ldo电路

A. 求一款芯片，24V输入，5V输出的低纹波LDO芯片，有电路图更好，谢谢啦！

LDO一般用在低压来差（输入电压与输出电自压高一点点）的环境，像这种24V输入，5V输出的话，效率会特别低，而有在的压差会限制LDO的带载能力，因为大的压差会使LDO本身的功耗增大，电流就不能太大，不好用，如果非要这么用可以试试LM317，可以承受这么大的压差

B. 设计电路时选用LDO器件要注意哪些参数

除了输出电压，还要注意以下几个参数：
1、最大电流：器件最大支持的电流
2、℃/W 实际上就是芯片的封装，计算一下工作时LDO两端的压降，乘以平均电流就是这个器件上消耗的功率，再通过℃/W指标计算出温升是多少度，看看这个温度是否在你的设计预期之内。LDO最大的缺点就是容易发热，所以这个指标非常重要。
3、最小压降，有的LDO可以做到100-600mV，这就很好；像7805之类的需要接近3V的压降，你至少要给它输入8V的电压，这时的发热量可不小，可靠性也不佳；
4、最高输入电压：一般都在 5.5V以上，也有15V、30V的，这个指标一般不会选错。
5、静态电流，也就是接地的那一端流经电流。像AMS1117之类能达到10mA，在一些应用中这可是耗电大户。好的LDO一般在1mA左右甚至更低；
6、最小输入电容、输出电容：这个要看规格说明书。好的LDO可以不必用太大容量的电容，这意味者你可以不使用电解电容甚至钽电容，用贴片0805或0603之类普通电容即可，有的甚至不需要电容。
7、最小输出电流，有的LDO不能完全空载，后面得加一个电阻保持最低电流；
8、特殊功能，例如使能引脚（开关），ERROR引脚等；
9、其它参数，例如噪音、精度、ppm之类，这些指标一般都够用，不必太在意。

C. 这个LDO电路，不是采用PNP管，而是采用NPN管，压降等于多少呢

这个压降是可调的，调多大怎么能看出来？图中也没参数。调R2可以调节晶体管Q的压降Uce，从而调节输出电压。

D. 求3.7V锂电池通过LDO转化成3.3V电路图，不要就给个芯片名字，要电路图。

我认为压降太小，不好搞，是不是可以串接一个肖特基二极管其压降大约0.3-0.4V，这样也可以吧电压降到3.3-3.4v

E. LDO内部电路分析--关于运算放大器

1：输入电流的确变小，由于这是个负反馈的回路。净输入电压升高，意味着Vout比参考电专压高，需属要减小电源对输出提供的能量。这就通过运放调整调（减小）PNP基极电流来控制减小输出电流，以达到动态的平衡。
2：用PNP管的是要注意LDO含义，叫低压差线性稳压电源，强调输入和输出低压差；如果如果采用NPN结构的话由于Vbe需要大于0.6，所以Vout最大值只能在Vdd-0.6一下。这不仅限制了输出的电压范围，更降低了电路的效率（LDO的效率=vo/vin）；而是用P管我们不需要担心这个其输出范围为（Vdd-I*Rpnp）；
3：串联型稳压电路属于开关电源，即buck结构，其调整管处于开关状态（LDO处于线性调整状态），而且需要额外的电感、二极管；二者应用范围不同；各有优缺点；
PS：如果楼主从事电路设计的话，请看看《A
Frequency
Compensation
Scheme
for
LDO
Voltage
Regulators
》，很好的paper

