吸收电路设计

A. IGBT RC吸收电路中电容电阻如何选择

楼上说的是整流电路的RC保护电路设计
IGBT的保护电路根据IGBT规格的不同有RC、RCD和C三种，
RC吸收电路适用于中型IGBT，一般根据你的开关频率来选择，就是3*R*C要小于开关频率，比如你的频率是1000HZ，就可以选择3uF的电容和75欧的电阻

B. 关于继电器RC吸收回路设计的问题

直流继来电器，需在线圈两端并联二极管源，
这是因为当继电器断电（释放）时，继电器的线圈会产生自感电动势，这个电压会击穿和它相连的三极管，所以常常在继电器两端连一个二极管（通常称呼它叫：吸收二极管）将这个自感电动势短路、吸收掉。不用二极管，那就要连一个适当大小的电容也可以。

2、对于交流来说，需在触点（电源在高频分析时短路）两端并联RC吸合回路，RC吸合回路由电容和电阻串联组成。电阻经验值：10-100欧姆，电容经验值：0.1uF/250V或者0.22-0.47uF
这个触点两端的RC作用不一样，它是为了减小触电工作是的电火花用的，所以也称吸收回路，火花不仅对触电寿命有影响，同时它也是一个干扰源，所以同时这样做也是为了防干扰。

3、在交流继电器出放至RC的话，不是有句话说，通交隔直吗？在交流继电器线圈上并联一个C，不就是通直，从RC那条之路通过了吗？
这个问题你就不要困扰着，首先，电容并不是真正地通过交流电，另外对于电容你也要看是多大容量，不就是0.22-0.47uF，你可用公式计算一下，对于50HZ交流电它的容抗是很大的，不会成为通路的。

C. BUCK电路中二极管的RC吸收电路如何设计，具体的R、C的参数，求公式

RC滤波电路的计算及公式
对于无源RC一阶低通滤波电路，其传递函数为专G(s)=1/(RCs+1)。转换为信号经过它属的衰减的计算方法为：
Uo=Ui/[(2*Pi*f*R*C)^2+1]^0.5
式中：Uo为输出电压；Ui为输入电压；Pi为圆周率；f为信号频率。

D. RCD吸收电路如何设计

上面的回答有几处错误，
1. 1/2(Lleak*Ipeak^2*(Vsnub/(Vsnub-N*Vout))) 是能量单位J 焦耳，计算功率P还应再乘以工作频率内F（Hz）。容
2. 钳位电压一般选择为反射电压的1.4倍左右，这样的综合损耗通常最低。

选取电阻和电容时，应先估算几个参量，匝比，初级峰值电流，钳位电压，另外有些参数不可忽略如次级整流管压降，变压器二次侧漏感（尤其匝比比较大的时候）。有了这些参数之后，基本可以计算电阻了，P=V^2/R即可，选择一个纹波电压值Vr，如选为钳位电压的10%，C=I*T/Vr即可。
初步选定后，整机再做调整，即可得到合适的参数。离线式的反激电源，100K左右的频率，最终的参数一般电阻为几十千欧，电容为几纳法，否则计算的一定不合理或设计的不合理。

E. 总结电力电子器件吸收电路的类型，谈谈在设计吸收电路时应考虑哪些因素

缓冲电路（Snubber Circuit）又称为吸收电路。其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、/dt或者过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。[1] 在电力电子电路中，用于改进电力电子器件开通和关断时刻所承受的电压、电流波形。通常电力电子装置中的电力电子器件都工作于开关状态，器件的开通和关断都不是瞬时完成的。器件刚刚开通时，器件的等效阻抗大，如果器件电流很快上升，就会造成很大的开通损耗；同样器件接近完全关断时，器件的电流还比较大，如果器件承受的电压迅速上升，也会造成很大的关断损耗。开关损耗会导致器件的发热甚至损坏，对于功率晶体管(GTR),还可能导致器件的二次击穿。实际电力电子电路中，还常由于二极管、晶闸管等的反向恢复电流而增加电力电子器件的开通电流，由于感性负载或导线的分布电感等原因造成器件关断时承受很高的感应电压。采用缓冲电路可以改善电力电子器件的开关工作条件。
缓冲电路的基本工作原理是利用电感电流不能突变的特性抑制器件的电流上升率，利用电容电压不能突变的特性抑制器件的电压上升率。图示以GTO为例的一种简单的缓冲电路。其中L与GTO串联,以抑制GTO导通时的电流上升率dI/dt,电容C和二极管D组成关断吸收电路，抑制当GTO关断时端电压的上升率dV/dt，其中电阻R为电容C提供了放电通路。缓冲电路有多种形式，以适用于不同的器件和不同的电路。

