光的波长，或相差不大
9。波干扰的情况下：相同的两波的频率（相差恒定的幅度相似，相同的振动方向）
10多普勒效应：由于波源和观测者之间的相互运动，产生不同的波源发射频率和接收频率{彼此接近，接收频率的增加，反之亦然，减少[见第II卷P21]}
注意：
（1）的固有频率和振幅的对象，不管驱动力的频率，取决于振动系统本身;
（2）加强区峰和波峰或波谷和波谷满足在薄弱区的波峰和波谷满足;
（3 ）波传播的振动，介质本身波不发生迁移的方式来传递能量;
（4）干涉和衍射的一些波特
（5）振动图像和波动图像;
（六）其他有关：超声波及其应用[见第二卷P22] /振动能量转换[，第一卷P173]。
六，冲量和动量（强制的变化势头对象）
势头：p = mv的电话号码：动量（千克/秒），M：质量（kg），V：速度（m /秒），同样的方向和速度方向}
冲动：I = FT {I：脉冲（N），F：恒力（N），T：力的作用时间（S），方向是确定的F}
动量定理：I =ΔPFT = MVT-MVO {△P：动量变化ΔP= MVT-MVO，是向量}
5。动量守恒定律：P前= p或p =''也可以是m1v1 + m2v2 = m1v1'+ m2v2'
6。弹性碰撞：在ΔP= 0;ΔEk= 0 {系统的动量和动能守恒}
7。非弹性碰撞ΔP= 0，0 <ΔEK<ΔEKm{ΔEK：动能的损失，EKM：损失的最大动能}
完全非弹性碰撞ΔP= 0;ΔEK=ΔEKm{碰在一起成一整体}
9。对象M1弹性速度和M2早期v1的一个静止的物体的被触摸的
v1的'=（M1-M2）/（M1 + M2）v1的v2的'= 2m1v1 /（M1 + M2）
10 。 9 -----优质弹性触感，当两个开关速度（动能守恒，动量守恒）
11发子弹米的水平速度VO事件静止的长木块放置在一个水平的光滑曲面M，并嵌入在推论他们一起移动时，机械能损失
?损失= mvo2/2-（M + m）的，VT2 / 2 = fs的相对{名词：一个共同的速度，传真：电阻的相对位移的子弹相对长的木件}??
注：
（1）被感动了，也被称为中央碰撞速度方向，在他们的“中心”连接;
（2）上述表达式的计算是矢量除了为动能，在理想成一维的代数运算;
（3）系统保护的势头条件的情况下，积极的方向发展：总的外力为零或系统外力，系统动量守恒（碰撞问题，爆炸问题，反冲）;碰撞过程
（4）（在很短的时间内，碰撞的物体构成的系统）的保护的势头，核衰变，动量守恒定律;
（5）爆炸过程中动量守恒定律，化学能转化为动能，动能增加;（6）其它相关内容：反冲，火箭和空间技术的发展和宇宙的航程[见第二卷P128]。
七，功和能（电源的能量转换是衡量）
功能：W =Fscosα（定义）{W：功能（J），F：恒力（N），S：位移（M）之间的夹角，α：F，S}
重力作用：WAB = mghab {m：质量的对象，G = 9.8m/s2≈10m/s2哈：A和B的高度差（HAB = HA-HB）}
电场力作用：WAB = qUab【q：用电量（C），UAB：A和B之间的电势差（V），UAB =ΦA，ΦB}
> 4。电力：W = UIT（普遍的）{U：电压（V），I：电流（A）T：通电时间（s）}
功率：P = W / T（定义）{P：功率[瓦（W），W：时间做反应（J），T：长效使用时间（s）}
6。车辆牵引功率：P = FV，P水平= FV {P：瞬时功率P水平：平均功耗}
汽车启动的恒定功率，恒定的加速度启动车的最高行驶速度（VMAX = P额/ F ）
8。电机功率：P = UI（普遍的）{U：电路电压（V），I：短路电流（A）}
9。焦耳定律：Q = I2Rt {Q：电热（J），I：电流强度（A），R：电阻值（Ω），T：通电时间（s）}
10。纯电阻电路I = U / R，P = UI = U2 / R = I2R，Q = W = UIT = U2T / R：= I2Rt
11。动能：EK = MV 2/2 {EK：动能（J），M：对象的质量（kg），V：物体瞬时速度（米/秒）}
12。重力势能：EP =麻省总医院{EP：重力势能（J），G：由于重力，H：垂直高度（m）（从零势能面达）}

13电加速度势能：EA =qφA{EA：带电体在点A电势能（J），Q：用电量（C），φA：A点的电势（V）（从零势能面自）} /> 14。动能定理（对象做积极的工作，一个物体的动能）：
W的CO = mvt2/2-mvo2/2或W一起ΔEK
{W在一起：外部势力的对象做总功率ΔEK：动能变化ΔEK=（mvt2/2-mvo2/2）}

