电路截止状态

㈠ 怎么样才能判断三极管是工作在放大区，还是饱和区还是截止区

三极管构成的放大电路，在实际应用中，除了用做放大器外（在放大区），三极管还有两种工作状态，即饱和与截止状态。

1．截止状态所谓截止，就是三极管在工作时，集电极电流始终为0。此时，集电极与发射极间电压接近电源电压。对于NPN 型硅三极管来说，当U be在0～0.5V 之间时，I b很小，无论I b怎样变化，I c都为0。

此时，三极管的内阻（Rce）很大，三极管截止。当在维修过程中，测得U be低于0.5V 或Uce接近电源电压时，就可知道三极管处在截止状态。

2.当 U be在0.5～0.7V 之间时，U be的微小变化就能引起I b的较大变化，I b随U be基本呈线性变化，从而引起I c的较大变化（I c=βI b）。

这时三极管处于放大状态，集电极与发射极间电阻（Rce）随U be可变。当在维修过程中，测得U be在0.5～0.7V 之间时，就可知道三极管处在放大状态。

3．饱和状态

当三极管的基极电流（I b）达到某一值后，三极管的基极电流无论怎样变化，集电极电流都不再增大，一直处于最大值，这时三极管就处于饱和状态。

三极管的饱和状态是以三极管集电极电流来表示的，但测量三极管的电流很不方便，可以通过测量三极管的电压U be及U ce来判断三极管是否进入饱和状态。当U be略大于0.7V 后，无论U be怎样变化，三极管的I c将不能再增大。

此时三极管内阻（Rce）很小，U ce 低于0.1V，这种状态称为饱和。三极管在饱和时的U ce 称为饱和压降。当在维修过程中测量到U be在0.7V 左右、而U ce低于0.1V 时，就可知道三极管处在饱和状态。

(1)电路截止状态扩展阅读：

放大原理

1、发射区向基区发射电子

电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。

2、基区中电子的扩散与复合

电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。

3、集电区收集电子

由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。

晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，

从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电结。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里。

NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

三极管的封装形式和管脚识别

常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，

底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。

㈡ 放大电路的三种状态是

三极管电路的三种状态是
1、放大状态：此时三极管的发射结处版于正向偏置，集电结处于正向偏置。
2、截止权状态：此时三极管的发射结处于方向偏置，集电结处于正向偏置。
3、饱和状态：此时三极管的发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。
常见功率放大器的三种工作状态是：
1、甲类放大状态：静态工作点设置在动态范围的中点。
2、乙类放大状态：静态工作点设置在截止点。
3、甲乙类放大状态：静态工作点设置在微导通点。