F. LDO内部电路分析--关于运算放大器

我来回答你吧。
这个电路的关键在于调整管状态的分析，首先回答你第三个问题，
LDO也就是低压差线性稳压电源与串联型稳压电源最大的不同在于，调整管的工作状态。
LDO中的调整管工作在饱和状态，运放控制的是饱和程度的高低，而串联型稳压电源，调整管工作在放大状态。这也就可以解释，为什么LDO的压差能做得那么小。很明显，三极管处于放大状态时，UCE至少要有1V以上，一般都是好几V。而饱和状态下，一般只有零点几V。这也就是低压差的根本原因。
再回答你的第一个问题，运放净输入增大，输出自然增大。这样就导致发射结UBE电压减小，根据三极管输入特性曲线，UBE下降，则IB自然减小。再看输出特性曲线，IB减小后，在饱和区，IC也跟着大幅度下降，而整个电路的输出电流就是由调整管的IC电流决定的。
之所以选用PNP管，也是跟状态有关系，PNP 管子做开关更容易（单片机驱动输出就经常这么做），只要运放输出介于发射极、集电极电压之间（确保发射结正偏，集电结正偏即可），而且由于需要变化的范围小，比较容易控制调整管的饱和程度。用NPN做开关，陷入饱和状态，理论上也可以，但是你自己看一下，此时它的饱和控制比较困难，一方面是运放输出，另一方面是，UE的电压（E刚好又在输出端） ，两者合成对UBE的控制，很困难。另外一点，从三极管的使用来看，三极管的集电极面积最大，最适合带负载，所以一般电路用三极管驱动的话，负载都在集电极上，而用NPN管的话，负载是在发射极上。这就导致了一个后果，你仔细看看，LDO往往可以用比较小的三极管实现比较大的电流输出，而NPN型电源，使用的管子很大，输出却很一般。相比之下，PNP型管的使用效率更高，成本也更低。
从这个问题看，其实你只要对三极管特性掌握好一些，就可以自行分析了。

G. ldo工作原理

压差线性稳压器(LDO)的基本电路如图所示，该电路由串联调整管VT、取样电阻R1和R2、比较放版大器A组成。

取样电压权加在比较器A的同相输入端，与加在反相输入端的基准电压Uref相比较，两者的差值经放大器A放大后，控制串联调整管的压降，从而稳定输出电压。当输出电压Uout降低时，基准电压与取样电压的差值增加，比较放大器输出的驱动电流增加，串联调整管压降减小，从而使输出电压升高。相反，若输出电压Uout超过所需要的设定值，比较放大器输出的前驱动电流减小，从而使输出电压降低。供电过程中，输出电压校正连续进行，调整时间只受比较放大器和输出晶体管回路反应速度的限制。

应当说明的是，实际的线性稳压器还应当具有许多其它的功能，比如负载短路保护、过压关断、过热关断、反接保护等，而且串联调整管也可以采用MOSFET。

H. 有一个板子上电源电路，丝印是A9Y93，一直不知道是哪家的芯片，也不确定是DCDC电路还是LDO

类似于三端稳压模块。

仔细看看芯片上的信息。

I. LDO到底是个稳压器还是降压电路

LDO是low dropout regulator，意为低压差线性稳压器，是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78xx系列的芯片都要求输入电压要比输出电压高出2v~3V以上，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5v转3.3v,输入与输出的压差只有1.7v，显然是不满足条件的。针对这种情况，才有了LDO类的电源转换芯片。
LDO 是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的
LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右；与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。
更新的发展使用 CMOS 功率晶体管，它能够提供最低的压降电压。使用 CMOS，通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的 ON 电阻造成的。如果负载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏。
DCDC的意思是直流变（到）直流（不同直流电源值的转换），只要符合这个定义都可以叫DCDC转换器，
包括LDO。但是一般的说法是把直流变（到）直流由开关方式实现的器件叫DCDC。
LDO是低压降的意思，这有一段说明：低压降（LDO）线性稳压器的成本低，噪音低，静态电流小，
这些是它的突出优点。它需要的外接元件也很少，通常只需要一两个旁路电容。新的LDO线性稳压
器可达到以下指标：输出噪声30μV，PSRR为60dB，静态电流6μA（TI的TPS78001达到Iq=0.5uA），电压降只有100mV(TI量产了号称0.1mV的LDO)。 LDO线性稳
压器的性能之所以能够达到这个水平，主要原因在于其中的调整管是用P沟道MOSFET，而普通的线
性稳压器是使用PNP晶体管。P沟道MOSFET是电压驱动的，不需要电流，所以大大降低了器件本身消
耗的电流；另一方面，采用PNP晶体管的电路中，为了防止PNP晶体管进入饱和状态而降低输出能力
， 输入和输出之间的电压降不可以太低；而P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流与导通电阻
的乘积。由于MOSFET的导通电阻很小，因而它上面的电压降非常低。

J. 给模拟电路供电的LDO和给数字电路供电的不同

because she didn't sell one match.