15。机械能守恒定律：ΔE= 0或EK1 + EP1 = EK2 + EP2也可以是mv12 / 2 + mgh1 = mv22的WG = / 2 + MgH2的
16。在重力作用的重力势能（重力等于物体的重力势能增加负）增加率
注：
（1）功率的大小表示快和慢作用署的数字表示多少能源转换;
（2）O0≤α<90°做积极的工作; 90O <α≤180°做负功;α= 90°不工作（力的方向的位移（速度）方向垂直时，力不采取行动， ）;
（3）重力（弹力，电场强度，分子间作用力）做了积极的工作和重力（弹性，电，分子）可能减少
（4）重力作用电场力做功独立的路径（见2,3方程）（5）机械能守恒成立的条件：没有工作的其他部队，但比重（有弹性），动能和势能之间的转换（6）单位换算：1千瓦时（度）= 3.6 ×106J，1EV = 1.60×10-19J *（7）弹簧弹性势能E = KX2 / 2，相关的刚度系数和形变量。
8动力学理论，法律节约能源
1。阿伏加德罗常数NA = 6.02×1023/mol的分子直径的数量级10-10米
膜法测得的分子直径e= V / S {V：单分子膜体积（m3），S：膜的表面面积（m）2}
动力学理论内容：由大量分子组成的材料，大量的分子做无规则热运动的分子之间存在的相互作用力。
4。分子间的引力斥力（1）R <R0，F引<F谴责，F R = R0，F铅= F谴责分子的受力性能的排斥
（2），F分子力= 0，E分子势能能量=艾敏（最小）
（3）R> R0，F引> F谴责的F分子力表现为引力
（4）R> 10R0 f引= F谴责≈0 F分子力≈0，E分子势能≈0
第一定律，热力学W + Q =ΔU{（做功和传热都改变对象的方式可以是等效的效果）， W：外部对象做定期的功能（J），Q：物体吸收的热量（J），ΔU：增加的内能（J），涉及到第一类永动机不能创建[见第二卷P40]} BR /> 6。配方的第二定律热力学
克氏：这是不可能的，让热量传递的身体从低到高温物体，而不引起其他变化（热传导的方向）;
开尔文声明：不可能从单一热源和它的所有吸收热量是用来做什么工作，而不引起其他变化（机械能，内能转化的方向），第二类是涉及永动机不能创建[见第二卷的P44]}
热力学第三定律：热力学不能达到零宇宙的温度下限：-273.15摄氏度（热力学零度）}
注意：</（1）布朗粒子不是分子，布朗粒子是体积更小，更明显的布朗运动，温度越高，更多的暴力;
（2）温度是分子的平均动能的标志;
3）分子间的引力和斥力同时存在，分子之间的距离，减少排斥远引力下降的速度比
（4）分子的力量做积极的工作，分子势能减小在r0 F引= F剂分子势能最小;
（5）气体膨胀，外部的气体做负工件W 0;吸收热量，Q> 0
（6的对象）的内部可以
（7）r0是分子的对象的所有分子的动能和分子势能的总和为零的理想气体的分子间力和分子势能是零;平衡状态，分子间的距离;
（8）：可以转化和给定的常数法[见第二卷P41] /能源的开发和利用，以及环境保护[见第二卷P47] /对象内分子的动能的分子势能[见第II卷P47]。
9，气体
1的性质。气体的状态参数：
温度：宏观层面上，一个物体的冷热程度;微观物体内部分子无标志的强度的规则运动之间的关系
热力学温度，摄氏温度：T = T +273 {T：热力学温度（K），T：摄氏温度（°C）}
体积V：气体分子占据的空间，单位换算：1立方米= 103L = 106毫升的
压力p：每单位面积的，和一个大的气体分子数频繁击中了墙壁，并产生一个连续的，均匀的压力和标准大气压的压力：1大气压= 1.013×105Pa = 76cmHg（1Pa的1N/m2）
2。气体分子运动的特点：大的分子之间的差距，除了碰撞的瞬间，是弱的相互作用，伟大的分子的流动性
3。理想气体状态方程：p1V1/T1 p2V2 / T2 {PV / T =常数，T为热力学温度（K）}
注：
（1）理想气体的内能无关做的理想气体，温度的材料的量的体积; >（2）的公式成立的条件是一定的质量的理想气体，使用公式要注意的温度的单位，吨是摄氏温度（°C），以及T为热力学温度（K）。

10，电场
1。两种电荷，电荷守恒定律，基本费用：（E = 1.60×10-19C）;带电体的电荷量相等的电荷的整数倍
2。库仑定律：F = kQ1Q2/r2（真空）{F：点电荷之间的力（N），K：静电常数k = 9.0×109N？ m2/C2，Q1 Q2：什么两个带电的电力消费（C），距离（m）R：两个收费点，他们的连接，作用力与反作用力的方向，相同的电荷排斥，异种电荷相互吸引对方}
3的电场强度：E = F / q（下定义，公式）{E：电场强度（N / C），是矢量（电场），Q叠加的原则：测试费的电力（C）}
4。真空点（源）收取的电场E = kQ/r2 {R：源电荷的距离（米）的位置，Q：源电荷的电量}
均匀电场的场强E = UAB / D {UAB电压（V）：AB两点之间，D：AB两点在场强方向的距离（米）}
6。电场力：F = QE {F：电场力（N），问：电力的充电电池（C），E：电场强度（N / C）}
7。电势和电势差：UAB =φAφB，UAB = WAB / Q =ΔEAB/ Q
8。电场力做功：WAB = qUAB = EQD {WAB：带电体由A到B时电场力作用（J），Q：用电量（C），UAB：电场中两点之间的电势差B（V）（电场力做功路径无关），E：均匀的电场强度，D：沿磁场方向的两个点的距离（M）}
9。电势能：EA =qφA{EA：带电体在A，Q点的电势能（J）：电力消费（C），φA：A点的电势（V）}
/> 10电势变化ΔEAB的EB-EA {带电体在电场中从A到B位置的电势差}

11点。电场力做功电位能量变化ΔEAB=-WAB =-qUAB（增量电势能等于负的电场力做功值）
12。电容C = Q / U（）{定义的公式，其计算公式C：电容（F），Q：电荷（C），U：电压（双极板的电势差）（V）}
13。平行板电容器的电容C =εS/4πkd（S：两块板之间的垂直距离的面积，d：两块板，ω：介电常数）
通用电容器[见第II卷P111]
14。加速的带电粒子在电场（武= 0）：W =ΔEK或曲= mVt2 / 2 Vt的=（2QU /米）1/2
15带电粒子沿垂直方向的电场为了加快武成偏转均匀电场（而不考虑重力的情况下）的
平面垂直于电场的方向：匀速直线运动L = VOT（在平行板时，与等量异种电荷：E = U / D）
投掷运动平行电场方向：初速度为零匀加速直线运动D = AT2 / 2，A = F / M = QE /米
注：
（1）两个完全相同的带电金属球接触，的电力分布规律：原带异种电荷的第一和拆分后，原来的带相同电荷，总均分;
（2）的电场线从正电荷偏离结束于一个负电荷，电场线不相交，磁场方向的切线方向，在字段中的强电场线密度，越来越低的电场线的电位降低垂直于电场线和等势线;
常见的电场的电场线记忆[图（3）的分布[第II卷P98] （4）的电场强度（矢量）和潜在的（标量）由电场本身决定的电场力和电势能的积极和消极的多少和电源带电荷的带电体; （5）中的静电平衡导体是一个等电位体，其表面是一个等电位表面，和附近的表面上的外导体的电场线垂直于导体表面，导体总磁场强度为零，没有净电荷内部的导体，净电荷只分布在导体的外表面;
（6）电容器单元转换：1F =106μF= 1012PF;
（7）电子伏特（eV）是一个单位的能源，1EV = 1.60×10-19J;
（8）其它相关内容：静电屏蔽[见第二卷P101 / CRT示波器及其应用[见第二卷P114的势能面[看第二卷P105]。

