双向可控硅电路

❶ 双向可控硅电路工作原理求解释……

以过零触发电路作为驱动模块

❷ 双向可控硅在现实电路中怎么测试好坏

对于复双向可控硅，闭合开关制K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏。

先任测两个极，若正、反测指针均不动（R&TImes;1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。

若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。

(2)双向可控硅电路扩展阅读

1、双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件。

2、双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。

3、双向可控硅属于NPNPN五层器件，三个电极分别是T1、T2、G。从形式上可将双向可控硅看成两只普通可控硅的组合，但实际上它是由7只晶体管和多只电阻构成的功率集成器件。

❸ 双向可控硅在电路中的作用

双向可控硅一般用于交流调压或当交流电子开关用。

❹ 双向可控硅调压电路能否直接整流

你的所谓“调抄压”，其实是通过控制袭SCR(晶闸管，俗称可控硅)的导通角，使得完整波形的正弦波被切割掉一部分，输出电压有效值将会降低。但是只要半个周期的波形大于90度，峰值电压仍然是220*√2=310V。所以经过整流电路再滤波，电压仍然是DC300V。如果是经过自耦变压器调整后降低输出交流电压，减压降低而波形不会改变，再经过整流，电压也会跟着降低。

❺ 220v交流双向可控硅控制电压电路图

如上图1

所示，左侧为两个30K/2W的电阻，这样限制输入电流为：220V/60K=3.67mA,由于该版路仅仅是为了提取交流权信号，因此小电流输入即可。整流桥芯片采用小功率（2W）的KBP210，之后接入一个光耦（P521）,这样如图1整流后信号电压值超过光耦前段二极管的导通电压时，即产生一次脉冲，光耦右侧为一上拉电路，VCC为单片机供电电压：+3.3V。光耦三极管导通时，输出低电平，关闭时输出高电平。

❻ 双向可控硅电路 按照经典电路接的

简单说，触发信号抄电平是以阴极（或阳极2）为参考点的，因此，触发信号必须经过阴极节点先自成回路（即不包含可控硅内部电路），R3（或其等效电路）就是用来实现这种回路的，显见的，触发电平就是R3的电压降了；

❼ 单片机控制PWM,用到双向可控硅。怎样设计相关电路图和程序（C语言的）

这个我抄经常用，电机调速控制，严袭格说这不是PWM，是可控硅移相触发。
电路很简单，一个可控硅触发电路，一个过零检测电路，配合一段中断服务程序就能完成。

不知道你应用的一些详情，简单说一下思路。
可控硅触发一般使用MOC3021，相关手册上有典型电路，CPU端接一个GPIO就可以。
闭环控制时过零检测不需要很精确，一般用一个双向光耦就足够，光耦输入接交流电输入，输出接CPU中断，用史密特整形一下输出信号最好。
中断程序的结构分成两部分，过零中断与延时中断。
过零中断做两件事，输出复位，开始延时。如果定时器有外部管脚复位启动功能，可以不要这段。
延时中断做一件事，触发输出。如果定时器有触发输出功能，可以没有这段中断程序。
具体的延时时间，由主程序控制，一般是根据PID的计算结果进行设置。注意，延时时间越长，输出电压越小。

❽ 双向可控硅调压电路

可以的，可控硅需要用3Q BTA41-800BW ，但这么大功率的调节不能用这种简单的电路，这个电路只适合小功率调节。

❾ 求一个通过单片机控制双向可控硅的电路。

这个是单片机控制光耦、可控硅电路。典型的应用就是在调光上面

❿ 双向可控硅相位角控制电路图

TRIAC为三端元件，其三端分别为T1 (第二端子或第二阳极)，T 2(第一端子或第一阳极)和G(控制极)亦为一闸极控制开关，与SCR最大的不同点在于TRIAC无论于正向或反向电压时皆可导通，其符号构造及外型如下图3所示。因为它是双向元件，所以不管T1、T2的电压极性如何，若闸极有信号加入时，则T1 ,T2间呈导通状态;反之，加闸极触发信号，则T1 ,T2间有极高的阻抗。