Ⅰ electronic devices and circuit theory这本书怎么样
模拟电子技术/国外电子与通信教材系列
【作者】:(美) 博伊尔斯塔德
【】: 电子工业
【出版日期】:2008-06-01
本书的核心内容是关于半导体器件和有源电路的模拟电子电路基础。两位作者Robert L.Boylestad和Louis Nashelsky都是在大学从事电路分析、电子电路基础等相关学科教学的资深教授,在电子电路学科领域出版了多部优秀教材,受到很高的评价。本书自1972年首次出版至今已经修订至第九版,涵盖了更广泛和新颖的内容,成为流行30多年的优秀经典教材。这本改编版在第九版原版内容的基础上,结合国内高等教育中模拟电子电路课程的特点,进行了部分内容的调整。
本书是英文原版教材Electronic Devices and Circuit Theory,Ninth.Edition之英文改编版《模拟电子技术》的翻译版,内容包括半导体器件基础、二极管及其应用电路、晶体管和场效应管放大电路的基本原理及频率响应、功率放大电路、多级放大电路、差分放大电路、电流源等模拟集成电路的单元电路、反馈电路、模拟集成运算放大器、电压比较器和波形变换电路等。本书对原版教材进行了改编,精简了内容,突出了重点,补充了必要知识点,内容更加新颖和系统化,反映了器件和应用的发展趋势,强调了系统工程的概念。
本书与英文版教材配套使用,适合电子、计算机、通信等相关专业电子电路基础课程40学时到68学时的中文或双语教学要求,也可供相关专业工程技术人员的学习和参考。
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电子电路分析与设计--模拟电子技术(第3版)/信息技术和电气工程学科国际知名教材中译本系列
【作者】:(美) 纽曼
【】: 清华大学
【出版日期】:2009-01-01
《电子电路分析与设计》是电气工程与计算机科学专业的本科生电子学必修课程所用的教材。本书第3版的目的是为模拟电子电路及数字电子电路的分析和设计打下坚实的基础。
本书首先分析和设计分立晶体管电路,所研究的电路其复杂程度不断提高。而在本书的最后,将使读者能够分析和设计集成电路的部件单元,比如数字逻辑门电路。
Donald A.Neamen教授在新墨西哥大学执教30多年,著有 Microelectronics:Circuir Analysis and Design一书,全书结构严谨,脉落清晰;例题习题丰富,解答详细。清华大学曾引进出版来该书第2版和第3版的影印版,受到国内广大高校师生的欢迎,现推出该书第3版的中译本。
本书第1部分所讨论的电路绝大部分都是分立电子电路,所谓分立电子电路,就是由分立的电阻、电容和晶体管所构成的电路。对这些基本电路的分析使我们对这些电路的工作原理和电路特性有了一个初步的了解。书中通过一些设计、讨论介绍了电子电路设计的概念,在讨论过程中还考虑了各种不同的折衷方案。
本书的第2部分将逐步深入地分析和设计较为复杂的模拟电子电路。这些较为复杂的电路是由第1部分所学的基本电路进行组合和扩展而形成的。但是接下来的大部分内容还是继续分析和设计分立电路,因为集成电路就是采用这些分立电路构成的。在此简短的序言中,将讨论一下电子设计过程中的一些基本问题。
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模拟电子技术(英文版)/国外电子与通信教材系列
【作者】:(美) 博伊斯坦
【】: 电子工业
【出版日期】:2007-09-01
本书是一本优秀的模拟电子电路基础英语原版教材(第九版)的改编版,内容涉及半导体器件基础,二极管及其应用电路,晶体管和场效应管放大电路的基本原理及频率响应,功率放大电路,多级放大电路、差分放大电路、电流元等模拟集成电路的单元电路,反馈电路,模拟集成运算放大器,电压比较器和波形变换电路等。
本书是一本优秀的模拟电子电路基础英语原版教材(第九版)的改编版,
内容包括半导体器件基础,二极管及其应用电路,晶体管和场效应管放大电
路的基本原理及频率响应,功率放大电路,多级放大电路、差分放大电路、
电流元等模拟集成电路的单元电路,反馈电路,模拟集成运算放大器,电压
比较器和波形变换电路等。在原版内容的基础上,改编版结合国内高等教育
中采用英语或双语教学的特点和实际情况,对部分内容进行了删减和补充,
适合40到68学时的教学要求。
本书内容简明扼要、深入浅出且示例丰富,采用原版英语,语言生动流
畅,可作为电子、通信、信息等领域相关课程的本科生英语、双语教学教材
或教学参考书,也可供相关专业的工程技术人员学习和参考。
Ⅱ 请帮我推荐几本有关电路、电子技术的国外教材英文版本的,出版日期越年轻越好。谢谢!
模拟电路四大名著:
1.《Analysis and design of analog integrated circuits》, P.R. Gray, P.J. Hurst, Lewis and R.G.Meyer. 4TH. 这是模拟集成电路设计的最经典的教材。这本书侧重于理论分析,但对新手来说内容全面但有些深奥。 强烈建议大家看英文原版,高教社的引文版似乎已经脱销!高教社出版的的中文版(北航翻译)太垃圾了,误导人!