11，恒定电流
1电流强度：I = Q / T {I：电流强度（A），Q：在时间t通过导线横载体表面的力量（C），t：时间（S）}
2欧姆定律：I = U / R {I：导体的电流强度（A），U：导体两端的电压（V），R：导体电阻（Ω）}
3。电阻，电阻定律：R =ρL/ S {ρ：电阻率（Ω·米）L：长度（m）的导体，S：导体截面积（平方米）}
4。关闭电欧姆定律：I = E /（R + R），或E = IR + IR也可以是E = U-内+ U外
{I：电路总电流（A），E：电源电动势（V），R：外电路电阻（Ω），R：电源内部电阻（Ω）}
5。电力和电力：W = UIT，P = UI {W：电力（J），U：电压（V），I：电流（A），T：时间（s），P：电功率（W ）}
6焦耳定律：Q = I2Rt {Q：电热（J），I：电流（A）通过的导体，R，T的导体的电阻值（Ω）：通电时间（S） ，}
7。纯电阻电路：由于I = U / R和W = Q，W = Q = UIT = I2Rt = U2T / R
电源的差饷总的电源输出功率，电源效率：P总= IE浏览器，P = IU，η= P / P的总{I：电路的总电流（A），E：电源电动势（V），U：的路侧电压（V）电源效率，η：}
电路串联/并联电路（P，U和R串联成比例）的并联电路（P，I和R是成反比）的
电阻关系（相同的字符串，和反）R字符串= R1 + R2 + R3 + 1 / R = 1/R1 +1 / R2 +1 / R3 +
电流关系I = I1 = I2 = I3的I = I1 + I2 + I3 +的

