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A. 点火器接线的小妙招

想必大部分的朋友都没有接触过点火器吧，它是安装在摩托车上的装置，在启动摩托车时起到点着火的作用，点火器也有很多种类型，不同的点火器因为其结构的不同，它们的功率大小也有所不同，功率越大它们的燃起的火就越大，摩托车启动的就越快，并且越顺畅，点火器可能会因为其接线没有接好，而导致点火器燃爆，所以小兔来为大家介绍一下点火器的接线方法。

一、接线方法

1.它触发式CDI点火器最基本的引线有四条：①点火电源线，一般为黑/红色;②触发线，一般本田为蓝/黄色，雅马哈为白/红色，铃木为白/蓝色，川崎为蓝色;③接高压包线，一般本田为黑/黄色，雅马哈为橙色，铃木为白/蓝色，川崎为黑色;④公共线(地线)，本田为绿色或绿/白色、雅马哈为黑色、铃木为黑/白色，川崎为黑/黄色。为了控制发动机熄火，将点火电源黑/红线接点火开关，开关接地熄火。

2.5条线CDI点火器是从内部引出一根专用熄火线接开关，一般为黑/白色，铃木为黑/黄色，区别是：自触发式内部多用了一个二极管，二极管的正极接点火电源线，负极接熄火线引出，两种点火器在使用中没什么区别。

3.6条线CDI与5条线CDI的区别是：前者触发线圈的一端没有搭铁利用机体当地线回路，而是将触发线圈的回路专用一条线引入点火器，该线一般本田为绿/白色，雅马哈为白/蓝色。经剖析，点火器内这条线与地线连在一起。如将触发线圈的绿伯色线就近搭铁，再接点火器，这样，与5条线CDI是一样的如6条线CDI的绿/白色线空着或接地也一样使用。

4.7条线与h条线CDI的区别是：前者点火电源线圈的一端也没用机体当地线回路，而是用一条专用线引入点火器，如雅马哈SRl25Z车CDI的这条线为绿/白色。清楚了CDI不同的接线方式，CDI点火器互换后完全可以工作。值得注意的是，有些点火器引线是辅助功能线，如CHl25有一根黄/黑线是接化油器开关的，的接油压开关或接侧支撑开关。首先弄清原车接点火器引线的功能，CDl代换才能成功。

5.如将2所述CDI与高压包组合，地线用铁芯引出，就为3根线，如将1所述CDI与高压包组成一体，地线用铁芯引出，可变为两根线，注意与下面所述自触发式的两线不同。

6.少量CDI点火系不是接地熄火，而是接地点火，如代换接地熄火开关，可将原点火器接开关线直接搭铁接地，将点火电源线连接代换开关线即可。如用常见CDI点火器代换原车点火器，可将代换点火器地线不搭铁，而接原点火开关线，其它功能线接法不变。

二、自触发式CDI的接线方式及代换

1.自触发式CDI基本线也是4条：①点火电源线，一般也为黑/红色;②自触发线，一般为红/黑色(是点火电源线圈的另一端);③地线，铃木为黑/白色;④接高压包线，一般为黑/黄色。

2.铃木车系列多用自触发式CDI点火器，而且多将CDI与高压包组合成一体。如高压包地线不用铁芯引出，CDI高压包组合就有两条线。如果点火电源线圈一端搭铁接地，CDl高压包组合内将自触发线接铁芯，用铁芯外引搭铁，就变成一根线了。这两种高压包内部电子元件基本相同，是可以互换的，但是前者内部有些特殊的接线是不能代换后者的，不接地的高压包现在很少见。为了控制发动机熄火，要将点火电源黑/红线引入点火开关，接地熄火。

3.有些车型，如铃木AG50、CZ50的点火系，将CDI高压包组合的黑/红线与点火电源线相接后引入点火开关，红/黑电源线也引入点火开关，熄火时，黑/红线接地，同时红/黑线与地断开;点火时，黑/红线与地断开，同时红/黑线接地。这种接法有一定的防盗功能，如将其剪断或断开点火开关线束插接器，不能启动发动机。换用常见接地熄火开关时，只要将红/黑线直接搭铁即可。

4.维修时，用自触发式CDI可以代换它触发式CDI，尤其是自触发式CDI高压包组合接线相当简单，并可省掉触发线圈或高压包。它触发式一般不能代换自触发式CDI。

三、维修CDI点火系统时，一定要弄清电路原理和接线方式，如有的高压包地线是通过点火开关线束插接器与点火开关地线相接，如换用不同的点火开关，将使高压包无接地回路，点火系统不工作。可将高压包地线就近搭铁，这样接法，也是防止剪断或断开点火开关线束启动发动机。

如果有的朋友使用的是高功率的点火器，那么就要注意了，在点火时不要太长时间，因为功率大所以火花温度高，长时间的燃烧会导致点火器烧坏，或是将接线烧短裤，所以点火器的也是有很多的缺陷。我们在对点火器进行接线时，首先我们要鉴别点火器的种类，然后根据它的种类进行接线，对于点火器的接线方法小兔在上文也仔细介绍过了，还不会接线的朋友要仔细研读哦。

