Vssa电路

『壹』 电路板设计时这个GND与PE究竟有没有区别

PE一般指的是三相五线制交流电的地线，而GND一般指的是电路板上的接地端，电路板上根据不同的情况还会使用VSS，或者VSSA来表示接地。

『贰』 STM32单片机最小系统怎么画

单片机最小系统，也就是能够使得单片机正常运行程序，最少需要连接哪些器件。

一个单片机开发板，就是“单片机+外围芯片”。一个单片机开发板，需要做哪些功能，完全是由你自己决定。你可以只做一个只有单片机的开发板，就是刚才说的最小系统板，也可以把单片机所有的功能全部做上，也可以只做一部分。

我们要做的，就是用到单片机所有引脚功能的开发板。我们先把单片机最小系统画好，就可以继续添加其它的外围器件了。

上一篇文章，我们已经把单片机画好了。相信你对STM32F103VET6已经有了一些了解。

电源引脚：

VDD是单片机的数字电源正极，VSS是数字电源负极，共有5个VDD引脚，5个VSS引脚。VDDA是单片机的模拟电源正极，负责给内部的ADC、DAC模块供电，VSSA是模拟电源负极。VREF+是参考电压输入引脚正极，VREF-是参考电压输入引脚负极。

上一段提到了ADC和DAC模块，这两种模块是数字与模拟的结合，负责数字信号和模拟信号的转换。在某些应用中，对信号的噪声要求很高，这就需要把数字信号和模拟信号分开，采取一定的措施连接，避免相互影响。所以单片机会有数字电源和模拟电源引脚。由于模拟电源需要一个很标准的电压信号。所以就有了VREF引脚。但是，作为开发板，只是用来学习单片机用的，所以对噪声要求不高，我们就只需要做一个简单的隔离措施：在VDD和VDDA之间接一个0欧姆的电阻，同理，在VSS和VSSA之间接一个0欧姆的电阻。

把VREF+与VDDA连接，把VREF-与VSSA连接。（在实际应用中，VREF+用来连接标准的电压输出，比如REF3133，可以产生标准的3.300V。前面说到，开发板是用来学习的，没有必要给VREF连接一个标准的3.3V，如果你非要连一个，我也不拦着。）

还有一个电源引脚，就是VBAT，BAT就是Battery（电池），那就好理解了，这个引脚用来连接电池的正极的。STM32带RTC功能（实时时钟），所以有VBAT引脚。

这里有一个矛盾需要解决。我们开发板上需要带一个电池，连接到VBAT引脚给RTC供电，我们也希望在不装电池的时候，用USB电源转过来的3.3V给VBAT引脚供电。如果直接连接的话，会有两种后果：1.当电池电压高于3.3V，电池就会输出电流到AMS1117，使得芯片发烫，还会很快消耗电池电量。2.如果电池电压低于3.3V，AMS1117产生的3.3V，就会给电池充电，而这种CR1220电池是不能够充电的。

所以就有了下面这种解决方案：

D1防止AMS1117产生的3.3V流向电池，D2防止电池的电流流向AMS1117。道理很简单，用的就是“二极管的单向导通性”。（不管哪个行业，高手都是那些基础非常扎实的人。）

所有的电源引脚旁边，都需要放置一个0.1uF的电容滤波，用来滤除电源的噪声杂波。

光电源就写了这么长，写的我指干掌燥的。

复位引脚

复位就是重启。STM32复位引脚是低电平复位，正常工作状态，复位引脚是高电平。

晶振引脚

STM32有两组晶振，一组用来给单片机提供主时钟，一组用来给RTC提供时钟。（实际应用中，如果不用RTC功能的话，RTC的晶振不必连接。因为STM32内部有8M的时钟产生，所以如果不用外部晶振的话，也可以不用连接。）我们开发板上，需要学习内部时钟的转换，以及还要学习RTC，所以这两组晶振，我们都需要连接。

（这是主时钟晶振，一般用8M，当然，10M，12M，16M等都可以用，不过，大家都用8M，为了程序的统一性，我们一般就是用8M。）

（这是RTC时钟晶振，需要连接32.768K的晶振，关于为什么要用32.768，大家可以去网络问问，这里就不多说了。）

BOOT引脚

STM32有两个BOOT引脚，分别是BOOT0和BOOT1，这两个引脚的高低电平，决定了单片机的启动方式和运行方式。

这里我们可以先不必了解BOOT0和1分别变高变低会怎么样，我们把BOOT0和BOOT1引脚引出来，然后在排针上可以随便配置BOOT0和BOOT1的高点电平，就可以做好开发板以后，学习这两个引脚的用法了。

到这里，最小系统就画好了。

『叁』 集成电路isd1820py的引脚功能和器件原理

ISD1820P8～20秒单段语音电路

一、主要特性

1.自动节电，维持电流0.5uA

2.边沿/电平触发放音

3.外接电阻调整录音时间（详见附表）

4.3v单电源工作

集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比（基于锗（Ge）的集成电路）和罗伯特·诺伊思（基于硅（Si）的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。

是20世纪50年代后期一60年代发展起来的一种新型半导体器件。它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。其封装外壳有圆壳式、扁平式或双列直插式等多种形式。集成电路技术包括芯片制造技术与设计技术，主要体现在加工设备，加工工艺，封装测试，批量生产及设计创新的能力上。