11。

『贰』 谁有电路图所用到的英文缩写资料

计算机硬件英汉对照表

VDD、VCC 电源
5VSB = 5V StandBy 待机5V电源
Acer--> 宏基公司?]@8
A/D--> 模拟/数据(@=
Address bus--> 地址总线-=:!g
ALT=Alternate--> 转换键/更改/更动=.
ALT=Alteration Switch--> 转换开关rP
AMD=Advanced Micro Devices Inc. --> 高级微设备公司G^(WN
AMI=American Megatrends Inc. --> 美国米格特雷德公司%@lu~
AGP=Accelerated Graphics Port --> 图形加速端口}
API=Application Program Interface --> 应用程序接口Z6#e9-
APM=Advanced Power Driver --> 高级动力驱动器"^p!"_
ASCII=American Standard Code for Information Interchange 美国信息交换用标准码t2L
BIN --> 收集器/二进制+ZTo-u
BIOS=Basic Input/Output System --> 基本输入输出系统V%iI`
Bit --> 位=RQ
Block --> 模块d
BS=Backspace --> 退格键^l[?7
Cache --> 高速缓存X9<O
CD=Compact Disc --> 致密盘，光盘6Y&anr
CGA=Colour Graphic Adapter --> 彩色图形显示器wzXb=1
CHCP=Display The Active Code Page Number --> 显示活动模式页码数(dy
Chips --> 芯片a4Kd
Clock Freq 时钟频率kX6U:e
CMOS=Complementary Metal-Oxide-Semiconctor --> 互补型金属氧化物半导体LK:>
CN=Connector --> 连接器2ysO
Columns --> 列>L6u
Com=Concatenation of Merge Way--> 串行口p+_5H
Control lines --> 控制线o
Controller --> 控制器vQ "J
Copyright --> 版权U6OuD
CPU=Central Processing Unit --> 中央处理器]#
CRT=Circuits --> 电路.& 9
CRT=Cathode Ray Tube --> 阴极射线管=Fcp)9
CTRL=Control --> 控制/控制键k=&
Cylinder --> 磁柱面Cyrix--->西列克斯公司^Ax
DAta Bus --->数据总线"
Daughterboard--->子板,X_F
3 -Ds= 3-Dimension studio --->三维绘图工作室qcl@Nq
DEL=Delete --->删除键A&
DHCP=Dynamic Handle Configrue Processor--->动态配置处理器NG
DM=Disk Manager --->磁盘管理器WouF{R
DMA=Direct Memory Access --->存储器直接存取（访问）OC>x(#
DOT=Device Operating Terminal--->设备操作终端QVqiX
DPMI=Data Processing Memory Information--->数据处理内存信息p
DRAM=Dynamic Random-Access Memory--->动态随机存储器SG\
DRV=Drive --->驱动器P
DSP=Digital Signal Processor --->数字信号处理器+D]ws
EGA=Enhanced Graphic Adapter--->增强型图形显示器h
EMM=Expanded Memory Management--->扩展内存管理rD]
EMS=Expanded Memory System --->扩展内存系统:
EMS=Expanded Memory Specification --->扩展内存规范-<
Encoded Keyboard --->编码键盘flRE
EROM=Erasable Read Only Memory--->可擦除只读存储器v(Yw
ESC=Escape --->退出键/退出系统U'
ESDI=Enhanced Small Device Interface--->增强型小型设备界面（接口）ju%;
FDD=Floppy Disk Drive --->软驱7"
FPU=Floating Point Unit --->浮点处理器（数学协处理器）[2
GB=Gigabyte --->千兆字节VL?af
Gold Finger--->金插脚o5k
HDD=Hard Disk Light-emitting diode--->硬盘指示灯（发光二极管）{
Head--->磁头}BIl
HPM=Hyper-Page-Mode--->超页模式n8k
IBM=International Business Machines Corporation--->国际商业机器公司R,+kST
ID=Identifier--->标识符kWT&gd
ID=Inside Diameter--->内径4;y
IDE=Insede Diameter Enhanced--->内部直径增强接口w(
INS=Insert--->插入行/插入键k}1Q,r
Intel--->英特尔公司9g4n`
Interleave--->交叉（存取）因子%?
Intersections--->内部结点31f
I/O=Input/Output---->输入输出v1
IRC=Interrupt Controller--->中断控制7\&d:y
IRQ=Interrupt Require --->中断请求G%6x
Joysticks--->操纵杆<
JP(Jumper)--->跳线;Ws
JCP=Jumper Channel Port--->跳通道线端 Q!Y
KB=Kilobytes--->千字节^9I
KB=Keyboard--->键盘8
Land Zone Cylinder--->焊盘存储区磁柱面4Rk\1!
LASER=Light Amplification By Stimulation Emission Of Eadiation--->激光/镭射G:jF&
LPT=Line Parrallel Tandem--->并行口!u\1-=
Mainboard--->主板awCF#h
MAP=Microprocessor Application Project--->微处理机应用计划+{
Master Clock--->主时钟rMD@o
MCI=Media Control Interface--->媒体控制接口fF2G{
MIDI=Musecal Instrument Digital Interface--->乐器数字接口J||
Modem=Molator and Demolator--->调制解调器e&Z
Motherboard--->母板2$S{
MPU=Micro-Processor(Processing) Unit--->微处理器 +0b;
MS=Microsoft---->微软w
MS=Memory System/Main Storage--->内存/主存?V[
NMOS=Negative Metal-Oxide-Semiconctor--->阴极金属氧化物半导体Rc,
NT=New Technology--->新技术('
NTAS=New Technology Advanced Server--->新技术超级服务器h
NTFS=New Technology File System--->新科技文件系统 =tX`-
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&;雷傲极酷超级论坛 -- 雷傲极酷超级论坛，最新软件，BT 下载，游戏娱乐，交友聊天，您网上的自由天堂 qTEat-
&;雷傲极酷超级论坛 -- 雷傲极酷超级论坛，最新软件，BT 下载，游戏娱乐，交友聊天，您网上的自由天堂 bO$.mU
PC=Private Compatible Machine--->个人兼容机YNmmca
PCI=Peripheral Component Interconnect--->外围元件互连u |,rN
PDI=Program Device Information--->程序设备信息=g
PDQ=Parrallel Data Query--->并行数据查询d*}yC6
Peripherals--->外设<${4
PgDn=Page Down--->向下翻页{S
PgUp=Page Up--->向上翻页V
Pins--->插脚.&?B-
PMOS=Positive Metal-Oxide-Semiconctor--->阳极金属氧化物半导体M:JY
Power--->电源((/;^
Precompensation Cylinder--->预补偿磁柱面B~A>Rs
Printer--->打印机/打印"@,a
PROM=Programmable Read Only Memory--->可编程序只读存储器A
RAM=Random-Access Memory--->随机存储器/内存c*u>]
RBS=Remote Boot Service--->远程引导（启动）服务kQZH?|
Regulator--->调整器K(e
Reset--->复位/复位键mZY+
REV.=Revision--->版本号^aWVmY
RISC=Reced Instruction Set Computer--->精减指令集计算机系统#`7
ROM=Read Only Memory--->只读存储器p_?.53
Rows--->行~=?==
RTC=Real Time Clock--->实时钟 o
&;雷傲极酷超级论坛 -- 雷傲极酷超级论坛，最新软件，BT 下载，游戏娱乐，交友聊天，您网上的自由天堂 }11
SB=Sound Blaster--->有声装置/声卡c`jFy
SCSI=Small Computer System Interface--->小型计算机系统界面（接口）C[YC
Sector--->扇区owJ+
Selector--->选择器p1<'n
SFT=Shifter--->换档键]
SIMM（Single-In-Line Memory Moles）--->单列直插式内存模块\b
