可控硅光耦驱动电路图

Ⅰ 光耦moc3041控制双向可控硅电路，图1实验没成功，图2还不知道，请高手指点，问题有哪些

图1你没有成功的原因是：Q1的右边没有电压，所以就算你给Q1的G级一个触发电压 它也不会导通，所以就算你短接AB Q1同样不会导通，因为Q1的右边无电压

解决办法是 把Q1撤掉不用， B直接接到Q2的G级 然后把Q2换个方向接入电路：这样，当光耦导通的时候，复发电压有了，电压和T1，T2（Q2的另外两端）的方向一致，Q2便导通。灯就亮了

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Ⅲ 如何驱动双向可控硅使其控制电源通断

双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通。由于采用过零触发，因此上述电路还需要正弦交流电过零检测电路。

1 过零检测电路

电路设计如图1 所示，为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚，以引起中断。在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。

原理简介：

1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。

2，由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，条件如下：

A、从关断到导通1、阳极电位高于是阴极电位，2、控制极有足够的正向电压和电流，两者缺一不可。

B、维持导通1、阳极电位高于阴极电位，2、阳极电流大于维持电流，两者缺一不可。

C、从导通到关断1、阳极电位低于阴极电位，2、阳极电流小于维持电流，任一条件即可。

Ⅳ 双向可控硅驱动电路，如图，我用的是MOC3041，双向可控硅是BTA 16-600B，AA1接上面时负载一直工作，

图中可控硅控制极接法有点奇怪，光敏器件无输入时R2提供电压给控制极，可控硅会导通版；而光敏器权件有输入时，即使饱和导通，由于R3的作用可控硅还是可能导通，起不了开关作用。
可控硅控制极一般接在R3与光耦连接处。此时光耦有输入时可控硅导通，无输入时关断。
R2为控制极提供触发电压，一般取100欧左右；R3用于消除光耦漏电流影响，防止误触发，一般取1K左右。这两个电阻不需要承受多大的功率，1/8-1/4瓦都可以。
R4、C1是阻容吸收电路，一般取几十欧，功率1W。

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