『壹』 求助:中国建国60年,集成电子行业发展历史
我国集成电路的发展历史
我国集成电路产业诞生于六十年代，共经历了三个发展阶段：
1965年-1978年：以计算机和军工配套为目标，以开发逻辑电路为主要产 品，初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件；
1978年-1990年：主要引进美国二手设备，改善集成电路装备水平，在“治散治乱”的同时，以消费类整机作为配套重点，较好地解决了彩电集成电路的国产化；
1990年-2000年：以908工程、909工程为重点，以CAD为突破口，抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设，为信息产业服务，集成电路行业取得了新的发展。
在信息技术系统中，微电子技术可称为信息技术的核心。它的发展进程体现了信息技术的发展过程。
从微电子技术看，自从1948年晶体管被发明以后，1958年第一块集成电路问世，引发了一场微电子革命，微电子技术使得越来越复杂的电子系统可以集成在一小块硅片上，使电子设备和系统的微型化、低能耗成为可能。集成电路从中小规模集成电路逐步发展到大规模集成电路，超大规模集成电路，并实现了平均每18个月集成电路芯片上集成的电子器件数翻一番，而价格却保持不变甚至下降，这就带动了以集成电路为基础的信息技术迅速发展，创造了信息技术产品性能不断提高，而价格不断下降的奇迹。
从通信技术和计算机技术看，
从19世纪上半叶莫尔斯发明电报至20世纪下半叶初第一部程控交换机的诞生和数字程控交换机的应用，使通信技术开始向数字化发展。卫星通信、称动通信和通信技术的发展，更是开拓了通信手段，进一步扩展了通信技术的应用领域。
而从1946年世界上第一台笨重的庞大的、高电能耗的计算机问世以后，随着集成电路和软件技术的发展，计算机的运算速度、存储容量和能力不断提高，其功能也从单一的计算功能发展成能处理数字、语言、图象等多种信息，其应用的领域也覆盖了社会各个方面
『贰』 人类什么年代发明了集成电路
杰克 基尔比（Jack S. Kilby） 集成电路之父 1958年9月12日，基尔比研制出世界上第一块集成电路 1947年12月23日第一块晶体管在贝尔实验室诞生，从此人类步入了飞速发展的电子时代。但是对于从小就对电子技术感兴趣的基尔比来说可不见得是件好的事情：晶体管的发明宣布了基尔比在大学里选修的电子管技术课程全部作废。但是这并没有消减这个年轻人对电子技术的热情，反而更加坚定了他的道路。 也许这就是天意，在晶体管发明十年后的1958年，34岁的基尔比加入德州仪器公司。说起当初为何选择德州仪器，基尔比轻描淡写道：“因为它是惟一允许我差不多把全部时间用于研究电子器件微型化的公司，给我提供了大量的时间和不错的实验条件。”也正是德州仪器这一温室，孕育了基尔比无与伦比的成就。 虽然那个时代的工程师们因为晶体管发明而备受鼓舞，开始尝试设计高速计算机，但是问题还没有完全解决：由晶体管组装的电子设备还是太笨重了，工程师们设计的电路需要几英里长的线路还有上百万个的焊点组成，建造它的难度可想而知。至于个人拥有计算机，更是一个遥不可及的梦想。针对这一情况，基尔比提出了一个大胆的设想： “能不能将电阻、电容、晶体管等电子元器件都安置在一个半导体单片上？”这样整个电路的体积将会大大缩小，于是这个新来的工程师开始尝试一个叫做相位转换振荡器的简易集成电路。 1958年9月12日，基尔比研制出世界上第一块集成电路，成功地实现了把电子器件集成在一块半导体材料上的构想，并通过了德州仪器公司高层管理人员的检查。请记住这一天，集成电路取代了晶体管，为开发电子产品的各种功能铺平了道路，并且大幅度降低了成本，使微处理器的出现成为了可能，开创了电子技术历史的新纪元，让我们现在习以为常一切电子产品的出现成为可能
『叁』 谁知道「世界集成电路(芯片)」发展简史
半导体，即芯片，是技术发展的基石。回顾其发展史，我们可以看到，从最初的学术认可到后来的商业应用，半导体经历了漫长而迅速的演变。
半导体是由导电性介于导体与绝缘体之间的材料构成的。在半导体材料被学术界正式确认之前，它们的发现时间相对较晚。20世纪30年代，随着材料提纯技术的进步，半导体的存在才得以被认可。
在半导体领域，集成电路、光电器件、分立器件和传感器占据了主导地位，其中，集成电路占器件总份额的80%以上。根据产品种类，集成电路主要分为微处理器、存储器、逻辑器件和模拟器件四大类。这些集成电路，我们通常称为芯片。
晶体管作为芯片的核心组成部分，是半导体技术发展的关键。晶体管的发明始于1929年，但当时的技术限制导致无法生产出足够的纯度材料。1947年，肖克利、巴丁和布拉顿团队在贝尔实验室成功制造出了锗晶体管，这一发明使他们于1956年荣获诺贝尔物理学奖。肖克利因此被誉为晶体管之父。
晶体管之所以能够胜任芯片功能，是因为它们能够通过电信号控制自身开合，以开关状态代表逻辑0和逻辑1。这种功能对于数字电路至关重要，所有的逻辑功能归根结底是基于0和1。
半导体行业的发展过程中，充满了历史的八卦。例如，肖克利在发明晶体管后，创办了自己的公司，并在公司的管理上面临了挑战。1955年，他回到了圣克拉拉谷，并创办了公司，随后组建了团队，但因专横独裁的管理方式，导致公司发展停滞。1957年，以诺伊斯为首的八位年轻人离职，创立了仙童半导体，这一事件也被称为“硅谷八叛将”事件。
仙童半导体在新的管理模式下迅速发展，不到半年就实现了盈利，并在平面工艺和集成电路技术上取得了重大突破。诺伊斯和摩尔在1968年共同创立了英特尔，开启了半导体行业的又一新篇章。随后，AMD、美国国家半导体、Altera等知名公司也相继成立，这些公司都是从仙童半导体发展壮大起来的。
展望未来，半导体行业正在面临新的挑战。随着技术的限制，摩尔定律似乎开始接近极限。然而，量子技术的发展为半导体行业指明了新的方向。量子芯片的出现，凭借多个量子位，突破了传统芯片的运算限制，展现了指数增长的计算能力。随着科技的进步，未来的半导体行业将充满无限可能，对每个人而言，这意味着一个值得期待的未来。
摩尔定律：集成电路芯片上的电路数量，每18个月翻一番。