SL=Slot--->插槽Y7v%
SMM(System Management Mode)--->系统管理模式7)i
SPK=Speaker--->喇叭`/q.=K
SRAM(System Random Access Memory)--->系统随机访问存储器S#1>
SW=Switch--->开关V`
SYS=System--->系统Wrm>.s
Tag RAM--->标记随机存储器nD^0
TM=Trade Mark--->商标rd,W
Track--->磁道9X~>\r
UPS=Uninterruptible Power System--->连续供电电源系统%TnT
UPS=Uninterruptible Power Supply--->不间断供电电源6Vcc
VB=Vision Blaster--->视霸卡peV
VCC=Volt Current Condenser--->电源电位3i_<b
Video Display Generator--->视频显示器0Wd
VGA=Video Graphic Adapter--->视频图形显示器ks~[
&;雷傲极酷超级论坛 -- 雷傲极酷超级论坛，最新软件，BT 下载，游戏娱乐，交友聊天，您网上的自由天堂 0LL~
&;雷傲极酷超级论坛 -- 雷傲极酷超级论坛，最新软件，BT 下载，游戏娱乐，交友聊天，您网上的自由天堂 Kyxw;]
计算机常用英语术语、词汇表 etvj
&;雷傲极酷超级论坛 -- 雷傲极酷超级论坛，最新软件，BT 下载，游戏娱乐，交友聊天，您网上的自由天堂 6
转自INTERNET'Pi@"X
&;雷傲极酷超级论坛 -- 雷傲极酷超级论坛，最新软件，BT 下载，游戏娱乐，交友聊天，您网上的自由天堂 p`
Computer Vocabulary In Common Use .z.K
一、硬件类(Hardware) qJ
二、软件类(Software) ;-+Wn
三、网络类(Network) %<
四、其它 v{e(vx
&;雷傲极酷超级论坛 -- 雷傲极酷超级论坛，最新软件，BT 下载，游戏娱乐，交友聊天，您网上的自由天堂 SfO
CPU(Center Processor Unit)中央处理单元 r(p
mainboard主板 aCYH:}
RAM(random access 9&
memory)随机存储器(内存) \nM(V
ROM(Read Only Memory)只读存储器 ?#Sz\
Floppy Disk软盘 @V%d
Hard Disk硬盘 s,
CD-ROM光盘驱动器(光驱) .'
monitor监视器 /X2H
keyboard键盘 9ECM
mouse鼠标 *(d@
chip芯片 3?7zfX
CD-R光盘刻录机 'XO5"
HUB集线器 Er
Modem= MOlator-DEMolator,调制解调器 \
P-P(Plug and Play)即插即用 ko9G$
UPS(Uninterruptable Power Supply)不间断电源 W
BIOS(Basic-input-Output \(}/9x
System)基本输入输出系统 e>Q
CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconctor)互补金属氧化物半导体 A
setup安装 De
uninstall卸载 o
wizzard向导 vP/c,
OS(Operation Systrem)操作系统 %R
OA(Office AutoMation)办公自动化 sp8f
exit退出 H7
edit编辑 X_8XD(
复制 S/R
cut剪切 3rQ2>
paste粘贴 *_r[
delete删除 oP%I
select选择 F
find查找 _x v\
select all全选 tP
replace替换 5eCUf>
undo撤消 x\,1#1
redo重做 a*CVZ
program程序 3<i^N!
license许可(证) .
back前一步 `z
next下一步 rU8w}`
finish结束 /![u6y
folder文件夹 t!PX
Destination Folder目的文件夹 k
user用户 ~k|'
click点击 N
double click双击 AA(pm^
right click右击 a
settings设置 S
update更新 rUm:
release发布 xL;
data数据 ;y
data base数据库 Nmh
DBMS(Data Base Manege u8X(3n
System)数据库管理系统 {
view视图 Zym#f
insert插入 s'g7V
object对象 *1
configuration配置 |;
command命令 N=z-{H
document文档 F~a
POST(power-on-self-test)电源自检程序 ,(h
cursor光标 D>:c7
attribute属性 &>:{
icon图标 T
service pack服务补丁 F|t'
option pack功能补丁 CKknC7
Demo演示 *j5t1
short cut快捷方式 v
exception异常 RkuVNG
debug调试 rjc| 0
previous前一个 0f
column行 /
row列 2UW#
restart重新启动 kx8
text文本 w^$
font字体 %kG
size大小 ^#
scale比例 z
interface界面 aY%od1
function函数 &5_Y
access访问 <?c
manual指南 %xp.M?
active激活 ,0}
computer language计算机语言 ]v
menu菜单 foWI
GUI(graphical user QS
interfaces )图形用户界面 0a
template模版 7J6
page setup页面设置 lc{ws
password口令 g\T\#'
code密码 D{Zu[
print preview打印预览 U
zoom in放大 X.+
zoom out缩小 H$x)A
pan漫游 fq("[
cruise漫游 $Io
full screen全屏 <l=>f
tool bar工具条 JU
status bar状态条 1
ruler标尺 R*X]Om
table表 K^xGY
paragraph段落 /x32,
symbol符号 (O<
style风格 &d>t
execute执行 "
graphics图形 <b*%
image图像 GUOa
Unix用于服务器的一种操作系统 4Iu
Mac OS苹果公司开发的操作系统 $
OO(Object-Oriented)面向对象 1RD:b
virus病毒 [oAn6
file文件 tGmAZ
open打开 :Vj}
colse关闭 MnY*
new新建 t2cV
save保存 E)
exit退出 8KTS
clear清除 aN
default默认 $[L)TV
LAN局域网 7
WAN广域网 y;
Client/Server客户机/服务器 $XC.
ATM( Asynchronous C>V>#}
Transfer Mode)异步传输模式 w7$Og
Windows NT微软公司的网络操作系统 8B\Z!
Internet互联网 :1H{ac
WWW(World Wide Web)万维网 p[
protocol协议 ajEI^
HTTP超文本传输协议 \DPws3
FTP文件传输协议 u>t
Browser浏览器 tiV(NG
homepage主页 oWA]
Webpage网页 f&Q
website网站 K!`~
URL在Internet的WWW服务程序上 (ROZYR
用于指定信息位置的表示方法 8JyJXE
Online在线 kmI
Email电子邮件 &8,
ICQ网上寻呼 {%
Firewall防火墙 sYMH[F
Gateway网关 mf;i
HTML超文本标识语言 cF]2Q
hypertext超文本 ke8a
hyperlink超级链接 ("5Xqy
IP(Address)互联网协议(地址) Vl
SearchEngine搜索引擎 0
TCP/IP用于网络的一组通讯协议 0~,Sn]
Telnet远程登录 [
IE(Internet Explorer)探索者(微软公司的网络浏览器) geEt'a
Navigator引航者(网景公司的浏览器) E`$._#
multimedia多媒体 4Fb:]w
ISO国际标准化组织 ahnf;K
ANSI美国国家标准协会 nx_Xq
able 能 9N`#R
activefile 活动文件 ]
addwatch 添加监视点 "n5`
allfiles 所有文件 m(N
allrightsreserved 所有的权力保留 }
altdirlst 切换目录格式 8Ip
并能够解决更大范围内的磁盘问题 0D
andotherinformation 以及其它的信息 "}
archivefileattribute 归档文件属性 |Oo(AI
assignto 指定到 R9e
autoanswer 自动应答 W3 R)
autodetect 自动检测 c{G
autoindent 自动缩进 <O.
autosave 自动存储 le`XXh
availableonvolume 该盘剩余空间 %'6
badcommand 命令错 ^
badcommandorfilename 命令或文件名错 qYn
batchparameters 批处理参数 WNV$)
binaryfile 二进制文件 Z~Sj
binaryfiles 二进制文件 r^Y!z
borlandinternational borland国际公司 WrTl+
bottommargin 页下空白 s+w?
bydate 按日期 X
byextension 按扩展名 @^=Anv
byname 按名称 QZO4n
bytesfree 字节空闲 PWZ.
callstack 调用栈 lXJ
casesensitive 区分大小写 OZ[g!
要求出现确认提示,在你想覆盖一个 T
centralpointsoftwareinc central point 软件股份公司 c
changedirectory 更换目录 Dv])J
changedrive 改变驱动器 )np&F,
changename 更改名称 /}
characterset 字符集 O
checkingfor 正在检查 g~,,|X
检查磁盘并显示一个状态报告 |]~g>
chgdrivepath 改变盘/路径 [a<M

