① 静态RAM基本存储电路
那个T3，T4是有源负载，相当于电阻，T3是T1的负载电阻，T4是T2的负载电阻，都是导通的，为T1，T2提供漏极电压的。而真正导通和截止形成反相的，有两个稳定状态的是T1，T2。因为在集成电路内部不方便做电阻，所以，就用这种电路做电阻了。
存储器是计算机的记忆部件。CPU 要执行的程序、要处理的数据、处理的中间结果等都存放在存储器中。
目前微机的存储器几乎全部采用半导体存储器。存储容量和存取时间是存储器的两项重要指标，它们反映了存储记忆信息的多少与工作速度的快慢。半导体存储器根据应用可分为读写存储器(RAM)和只读存储器(ROM)两大类。
读写存储器(RAM)
读写存储器又称随机存取存储器(Random Access Memory)简称RAM，它能够在存储器中任意指定的地方随时写入或读出信息；当电源掉电时，RAM 里的内容即消失。根据存储单元的工作原理，RAM 又分为静态RAM 和动态RAM。静态RAM 用触发器作为存储单元存放1 和0，存取速度快，只要不掉电即可持续保持内容不变。一般静态RAM 的集成度较低，成本较高。
动态RAM 的基本存储电路为带驱动晶体管的电容。电容上有无电荷状态被视为逻辑1 和0。随着时间的推移，电容上的电荷会逐渐减少，为保持其内容必须周期性地对其进行刷新(对电容充电)以维持其中所存的数据，所以在硬件系统中也得设置相应的刷新电路来完成动态RAM 的刷新，这样一来无疑增加了硬件系统的复杂程度，因此在单片机应用系统中一般不使用动态RAM。静态RAM 的基本存储电路为触发器，每个触发器存放一位二进制信息，由若干个触发器组成
一个存储单元，再由若干存储单元组成存储器矩阵，加上地址译码器和读／写控制电路就组成静态RAM。与动态RAM 相比，静态RAM 无须考虑保持数据而设置的
刷新电路，故扩展电路较简单。但由于静态RAM 是通过有源电路来保持存储器中的数据，因此，要消耗较多功率，价格也较高。
RAM 内容的存取是以字节为单位的，为了区别各个不同的字节，将每个字节的存储单元赋予一4个编号，该编号就称为这个存储单元的地址，存储单元是存储的最基本单位，不同的单元有不同的地址。在进行读写操作时，可以按照地址访问某个单—元。
由于集成度的限制，目前单片RAM 容量很有限，对于一个大容量的存储系统，往往需要若干RAM 组成，而读／写操作时，通常仅操作其中一片(或几片)，这就存在一个片选问题。RAM 芯片上特设了一条片选信号线，在片选信号线上加入有效电平，芯片即被选中，可进行读／写操作，末被选中的芯片不工作。片选信号仅解决芯片是否工作的问题，而芯片执行读还是写则还需有一根读写信号线，所以芯片上必须设读／写控制线。