⑴ mos管增强型和耗尽型有什么区别
MOS管增强型和耗尽型的区别主要体现在以下几个方面：
1. **导电沟道形成方式**：增强型MOS管的导电沟道是通过外加电压形成的，当外加电压达到一定值时，沟道区域的电荷浓度增加，形成导电沟道。而耗尽型MOS管的导电沟道在制造过程中就已经形成，即使没有外加电压，沟道区域也存在一定数量的自由电子或空穴，形成导电沟道。
2. **工作状态**：在零栅偏压（VGS=0）时，增强型MOS管处于截止状态，沟道内没有导电通道；而耗尽型MOS管则处于导通状态，沟道内已存在导电通道。
3. **阈值电压**：增强型MOS管的阈值电压通常较高，需要较大的栅极电压才能形成导电沟道。而耗尽型MOS管的阈值电压较低，甚至可以为零或负值。
4. **开关速度和导通电阻**：增强型MOS管的开关速度通常较快，因为其沟道形成和关闭过程中电荷浓度的变化较为迅速，且导通电阻较低。而耗尽型MOS管的开关速度较慢，导通电阻也相对较高。
5. **应用场合**：由于耗尽型MOS管在零栅偏压下即处于导通状态，因此在实际应用中可能更容易受到干扰而误触发，导致电路不稳定。而增强型MOS管则需要外加电压才能导通，因此更易于控制，在开关电源、马达驱动等需要精确控制的场合更为常用。
综上所述，MOS管增强型和耗尽型在导电沟道形成方式、工作状态、阈值电压、开关速度和导通电阻以及应用场合等方面存在显著差异。
⑵ 为什么增强型MOS管在电子电路中应用很少
虽然耗尽型MOS管在特定应用中有独特优势，可相比于增强型MOS管，它在广泛的电子电路设计中使用很少，有以下原因：
常开状态：耗尽型MOS管在栅源电压UGS=0时形成导电沟道，它在没有外加电压控制的情况下是“常开”的。这种特性在很多逻辑门电路和开关电源使用很少，因为它没有明确的控制信号来开关器件。
驱动复杂性：要关闭耗尽型MOS管，需要施加负栅源电压减少沟道中的载流子浓度。这比只需施加正栅源电压来开启增强型MOS管要复杂得多，对驱动电路的要求也更高。
静态功耗：耗尽型MOS管在无栅极电压作用下也能导通，没有信号传输时也会有漏电流存在，会有一定的静态功耗。
可靠性与稳定性：耗尽型MOS管对阈值电压的微小变化非常敏感，会让工作点漂移，影响电路的稳定性。
应用场合限制：耗尽型MOS管更适合需要自偏置或自然导通特性的场合，比如高压开关、模拟电路中的某些恒流源或有源负载等。但在数字集成电路（如CPU、GPU等大规模集成芯片）和大多数电源管理领域，增强型MOS管更容易控制和更低的静态功耗已成为主流选择。