『叁』 99秒倒计时电路图

可键盘设置倒计时时间

#include<reg52.h>

#defineucharunsignedchar

#defineuintunsignedint

sbitp20=P2^0;

sbitp21=P2^1;

sbitp30=P3^0;

sbitp31=P3^1;

sbitp32=P3^2;

#definekey_00x18

#definekey_10x14

#definekey_20x12

#definekey_30x11

#definekey_40x28

#definekey_50x24

#definekey_60x22

#definekey_70x21

#definekey_80x48

#definekey_90x44

#definekey_reset0x42

#definekey_stop0x88

#definekey_start0x84

#definekey_shi0x82

#definekey_ge0x81

uchart;

ucharct=10;

uchardh=1,dl=0;

uchartab[]={0xc0,0xf9,0xa4,0xb0,0x99,0x92,0x82,0xf8,0x80,0x90};//共阳极时的0～9

ucharkey_table[]={0x18,0x14,0x12,0x11,0x28,0x24,0x22,0x21,0x48,0x44};

voiddelay(uintz)

{

uintx,y;

for(x=z;x>0;x--)

for(y=110;y>0;y--);

}

voidinit(void)

{

TMOD=0x01;//选择方式1

TH0=0x3c;//12M晶振，定时时间50ms

TL0=0xb0;

EA=1;//开启总中断

ET0=1;//开启定时器溢出中断

TR0=1;//启动定时器0

}

voiddisplay(void)

{

P0=tab[dh];

p20=1;

delay(2);

p20=0;

P0=tab[dl];

p21=1;

delay(2);

p21=0;

}

voiddisplay0(void)

{

P0=tab[dh];

p20=1;

delay(2);

p20=0;

P0=tab[dl];

p21=1;

delay(100);

p21=0;

}

voiddisplay1(void)

{

P0=tab[dh];

p20=1;

delay(100);

p20=0;

P0=tab[dl];

p21=1;

delay(2);

p21=0;

}

voidtimer0(void)interrupt1//定时器中断

{

uchart;

TH0=(65536-50000)/256;

TL0=(65536-50000)%256;

t++;

dh=ct/10;

dl=ct%10;

display();

if(t==20)//每秒进一次中断

{

t=0;

ct--;

if(ct==-1)

{

TR0=0;

p32=1;p31=1;p30=0;

}

}

}

voiddlms(void)

{uchari;

for(i=200;i>0;i--)

{}

}

ucharkbscan(void)

{ucharscode,recode;

P1=0xf0;

if((P1&0xf0)!=0xf0)

{dlms();

if((P1&0xf0)!=0xf0)

{scode=0xfe;

while((scode&0x10)!=0)

{P1=scode;

if((P1&0xf0)!=0xf0)

{recode=(P1&0xf0)|0x0f;

return((~scode)+(~recode));

}

else

scode=(scode<<1)|0x01;

}

}

}

return(0);

}

voidkey_process(ucharkey,uchar*dh,uchar*dl,uchar*ct)

{

staticuchark;

if(key==key_reset)

{*dh=0;

*dl=0;

*ct=(*dh)*10+(*dl);

p32=1;p31=1;p30=0;

}

if(key==key_0||key==key_1||key==key_2||key==key_3||key==key_4||key==key_5||key==key_6||key==key_7||key==key_8||key==key_9)

{k=0;

while(1)

{if(key==key_table[k])

break;

k++;

}

}

if(key==key_stop)

{TR0=0;

p32=1;p31=0;p30=1;

}

if(key==key_start)

{TR0=1;

p32=0;p31=1;p30=1;

}

if(key==key_shi)

{*dh=k;

display0();

*ct=(*dh)*10+(*dl);

}

if(key==key_ge)

{*dl=k;

display1();

*ct=(*dh)*10+(*dl);

}

}

voidmain()

{

ucharkey;

p32=0;p31=1;p30=1;

init();

while(1)

{

key=kbscan();

dlms();

if(key!=0)

{

//switch(key)

//{case0x18:n=0;break;

//case0x14:n=1;break;

//case0x12:n=2;break;

//case0x11:n=3;break;

//case0x28:n=4;break;

//case0x24:n=5;break;

//case0x22:n=6;break;

//case0x21:n=7;break;

//case0x48:n=8;break;

//case0x44:n=9;break;

//case0x42:n=10;break;

//case0x41:n=11;break;

//case0x88:TR0=0;break;

//case0x84:TR0=1;break;

//case0x82:n=14;break;

//case0x81:n=15;break;

//}

key_process(key,&dh,&dl,&ct);

//if(p26==0)

//{dh=n;display0();ct=dh*10+dl;}

//if(p27==0)

//{dl=n;display1();ct=dh*10+dl;}

}

//if(p26==0)display0();

//if(p27==0)display1();

//elsedisplay();

display();

}

}

源程序供你参考可以改动

『肆』 单片机控制电机的正反转 程序及电路图

这个很简单，我教你怎么玩，下面是思路和方式
思路：有三个输入，分别是一个按钮、两个霍尔传感器（也就是接近开关），我用p0.0到p0.2来代替；输出2个或以上（这看你接什么显示器，如果是pc的话，就不用数字量输出，直接串口就可以了）控制正反转的继电器管脚用p1.0、p1.1；
ps:显示那块我不知道你怎么处理，但是需要与一个全局变量转动次数k连接起来，另外两个输入接近开关选用npn传感器或用光电隔离，总之有效信号能把管脚电压拉低就可以了，具体硬件要注意什么，有需要就问我
现在我们来写程序：
#include
//选用晶振11.0592mhz
unsigned
char
k=0;
//k表示正反转次数
sbit
x0=p3^2;
//调节按钮
sbit
x1=p1^1;
//上限位接近开关信号
sbit
x2=p1^2;
//下限位接近开关信号
sbit
y1=p0^0;
//电机上升(注意:我使用的是管脚输出为0时候，电机运动，这样可以避免启动时候，单片机自复位对电机点动的影响)
sbit
y2=p0^1;
//电机下降
void
delay50ms(unsigned
int
i)
{
unsigned
int
j;
for
(i;i>0;i--)
for(j=46078;j>0;j--);
}
main()
{
it0=1;
//下降沿触发
ex0=1;
//开p3.2外部中断
ea=1;
//总中断开
while(1)
while(k)
{
y1=0;
//正转
while(x1==1);
//等待正转接近开关反应
y1=1;
//正转停
delay50ms(1);
//停止时间50ms
y2=0;
//反转
while(x2==1);
//等待反转接近开关反应
y2=1;
//反转停
k--;
//圈数减一
}
}
void
counter0(void)
interrupt
0
{
k++;
//外部中断控制圈数加一
//这个位置可以加你显示程序
}
程序已经通过测试，放上去就能用，很好玩哟，呵呵

