1. 氧化铝陶瓷电路板和普通电路板的区别
氧化铝抄陶瓷是一种以（Al2O3）为主体的陶瓷材料，用于厚膜集成电路。氧化铝陶瓷有较好的传导性、机械强度和耐高温性。氮化硅陶瓷是一种以（Si3N4 ）为主体的陶瓷烧结时不收缩的无机材料。氮化硅的强度很高，尤其是热压氮化硅，是世界上最坚硬的物质之一。这两种材质都有一定的共性具体哪个更好也不好说的要看实际的使用情况来选择材质。
2. 陶瓷电路板工艺中的 厚膜是什么意思
陶瓷电路板工艺中的 厚膜解读：
厚膜工艺就是把专用的集成电路芯片与相关的电容、电阻元件都集成在一个基板上，在其外部采用统一的封装形式，做成一个模块化的单元。这样做的好处是提高了这部分电路的绝缘性能、阻值精度，减少了外部温度、湿度对其的影响，所以厚膜电路比独立焊接的电路有更强的外部环境适应性能
专利摘要：高温超导材料厚膜工艺，是用超导陶瓷材料微粉与有机粘合溶剂调和成糊状浆料，用丝网漏印技术将浆料以电路布线或图案形式印制在基底材料上，经严格热处理程序进行烧结，制成超导厚膜，厚度可在15－80μm范围。该膜层超导转变温度在90K以上，零电阻温度在80K以上。
专利主权项
一种制备高温（Tc）超导陶瓷材料厚膜工艺，其特征在于该工艺包括调浆、制膜及热处理，所说调浆是将400－500目氧化物超导陶瓷微粉加入有机粘合剂调和成糊膏状，其固/液=3－5/1；制膜是用丝网漏印或直接涂刷，将所调浆料印刷在基底材料上；再经热处理烧结成超导膜层，该热处理全过程均在氧气气氛下进行，先在80－90℃烘干0．5小时左右，在管式炉中以2－3℃/分速率升温，各段温度及保持时间顺序为：150℃/1－3小时，400℃/1－4小时，850℃/1．5－3小时，950－1100℃/2－4小时，然后随炉降温至800℃/2－4小时，400℃/3－5小时，最后自然冷却至室温。