B. 二极管是共阳接法，80C51单片机中的汇编程序如下所示。请根据电路及所给的程序，写出8个发光二极管的现象

8个发光二极管轮流闪烁着点亮，先从最左边LED开始，亮1秒，来1秒，再换另一只LED,依次到最右边亮完结束一个循环。

C. 半导体光刻技术的电子束直写

在SOC的开发中，更具灵活性
电子束（EB）具有波长短、分辨率高、焦深长、易于控制和修改灵活的特点，广泛应用于光学和非光学曝光的掩模制造。电子束直写能在圆片上直接做图，但其生产率很低，限制了使用，在下一代曝光（NGL）中，能否使EB的高分辨与高效率寻得统一，是EB开发商追求的目标。
美国硅谷的离子诊断（Ion Diagnostic）公司开发了微型电子束矩阵，可同时平行直写，称电子束曝光系统（MELS），它设计了201个电子光学柱，每柱32电子束，用于300mm片子的曝光。电子束的产生采用微细加工方法制造的场致发射冷阴极，每束供15nA，每柱供480nA。用三腔集成制造系统，生产率可达90片/时，MELS的目标是70nm高效曝光，并争取延伸到35nm。
21世纪集成电路（IC）向系统集成（IS）方向发展，在系统集成芯片（SOC）的开发中，电子束直写（EBDW）比其它方法更具灵活性，它可直接接受图形数据成像，毋需复杂的掩模制作，因此前景十分诱人。日本东芝、Canon和Nikon已联手进行研究高效的EBDW，美国IBM曾在这方面做过探索，也准备加入其中。
X光曝光作为下一代曝光技术前景诱人
X光曝光（XRL）具有波长短、焦深长、生产率高、宽容度大、曝光视场大、无邻近效应、对环境不敏感等特点，作为下一代曝光技术具有诱人的前景，近年来人们一直致力于X光光源和掩模的研究，使之成为有竞争力的下一代曝光设备。
日本1996年成立了超先进电子技术联盟（ASET）对X光曝光进行研究。日本NTT公司研制了用于制造X光掩模的EBX3电子束曝光机。日本NEC则已做出100nm线宽的用于4GDRAM的X光掩模。在主机方面，Canon公司开发了第二代X光步进机XRA-1000，产量达60片/时，供ASET使用。在同步辐射源（SOR）方面，住友重工积累了多年经验开发了Aurora-2s同步辐射装置。在工艺研究方面，富士通、ASET和NTT公司用接近式X光曝光（PXL）做出了80nm器件。去年，日本Kitayama提出对PXL进行延伸，不用0.8nm而用0.4nm波长，则线宽可到25或35nm，当用0.4nm波长时，掩模吸收层必须200nm厚，而掩模膜必须用金刚石，其厚度为0.8nm时的2至3倍。
在美国，XRL在麻省理工大学、威斯康星大学和路易斯安那州大学进行研发，佛蒙达州的SAL公司制造PXL设备。X光点光源由美国科学实验室（SRL）、JMAR和ALFT三家研发，SRL有千瓦级的密集等离子体X射线源（DPFX），SAL公司用DPEX源制造了XRS-2000曝光机，用于洛克希德-马丁公司的Sanders生产线上，生产0.15μmGaAs的MMIC芯片，其掩模则由佛蒙达州的光掩模中心（MCDC）制作。
麻省理学院的Henry I.Smith认为：近年来美国对PXL有所忽视，而日本在ASET组织下继续发展，取得了很大成果，假如日本用PXL制作100-25nm器件取得成功，那么，日本芯片制造商将在几年内无对手，而器件制造方法也将随之改变。
离子投影曝光力争尽快推出商业化设备
离子投影曝光（IPL）就是由气体（氢或氦）离子源发出的离子通过多极静电离子透镜投照于掩模并将图像缩小后聚焦于涂有抗蚀剂的片子上，进行曝光和步进重复操作。IPL具有分辨率高而焦深长，数值孔径小而视场大，衍射效应小，损伤小，产量高，而且对抗蚀剂厚度变化不敏感，工艺成本低等特点。
德国FhGISiT公司在IPL上用深紫外光胶，做出50nm的间隔线条，证实了这项技术用于曝光的可行性。欧洲应用微电子开发项目（MEDEA）从1997年开始，投资3600万美元开发IPL，参加的单位有ASML、Leica、IMS公司等。目标是对300mm片子曝光，分辨率<100nm，生产率为75片/时。
IPL是缩小曝光，需要4倍的硅膜镂孔掩模，它面临应力和入射离子造成的发热。小的掩模变形，导致大的曝光尺寸误差，为此采取了对膜进行掺杂，对膜增加保护层，设计了冷却系统，并通过有限元分析改进了掩模框架的设置，避免气流对掩模造成振动。从加州召开的研讨会上看IPL已经克服了众多技术难题，现在正在对离子光学柱、图像锁定系统进行攻关，力争尽快推出商业化设备。参加IPL研制的Ehrmann认为：虽然SEMATECH看好EUV和EPL，但这并不意味IPL失去最后成功的机会。