F. RCD吸收电路的RCD吸收电路的设计

一﹑首先对mos管的VD进行分段：
Ⅰ，输入的直流电压VDC；
Ⅱ，次级反射初级的VOR；
Ⅲ，主MOS管VD余量VDS；
Ⅳ，RCD吸收有效电压VRCD1。
二﹑对于以上主MOS管VD的几部分进行计算：
Ⅰ，输入的直流电压VDC。
在计算VDC时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V，即DC375V。
VDC=VAC *√2
Ⅱ，次级反射初级的VOR。
VOR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%（依Vo =5.25V计算），二极管VF为0.525V（此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值）．
VOR=(VF+Vo)*Np/Ns
Ⅲ，主MOS管VD的余量VDS．
VDS是依MOS管VD的10%为最小值．如KA05H0165R的VD=650应选择DC65V．
VDS=VD* 10%
Ⅳ，RCD吸收VRCD．
MOS管的VD减去Ⅰ，Ⅲ三项就剩下VRCD的最大值。实际选取的VRCD应为最大值的90%（这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响）。
VRCD=(VD-VDC -VDS)*90%
注意：
① VRCD是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合．
② VRCD必须大于VOR的1.3倍．（如果小于1.3倍，则主MOS管的VD值选择就太低了）
③ MOS管VD应当小于VDC的2倍．（如果大于2倍，则主MOS管的VD值就过大了）
④ 如果VRCD的实测值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影响电源效率。
⑤ VRCD是由VRCD1和VOR组成的
Ⅴ，RC时间常数τ确定．
τ是依开关电源工作频率而定的，一般选择10~20个开关电源周期。
三﹑试验调整VRCD值
首先假设一个RC参数，R=100K/RJ15, C=10nF/1KV。再上市电，应遵循先低压后高压，再由轻载到重载的原则。在试验时应当严密注视RC元件上的电压值，务必使VRCD小于计算值。 如发现到达计算值，就应当立即断电，待将R值减小后，重复以上试验。（RC元件上的电压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解电容“+”极的RC一 点上，测试点接到RC另一点上）
一个合适的RC值应当在最高输入电压，最重的电源负载下，VRCD的试验值等于理论计算值。
四﹑试验中值得注意的现象
输入电网电压越低VRCD就越高，负载越重VRCD也越高。那么在最低输入电压，重负载时VRCD的试验值如果大于以上理论计算的VRCD值，是否和（三）的内容相矛盾哪？一点都不矛盾，理论值是在最高输入电压时的计算结果，而现在是低输入电压。
重负载是指开关电源可能达到的最大负载。主要是通过试验测得开关电源的极限功率。
RCD吸收电路与RC电路的比较
采用RC、RCD吸收电路也可以对变压器消磁，这时就不必另设变压器绕组与二极管组成的去磁电路。变压器的励磁能量都在吸收电阻中消耗掉。RC与RCD吸收电路不仅消耗变压器漏感中蓄积的能量，而 且也消耗变压器励磁能量，因此降低了变换器变换效率。RCD吸收电路是通过二极管对开关电压嵌位，效果比RC好，它也可以采用较大电阻，能量损耗也比RC 小。
RCD吸收电路的影响
1.RCD电容C偏大
电容端电压上升很慢，因此导致mos 管电压上升较慢，导致mos管关断至次级导通的间隔时间过长，变压器能量传递过程较慢，相当一部分初级励磁电感能量消耗在RC电路上 。
2.RCD电容C特别大（导致电压无法上升至次级反射电压）
电容电压很小，电压峰值小于次级的反射电压，因此次级不能导通，导致初级能量全部消耗在RCD电路中的电阻上，因此次级电压下降后达成新的平衡，理论计算无效了，输出电压降低。
3.RCD电阻电容乘积R×C偏小
电压上冲后，电容上储存的能量很小，因此电压很快下降至次级反射电压，电阻将消耗初级励磁电感能量，直至mos管开通后，电阻才缓慢释放电容能量，由于RC较小，因此可能出现震荡，就像没有加RCD电路一样。
4.RCD电阻电容乘积R×C合理，C偏小
如果参数选择合理，mos管开通前，电容上的电压接近次级反射电压，此时电容能量泄放完毕，缺点是此时电压尖峰比较高，电容和mos管应力都很大
5.RCD电阻电容乘积R×C合理，R，C都合适
在上面的情况下，加大电容，可以降低电压峰值，调节电阻后，使mos管开通之前，电容始终在释放能量，与上面的最大不同，还是在于让电容始终存有一定的能量。