『肆』 数字电路发展史的简介是什么
从60年代开始，数字集成器件以双极型工艺制成了小规模逻辑器件。随后发展到中规模逻辑器件；70年代末，微处理器的出现，使数字集成电路的性能产生质的飞跃。数字集成器件所用的材料以硅材料为主，在高速电路中，也使用化合物半导体材料，例如砷化镓等。逻辑门是数字电路中一种重要的逻辑单元电路。TTL逻辑门电路问世较早，其工艺经过不断改进，至今仍为主要的基本逻辑器件之一。随着CMOS工艺的发展，TTL的主导地位受到了动摇，有被CMOS器件所取代的趋势。近年来，可编程逻辑器件PLD特别是现场可编程门阵列FPGA的飞速进步，使数字电子技术开创了新局面，不仅规模大，而且将硬件与软件相结合，使器件的功能更加完善，使用更灵活。
『伍』 电子技术的发展历史
电子技术的发展历史
电子技术起源于19世纪末至20世纪初，至20世纪已成为发展最为迅速、应用最为广泛的科技之一，标志着现代科学技术的进步。
第一代电子产品以电子管作为核心组件，其缺点包括体积庞大、耗电量大和寿命短暂。1904年发明了电子管，而第一台电子计算机ENIAC，重约30吨，使用了18000个电子管，功耗达到25千瓦。
20世纪40年代末，第一支半导体三极管问世，它较电子管更为小巧、轻便、省电且寿命更长。到了50年代末，第一块集成电路被开发出来，它在小小的硅片上集成了众多晶体管，进一步节省了能源，并促进了电子产品的小型化。
集成电路随后从小规模发展到大规模和超大规模，这使得电子产品朝着更高效、低耗能、高精度、高稳定性和智能化的方向发展。
电子计算机的发展经历了四个阶段，每个阶段都反映了电子技术发展的特点。1946年，美国研制成功了世界上第一台电子计算机ENIAC，使用了18800个电子管，占地170平方米，耗电140千瓦，价格超过40万美元。ENIAC在提高了运算速度的同时，也因其庞大和耗电而被视为“庞然大物”。
自ENIAC问世后的四十多年里，电子计算机的发展极为迅速。电子计算机的发展大致可以划分为四个代：
- 第一代（1946-1957年）以电子管作为基本电子元件，运算速度和内存容量都有限，主要应用于军事和科研部门。
- 第二代（1958-1970年）采用晶体管，体积小、耗电少、成本低，逻辑功能更强。
- 第三代（1963-1970年）使用集成电路，性能有了显著提升，体积缩小，价格降低，功能增强。
- 第四代（1971年至今）以大规模和超大规模集成电路为核心，运算速度极大提升。
电子元器件是电子电路的基础，其发展推动了技术的革新，而技术的新进展又为元器件的发展提出了新要求。
『陆』 集成电路产业的集成电路发展简史
1947年：贝尔实验室肖特莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑；集成电路
1950年：结型晶体管诞生；1950年： R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺；1951年：场效应晶体管发明；1956年：C S Fuller发明了扩散工艺；1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史；1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺；1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管；1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺；1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍；1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门）；1967年：应用材料公司（Applied Materials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司；1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现；1971年：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明；1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802；1976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世；1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临；1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球第一台PC；1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世；1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM；1985年：80386微处理器问世，20MHz；1988年：16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（VLSI）阶段；1989年：1Mb DRAM进入市场；1989年：486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺；1992年：64M位随机存储器问世；1993年：66MHz奔腾处理器推出，采用0.6μm工艺；1995年：Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μm工艺；集成电路
