放大电路管子

1. 放大电路的条件是什么

三极管组成的放大电路，其构成放大的外部条件和内部条件是：一个基本放大电路必须有 输入信号源、晶体三极管、输出负载以及直流电源和相应的偏置电路。其中，直流电源和相应的偏置电路用来为晶体三极管提供静态工作点，以保证晶体三极管工作在放大区。就双极型晶体三极管而言，就是保证发射结正偏，集电结反偏。

三极管放大状态：
三极管基极与发射极之间的电压: 锗管是0.3V；硅管是0.7V.三极管导通。
对于NPN型管子,是C点电位>B点电位>E点电位。
对于PNP型管子,是E点电位>B点电位>C点电位。

2. 可控硅，场效应管，三极管的区别

场效应管VS三极管

1、微件不同：

场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。

2、放大系数：

场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。

3、输入电阻：

场效应管栅极几乎不取电流（ig»0）；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。

4、性能不同：

场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。

(2)放大电路管子扩展阅读：

一、场效应管的工作原理：

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。

在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。

其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。

二、三极管的产品作用：

晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。

我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。

3. 在设计放大电路时，如何选着三极管又什么经验规则

设计放大电路选择三极管，一般都是采用降额设计。就是说，管子额定功率200mA，实际功耗最大允许为100mW，就是50%降额设计。
晶体管选用主要考虑电流电压及功率。管子集电极-发射极耐压(击穿电压)比直流电源Ucc电压大就行。通常Ucc=12V，管子耐压选50V就行。
这就需要计算你的放大器中的三极管可能流过多大电流、可能消耗多大功率。目前功率放大器的晶体管功耗计算很多，随便找一本模拟电子技术书都有，但是放大器电流计算及信号放大器的晶体管功耗计算比较少，很多都是采取经验设计。如果您要想详细计算，可以找元增民《模拟电子技术》看，这本书上增加了信号放大器的晶体管电流及功耗计算。

4. 放大电路中管子的工作点合适与否，对不失真地放大

在放大电路中，三极管V的基极电阻Rb一般用来确定管子静态工作点，在实验电路中，其大小应通过调整来确定的，也就是说调整其大小使管子的集电极电流=工作点电流。
Rb过小，使管子工作点过高，管子的工作状态容易进入饱和区，就会使输出信号的正峰被削去一部分，从而产生失真；
Rb过大，使管子工作点过低，管子工作在特性曲线的非线性区域，就会使输出信号产生非线性失真，或负峰被削去一部分；
∴放大电路中管子的工作点合适与否，对不失真地放大信号极为重要。