『伍』 印刷机电路板eak英文缩写是什么意思

EAK输入输出控制电路板

『陆』 可控硅电路原理

一、可控硅的概念和结构？
晶闸管又叫可控硅(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。今天大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a)〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
可控硅

二、晶闸管的主要工作特性
为了能够直观地认识晶闸管的工作特性，大家先看这块示教板(图3)。晶闸管VS与小灯泡EL串联起来，通过开关S接在直流电源上。注意阳极A是接电源的正极，阴极K接电源的负极，控制极G通过按钮开关SB接在3V直流电源的正极(这里使用的是KP5型晶闸管，若采用KP1型，应接在1.5V直流电源的正极)。晶闸管与电源的这种连接方式叫做正向连接，也就是说，给晶闸管阳极和控制极所加的都是正向电压。现在我们合上电源开关S，小灯泡不亮，说明晶闸管没有导通；再按一下按钮开关SB，给控制极输入一个触发电压，小灯泡亮了，说明晶闸管导通了。这个演示实验给了我们什么启发呢?可控硅
这个实验告诉我们，要使晶闸管导通，一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。
晶闸管的特点： 是“一触即发”。但是，如果阳极或控制极外加的是反向电压，晶闸管就不能导通。控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。那么，用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断，可以断开阳极电源(图3中的开关S)或使阳极电流小于维持导通的最小值(称为维持电流)。如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压，那么，在电压过零时，晶闸管会自行关断。

怎样测试晶闸管的好坏
三、用万用表可以区分晶闸管的三个电极吗?怎样测试晶闸管的好坏呢?
普通晶闸管的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。大家知道，晶闸管G、K之间是一个PN结〔图2(a)〕，相当于一个二极管，G为正极、K为负极，所以，按照测试二极管的方法，找出三个极中的两个极，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制极G，红表笔接的是阴极K，剩下的一个就是阳极A了。测试晶闸管的好坏，可以用刚才演示用的示教板电路(图3)。接通电源开关S，按一下按钮开关SB，灯泡发光就是好的，不发光就是坏的。

四、晶闸管在电路中的主要用途是什么?
普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路、逆变、电机调速、电机励磁、无触点开关及自动控制等方面。现在我画一个最简单的单相半波可控整流电路〔图4(a)〕。在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。现在，画出它的波形图〔图4(c)及(d)〕，可以看到，只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出(波形图上阴影部分)。Ug到来得早，晶闸管导通的时间就早；Ug到来得晚，晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。
可控硅
五、在桥式整流电路中，把二极管都换成晶闸管是不是就成了可控整流电路了呢?
在桥式整流电路中，只需要把两个二极管换成晶闸管就能构成全波可控整流电路了。现在画出电路图和波形图(图5)，就能看明白了。
六、晶闸管控制极所需的触发脉冲是怎么产生的呢?
晶闸管触发电路的形式很多，常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等。今天大家制作的调压器，采用的是单结晶体管触发电路。
七、什么是单结晶体管?它有什么特殊性能呢?
单结晶体管又叫双基极二极管，是由一个PN结和三个电极构成的半导体器件(图6)。我们先画出它的结构示意图〔图7(a)〕。在一块N型硅片两端，制作两个电极，分别叫做第一基极B1和第二基极B2；硅片的另一侧靠近B2处制作了一个PN结，相当于一只二极管，在P区引出的电极叫发射极E。为了分析方便，可以把B1、B2之间的N型区域等效为一个纯电阻RBB，称为基区电阻，并可看作是两个电阻RB2、RB1的串联〔图7(b)〕。值得注意的是RB1的阻值会随发射极电流IE的变化而改变，具有可变电阻的特性。如果在两个基极B2、B1之间加上一个直流电压UBB，则A点的电压UA为：若发射极电压UE<UA，二极管VD截止；当UE大于单结晶体管的峰点电压UP(UP=UD＋UA)时，二极管VD导通，发射极电流IE注入RB1，使RB1的阻值急剧变小，E点电位UE随之下降，出现了IE增大UE反而降低的现象，称为负阻效应。发射极电流IE继续增加，发射极电压UE不断下降，当UE下降到谷点电压UV以下时，单结晶体管就进入截止状态。
八、怎样利用单结晶体管组成晶闸管触发电路呢?
单结晶体管组成的触发脉冲产生电路在今天大家制作的调压器中已经具体应用了。为了说明它的工作原理，我们单独画出单结晶体管张弛振荡器的电路(图8)。它是由单结晶体管和RC充放电电路组成的。合上电源开关S后，电源UBB经电位器RP向电容器C充电，电容器上的电压UC按指数规律上升。当UC上升到单结晶体管的峰点电压UP时，单结晶体管突然导通，基区电阻RB1急剧减小，电容器C通过PN结向电阻R1迅速放电，使R1两端电压Ug发生一个正跳变，形成陡峭的脉冲前沿〔图8(b)〕。随着电容器C的放电，UE按指数规律下降，直到低于谷点电压UV时单结晶体管截止。这样，在R1两端输出的是尖顶触发脉冲。此时，电源UBB又开始给电容器C充电，进入第二个充放电过程。这样周而复始，电路中进行着周期性的振荡。调节RP可以改变振荡周期。
九、在可控整流电路的波形图中，发现晶闸管承受正向电压的每半个周期内，发出第一个触发脉冲的时刻都相同，也就是控制角α和导通角θ都相等，那么，单结晶体管张弛振荡器怎样才能与交流电源准确地配合以实现有效的控制呢?
为了实现整流电路输出电压“可控”，必须使晶闸管承受正向电压的每半个周期内，触发电路发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这种相互配合的工作方式，称为触发脉冲与电源同步。
怎样才能做到同步呢?大家再看调压器的电路图(图1)。请注意，在这里单结晶体管张弛振荡器的电源是取自桥式整流电路输出的全波脉冲直流电压。在晶闸管没有导通时，张弛振荡器的电容器C被电源充电，UC按指数规律上升到峰点电压UP时，单结晶体管VT导通，在VS导通期间，负载RL上有交流电压和电流，与此同时，导通的VS两端电压降很小，迫使张弛振荡器停止工作。当交流电压过零瞬间，晶闸管VS被迫关断，张弛振荡器得电，又开始给电容器C充电，重复以上过程。这样，每次交流电压过零后，张弛振荡器发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这个时刻取决于RP的阻值和C的电容量。调节RP的阻值，就可以改变电容器C的充电时间，也就改变了第一个Ug发出的时刻，相应地改变了晶闸管的控制角，使负载RL上输出电压的平均值发生变化，达到调压的目的。
双向晶闸管的T1和T2不能互换。否则会损坏管子和相关的控制电路。

