管压降电路

临界饱和，如同一道微妙的门槛，当发射结正向偏置，集电结恰好开始反偏时，此时的电压关系是U_be=0.7V，U_cb=0，U_ce=0.7V，这个点我们称之为临界饱和电压，是三极管工作的一个重要转折点。

然而，当三极管进入深度饱和状态，情况有所不同。发射结保持正偏，集电结不再是仅仅反偏，而是同样呈现出正向偏置。这时，U_ce不再为零，而是固定在大约0.3V左右，这个值就是我们所说的饱和管压降。值得注意的是，硅管的饱和管压降通常为0.3V，而锗管则更低，约为0.1V，这是它们材料特性决定的测量结果，无需深入理论分析。