1997年：300MHz奔腾Ⅱ问世，采用0.25μm工艺；1999年：奔腾Ⅲ问世，450MHz，采用0.25μm工艺，后采用0.18μm工艺；2000年：1Gb RAM投放市场；2000年：奔腾4问世，1.5GHz，采用0.18μm工艺；2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工艺。2003年：奔腾4 E系列推出，采用90nm工艺。2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工艺。2007年：基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。2009年：intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳米工艺，并且下一代22纳米工艺正在研发。 (ball grid array)球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用 以代替引集成电路
脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP为40mm 见方。而且BGA 不 用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有 可 能在个人计算机中普及。最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。BGA 的问题是回流焊后的外观检查。尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。 美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。 表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗 口的集成电路
Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1. 5～ 2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3～5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多种规格。引脚数从32 到368。带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形 。 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ－G(见QFJ)。 (al tape carrier package)双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于 利 用的是集成电路
TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为 定制品。 另外，0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机 械工 业)会标准规定，将DICP 命名为DTP。 (surface mount type)表面贴装型PGA。通常PGA 为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA 在封装的 底面有陈列集成电路
状的引脚，其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而 也称 为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA 小一半，所以封装本体可制作得 不 怎么大，而引脚数比插装型多(250～528)，是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有 多层陶 瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。 (pin grid array)陈列引脚封装。插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都 采 用多层陶集成电路
瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下，多数为陶瓷PGA，用于高速大规模 逻辑 LSI 电路。成本较高。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从64 到447 左右。 了为降低成本，封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64～256 引脚的塑料PG A。 另外，还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型PGA(碰焊PGA)。(见表面贴装 型PGA)。 (quad flat non-leaded package)四侧无引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。QFN 是日本电子机械工业 会规定的集成电路
名称。封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比QFP 小，高度 比QFP 低。但是，当印刷基板与封装之间产生应力时，在电极接触处就不能得到缓解。因此电 极触点 难于作到QFP 的引脚那样多，一般从14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC 标记时基本上都是陶瓷QFN。电极触点中心距1.27mm。塑料QFN 是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。电极触点中心距除1.27mm 外， 还有0.65mm 和0.5mm 两种。这种封装也称为塑料LCC、PCLC、P－LCC 等。 (Small Outline Package(Wide-Jype))宽体SOP。部分半导体厂家采用的名称。