十、可控硅元件的工作原理及基本特性电路
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成,其等效图解如图1所示
图1 可控硅等效图解图
当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。此时,如果从控制极G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2。此时,电流ic2再经BG1放大,于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用, 可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅是不可关断c 所以一旦的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化,此条件见表1
表1 可控硅导通和关断条件
状态 条件 说明
从关断到导通 1、阳极电位高于是阴极电位
2、控制极有足够的正向电压和电流
两者缺一不可
维持导通 1、阳极电位高于阴极电位
2、阳极电流大于维持电流
两者缺一不可
从导通到关断 1、阳极电位低于阴极电位
2、阳极电流小于维持电流
任一条件即可
2、基本伏安特性
可控硅的基本伏安特性见图2
图2 可控硅基本伏安特性
（1）反向特性
当控制极开路,阳极加上反向电压时（见图3）,J2结正偏,但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流,当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后,接差J3结也击穿,电流迅速增加,图3的特性开始弯曲,如特性OR段所示,弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时,可控硅会发生永久性反向击穿。
图3 阳极加反向电压
（2）正向特性
当控制极开路,阳极上加上正向电压时（见图4）,J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与普通PN结的反向特性相似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,图3的特性发生了弯曲,如特性OA段所示,弯曲处的是UBO叫：正向转折电压
图4 阳极加正向电压
由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子时入N1区,空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合,同样,进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合,雪崩击穿,进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉,这样,在N1区就有电子积累,在P2区就有空穴积累,结果使P2区的电位升高,N1区的电位下降,J2结变成正偏,只要电流稍增加,电压便迅速下降,出现所谓负阻特性,见图3的虚线AB段。
这时J1、J2、J3三个结均处于正偏,可控硅便进入正向导电状态---通态,此时,它的特性与普通的PN结正向特性相似,见图2中的BC段
3、触发导通
在控制极G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏,P2区的空穴时入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上,加上IGT的作用,使可控硅提前导通,导致图3的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。
图5 阳极和控制极均加正向电压

十一、可控硅参数符号
参数符号说明:
IT(AV)--通态平均电流
VRRM--反向重复峰值电压
IDRM--断态重复峰值电流
ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流
VTM--通态峰值电压
IGT--门极触发电流
VGT--门极触发电压
IH--维持电流
dv/dt--断态电压临界上升率
di/dt--通态电流临界上升率
Rthjc--结壳热阻
VISO--模块绝缘电压
Tjm--额定结温
VDRM--通态重复峰值电压
IRRM--反向重复峰值电流
IF(AV)--正向平均电流
十二、如何鉴别可控硅的三个极
鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。
阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。
控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。
若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。
可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。
一、 可控硅的结构和特性
■可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种（见图表-25）。螺旋式的应用较多。
■可控硅有三个电极----阳极（A）阴极（C）和控制极（G）。它有管芯是P 型导体和N 型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN 结。其结构示意图和符号见图表-26。
■从图表-26中可以看到，可控硅和只有一个PN 结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
■可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。
■首先，我们可以把从阴极向上数的第一、二、三层看面是一只NPN 型号晶体管，而二、三四层组成另一只PNP 型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。这样就可画出图表-27（C）的等效电路图来分析。当在阳极和阴极之间加上一个正向电压Ea ，又在控制极G和阴极C之间（相当BG1 的基一射间）输入一个正的触发信号，BG1 将产生基极电流Ib1 ，经放大，BG1 将有一个放大了β1 倍的集电极电流IC1 。因为BG1 集电极与BG2 基极相连，IC1 又是BG2 的基极电流Ib2 。BG2 又把比Ib2 （Ib1 ）放大了β2 的集电极电流IC2 送回BG1 的基极放大。如此循环放大，直到BG1 、BG2 完全导通。实际这一过程是“一触即发”的过程，对可控硅来说，触发信号加入控制极，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。
■可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG1 基极的电流已不只是初始的Ib1 ，而是经过BG1 、BG2 放大后的电流（β1 *β2 *Ib1 ）这一电流远大于Ib1 ，足以保持BG1 的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态只有断开电源Ea 或降低Ea ，使BG1 、BG2 中的集电极电流小于维持导通的最小值时，可控硅方可关断。当然，如果Ea 极性反接，BG1 、BG2 由于受到反向电压作用将处于截止状态。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，Ea 接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，如果不加触发信号，而正向阳极电压大到超过一定值时，可控硅也会导通，但已属于非正常工作情况了。
■可控硅这种通过触发信号（小的触发电流）来控制导通（可控硅中通过大电流）的可控特性，正是它区别于普通硅整流二极管的重要特征。

[编辑本段]二、可控硅的主要参数
可控硅的主要参数有：
1、 额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。
2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。
3、 反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。
4、 控制极触发电流Ig1 、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。
5、 维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。
■近年来，许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。
可控硅
可控硅是硅可控整流元件的简称，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。
可控硅的分类
按其工作特性，可控硅（THYRISTOR)可分为普通可控硅（SCR）即单向可控硅、双向可控硅（TRIAC)和其它特殊可控硅。
可控硅的触发
过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。
非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。
可控硅的主要参数:
1. 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
2. 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。
3. 控制极触发电流（IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。
可控硅的常用封装形式
常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。
可控硅的主要厂家
主要厂家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX ，SANREX，SANKEN ，SEMIKRON ，EUPEC，IR迪昌科技，北京瑞田达技贸有限责任公司等。