2.《Design of Analog CMOS integrated Circuits》,Behzad Razavi,这本书相对容易入手,而且西安交大陈贵灿翻译的中文版也相当有水平。就我个人对这本书的学习经验来说:需要自己仔细推导书中的结论、例子会有很大收获!这本书精华的最大一部分在于它的习题,做一遍有一遍的收获,受益匪浅(可以在网上搜到英文习题解答)。
3.《Analog Integrated Circuit Design》,D.A.Johns, K.Martin,我没详细看过,听说它的的特色是侧重于系统的介绍,比如Switch Capacitor, A/D, D/A converter, PLL, 其中连续时间滤波器(Gm-C filter) 是其它几本书没有的。
4.《CMOS analog circuit design》 2TH. P.E.Allen, D.R.Holberg. 这本书对于实际的工程内容讲述的很好,对于做工程的人来说有很大的帮助! 不过,建议大家尽量看英文原版!中文版翻译不是太好!
Ⅲ 电路中EN代表什么能详细点,谢谢
en是英语enable的简写,表示使能,就是使每个模块或电路能够工作。
单独的en信号表示高电平使能版信号有效,如权果在en之前有斜线“/”则表示低电平使能信号有效。
EN是使能端的标记。使能端是个控制端口,这个端口有效表示所控制的功能起作用(有输出),否则表示无效(不存在)。
Ⅳ 要找一本有关于微电子或集成电路的书(英文版或中英文版)。
一、解答:
(美国)耶格(Richard C.Jaeger) (美国)布莱洛克(Travis N.Blalock)的《微电子电路设计》
二、拓展:
1、图书信息:
出版社: 电子工业出版社; 第1版 (2011年1月1日)
外文书名: Microelectronic Circuit Design
丛书名: 国外电子与通信教材系列
平装: 1334页
正文语种: 英语
开本: 16
ISBN: 9787121127120, 7121127121
条形码: 9787121127120
尺寸: 25.8 x 18.4 x 4.6 cm
重量: 2 Kg
2、作者简介:
作者:(美国)耶格(Richard C.Jaeger) (美国)布莱洛克(Travis N.Blalock)
3、内容简介:
第一部分介绍固态电子学与器件,讨论了电子学的发展与电路分析方法和微电子器件的工作原理、I-V特性及SPICE模型等。第二部分为数字电路,包括数字电路的基本概念和CMOS电路、存储电路、ECL与TTL等双极型逻辑电路以及BiCMOS电路。第三部分为模拟电路,以理想运算放大器和SPICE仿真为基础介绍了不同结构运算放大器的相关特性、小信号模型、具体分析方法和集成设计技术,最后讨论了放大器的频率响应、反馈和振荡器等问题。通过学习《微电子电路设计(第4版)(英文版)》可以了解现代微电子电路设计,包括模拟与数字,分立与集成,了解内部结构也有利于系统设计中对集成电路的适当选择。读者对象:《微电子电路设计(第4版)(英文版)》适用作电子与信息类各专业本科生基础课的双语教材或参考书,也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。
4、目录
Preface xx
PART ONE
SOLID STATE ELECTRONIC AND DEVICES 1
CHAPTER 1 INTRODUCTION TO ELECTRONICS 3
1.1 A Brief History of Electronics:
From Vacuum Tubes to Giga-Scale
Integration 5
1.2 Classification of Electronic Signals 8
1.2.1 Digital Signals 9
1.2.2 Analog Signals 9
1.2.3 A/D and D/A Converters-Bridging the Analog and Digital Domains 10
1.3 Notational Conventions 12
1.4 Problem-Solving Approach 13
1.5 Important Concepts from Circuit Theory 15
1.5.1 Voltage and Current Division 15
1.5.2 Th′
evenin and Norton Circuit Representations 16
1.6 Frequency Spectrum of Electronic
Signals 21
1.7 Amplifiers 22
1.7.1 Ideal Operational Amplifiers 23
1.7.2 Amplifier Frequency Response 25
1.8 Element Variations in Circuit Design 26
1.8.1 Mathematical Modeling of Tolerances 26
1.8.2 Worst-Case Analysis 27
1.8.3 Monte Carlo Analysis 29
1.8.4 Temperature Coefficients 32
1.9 Numeric Precision 34
Summary 34
Key Terms 35
References 36
Additional Reading 36
Problems 37
CHAPTER 2 SOLID-STATE ELECTRONICS 42
2.1 Solid-State Electronic Materials 44
2.2 Covalent Bond Model 45
2.3 Drift Currents and Mobility in
Semiconctors 48
2.3.1 Drift Currents 48
2.3.2 Mobility 49
2.3.3 Velocity Saturation 49
2.4 Resistivity of Intrinsic Silicon 50
2.5 Impurities in Semiconctors 51
2.5.1 Donor Impurities in Silicon 52
2.5.2 Acceptor Impurities in Silicon 52
2.6 Electron and Hole Concentrations in Doped
Semiconctors 52
2.6.1 n-Type Material (ND >NA ) 53
2.6.2 p-Type Material (NA >ND ) 54
2.7 Mobility and Resistivity in Doped
Semiconctors 55
2.8 Diffusion Currents 59
2.9 Total Current 60
2.10 Energy Band Model 61
2.10.1 Electron-Hole Pair Generation in an Intrinsic Semiconctor 61
2.10.2 Energy Band Model for a Doped Semiconctor 62
2.10.3 Compensated Semiconctors 62
2.11 Overview of Integrated Circuit
……
Fabrication 64
Summary 67
Key Terms 68
Reference 69
Additional Reading 69
Important Equations 69
Problems 70
Ⅳ 电路的英文单词是什么
electronic circuit